晶片製程 美衝先進、陸攻成熟 |集邦科技

美國參眾議院順利通過《美國晶片法案》強化在美國本土設廠的半 導體補貼的同時，將限制獲補助廠商在中國投資，加上美國擬擴大對 中國半導體設備出口限制。研調機構集邦科技認為，未來三年美國將 持續強化先進製程技術，而中國將鎖定成熟製程晶圓產能擴產。

《美國晶片法案》待美國總統簽署後即正式生效，該法案草案不僅 涵蓋晶圓製造研發與建廠補助、稅務優惠補貼等，同時也提出附加限 制條款，擬針對獲美國國家補貼的公司，限制獲補助期間不得在中國 投資28奈米以下製程技術，以確保該法案對美國半導體產業競爭力的 保護。

市調單位表示，目前同時於美國、中國投資擴產／廠的半導體公司 僅有台積電（2330）與三星（Samsung），針對《美國晶片法案》將 如何限制兩家業者於中國的投資值得持續關注。

且先前美國祭出的《實體清單》明文禁止用於1X奈米及以下先進製 程之美國技術銷售予被列入清單的公司，多數中國晶圓代工業者因而 轉向積極擴充28奈米及以上成熟製程技術。

值得一提的是，中芯國際（SMIC）傳出成功量產7奈米製程，據集 邦調查，由於7奈米（含）以下製程已逼近物理極限，若採用DUV而非 EUV技術，需要更複雜的製作程序，將影響良率與成本，加上挖礦晶 片結構與其他邏輯晶片較為簡單，該製程產線欲生產更複雜的邏輯晶 片難度恐怕相當高。

疫情導致的晶片供應鏈斷鏈刺激各區域經濟體更加重視半導體自主 性議題，美國除透過晶片法案積極培植國內產線外，更頻頻藉由附加 限制條款，配合疫情前即已執行數年的實體清單禁令，欲提高對中國 半導體制裁的強度與深度以抑制其發展。

從晶圓代工端來看，台積電與三星近期赴美投資設廠以5奈米先進 製程為主，而在中國擴產活動則大多為28奈米（含）以上成熟製程。

集邦統計，中國晶圓代工業者在既有設備限制下亦較積極於擴充成 熟製程產能，2022∼2025年中國十二吋約當產能占比將自24％成長至 27％，成長幅度居各區域之冠；但若僅觀察先進製程（7奈米及以下 ）方面，2022∼2025年則以美國增加幅度最高，預估市占至2025年將 成長至12％。