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鉅亨網記者王宗彤／台北• 5月30日 05/30 18:53

巨鎵科技為國內首家開發完成高階 Laser Diode磊

晶片之廠商，其產品已通過大廠認證，將於第 3季起投

片生產，預期可為今年營收提供極大貢獻。以6吋HBT磊

晶片換算，巨鎵科技的月產能為3000片，而整廠的最大

產能可達月產1萬2000片的規模。

由日本日立電線株式會社(Hitachi Cable) 、巨晶

科技、光磊(2340)、中美矽晶(5483)等科技廠商投資成

立的砷化鎵磊晶片廠巨鎵科技，其核心產品 HBT及

P-HEMT已通過國內外大廠長期認證，並已順利投片生產

，目前正穩定出貨中。

該公司表示，現有 4台MOVPE磊晶設備，可生產 4-6

吋的砷化鎵磊晶片，產品涵蓋 HBT及HEMT兩大類。其中

HBT方面已開發出InGaP及AlGaAs磊晶片，HEMT方面則包

括傳統的HEMT以及PHE T。其中HBT及P-HEMT產品已通過

國外大廠長期認證，並已順利投片生產，目前穩定出貨

中。

巨鎵日籍總經理柏幹雄 (Mr. Mikio Kashiwa)表示

，日立電線株式會社為全球最大通訊砷化鎵磊晶片廠，

目前不僅是巨鎵科技的最大法人股東，同時巨鎵科技亦

是日立電線株式會社在海外唯一的策略聯盟代工廠，因

此在日立的資金及技術團隊的投入之下，在產品品質、

良率及市場競爭上，具有絕對的優勢。

巨鎵科技由日本日立電線株式會社、巨晶科技、光磊科技、中美矽

晶等共同技術合作暨投資合成立, 目前資本額為10億元, 日立電線為全

球最大通訊砷化鎵磊晶片廠, 不僅是巨鎵的最大法人股東, 同時巨鎵也

是日立電線在海外唯一策略聯盟的代工廠。

巨鎵於去年六月完成建廠, 主攻無線通訊主要微波元件之MESFETs、

HEMTs、HBTs等先進磊晶片, 自去年第三季試產, 已獲美、日等大廠認證

通過,目前量產及出貨進度相當順利, 預計今年第一季產能為每月2000片

的六吋HBT磊晶片, 第二季將可提升至3000片, 未來將視市場需求, 提升

到每月產能1.2萬片的水準, 該公司表示, 預估在今年第二季可達成損益

兩平, 今年營收可達8億元, 每股盈餘目標可達2元以上。