半導體材料分析技術 汎銓領風騷 |汎銓科技

IC產業蓬勃發展，在摩爾定律下，晶圓廠在每個世代的製程競賽中，持續研發新技術與設計，藉著微縮線寬來降低IC成本及提高效能。

汎銓科技面對製程技術與設計不斷演變與改良，持續引進最先進的設備，並投入巨大的研發能量，克服各種先進製程分析的關卡。

汎銓歷年開發許多分析技術，搶在業界之先，各種全新服務品項也獲得客戶好評及同業跟進效法，成為產業標準。

技術長陳榮欽博士表示，材料分析業只要願意投資，引入先進儀器都不難，但單憑設備無法建立絕對的競爭力。汎銓樂於接受客戶的挑戰並主動研發分析技術；「好的分析設備必須配合優異的試片製備技術，及正確的資料判讀能力，為分析品質的關鍵」，汎銓在這方面一路領先。

EUV光阻是先進製程開發的重要材料之一，材料特性很容易受到製備及觀測而改變原始形貌造成誤判，汎銓開發一系列低損傷工法，可保護易損傷材料，透過良好的試片製備技術及觀測手法，正確地在TEM、 FIB、SEM觀測光阻的橫截面的形貌，以評估曝光顯影狀況，或以特殊的高解析SEM手法來觀測光阻線之間的曝光顯影殘留狀況。

TEM試片製備厚度是TEM分析能力的重要指標，汎銓具有超薄TEM試片5nm奈米的製備能力，居同業之冠。

成分分析的判讀能力也受到客戶肯定，多次為客戶解決長期困擾的難題，協助找出製程開發異常缺陷真正來源，加速研發進度。在專業材料分析服務業界，汎銓領先同業，並且逐漸拉開差距，被國際大廠評為最佳的長期夥伴。

今年中國半導體展，汎銓後（16日）天在上海新國際博覽中心E7館新技術舞台舉行「新技術發布會」，主題為《10 nm技術節點分析（Inside of 10 nm technology node）》，更多資訊見網站：www.msscorps.com。