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集邦科技(未)公司新聞
全球新冠肺炎疫情持續影響，宅經濟商機不斷攀升，筆電、平板、遊戲機、智慧電視等產品銷售熱絡。近期，DRAM需求由淡轉旺，但疫情也對全球半導體物流帶來延遲，韓系記憶體廠業績目標達陣後，業界傳出提前關帳並暫停出貨，急單加價三成才願意出貨，這也推動DRAM現貨價格近期全面飆漲。
業界預期，上游DRAM原廠暫停出貨情況將持續到明年1月初，不過近期終端市場對於DRAM模組的需求強勁，通路積極回補庫存，現貨價格漲勢將延續到明年農曆年前。法人看好南亞科、華邦電、晶豪科、鈺創、威剛、十銓等DRAM概念股營運將因價格上漲而持續好轉。
集邦科技及通路商資料顯示，12月以來標準型及利基型DRAM現貨價格漲勢強勁。標準型DRAM方面，8Gb DDR4 2666Mbps現貨均價18日漲至3.55美元，12月來累計漲幅達12.3％；8Gb DDR4 2400Mbps現貨均價漲至3.39美元，12月來累計漲幅達22.4％。主要漲升動能來自於筆電及桌機等DRAM模組升級需求，以及市場預期明年上半年將供不應求而提前備貨。
受惠於WiFi網通、智慧電視、機上盒、遊戲機等宅經濟需求帶動，加上DRAM晶圓代工價格調漲，利基型DRAM價格也看到明顯漲幅，其中，4Gb DDR3現貨均價18日漲至1.73美元，12月來累計漲幅達13.8％；2Gb DDR3現貨均價漲至1.30美元，12月來累計漲幅達23.8％。
模組業者預期，雖然近期DRAM現貨價上漲主要在於供給端策略性降低出貨量，以及終端需求強勁，但預期現貨價漲勢將持續，8Gb DDR4現貨均價有機會上看4美元，4Gb DDR3現貨均價可望挑戰2美元。由於現貨價在年底出現大漲行情，DRAM原廠應會持續嚴控出貨，市場氛圍有助於明年第一季DRAM合約價協商，止跌上漲的機率大增。
且隨著蘋果在2021年在Macbook產品線將擴大採用自家研發的Arm架構處理器，祥碩未來將有機會搶下蘋果Macbook的USB 4控制IC大單，法人圈看好祥碩業績將有望更上一層樓。
超微以Zen 3架構打造的Ryzen 5000系列處理器上市後，在高階產品效能繳出不輸競爭對手英特爾情況下，引發PC玩家搶購，使超微市占率在第三季達到37.3％，達到近年以來高峰，更讓超微營運繳出亮眼成績單。法人指出由於超微新推出的處理器熱銷，更讓祥碩代工的B550、A520晶片組出貨量持續成長，成為推動祥碩下半年業績成長動能的支柱之一。
不僅如此，蘋果近期推出以ARM架構打造的M1處理器晶片，取代長期採用的英特爾處理器，並將其應用在Macbook產品線上，效能更勝英特爾處理器。根據研調機構集邦科技最新報告指出，蘋果在M1處理器及遠端辦公／教育效應帶動下，Macbook出貨將有望年成長23.1％至1,550萬部，2021年更將上看1,710萬部的歷史新高水準。
祥碩公告11月合併營收達6.71億元、年成長123.3％，累計2020年前11個月合併營收為63.32億元、年增91％，創歷史同期新高。法人指出，祥碩成功以晶片組代工及USB控制IC打入超微和蘋果供應鏈，推動月營收持續站上6億元以上的高檔水準，第四季合併營收有望繳出淡季不淡成績單，使全年獲利大賺四個股本。
此外，蘋果傳出將推出第二代Arm架構的自行研發處理器，並將於2021年下半年擴大導入到Macbook系列。法人看好，祥碩未來將有機會以USB 4控制IC拿下更多蘋果訂單，推動後續業績再度改寫歷史新高表現。據了解，祥碩的USB 4裝置端控制IC已經進入送樣階段，最快有機會在2021年第一季開始量產出貨，主控端控制IC亦可望在上半年同步出貨，祥碩2021年將有望開始大啖USB 4商機。
