宇川精密材料科技公司新聞| IPO贏家未上市股票交流網

晶圓代工邁向先進製程，傳統鍍膜技術遇到瓶頸。隨著台積電、英特爾、三星等大廠陸續導入立體電晶體架構，未來對ALD（原子層沉積）設備與前驅物需求將快速擴張，將帶動相關供應鏈營收成長。業界指出，台灣供應鏈天虹（6937）、京鼎（3413）、宇川等業者正積極搶進，期望在新世代製程中占有一席之地。

天虹攜手晶圓大廠共同開發ALD設備，可依客戶需求彈性調整腔體配置，展現高度客製化優勢；宇川則為台灣首家專業ALD／CVD（化學氣相沉積）有機金屬前驅物製造商，掌握材料端關鍵技術，產品已獲部分先進製程驗證。法人分析，相關設備與材料供應鏈正迎來新一波成長契機。

半導體業者強調，未來先進製程的勝負關鍵，不再僅是極紫外光（EUV）微影。今年下半年，台積電2奈米與英特爾18A先後進入量產，兩家公司分別採用Nanosheet（奈米片）與RibbonFET架構，均屬立體式設計，讓製程挑戰大幅升高。雖然2奈米的EUV光罩層數並未明顯增加，但如何在複雜3D結構中均勻鍍膜，才是最困難的一環。

業者指出，傳統CVD與PVD（物理氣相沉積）在3D結構上均有限制。以PVD為例，透過蒸鍍或濺鍍方式，往往無法覆蓋內部深層區域；CVD則因氣體反應速率過快，容易導致薄膜厚度不均。

相較之下，ALD透過前驅物（precursor）與晶圓表面逐層反應，反覆循環形成完整薄膜，具備絕佳的「包覆性」與「均勻性」。雖然沉積速度較慢，但在奈米甚至埃米等級結構中，展現無可取代的優勢。

半導體業者指出，ALD的核心在於前驅物材料。近年氨基矽烷、烷基醯胺等新型化合物引入，使前驅物性能大幅提升。例如，有些前驅物能在更高沉積溫度下保持自限性（self-limiting）反應，不僅提高沉積效率，也可改善薄膜的電氣與機械特性。這意味著，掌握關鍵前驅物的廠商，將成為推動先進製程進步的隱形推手。

此外，英特爾也積極嘗試ALE（原子層蝕刻）技術，藉由DUV（浸潤式微影）即可分割電晶體鰭片，製造相當於3奈米的結構。業界認為，該技術雖仍需克服規模化挑戰，但在成本控制上具明顯優勢，具備商業化潛力。

法人分析，隨著電晶體結構立體化、尺寸持續縮小，薄膜沉積的精度要求愈來愈高，已非CVD、PVD可完全勝任，必須仰賴ALD技術，才能實現原子級的均勻與精準控制。台廠在設備精密製造與材料研發上的優勢，將全力搶攻先進製程商機。

台積電2奈米（N2）將在2025下半年如期量產，2026年下半年跨入埃米製程時代，原子層沉積（ALD）技術成為延續摩爾定律的關鍵推手。ALD閥業者Swagelok認為，AI帶動高效能晶片需求，ALD站點（製程機台配置）可望翻倍成長，法人看好天虹、京鼎、宇川等台灣在地化供應業者。

台積電處長陳健博士表示，能源效率運算是AI成長的核心，需要器件架構創新、微影技術進步、新材料應用、設計技術協同改善（DTCO）及系統技術協同改善（STCO）等多重技術突破。

ALD是控制原子層次的沉積技術，能將材料一層層精準堆疊。相較傳統CVD（化學氣相沉積）與PVD（物理氣相沉積），ALD的特性就像「千層派」，能在晶圓表面均勻堆疊薄膜。Swagelok工程管理部門產品設計總監JoaoBorges預期，ALD在製程比重將由目前5∼10％翻倍提升。

