ALD助推摩爾定律 天虹、京鼎迎爆發

台積電2奈米（N2）將在2025下半年如期量產，2026年下半年跨入埃米製程時代，原子層沉積（ALD）技術成為延續摩爾定律的關鍵推手。ALD閥業者Swagelok認為，AI帶動高效能晶片需求，ALD站點（製程機台配置）可望翻倍成長，法人看好天虹、京鼎、宇川等台灣在地化供應業者。

台積電處長陳健博士表示，能源效率運算是AI成長的核心，需要器件架構創新、微影技術進步、新材料應用、設計技術協同改善（DTCO）及系統技術協同改善（STCO）等多重技術突破。

ALD是控制原子層次的沉積技術，能將材料一層層精準堆疊。相較傳統CVD（化學氣相沉積）與PVD（物理氣相沉積），ALD的特性就像「千層派」，能在晶圓表面均勻堆疊薄膜。Swagelok工程管理部門產品設計總監JoaoBorges預期，ALD在製程比重將由目前5∼10％翻倍提升。

Swagelok專精於ALD控制閥，最新的精準微量控制（DoseControl）技術，導入感測器與電腦運算，結合預測時間校正演算法與氣動系統改善，達到多閥門開關的精準控制。

天虹已有ALD設備交付實績，應用於光學領域。供應鏈透露，天虹正與晶圓代工大廠合作2奈米以下製程，未來TSV、晶背供電結構都將大量導入ALD；尤其在CoWoS-L架構中，被動元件無法耐高溫，必須透過低溫ALD工法完成襯墊（liner）沉積。

天虹已有ALD設備交付實績，應用於光學領域。供應鏈透露，天虹正在與晶圓代工大廠合作2奈米以下製程，未來TSV、晶背供電結構，都將大量導入ALD應用；尤其在CoWoS-L架構中，被動元件無法耐高溫，必須透過低溫ALD工法完成襯墊（liner）沉積。

ALD前驅物公司宇川指出，金屬前驅物決定沉積材料種類，並需要開發特殊的化學品來實現原子結構的堆疊；如同「穿了衣服的原子」，這些「衣服」在化學品之間不能反應，但在材料表面能與氧化物等反應，以實現精確的單層沉積。