業者預期，上游DRAM原廠暫停出貨情況會延續到明年1月初，但近 期終端市場對於DRAM模組需求強勁，在通路積極回補庫存情況下，現 貨價漲勢將延續到明年農曆年前。法人看好南亞科、華邦電、晶豪科 、鈺創、威剛、十銓等DRAM概念股營運將因價格上漲而持續好轉。
根據集邦科技及通路商資料，12月以來標準型及利基型DRAM現貨價 漲勢強勁。在標準型DRAM部份，8Gb DDR4 2666Mbps現貨均價18日漲 至3.55美元，12月來累計漲幅達12.3％；8Gb DDR4 2400Mbps現貨均 價漲至3.39美元，12月來累計漲幅達22.4％。主要漲升動能來自於筆 電及桌機等DRAM模組升級需求，以及市場預期明年上半年將供不應求 而提前備貨。
受惠於WiFi網通、智慧電視、機上盒、遊戲機等宅經濟需求帶動， 加上DRAM晶圓代工價格調漲，利基型DRAM價格也看到明顯漲幅，其中 ，4Gb DDR3現貨均價18日漲至1.73美元，12月來累計漲幅達13.8％； 2Gb DDR3現貨均價漲至1.30美元，12月來累計漲幅達23.8％。
模組業者預期，雖然近期DRAM現貨價上漲原因，主要在於供給端策 略性降低出貨量，以及終端需求強勁，預期現貨價漲勢持續，8Gb D DR4現貨均價有機會上看4美元，4Gb DDR3現貨均價可望挑戰2美元。 由於現貨價在年底出現大漲行情，DRAM原廠應會持續嚴控出貨，市場 氛圍有助於明年第一季DRAM合約價協商，止跌上漲的機率大增。
晶圓代工產能緊俏，群聯將NANDFlash控制IC價格調漲！
近日，晶圓代工市場掀起一陣「漲價風」，由於晶圓代工產能吃緊，群聯（8299）這家NANDFlash控制IC廠商，也宣布將調漲產品報價，漲幅約在15～20％之間。
從2020年下半年開始，晶圓代工產能逐漸吃緊，台積電、聯電等晶圓代工廠預計將在2021年開始調漲代工報價，這也使得IC設計廠成本上漲，並向客戶反映成本提升問題。
集邦科技指出，由於上游晶圓代工廠相關產能滿載，加上IC載板缺貨導致交期延長，下游封測產能也呈現緊缺，群聯與慧榮等多間NANDFlash控制IC廠無法應對客戶的加單需求。
群聯表示，為因應晶圓代工及封測等報價成本提升，2020年第四季已經開始陸續調漲NANDFlash控制IC價格，漲幅最高達20％。
由於NANDFlash控制IC漲價，模組價格也將同步走揚，尤其以Chromebook主容量32／64GB產品價格提升最為顯著。
集邦科技預測，儘管當前NANDFlash市場供過於求，但控制IC生產的產能不足，將導致中低容量的供貨緊缺，甚至可能出現漲價。
法人看好群聯營運將因此受惠，2020年前十一月合併營收達443.22億元，改寫歷史同期新高，預計第四季在遊戲機及消費性客戶拉貨客戶帶動下，有望創下全年業績新高，2021年起營運可望受惠於漲價效應，推動業績更上一層樓。
集邦科技最新報導指出，由於NAND Flash控制IC供應吃緊，群聯（8299）近期正式宣布調升產品報價，漲幅高達15%至20%，創近八年來首度漲價紀錄。這波漲價主要受到宅經濟帶動的Chromebook、電視等終端裝置熱銷，以及晶圓代工產能不足、封裝測試成本上揚等因素影響。 群聯在超微等國際大廠新品拉貨的帶動下，第3季稅後純益季增55%，每股純益達9.3元，為單季次高。前三季每股純益則是24.94元，已超越去年全年的23.05元。外資對群聯今年賺逾四個股本的預期持續升温，隨著產品報價調升，群聯營運有望再攀高峰。 群聯前11月營收達443.22億元，年增近10%，創歷年同期最佳紀錄。