後段測試廠為DDR3布局準備 業者估計DDR3出貨量將於2010年超越DDR2

在英特爾(Intel)強力主導DDR3架構下，不僅DRAM廠加速配合量產，同時在後段封測部分，由於封裝機台與原DDR2相同，在測試設備部分，除了力成投資較大外，其他測試廠先暫以現有機台支應，因此封測廠包括日月鴻、矽品、力成、聯測、南茂、華東和福懋科等均整暇以待，迎接DDR3時代。設備業者則預估最慢DDR3將於2010年出貨量超過DDR2。英特爾的產品藍圖以整合性高的多晶片定調，意味著記憶體速度須加快，在強力主導下，成為轉進DDR3的助力，預期DDR3將自2008年下半出貨量將逐漸增加，成為主流的時間點應該會早於2010年。2008年主流雖仍屬1G的DDR2，但記憶體相關業者均在為DDR3進行布局，不僅DRAM廠提前導入DDR3量產時程，封測廠也準備以待。DDR3由於傳輸資料速度高於DDR2，引腳數目會有所增加，8位元晶片採用78球細線距球閘陣列封裝(FBGA)封裝，16位元晶片採用96球FBGA封裝，且必須是綠色封裝，不能含有任何有害物質。大致來說，DDR3封裝技術仍與DDR2相同，採打線FBGA，因此不須換購封裝機台。至於測試設備，目前以力成投資較顯著，最早大舉新增DDR3測試機台的動作，該公司為因應客戶爾必達(Elpida)需求，已向設備商惠瑞捷(Verigy)購買3台高速測試機台，現已小量出貨。其餘封測廠普遍暫以現有測試機台支應。福懋科宣稱DDR3封測技術業經開發完成；南茂和泰林亦直指具備DDR3封測技術。力成董事長蔡篤恭曾推估DDR3躍升主流時點可望比2009年提早。設備廠商認為，DDR2價格已太便宜，在獲利的考量下，這將會驅使業者加快轉進DDR3，以轉進高單價產品，以拉升目前下滑的毛利率，預期DDR3將於2010年出貨量正式超過DDR2。