高傳導、低膨脹 格斯 開發奈米級矽碳負極材料 |格斯科技

格斯（6940）攜手中研院、台科大，成功開發出可大量商品化的奈 米級矽碳負極材料，團隊透過創新獨特的化學材料碳源，及簡單的水 溶液工法，製備高傳導性、低膨脹性的矽碳奈米複合材料，突破過去 矽碳負極低電子傳導性、高膨脹率的困境，未來格斯在電芯負極應用 發展動向，值得業界關注。

格斯技術長葉國偉博士表示，新的矽基負極材料較傳統石墨負極理 論比容量高，傳統矽基負極受限於較低的電子傳導性及充電時高達三 倍的體積膨脹現象，在電池充放電過程中極片易爆裂粉碎剝落，大量 商業化面臨很大的挑戰。

為解決以往矽碳負極實用上的重大挑戰，格斯研發團隊採用常見的 染髮劑成份－含氮的對苯二胺作為碳源，並以簡單的水溶液方法製備 出矽包碳奈米複合材料。

而這種矽包碳技術可大幅提升矽基負極材料的電子傳導性，也成功 抑制體積膨脹現象，確保高效的鋰離子傳輸。