Swagelok專精於ALD控制閥，最新的精準微量控制（DoseControl）技術，導入感測器與電腦運算，結合預測時間校正演算法與氣動系統改善，達到多閥門開關的精準控制。

天虹已有ALD設備交付實績，應用於光學領域。供應鏈透露，天虹正與晶圓代工大廠合作2奈米以下製程，未來TSV、晶背供電結構都將大量導入ALD；尤其在CoWoS-L架構中，被動元件無法耐高溫，必須透過低溫ALD工法完成襯墊（liner）沉積。

天虹已有ALD設備交付實績，應用於光學領域。供應鏈透露，天虹正在與晶圓代工大廠合作2奈米以下製程，未來TSV、晶背供電結構，都將大量導入ALD應用；尤其在CoWoS-L架構中，被動元件無法耐高溫，必須透過低溫ALD工法完成襯墊（liner）沉積。

ALD前驅物公司宇川指出，金屬前驅物決定沉積材料種類，並需要開發特殊的化學品來實現原子結構的堆疊；如同「穿了衣服的原子」，這些「衣服」在化學品之間不能反應，但在材料表面能與氧化物等反應，以實現精確的單層沉積。

隨著科技產業蓬勃發展，科學園區廠商使用的化學品種類持續增加，新興危害性化學物質的使用也日益普遍，潛在風險不容忽視，為提升應變能力，南科管理局今(24)日與宇川精密材料科技合作舉辦複合式地震災害緊急應變演練暨觀摩活動，此次演練動員了園區聯防支援廠商包括台積電、聯電、群創、瀚宇彩晶、大台南瓦斯、臺南市政府消防局第四救災救護大隊、內政部警政署保安警察第二總隊、環境部化學物質管理署南區專業技術小組等多個單位，共同參與演練。

南科管理局今(24)日與宇川精密材料科技合作舉辦複合式地震災害緊急應變演練暨觀摩活動。 南科/提供

南科管理局主任秘書官嘉明指出，此次演練特別邀請宇川精密材料科技協辦，該公司專注於製造生產使用於半導體先進製程中的有機金屬及先驅化學品，其化學品具有自燃及禁水等特殊性，此次演練模擬了禁水性化學品TMA (三甲基鋁)與TSA(三甲矽烷基胺)的洩漏，因其禁水性特點，不適合用水滅火，故此次演練重點在於人員疏散、搶救及火場控制之部署。

消防局第四大隊長蔡國保表示，近年消防局推動防火管理制度「自己的財產自己保護」，此次演練除結合宇川公司的自衛消防編組運作，提升園區工廠火災自主應變效能外，同時也藉由本次演練透過與南科管理局應變中心、環境事故諮詢小組等聯合救災指揮的真實操演，強化橫向協調機制，保障科學園區場所安全。

演練中，宇川公司先進行了初期救火和洩漏範圍控制的實作，使用蛭石滅火材、乾粉等材料先行抑制洩漏，同時各聯防單位間進行裝備支援和救災部署。此次演練期望增進消防人員對化學品危害特性及存放情況的理解，同時提升整體救災應變效率，迅速處理突發狀況，減少損害。

南科管理局每年定期在臺南與高雄園區與地方政府消防隊及廠商合作舉辦應變災害演練暨觀摩活動，並邀請園區內的相關單位共同參加。11月份將於高雄園區的鑫科材料科技股份有限公司路科分公司舉辦下一場演練，歡迎報名參加，欲了解更多活動信息，可上南科環安網(stspesh.tw/)網站查詢。