法人預期，隨著NAND控制晶片報價調漲，以及NAND Flash後市逐漸回暖，群聯將受惠於量價齊揚，營運表現再創佳績。 此次群聯調升NAND Flash控制IC報價，除了反映成本上揚外，也因應市場對64GB以下中低容量嵌入式記憶體（eMMC）需求激增，以及晶圓代工產能不足的狀況。群聯指出，晶圓代工產能緊張，封裝、測試成本上揚，加上新台幣升值約6%，為反映成本變動，已進行產品報價調整。 業界人士分析，在晶圓代工供應吃緊，加上匯率影響下，預期NAND控制晶片漲幅將高達15%至20%，甚至更高。雖然整體NAND Flash報價較為疲軟，但由於控制晶片與NAND Flash需搭配使用，市場總產出不會因此大幅下跌，甚至可能出現「以量制價」的現象。 集邦科技報告還提到，由於台積電、聯電晶圓代工產能滿載，IC載板缺貨，交期延長，加上下游封測產能緊缺，群聯等NAND控制晶片廠無法滿足客戶加單需求，已暫停對新訂單報價。預計明年第1季將是議價關鍵期，報價仍有上揚空間。
晶圓代工產能自2020年下半年以來逐步吃緊，目前世界、聯電等晶圓代工廠預計將在2021年開始調漲代工報價，使IC設計廠連帶受到成本上漲影響，並開始向客戶反映成本提升問題，這股漲價風也開始吹向NANDFlash控制IC市場。
研調機構集邦科技指出，上游台積電與聯電等晶圓代工廠相關產能滿載，加上IC載板缺貨導致交期延長，同時下游封測產能呈現緊缺，導致群聯與慧榮等多間NANDFlash控制IC廠無法因應客戶的加單需求。控制IC廠除暫停對新訂單需求報價外，由於當前處於2021年第一季價格議定的關鍵期間，更擬於屆時調漲價格，預期漲幅在15∼20％不等。
群聯對此指出，為因應晶圓代工及封測等報價成本提升，2020年第四季報價就開始調高NANDFlash控制IC價格，漲價幅度依照產品別不同而有所區別，價格調升最高達20％。
由於NANDFlash控制IC漲價，將使模組價格同步走揚，尤其以Chromebook主容量32／64GB產品價格提升最為顯著。集邦科技指出，儘管當前整體NANDFlash市場仍處於供過於求的狀態，但控制IC生產的產能不足，使得中低容量的供貨緊缺，可能導致部分需求較強的中低容量產品於2021年第一季有望出現漲價可能。
法人指出，目前NANDFlash控制IC開始掀起漲價風潮，加上控制IC供給減少，進而影響中低容量供給，模組亦有望出現止跌回升可能性，群聯營運將有望因此受惠。
群聯公告2020年前十一月合併營收達443.22億元，改寫歷史同期新高，相較2019年同期成長9.2％。法人看好，群聯第四季在遊戲機及消費性客戶拉貨客戶帶動下，有望推動全年業績創下新高，2021年起營運可望受惠於漲價效應，推動業績更上一層樓。
儘管NAND Flash報價走弱，群聯在超微等國際大廠新品拉貨帶動下，第3季稅後純益季增55%，每股純益9.3元，為單季次高；前三季每股純益24.94元，超越去年全年的23.05元，先前已有外資喊出群聯今年將賺逾四個股本，隨著調升產品報價，有望進一步推升營運。
群聯前11月營收443.22億元，年增近10%，為歷年同期最佳。法人看好，隨著NAND控制晶片報價調漲，加上NAND Flash後續市況有望逐漸升溫，群聯受惠量價齊揚，營運有望再攀高峰。
群聯此次調升NAND Flash控制IC報價，主要反映宅經濟推升Chromebook與電視等終端裝置熱銷，帶動市場對64GB以下中低容量嵌入式記憶體（eMMC）需求激增，以及晶圓代工產能排擠導致的NAND控制IC供應不足，以及晶圓代工與封測成本上揚等因素。
