穩懋半導體六吋砷化鎵MMIC晶圓試產成功 PHEMT明年第一季量產

鉅亨網記者張建仁／新竹科學園區˙11月16日 11/16 09:11

全球首座專業從事六吋砷化鎵微波晶片晶圓的穩懋

半導體，已成功產出第一片六吋2微米InGaP MMIC晶圓

，而砷化鎵應變式高電子遷移率電晶體 (PHEMT)11月底

將有成績，明年第一季量產。

穩懋成功試產出六吋砷化鎵MMIC晶圓，此產品技術

可提供手機、GPRS、第三代無線通訊及高效能的高功率

放大器。該公司除了HBT製程有所突破外，PHEMT產品製

程技術也在試產階段，預計月底將有成果，明年第一季

將可量產。

該公司表示，2002年前將可完成第一階段年產能目

標，達到3萬片六吋晶圓，晶圓一廠全面量產後，年產

能將可擴增至數十萬片。

穩懋總經理吳展興表示，穩懋目前核心技術包含此

次試產成功的2微米的InGaP HBT及先進的0.15,0.25及

0.35微米PHEMT和1微米HBT。HBT主要應用於高階個人通

訊服務及應用於低頻無線產品，如雙向呼叫器、無線區

域網路及光纖高速IC。PHEMT可應用於點對多點區域性

分布服務、衛星通訊、點對點基地台服務、光纖電子元

件及固網通訊。