

股票名稱 | 報價日期 | 今買均 | 買高 | 昨買均 | 實收資本額 |
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台灣美光記憶體 | 2025/06/18 | 議價 | 議價 | 議價 | - |
統一編號 | 董事長 | 今賣均 | 賣低 | 昨賣均 | 詳細報價連結 |
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星期五
創意青雲雨露均霑 |台灣美光記憶體
創意在目前最先進的3奈米布局搶先報喜,其3奈米HBM3E控制器與實體層IP已獲得雲端服務供應商(CSP)及多家高效運算(HPC)解決方案供應商採用。外界預期,創意在HBM相關IP領域持續耕耘,隨著HBM應用滲透率提高,未來對其業績貢獻度有機會提升。
創意指出,其HBM3E IP的特點,包括通過台積電先進製程技術驗證,如N7╱N6、N5╱N4P、N3E╱N3P製程等,同時也通過所有主流HBM3廠商的矽驗證,並在台積電CoWoS-S及 CoWoS-R技術上均通過矽驗證。還內建小晶片互連監控解決方案,此功能可增強小晶片的可觀察性與可靠性。
創意表示,其HBM3E IP與美光HBM3E可在CoWoS-S和CoWoS-R技術上實現9.2Gbps,創意測試晶片的矽結果顯示,除了電源完整性(PI)與信號完整性(SI)結果通過考驗。
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