美光創新：3奈米HBM3E記憶體綻放|台灣美光記憶體

**台積電認證！創意HBM3E IP獲美光認可，進軍HBM4**

台灣先進積體電路（ASIC）設計服務公司創意，今（24）日宣布其3奈米HBM3E控制器和實體層IP（Physical Layer IP）已獲得雲端服務供應商（CSP）及多家高效運算（HPC）業者採用。

這項尖端ASIC預計今年流片，並搭載最新的9.2Gbps HBM3E記憶體技術。創意強調，已與HBM供應商美光等積極合作，為下一代AI ASIC開發HBM4 IP。

創意表示，其HBM3E IP方案技術領先業界，已通過台積電先進製程技術的矽驗證，包括N7／N6、N5／N4P、N3E／N3P製程。此外，創意的IP也通過所有主流HBM3供應商的矽驗證，確保解決方案的相容性和穩定性。

業界指出，創意與CSP業者合作密切，其中包括微軟、谷歌等。推測該案為打造基底晶片（base die），分析師認為，以9.2Gbps傳輸速度為分界，若要再快必須採用先進製程的邏輯晶片（logic die）。若再連接通用小晶片互連（UCIe），則需5奈米製程甚至客製化。

目前，除了輝達、超微等通用型GPU大廠外，HBM3E解決方案的採用率並不高。但隨著今年流片，未來將成為AI伺服器標配，甚至加快往更高階HBM4的轉變。創意表示已完成HBM4 IP準備，有望為公司創造更大獲利。

創意指出，與美光的合作證明創意的HBM3E IP與美光HBM3E可以在CoWoS-S和CoWoS-R技術上實現9.2Gbps高頻寬記憶傳輸。目前已通過多項先進技術與主流廠商驗證，獲得多家大廠採用。

創意行銷長Aditya Raina表示，未來將持續為各種應用提供支援，包括人工智慧、高效能運算、網路和汽車。