美光2019財年NAND資本支出減少

美中貿易戰情勢緊張，記憶體市況從高點反轉，外界對未來產業看法分歧，美光全球營運執行副總裁Manish Bhatia指出， 2019年會計年度的資本支出將用於提升DRAM、NAND Flash生產技術，並將會因應客戶需求進行彈性調整，其中，NAND Flash晶圓產能的資本支出將較2018年度調降，但DRAM的供給與需求仍處於相對健康。隨著近來美中貿易戰升溫，Bhatia認為，全球任何一家公司都希望有公平競爭的場域，美光也會善用全球布局觸角以因應貿易戰的變化，希望對峙情況能儘快解決，由於目前台灣仍是美光最大的生產基地，因此並不受美中貿易戰影響，而美光並未在大陸設置前段晶圓廠，不過封測產線將會因應關稅變化而進一步調整，影響較大的部分則是DRAM模組，由於模組為生產流程的最後一個步驟，受到關稅增加的影響較大，將會考慮配合客戶需求進行調整與因應。展望記憶體市況發展，Bhatia表示，DRAM市場仍相對健康，由於終端市場對DRAM需求多元化，包括新興領域如物聯網、雲端應用、自動駕駛、5G、區塊鏈等發展，記憶體應用需求日益增加，整體科技產業都需要同步升級；另一方面，產業供應鏈導入先進製程後，需要投資的資本規模也越來越大，提高進入門檻，使得供給端擴充也相對穩定，整體而言，預計全球DRAM產業的位元增加幅度約在20%左右，美光也維持與產業相當的幅度。根據美光公布資本支出規劃，2019年財年將投入105億美元的研發費用，相較於2018財年的82億美元進一步提高，Bhatia也表示，2018財年第4季的資本支出為20億美元，但目前無法提供具體的資本支出分配狀況，但NAND Flash的晶圓產能資本支出將會比2018年度減少，以因應市場產業需求。美光表示，DRAM製程將維持1年提升一個世代製程的進度，目前台中廠(原瑞晶)與桃園廠(原華亞科)在2018年底前已進入1x奈米製程，其中，台中廠預計2019年將升級製程至1z奈米，最快2020年或之後步入量產1z製程，而桃園廠(原華亞科)也在2018年下半開始進入1x奈米製程後，並將導入於1y奈米技術，因此2019年將延續DRAM產量不增加，但提升製程技術，以增加記憶體位元成長的策略。受到記憶體市場雜音頻傳影響，韓系記憶體大廠也開始展開調節產能計畫，先前三星已傳出將延後2018年底DRAM擴產的進度，至於SK海力士將計劃調整設備投資和產能，以應對價格下跌，包括位於大陸無錫的C2工廠，也將把原來20奈米的DRAM生產製程優化成1x奈米，以降低生產成本，並將在2019年第 2 季量產。