群聯表示，晶圓代工產能現在很吃緊，且封裝、測試都陸續調漲價格，加上新台幣今年以來升值約6%，因此為反映成本上揚，目前已調整產品報價。業界人士分析，在晶圓代工相當吃緊的狀況下，加上匯率因素，預期NAND控制晶片漲幅不僅高達15%至20%，甚至還會比這個幅度還高。
儘管整體NAND Flash報價目前較為疲軟，但由於控制晶片需要搭配NAND Flash，才能組成固態硬碟（SSD），因此在儲存市場總產出來說，不僅可能因為控制晶片產能有限導致不會跌太多，甚至產生「以量制價」的狀況。
市調機構集邦科技最新報告則指出，由於台積電、聯電晶圓代工產能滿載，加上IC載板缺貨，交期延長，同時下游封測產能緊缺，群聯等NAND控制晶片廠無法滿足客戶加單需求，相關廠商已暫停對新訂單報價，近期邁入明年第1季議價關鍵期，預料仍是賣方市場，報價還有上揚空間。
集邦科技最新報告：NAND Flash市況疲弱，2021年首季價格恐跌10%至15%
集邦科技（TrendForce）旗下的半導體研究處近日發布了一則關於NAND Flash市場的最新報告，結果讓人有些擔憂。報告指出，儘管供給量不斷增加，但需求並未跟上，這讓NAND Flash的市況變得相當疲弱。
具體來說，集邦科技預估，2021年首季的NAND晶片價格可能會下跌10%至15%。這對於台灣的NAND相關概念股來說，可能會是一個不小的考驗。
像威剛（3260）、創見、宇瞻以及十銓等台灣NAND相關的公司，他們的NAND晶片報價已經走出了不振的趨勢。這不僅影響到這些公司的庫存調配能力，還會牽動到整體營運。
報告還提到，明年第1季，由於三星、長江存儲（YMTC）、SK海力士與英特爾對位元產出都相當積極，NAND Flash的供過於求狀況將更加明顯。預計位元產出將季增長6%，而價格則將季跌約10%至15%。
集邦科技預測：NAND Flash價格將逐季下跌，2021年第一季跌10～15％
【台北訊】研調機構集邦科技（TrendForce）旗下的半導體研究處近期發表報告，對NAND Flash市場的未來走向進行了詳細分析。根據報告，由於NAND Flash供應商數量遠超過DRAM，加上供給位元成長迅速，集邦科技預計2021年NAND Flash價格將逐季下跌。
報告強調，明年第一季，由於三星、長江存儲（YMTC）、SK海力士與英特爾（Intel）對位元產出均較為積極，NAND Flash供過於求的現象將更加明顯。集邦科技預估，位元產出的季增幅將達到6％，而價格將季跌約10～15％。
在需求面，消費用固態硬碟（client SSD）與PC用DRAM的需求態勢類似。雖然2021年第一季的筆記型電腦生產量因淡季影響而有所衰退，但由於PC OEM的消費用固態硬碟庫存水位偏高，後續價格預計仍將持續下滑，因此沒有提前備貨的需求來支撑整體採購動能。
在供給面，NAND Flash大廠積極提供最新128層樣品送測，加上第二家美系廠商的QLC SSD也開始放量，這將使供過於求的態勢難以改變。集邦科技預估，明年第一季消費用固態硬碟價格將季跌10～15％。
至於企業用及伺服器需求，受到品牌傳統淡季影響，以及資料中心買方持續進行庫存去化，在英特爾新一代Whitely Gen 2平台Ice Lake尚未放量的情況下，2021年第一季的企業用SSD訂單量將進一步下修。
此外，由台積電與聯電所代工生產的控制器出現產能不足的現象，導致供應商傾向提供高容量產品，以增進NAND Flash消耗，減少低容量產品供應。在64GB以上容量方面，當前92／96層的供給充足，供應商規劃轉進1XX層或1YY層產品的時間點多落在2021年第二季後，因此整體價格跌幅在明年第一季較為收斂，預估eMMC與UFS明年第一季價格將季跌5～10％。