臺灣近年因半導體產業在世界聲名大噪，南科在製造及設備零組件領域執關鍵地位，伴隨台積電5奈米、3奈米等先進製程及ASML設立EUV全球技術培訓中心、ASM引進VR訓練技術設置培訓中心、默克設立半導體科技園區後，儼然成為全球最完整的半導體產業聚落，日前領航園區13家廠商更進軍2023國際半導體展，共譜臺灣半導體新篇章。 該管理局表示，此次參展商主要聚焦材料、設備暨零組件、光學系統以及特殊合金等領域，如中佑是臺灣首家3D列印用金屬粉末的製造商，生產高純淨度、高堆疊性之球型粉末；立創光電提供高階光電檢測方案；宇川生產高純度高品質的前驅物，廣泛應用於半導體ALD製程、WBG寬能隙材料、生醫及電池等；台灣阿美特克專司精密測量儀器和光學系統；皇亮專注於CNC精密零件生產、製造、研發；統新光訊研發光學鍍膜技術；棕茂為結合臺、德、日技術的精密及生醫陶瓷專業製造商；中鋼集團旗下「鑫科」主力於半導體、面板領域用之靶材；正鉑雷射提供雷射加工與大氣電漿之應用設備；克瑪里生產3.7KW高性能正壓渦輪風機；建佳專注於工廠自動化系統整合；律勝專精於功能性聚醯亞胺及尖端薄膜製造開發；台灣氣凝膠生產之氣凝膠複合材則擁有無毒且優異的防火、隔熱性能。 南科除既有臺南、高雄園區外，持續擴建及新設臺南三期、橋頭、嘉義、屏東等園區，未來南科將持續導入學研技術厚植園區研發量能，打造兼具科技與環境永續的新世代園區。

台灣半導體產業在世界聲名大噪，南科在製造及設備零組件領域扮演關鍵地位，伴隨台積電5奈米、3奈米等先進製程落腳、ASML設立EUV全球技術培訓中心、ASM引進 VR 訓練技術設置培訓中心、默克設立半導體科技園區後，儼然成為全球最完整的半導體產業聚落，為持續壯大南台灣科技廊帶，南科管理局率領園區13家廠商，進軍2023國際半導體展（攤位號碼J3034），共譜台灣半導體新篇章。 此次參展商主要聚焦材料、設備暨零組件、光學系統以及特殊合金等領域，其中中佑精密材料是台灣首家3D列印用金屬粉末的製造商，生產高純淨度、高堆疊性之球型粉末，而立創光電提供高階光電檢測方案，包含膜厚、形貌、翹曲、半導體磊晶層/Micro LED缺陷、螢光及拉曼分析等。 宇川精密材料生產高純度高品質的前驅物，廣泛應用於半導體ALD製程、WBG寬能隙材料、生醫及電池等，台灣阿美特克專司精密測量儀器和光學系統，產品廣泛用於半導體、平面顯示器、光學製造、通訊等領域。皇亮精密專注於CNC精密零件生產、製造、研發，可依據客戶需求提供不同製程的OEM/ODM/CDMO服務。 統新光訊研發光學鍍膜技術，除光通訊產品外，也將鍍膜技術延伸應用於車用感測及醫療檢測儀器，另一家棕茂科技為國內首家橫跨半導體及生醫產業，結合台、德、日技術的精密陶瓷及生醫陶瓷專業製造商，中鋼集團旗下「鑫科」主力於半導體、面板領域用之靶材、蒸鍍材及高端產品開發，以及正鉑雷射提供雷射加工與大氣電漿之應用設備，彈性客製解決方案、智慧潔淨。 克瑪里生產3.7KW高性能正壓渦輪風機，效率高達76%以上，建佳科技專注於工廠自動化系統整合及ESG節能減碳技術開發，律勝科技專精於功能性聚醯亞胺及尖端薄膜製造開發，包含RDL應用之封裝材料PSPI及PSPBO，台灣氣凝膠生產之氣凝膠複合材則擁有無毒且優異的防火、隔熱性能。 南科除既有台南、高雄園區外，並持續擴建及新設台南三期、橋頭、嘉義、屏東等園區，行政院也已核定楠梓科學園區籌設計畫，未來南科將持續導入學研技術厚植園區研發量能，打造兼具科技與環境永續的新世代園區，並擴散成熟產業聚落效應，建構南台灣科技廊帶及強化區域經濟韌性。

