瑞晶成功試產30奈米DDR3

瑞晶(4932)昨日宣布，已成功試產出使用爾必達所開發30nm製程的2Gb DDR3晶片，良率符合預期，未來將加速進行製程轉換，預計於 2011年下半年全面導入量產，並同時生產4Gb DDR3 DRAM。瑞晶表示，此次試產成功之2Gb DDR3 DRAM產品，是使用爾必達所開發，低耗電、高效能全新30nm製程技術，每片晶圓產出晶粒量比40nm製程多出 45％，可有效降低生產成本。瑞晶總經理陳正坤指出，此次試產結果，不論品質、良率均相當令人滿意，希望能在2011年下半年，將月產能8.5萬片的全產線，百分之百轉換完成。此外，也將生產4Gb DDR3 DRAM，以滿足高階產品的需求。新的2Gb DDR3 DRAM傳輸率高達1600 Mbps，但只需1.35伏特的電壓，並兼容DDR3-Plus(Seamless BL4ac cess)標準，可有效提升消費性電子產品的表現。