產能供不應求，價格順勢喊漲！ DRAM封測廠Q4業績添動能

DRAM價格重回2美元以上，被視為次世代主流的DDR3再傳缺貨消息，讓DRAM廠加速50奈米DDR3製程微縮速度。隨著DRAM產能大量開出，近兩年來沒有太大擴產動作的後段封測廠，再度被DRAM廠追著要產能，包括力成(6239)、福懋科(8131)、華東(8110)等已順勢調漲測試價格，第4季營收季增率可望上升至5％至8％間，成為封測業者表現最好的次族群。全球DRAM產業版塊重整已暫告段落，台灣分成以南亞科及華亞科為主的美光派，及以力晶、瑞晶、茂德、華邦等為成員的爾必達派，由於DRAM市場需求明顯提升，DRAM現貨價及合約價已回到DRAM廠成本之上，同業間的殺價競爭也已結束，所以DRAM廠現在均加速導入50奈米 DDR3世代產品線，以爭取更好的獲利及更高的現金流量。不過，隨著50奈米製程DDR3產能陸續開出，現在DRAM測試已出現產能供不應求的現象。業者表示，過去兩年DRAM封測廠投資有限，現有舊機台無法完全支援DDR3的速度測試，但採購的新測試機台要等到明年第2季後才會陸續到位開出產能，所以現在DDR3已呈現測試產能短缺問題。事實上，DRAM廠將主流產品由70奈米1Gb DDR2轉換至50奈米2Gb D DR3，製程由70奈米微縮到50奈米後，單片晶圓產出將增加80％，但因容量增加一倍，所以實際的顆粒產出數量沒有太大差別，DRAM封裝產能仍然足以因應需求。但測試部分，DDR3測試時間需拉長至800秒至900秒間，相較於DDR 2僅需400秒至450秒的測試時間，新產品的測試需求等於大增將近一倍，但包括力成、華東、福懋科等封測廠，現有測試產能近兩年的擴充幅度有限，現在當然無法因應需求，單顆平均測試價格也因此由0 .1美元漲到0.15美元。記憶體封測廠原本預估第4季營收僅會較第3季增加3％至5％，但受惠於測試價格調漲、DRAM廠50奈米DDR3產能加速開出，所以第4季營收展望均已向上調升，季增率應可達到5％至8％區間，且因測試設備要等到明年第2季才能到位，所以明年第1季的營收還有小幅成長2％至3％的空間。