DRAM封測廠Q4業績添動能

DRAM價格重回2美元以上，被視為次世代主流的DDR3再傳

缺貨消息，讓 DRAM廠加速50奈米DDR3製程微縮速度。隨著

DRAM產能大量開出，近兩年來沒有太大擴產動作的後段封測廠

，再度被DRAM廠追著要產能，包括力成（6239）、福懋科（8131

）、華東（8110）等已順勢調漲測試價格，第4季營收季增率可望

上升至5％至8％間，成為封測業者表現最好的次族群。

全球DRAM產業版塊重整已暫告段落，台灣分成以南亞科及

華亞科為主的美光派，及以力晶、瑞晶、茂德、華邦等為成員的

爾必達派，由於 DRAM市場需求明顯提升，DRAM現貨價及合約

價已回到DRAM廠成本之上，同業間的殺價競爭也已結束，所以

DRAM廠現在均加速導入50奈米DDR3 世代產品線，以爭取更好的

獲利及更高的現金流量。

不過，隨著50奈米製程DDR3產能陸續開出，現在DRAM測試

已出現產能供不應求的現象。業者表示，過去兩年DRAM封測廠投

資有限，現有舊機台無法完全支援DDR3的速度測試，但採購的新

測試機台要等到明年第2季後才會陸續到位開出產能，所以現在

DDR3已呈現測試產能短缺問題。

事實上，DRAM廠將主流產品由70奈米1Gb DDR2轉換至50奈

米2Gb DDR3，製程由70奈米微縮到50奈米後，單片晶圓產出將增

加80％，但因容量增加一倍，所以實際的顆粒產出數量沒有太大

差別，DRAM封裝產能仍然足以因應需求。

但測試部分，DDR3測試時間需拉長至800秒至900秒間，相較

於DDR2僅需400秒至450秒的測試時間，新產品的測試需求等於大

增將近一倍，但包括力成、華東、福懋科等封測廠，現有測試產

能近兩年的擴充幅度有限，現在當然無法因應需求，單顆平均測

試價格也因此由0.1美元漲到 0.15美元。

記憶體封測廠原本預估第4季營收僅會較第3季增加3％至5％

，但受惠於測試價格調漲、DRAM廠50奈米DDR3產能加速開出，

所以第4 季營收展望均已向上調升，季增率應可達到5％至8％區

間，且因測試設備要等到明年第2季才能到位，所以明年第1季的

營收還有小幅成長2％至3％的空間。