台灣NAND相關概念股包括威剛（3260）、創見、宇瞻以及十銓等，NAND晶片報價走勢不振，不僅考驗業者庫存調配能耐，也牽動相關公司營運。
集邦表示，明年第1季在三星、長江存儲（YMTC）、SK海力士與英特爾對位元產出皆較為積極的情況下，NAND Flash供過於求態勢將更加明顯，位元產出季增幅達6%，預估價格將季跌約10%至15%。
展望明年第一季，在三星、長江存儲（YMTC）、SK海力士與英特爾 （Intel）對位元產出皆較為積極的情況下，NAND Flash供過於求態 勢將更加明顯，位元產出的季增幅達6％，預估價格將季跌約10∼15 ％。
集邦科技指出，從需求面來看，消費用固態硬碟（client SSD）與 PC用DRAM的需求態勢相同，筆記型電腦生產量在2021年第一季雖因淡 季影響而衰退，然與DRAM不同的是，目前PC OEM的消費用固態硬碟庫 存水位偏高，後續價格預計仍會持續下滑，因此沒有提前備貨需求來 支撐整體採購動能。
從供給面來看，NAND Flash大廠仍積極提供最新128層樣品送測， 加上第二家美系廠商的QLC SSD也與此同時開始放量，使供過於求態 勢難以改變，預估明年第一季消費用固態硬碟價格將季跌10∼15％。
至於企業用及伺服器需求來看，企業用SSD與伺服器DRAM的需求態 勢相同，受到品牌傳統淡季影響，以及資料中心買方仍持續進行庫存 去化，在英特爾新一代Whitely Gen 2平台Ice Lake尚未放量的情況 下，相較2020年第四季，2021年第一季的企業用SSD訂單量會再進一 步下修。
另一方面，上游由台積電與聯電所代工生產的控制器出現產能不足 的現象，導致供應商將傾向提供高容量產品，以增進NAND Flash消耗 ，進一步減少低容量產品供給。
而在64GB以上容量多以UFS為主，當前92／96層的供給充足，供應 商規劃轉進1XX層或1YY層產品的時間點多落在2021年第二季後，因此 整體價格跌幅在明年第一季較為收斂，預估eMMC與UFS明年第一季價 格將季跌5∼10％。
集邦科技最新分析指出，隨著DRAM市場供需動能逐漸回穩，2021年第一季將見庫存水位提升，預計價格將止跌回穩，甚至微幅上漲。筆記型電腦產量預計減少，但OEM品牌廠商因筆電出貨暢旺，標準型DRAM庫存水位僅4～5周，將持續推動需求。供給方面，DRAM三大原廠三星、SK海力士、美光等供給位元成長有限，加上行動式DRAM需求旺，標準型與伺服器DRAM產能受排擠。伺服器DRAM價格預期落底後將回升，明年首季將正式漲價。行動式DRAM合約價格預計與今年第四季持平，部分品牌廠價格可能微幅上揚。繪圖型GDDR受新顯卡、新遊戲機、礦機需求帶動，預計明年首季將上漲5～10％。消費性或利基型DRAM，由於供應減少，價格有機會被拉抬。
從需求面來看，2021年第一季筆記型電腦的整機生產量預估為約5,270萬台，除了受傳統淡季效應與農曆新年工作天數減少影響，加上2020年第四季基期偏高，因此預估季減約9％。
然而，大部分的OEM品牌廠商受惠於今年筆電出貨暢旺，標準型DRAM庫存水位僅4∼5周，因此預估短期內廠商增加庫存的意向，將會持續拉升需求動能。
從供給面來看，DRAM三大原廠三星、SK海力士、美光等整體供給位元成長在近兩季度並未有大幅提升，加上受惠於行動式DRAM的拉貨動能暢旺，第三季末起各廠就計畫性地將產能持續轉向該領域，導致標準型與伺服器DRAM產能受到排擠。因此，在2021年第一季需求有撐，供給未明顯成長的情況下，標準型DRAM均價不易下跌。
在伺服器DRAM部份，集邦預期價格落底、產能趨緊等因素導致市場對於提前備貨的共識顯著提高。展望2021年，雖然每年首季度均為品牌廠出貨的淡季週期，但在價格反轉前夕與美光跳電事件的預期性心理影響下，將會刺激買方提前補單。
