爾必達和瑞晶聯手搶進4F2 DDR3技術

爾必達(Elpida)的台灣存託憑證(TDR)即將在2月25日登場，與瑞晶合資成立的研發中心也打鐵趁熱展示最新的研發成果，宣布4F2架構的1Gb DDR3技術成功試產，採用65奈米製程。爾必達強調，在同樣製程之下，採用4F2架構技術生產的晶片可較主流的6F2架構技術體積減少30%，且適合用於低功耗產品如Mobile RAM等。爾必達在2007年的DRAM技術架構是採用8F2，到了2008年進入60奈米製程包括65奈米和63奈米，以及2009年導入45奈米製程，都改採6F2技術架構，目前業界主流的DRAM技術架構仍是6F2為居多，像是三星電子(Samsung Electronics)等大廠也試圖導入4F2架構技術，但各家採取的方式都相異。爾必達與瑞晶合資的研發中心在2010年開始運作，趁著近期爾必達要來台灣發行TDR，也順勢展現台日合作開發技術的成效，宣布成功試產4F2架構的1Gb DDR3，採用65奈米製程。爾必達分析，在同樣以50奈米製程生產下，4F2技術架構將較6F2架構生產的晶片體積減少30%，意即再不用製程微縮的情況下，每片晶圓產出可增加，且4F2技術架構生產的DRAM產品特別適合用於低功耗的記憶體，如Mobile RAM等。不過，記憶體業者也認為4F2技術架構要導入量產難度門檻較高，過去有也DRAM廠導入4F2技術架構後，又重新回頭採用6F2架構技術，象徵4F2技術障礙不低，未來如何在40奈米和30奈米製程世代上，成功以4F2技術架構量產也是一大學問。爾必達社長