為確保半導體關鍵產業優勢，經濟部已規劃推動半導體材料及設備自主，啟動自主開發、目前吸引美國、日本及荷蘭材料、設備大 舉例來說，透過「A世代─半導體設備整機驗證計畫」推動設備在地化。2021年核定通過13案次，包含漢辰、天虹、弘塑、億力鑫等業者開發前段晶圓製程之離子佈植、物理氣相沉積設備及後段先進封裝製程之物理氣相沉積、塗佈顯影等設備，協助導入至半導體國際指標終端業者（台積電、日月光等）驗證，建立我國半導體設備自主技術能力。 半導體材料部分，經濟部表示，2021年迄今已有三菱瓦斯、昭和電工、三井化學、英特格、德山、默克等在台投資，其中默克五至七年內預計投資170億元在高雄擴產，並打造全球首座「大型半導體材料生產暨研發中心」，強化台灣半導體產業競爭力。 經濟部表示，藉由A世代計畫補助新應材、達興材料、長興材料、環球晶圓、華新科技、宇川精密、台灣永光等七家業者開發半導體關鍵材料，但目前尚在進行下游業者之公開（β-site）測試驗證中，藉此培植國內廠商之關鍵材料自主技術。<摘錄工商>

聯華氣體工業(聯華林德)宣布將與半導體物質供應商宇川精密材料(PentaPro Materials)合作，預計未來兩年投資總計新台幣九千萬元，於台南廠區共同開發三甲矽烷基胺(Trisilylamine, TSA)生產設備及產線，預計每年生產產能可達3.6噸，計畫於2020年第三季投產。 雙方正式宣布合作後，聯華林德總經理唐靜洲先生表示，宣布這項新投資是該公司對在地生產特殊氣體承諾持續實踐。伴隨聯華林德Spectra EM產品組合，此投資更能穩定供應台灣、中國及亞洲的電子業客戶需求。新型TSA生產設備將採用尖端製程，並搭配良好安全及分析基礎設施。考量供應鏈應變計畫，生產廠區策略性地選在對TSA需求與日俱增的亞洲市場。 TSA主要用於邏輯技術節點及3D NAND位元線主要氧化物填充，使用FCVD機台將矽電介質沉積至淺溝槽隔離技術(STI)中。由於3D NAND在存儲層中的堆疊層成長，從而增加存儲孔高度，因此TSA使用正在成長。 聯華林德和宇川精密科技結合雙方在化學、製程技術及分析總計超過三十年經驗，攜手開發TSA並預計於2020年第三季量產。聯華林德將代理此產品銷售，將其納入Spectra EM品牌系列，從亞洲市場出發，陸續為全球半導體產業客戶提供服務。 <摘錄新電子>

聯華林德是聯華實業和林德集團共同成立的合資公司，也是台灣最大的工業氣體製造商。聯華林德18日宣布將與半導體先驅物質供應商宇川精密材料合作，預計在未來兩年投資總計新台幣9,000萬元在台南廠區共同開發三甲矽烷基胺（Trisilylamine, TSA）生產設備及產線，預計每年生產產能可達3.6噸，計畫於2020年第三季投產。 TSA主要用於在先進邏輯技術節點及3D NAND位元線主要氧化物填充，它使用FCVD機台來將矽電介質沉積到淺溝槽隔離技術（STI）中。由於3D NAND在存儲層中的堆疊層增長，從而增加了存儲孔的高度，因此TSA的使用正在成長。 聯華林德和宇川精密科技結合雙方在化學、製程技術及先進分析上加起來超過30年的經驗，攜手開發TSA並預計在2020年第三季量產。聯華林德將獨家代理此產品的銷售，並將其納入Spectra EM品牌系列，率先以亞洲市場出發，陸續為全球半導體產業的客戶提供服務。 在雙方正式宣布合作後，聯華林德總經理唐靜洲表示，非常榮幸宣布這項新投資，這是本公司對在地生產特殊氣體承諾的持續實現。伴隨聯華林德Spectra EM產品組合，這項投資更能穩定供應我們在台灣、中國及亞洲的電子業客戶的需求。<摘錄工商>