且現階段由於市場近期由部分產品線率先領漲後，同時伴隨行動式DRAM與標準型DRAM需求暢旺，伺服器DRAM的價格下行區間有機會提前終結，明年首季將正式漲價。
集邦預測明年第一季行動式DRAM合約價格與今年第四季大致持平。以需求大宗的品牌廠而言，在先前議定的特定交易及大量需求的支撐下，價格變動幅度不大。
反觀其他規模較小的品牌廠，出於排擠效應，加上需求容量較小，原廠供給意願較低等因素，明年第一季合約價格不排除微幅上揚的可能，幅度約落在3％以內。
集邦指出，繪圖型GDDR受惠於新顯卡、新遊戲機、礦機持續扮演需求的三大支柱，帶動繪圖型GDDR成為眾DRAM產品中率先漲價者。
集邦預估主流產品GDDR6價格將於2021年第一季上漲約5∼10％。至於消費性或利基型DRAM，SK海力士已正式停產2GbDDR3，三星亦逐漸將Line13的舊DRAM製程轉移至生產CMOS影像感測器，DDR3在韓系廠商陸續減少產出的情況下，價格有率先被拉抬的態勢。
【記者 許志偉 台北報導】記憶體大廠華邦電（2344）11月合併營收大漲，達66.75億元，年增率64.5％，主要得益于新唐9月1日完成日本Panasonic半導體事業的合併。雖然第四季DRAM、NOR/NANDFlash合約價格持續下跌，但市場對明年記憶體市況展望樂觀，預期明年上半年價格可望調漲。 華邦電11月合併營收較10月減少2.8％，但與去年同期相比仍成長64.5％。前11個月合併營收累計538.75億元，年增率20.5％。由於第四季進入出貨淡季，華邦電記憶體出貨逐月下降，法人預期12月營收將續降。雖然第四季因認列新唐營收增加，預估季度營收較第三季成長近五成幅度，但日本Panasonic半導體事業的虧損狀態可能對短期獲利產生負面影響。 集邦科技調查顯示，第四季全體DRAM合約價較上季下跌約10％，標準型及伺服器DRAM價格跌幅較大。但11月利基型DRAM合約價持平，4Gb以下小容量DDR2/DDR3合約價因供應短缺而提前上漲。集邦分析，利基型DRAM市場中，中小型客戶或小容量顆粒需求較高者將率先面臨被漲價。 由於DDR3在SK海力士與三星兩大韓系廠商逐漸減少供應情況下，已成為台系廠商華邦電、晶豪科、鈺創的主要市場，供給緊縮推動價格上漲。此外，利基型DRAM終端應用需求回溫，受新冠肺炎疫情和5G基礎建設帶動，小容量利基型DRAM價格看漲。但標準型及伺服器DRAM合約價仍看跌至明年第一季。 NANDFlash市場因供過於求，華邦電主攻的SLCNAND合約價仍看跌至明年上半年。NORFlash方面，因中芯國際被美國列入軍事相關黑名單，預期大陸業者兆易創新供貨可能受影響，明年上半年價格有機會逐季上漲。
集邦科技最新調查顯示，台灣記憶體廠商華邦電（2344）在11月的合併營收達到66.75億元，同比去年成長64.5％。這成長主要來自於新唐半導體9月1日併購日本Panasonic半導體事業的認列營收。雖然第四季的DRAM和NOR/NAND Flash合約價格持續下滑，但市場對於明年上半年記憶體市況預期樂觀，並有望看到價格調漲。 華邦電11月的合併營收月減2.8％，但與去年同期相比仍有顯著成長。前11個月合併營收累計538.75億元，同比成長20.5％。雖然第四季是出貨淡季，華邦電的記憶體出貨逐月下降，法人預期12月營收將繼續下滑。但由於新唐營收的認列，華邦電第四季的營收預估將比第三季成長近五成。然而，由於日本Panasonic半導體事業目前仍處於虧損狀態，對華邦電的獲利表現短期內可能仍有負面影響。 