DRAM微縮1a奈米起是否導入EUV　記憶體三巨頭停看聽

儘管DRAM記憶體三巨頭下一個戰場鎖定1z奈米製程節點，但轉進1z奈米以下之後，業者的DRAM產品藍圖上還規劃了三個微縮DRAM世代，分別是1a奈米、1b奈米以及1c奈米，然而，供應商目前仍對於上述三個微縮節點之相關細節三緘其口，唯一可知的共通性在於這些節點仍落在所謂的1x奈米節點典範內(1xnm node regime)。據AnandTech、SemiEngineering報導，包括三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)以及美光(Micron)等DRAM製造商有意採取不同途徑轉進1a奈米製程及以下節點微縮進程，為了要簡化製程步驟，DRAM產業有史以來將在生產過程中導入EUV製程設備。研究機構TechInsights報告指出，SK海力士計劃從1a奈米開始導入EUV設備生產DRAM，預計將從2021年投產。在此同時，三星雖然已經在1z奈米製程結束EUV設備測試，但卻不會在1z奈米製程DRAM量產時導入EUV技術，反而要等到1a甚或1b奈米量產伊始才會使用EUV設備。邏輯晶片方面，三星晶圓代工事業部反而推動導入EUV製程設備不遺餘力，甚至在7奈米製程量產推動的同時，同步導入EUV技術，截然不同於台積電7奈米製程兩階段分別採用DUV與EUV微影設備之策略應用。不過，三星晶圓代工同步採用7奈米EUV製程的取向也讓其良率提升過程吃盡了苦頭，原本宣布2018年投產的時程，卻遲遲等到2019年第4季才正式量產高通(Qualcomm)7奈米晶片，錯過了以EUV製程行銷策略、搶回蘋果(Apple)AP代工訂單的契機。另一方面，隨著台積電7奈米製程第二年順利導入EUV製程量產海思、蘋果AP大單，三星也終於在2019年成功提升7奈米EUV製程良率，緊接著就是三星DRAM生產導入EUV設備時機，然據半導體研究機構VLSI Research報告指出，EUV投產DRAM的良率提升不易，恐怕也是三星減緩導入腳步的考量之一。值得注意的是，並非所有一線DRAM大廠均積極擁抱EUV技術導入，在先進DRAM製程節點上，美光反而計劃繼續延伸193沉浸式微影設備以及自行對準雙重曝光(SADP)製程到1b奈米製程世代，至於到了1c奈米製程，目前還在開發四重曝光顯影技術(quadruple patterning)。美光表示，仍將持續評估導入EUV製程的可行性，但仍相信目前訴諸多重性製程的考量，反而不認為有必要立刻導入EUV技術。事實上，美光仍獨鐘既有取向並不令人疑惑，VLSI分析師表示，美光儘可能展延顯影技術之路，甚至也相當嫻熟於將既有工具設備推升到極限，同時也清楚驟然導入EUV設備，在成本上和技術上未必是真正的明智之舉。