瑞晶砸20億 開發40奈米製程 爾必達派員協助

DRAM產業在製程微縮競爭白熱化！瑞晶與爾必達(Elpida)宣布，爾必達將在瑞晶設立研發中心，預計分2年投資15億元至20億元，共同開發下世代40nm4F2技術，不僅有技術生根意涵，瑞晶可望因此跳攻40奈米製程，每片12吋晶圓產出將逾1,200顆。瑞晶總經理陳正坤、爾必達董事兼DRAM技術部長五味秀樹共同召開記者會，爾必達將在瑞晶設立技術研發中心，包括力晶、爾必達等均會借派相當成員，進入該技術研發中心，估計2年的投資金額達5,00 0萬美元至8,000萬美元，合新台幣約15億元至20億元，爾必達也宣示，未來有一半以上的產品會以40奈米為主，而該公司的40奈米製程是歷代微縮製程中，最順利的一個世代。陳正坤說，瑞晶成立之初，以70奈米1GB的產品切入市場，去年則以65nmX製程切入DDR2、DDR3，DDR3的投片量本月已經達70％，估計今年3月開始，瑞晶將轉進40奈米2GB DDR3，每片12吋晶圓的產出量將從1,150顆提升至超過1,200萬顆。瑞晶預估在今年導入40nm6F2製程，8萬片產能預計在年底之前轉進 2GB DDR3，如果市場需求不如預期，則先調撥一半產能，其餘部分使用65nmXS製程，該製程的晶片尺寸與其他同業的50nm相同，技術將因此保有領先優勢。而爾必達的廣島廠也已經在2009年底完成40nm4F2 試產，預計13萬片產能今年將先導入一半。陳正坤預估，今年位元成長率預估達30％，然2011年相對於今年，則可望有100％成長。瑞晶去年度資本支出為2億美元，今年在跳攻4 0奈米之下，估計資本支出將達3.8億美元，合新台幣約120億元，製程轉換的投資僅需50奈米製程的一半，至少一半可自行籌資。