集邦科技調查指出，第四季全體DRAM合約價格較上季下跌約10％，其中標準型和伺服器DRAM價格跌幅較大。不過，11月利基型DRAM合約價格持平，4Gb以下小容量DDR2/DDR3合約價格因供應有限而提前上漲。 集邦科技預測，利基型DRAM市場中，中小型客戶或小容量顆粒需求較高者將率先面臨價格上漲。由於DDR3在SK海力士與三星減少供應的背景下，成為華邦電、晶豪科、鈺創等台系廠商的主要市場，供給緊缩成為推動價格上漲的因素之一。此外，利基型DRAM終端應用需求回溫，受疫情影響的遠距商機以及5G基礎建設的帶動，預計小容量利基型DRAM價格將看漲。但標準型和伺服器DRAM合約價格仍預期會下跌至明年第一季。 在NAND Flash方面，由於市場供過於求，華邦電主攻的SLCNAND合約價格預期將持續下跌至明年上半年。NOR Flash則因中芯國際被美國列入軍事相關黑名單，預期大陸業者兆易創新供貨可能受影響，明年上半年價格有機會逐季上漲。
華邦電公告11月合併營收月減2.8％達66.75億元，與去年同期成長64.5％，累計前11個月合併營收538.75億元，與去年同期相較成長20.5％。由於第四季進入出貨淡季，華邦電記憶體出貨逐月下降，法人預期12月營收將續降，但因華邦電第四季因認列新唐營收增加，預估季度營收較第三季成長近五成幅度，由於日本Panasonic半導體事業仍處於虧損狀態，對華邦電的獲利表現短期內可能仍有負面影響。
根據集邦科技調查，第四季全體DRAM合約價仍較上季續跌約10％幅度，標準型及伺服器DRAM價格跌幅較大，但11月利基型DRAM合約價持平開出，4Gb以下小容量DDR2/DDR3合約價因僅有少數供應商能提供而提早出現上漲。
集邦表示，利基型DRAM市場中，中小型客戶或小容量顆粒需求較高者將率先面臨被漲價。由於DDR3在SK海力士與三星兩大韓系廠商逐漸減少供應情況下，已成為台系廠商華邦電、晶豪科、鈺創的主要市場，供給縮減為漲價的要素之一。
另外，利基型DRAM終端應用需求逐漸回溫，由於新冠肺炎疫情再起，受惠於遠距商機發酵，數位電視及機上盒需求回升，加上5G基礎建設同步帶動WiFi路由器及數據機等網通產品需求轉強，所以小容量利基型DRAM價格看漲。不過，標準型及伺服器DRAM合約價仍看跌到明年第一季。
至於NANDFlash部份，因為市場仍供過於求，華邦電主攻的SLCNAND合約價仍看跌到明年上半年。NORFlash因為中芯國際被美國列入軍事相關黑名單，業界預期大陸業者兆易創新供貨可能受影響，所以預期明年上半年價格有機會逐季上漲。
集邦科技預測利基型記憶體價格上漲，中小型客戶率先受影響
集邦科技旗下的半導體研究處近期發布報告指出，10月份主流利基型記憶體（Specialty DRAM）價格已經恢復到平穩走勢，而這一趨勢在11月份依然持續。雖然如此，DDR2、DDR3等小容量記憶體產品在供應量受限的情況下，價格已經開始上漲，月平均報價漲幅達到1%，並預計這一漲勢將持續到2021年第一季。
報告中提到，由於SK海力士和三星等韓系廠商逐步減少DDR3的供應，這一產品在華邦、晶豪科、鈺創等台系廠商的主要市場上，供給量減少，成為推動價格上漲的重要因素之一。
此外，利基型記憶體的終端應用需求逐漸回升，這是因為遠距辦公和教學等新生活常態的推動，數位電視、機上盒的需求不斷增加。同時，5G基礎設施的落成也帶動了WiFi、路由器、數據機等網通產品的需求，這些產品通常只需使用單顆小容量DRAM，因此需求增長也是價格上漲的動力。
報告還指出，由於中小型客戶的採購量較少，在定價話語權上較不具優勢，加上他們多採用月合約等短週期的議價區間，因此更容易受到價格波動的影響。這也是為什麼定位在均價或高價的產品通常會率先拉漲，而大型客戶則能維持較低價格的原因。
