南茂控告侵權　華東一審勝訴

經過2年時間纏訟，2大封測廠南茂集團與華東科技的專利權之爭一審結果出爐，由華東取得勝訴，南茂對此結果不服，擬再提起上訴。2家公司針對DDR2的球柵陣列封裝(BGA)封裝技術專利有不同認知，除了南茂控告華東之外，華東也曾向智財局提出南茂專利無效之訴作為反擊，然智財局裁定華東舉發不成立。地方法院和智財局兩造看法不同，看來華東和南茂的侵權之爭還有得打。南茂集團在2006年9月向華東及其子公司華東承啟提出專利侵權告訴，經過2年多時間，一審結果出爐。在華東承啟的部分，日前已判南茂敗訴。至於華東的部分，該公司23日宣布，包括百慕達南茂提起民事專利侵權訴訟，指侵害華東的專利第177516號「增進穩固及對位之晶片接合方法」，以及南茂科技提起民事專利侵權訴訟，侵害該公司第207627號「SOC封裝過程」專利及第207525號「基板在晶片上之封裝過程」專利等2大案件上，已皆由台灣高雄地方法院判定百慕達南茂科技和南茂科技之訴及假執行的聲請駁回。不過，在2007年底~2008年初，華東也曾提出反擊，向智財局提出南茂集團關於DDR2的BGA專利無效之訴，範圍達11項南茂專利。然而在2009年12月初，已由智財局針對其中2項專利做出華東舉發不成立的裁定。由上述仲裁單位的結果看來，顯然兩造看法並不一致。對於一審的部分，南茂表示，將在近期提出上訴。至於在智財局部分，仍有9項專利無效的案子還在進行，因此看來雙方官司還有得打。南茂於2006年在市場上取得由華東替華東承啟封裝代工的記憶體模組產品，認定華東涉嫌侵害南茂SOC封裝過程及基板在晶片上封裝過程專利。南茂指出，過去在DDR時代，採LOC導線架，用tape黏晶，技術是日立(Hitachi)開發，並採用日立的tape；如今進入DDR2，封裝方式轉進BGA，基於日立tape單價較貴，若改用銀膠黏晶導電，會有沾黏、影響良率問題，因此南茂便與材料供應商Ablestick共同改良開發出具有兩階段特性，具有溶劑之熱固性混合物，即俗稱B-Stage Epoxy。對於南茂控訴，華東認為，該公司已就DDR2封裝專利支付權利金予Tessera，因此包括植球、打線、上膠等相關技術均在Tessera保護範圍中，因此不認為有涉及南茂專利的情況。