福葆電子取得中華民國"微細間距金凸塊製程之濺鍍金層濕式蝕刻方法"發明第202892號 2004/10/08 來源:資訊觀測站 1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:微細間距金凸塊製程之濺鍍金層濕式蝕刻方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:93/09/243.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:不適用4.其他應敘明事項:專利權期間自93/06/01至112/09/15止 上一則: 福葆電子初次上櫃公司93年08月財務預測達成情形 下一則: 福葆電子取得中華民國"微細間距金凸塊製程及其封裝體"發明第I222198號