報告最後強調，僅小容量記憶體價格上漲，而非整體產品線的原因，是因為主流伺服器DRAM的需求仍然疲弱，而伺服器DRAM模組目前主要由DDR4 8Gb的顆粒組成，這也抑制了PC端和利基型記憶體領域中DDR4 8Gb顆粒的價格。
集邦科技預期，這種小容量、小客戶的利基型記憶體價格上漲的特殊情況，將至少持續到2021年第一季，當時主流雲端客戶的拉貨力道上升，將推動利基型記憶體領域的主流顆粒價格一同上漲。
集邦科技最新報告指出，10月後主流利基型記憶體（Specialty DRAM）價格回歸平穩，但11月價格仍維持穩定，其中DDR2、DDR3等小容量顆粒因供應吃緊，價格已上漲1％，預計此漲勢將持續至2021年第一季。集邦科技分析，利基型記憶體需求增長，尤其在數位電視、機上盒、5G網通產品等領域，而中小型客戶因採購量少，容易受到價格波動影響，故價格漲幅較大。雖然主流伺服器DRAM需求疲弱，但預計雲端客戶拉貨力道上升將帶動利基型記憶體價格上漲。
集邦表示，在利基型記憶體領域，中小型客戶或小容量顆粒需求較 高者，將率先面臨被漲價。首先，如前述所提，DDR3在SK海力士與三 星兩大韓系廠商逐漸減少供應情況下，已成為台系廠商華邦、晶豪科 、鈺創的主要市場，供給縮減為漲價的要素之一。
其次，利基型記憶體終端應用需求逐漸回溫，受惠遠距辦公與教學 的新生活常態，數位電視、機上盒需求不減反增。另5G基礎建設的落 地也帶動WiFi、路由器（Router）、數據機（Modem）等網通產品需 求暢旺，上述許多應用都僅需單顆小容量DRAM產品，故需求上揚為漲 價要素之二。
第三，由於中小型客戶採購量較少，在定價話語權上本就較不具備 優勢；加上其多數採取月合約等短週期的議價區間，更容易面臨價格 變動，因此定位在均、高價者，通常會率先拉漲，有別於採取季度合 約並有議價優勢的大型客戶，其低價仍大致持平。
最後，僅小容量而非全線上揚原因，出在主流伺服器DRAM需求仍疲 弱，而伺服器DRAM模組目前仍主要由DDR4 8Gb的顆粒組成，亦連帶壓 抑採用DDR4 8Gb為大宗的PC端，及利基型記憶體領域中DDR4 8Gb顆粒 的價格表現。
整體而言，本次DRAM反彈有別於以往由商品型（commodity）DRAM 帶動，反倒出現小容量、小客戶的利基型記憶體價格最先上漲的特殊 情況。集邦科技預期，該現象將至少延續到2021年第一季後，屆時主 流雲端客戶的拉貨力道上升，將帶動利基型記憶體領域的主流顆粒價 格一同走揚。
集邦科技最新調查報告指出，第三季台灣DRAM市場因應華為9月15日禁令前的大幅採購而表現亮眼，不過，伺服器DRAM價格因庫存水位偏高而下跌，整體DRAM價格因而反轉。雖然多數原廠營收略為下滑，但美光逆勢增長，帶動第三季DRAM總產值達174.57億美元，季增2.0％。展望第四季，除了伺服器市場外，其他類型的DRAM需求預計將持續穩定，但價格可能因伺服器市場的庫存調整而繼續承壓。
報告顯示，三星和SK海力士的出貨量微幅增加，但並不足以彌補價格下跌造成的影響，營收分別下跌3.1％和4.4％。美光則因出貨量增長約25％，營收季增21.9％，市占率提升至25.0％。不過，由於第四季財務周數將減少，美光預計市占率將回落至兩成水平。在獲利方面，第三季DRAM均價普遍下滑，第四季則可能因價格持續下跌而使獲利能力受壓。
在台灣業者方面，南亞科第三季營收較前一季衰退5.3％，營業利益率下降至13.5％。華邦電則因應華為拉貨而營收上揚。力積電則因電源管理IC、面板驅動IC、CMOS影像感測器等產品需求旺絡，DRAM產能被壓縮。
