

股票名稱 | 報價日期 | 今買均 | 買高 | 昨買均 | 實收資本額 |
---|---|---|---|---|---|
集邦科技 | 2025/06/21 | 議價 | 議價 | 議價 | 142,598,530 |
統一編號 | 董事長 | 今賣均 | 賣低 | 昨賣均 | 詳細報價連結 |
70566970 | 林啓東 | 議價 | 議價 | 議價 | 詳細報價連結 |
2023年10月19日
星期四
星期四
2027陸成熟製程產能占比上看33% |集邦科技
TrendForce(集邦科技)18日出具報告表示,由於中國致力推動在 地化生產、IC國產化等政策與補貼,擴產相當積極,預估中國成熟製 程產能在全球占比將從今年的29%,成長至2027年的33%,其中以中 芯國際(SMIC)、華虹集團(HuaHong Group)、合肥晶合集成(Ne xchip)擴產最為積極;同期台灣成熟製程占比則會從49%,收斂至 42%,台廠以世界先進及力積電受影響較明顯。
TrendForce指出,中國成熟製程擴產聚焦在Driver IC、CIS/ISP與 Power Discrete等領域,二、三線台廠首當其衝。
Driver IC方面,主要採用HV(High Voltage)製程,各家業者近 期聚焦40/28nm HV製程開發,而目前市場製程技術較領先的業者是聯 電,其次是格羅方德(GlobalFoundries)。不過,中芯國際28HV、 合肥晶合集成40HV將先後於今年第四季、明年下半年進入量產階段, 並與其他晶圓代工業者的技術差距逐漸縮小,尤其製程能力與產能相 當競爭者如力積電,或暫無12吋廠的世界先進、東部高科(DBHitek )短期內將首當其衝;對聯電、格羅方德中長期來看也將造成影響。
CIS/ISP方面,3D CIS結構包含邏輯層ISP與CIS感光層,主流製程 大致以45/40nm為分水嶺,目前技術領先業者以台積電(TSMC)、聯 電、三星(Samsung)為主,但中芯、合肥晶合集成緊追其後,預期 後續將訂單移回中國進行投產。
Power Discrete(功率元件)方面,主要涵蓋MOSFET與IGBT兩種產 品,世界先進深耕已久,受惠於中國電動車補貼政策以及太陽能基礎 建設,中國晶圓代工業者獲得更多切入機會,若中國產能同時大量開 出,不僅中國本土出現價格戰,也可能分食台系業者訂單及客戶。
TrendForce認為,中國大幅擴產可能造成全球成熟製程產能過剩, 價格戰將隨之而來,中國本土化生產趨勢將日漸明確,具備相似製程 平台及產能的二、三線晶圓代工業者,可能面臨客戶流失風險與價格 壓力,如聯電、力積電與世界先進等台系業者將首當其衝,技術進展 和良率將是後續鞏固產能的決勝點。
TrendForce指出,中國成熟製程擴產聚焦在Driver IC、CIS/ISP與 Power Discrete等領域,二、三線台廠首當其衝。
Driver IC方面,主要採用HV(High Voltage)製程,各家業者近 期聚焦40/28nm HV製程開發,而目前市場製程技術較領先的業者是聯 電,其次是格羅方德(GlobalFoundries)。不過,中芯國際28HV、 合肥晶合集成40HV將先後於今年第四季、明年下半年進入量產階段, 並與其他晶圓代工業者的技術差距逐漸縮小,尤其製程能力與產能相 當競爭者如力積電,或暫無12吋廠的世界先進、東部高科(DBHitek )短期內將首當其衝;對聯電、格羅方德中長期來看也將造成影響。
CIS/ISP方面,3D CIS結構包含邏輯層ISP與CIS感光層,主流製程 大致以45/40nm為分水嶺,目前技術領先業者以台積電(TSMC)、聯 電、三星(Samsung)為主,但中芯、合肥晶合集成緊追其後,預期 後續將訂單移回中國進行投產。
Power Discrete(功率元件)方面,主要涵蓋MOSFET與IGBT兩種產 品,世界先進深耕已久,受惠於中國電動車補貼政策以及太陽能基礎 建設,中國晶圓代工業者獲得更多切入機會,若中國產能同時大量開 出,不僅中國本土出現價格戰,也可能分食台系業者訂單及客戶。
TrendForce認為,中國大幅擴產可能造成全球成熟製程產能過剩, 價格戰將隨之而來,中國本土化生產趨勢將日漸明確,具備相似製程 平台及產能的二、三線晶圓代工業者,可能面臨客戶流失風險與價格 壓力,如聯電、力積電與世界先進等台系業者將首當其衝,技術進展 和良率將是後續鞏固產能的決勝點。
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