美晶片法案 升高地緣政治風險 |集邦科技

美國國會上周火速通過晶片法案，並祭出附加限制條款，要求獲得補貼的廠商不得在大陸投資28奈米以下製程技術，對此，科技市調機構集邦科技（TrendForce）昨（1）日認為，相關限制恐導致地緣政治風險升溫，台灣未來仍是先進製程最大生產地，大陸則以成熟製程為主軸。

集邦科技指出，美國參眾議院上周火速通過晶片法案，待總統拜登簽署後即正式生效。該法案草案不僅涵蓋晶圓製造研發與建廠補助、稅務優惠補貼等，也提出附加限制條款，擬針對獲美國補貼的公司，限制獲補助期間不得在大陸投資28奈米以下製程技術，以確保該法案對美國半導體產業競爭力的保護。

集邦科技分析，目前同時於美國、大陸投資擴產或擴廠的半導體公司僅台積電與三星，針對美國晶片法案將如何限制兩家業者在大陸的投資動態，值得關注，目前相關公司在大陸擴產也多為成熟製程。

至於大陸中芯國際2020年被列入美國實體清單，集邦科技認為，中芯在被列入清單前已開始發展深紫外光（DUV）生產7奈米製程技術，估計該製程在美系設備出貨仍受限制之下，要生產更複雜的邏輯晶片難度恐怕相當高，而且產量有限。

另一方面，集邦科技預估，以全球各區域12吋約當產能來看，2025年7奈米以下先進製程產能分布仍以台灣為最大宗、達69%，之後依序為南韓18%、美國12%、大陸1%。相較2022年的格局，顯見美國未來三年將提升先進製程產能占比，大陸則仍以成熟製程為主軸。

集邦科技並指出，過去川普政府曾透過《瓦聖納協議》要求荷蘭停止出口機台至大陸，提高設備對大陸出口的難度，估計美國也將再依循該協議進行遊說，擴大限制範疇至深紫外光設備，並加深對大陸的限制。

若相關遊說成功，集邦預期，不僅影響大陸發展7奈米以下先進製程研發推進的可能性，成熟製程所需的深紫外光設備取得不順，也將影響目前大陸半導體如40奈米及28奈米製程擴產。