記憶體測試廠 獲利提升 第二季˙進入1Gb世代 |南茂科技

受到記憶體產業不景氣的影響，半年來後段記憶體測試產業景氣

低迷，所幸近期隨著ＤＲＡＭ廠一Ｇｂ顆粒產出比重的提升，單

位測試時間至少一千秒，將有助於提升測試廠的產能利用率，幫

助測試業者提升獲利空間。

在供給過剩的影響下，全球記憶體廠自去年第四季起大賠，低迷

景氣延續到今年後，今年首季的虧損情況並無好轉，ＤＲＡＭ廠

紛紛在今年首季大砍後段測試報價達一成到二成不等幅度，

五一二Ｍｂ　ＤＤＲ２顆粒測試時間也縮減至三百秒。在此一情

況下，今年首季台灣記憶體測試廠中，除了有金士頓加持的力成

外，其它如泰林、南茂等營運績效都不理想。

所幸進入到第二季後，記憶體廠主流製程轉換進入到七○奈米後

，主流的ＤＤＲ２顆粒容量亦進入到一Ｇｂ世代，製程轉換腳步

最快的力晶與瑞晶，目前投片中有八成比重為一Ｇｂ顆粒，至於

其他業者也多自今年第二季起提高一Ｇｂ顆粒的產出比重。

記憶體相關業者分析，由於一Ｇｂ顆粒線路遠較先前的五一二

Ｍｂ顆粒精密許多，加上產出的初期良率相對不理想，所需的終

端測試時間相對增加數倍，依照目前業界的統計數據顯示，

一Ｇｂ顆粒的測試時間至少一千秒，平均測試時間約在

一千三百秒至一千四百秒間，隨測試時間拉長，對記憶體測試廠

來說，將是個產業景氣觸底反彈的指標訊號。

記憶體後段封測業者分析，半年來上游ＤＲＡＭ廠的營運情況很

辛苦，身為其後段代工廠的記憶體測試業者也必須跟著共體時艱

，為此，記憶體後段的測試價格逐季下砍，單季跌幅都高達五％

至一二％間，

對記憶體測試廠來說，這半年來測試價格一砍再砍，測試時間一

縮再縮，無疑是對營運績效的雙重打擊，測試廠為了對抗低迷景

氣，第一季幾乎沒有太多的資本支出。如今隨製程轉換讓測試時

間大幅拉長，加上測試價格跌幅趨緩，在測試廠的產能利用率開

始上揚下，ＤＲＡＭ測試產業可望在今年第二季出現觸底反彈的

契機。