穩懋6吋砷化鎵晶圓代工　亞洲拔頭籌 4月起開始投片量產

全球第一家以 6 吋砷化鎵晶圓專業代工服務為定位的穩懋半導體雖然成立僅 1 年 4 個月，然在技術掌握的優勢下，除宣佈成功開發出 0.15微米的 6 吋 pHEMT晶圓外，目前在 2微米的磷化銦鎵異質介面雙載子電晶體（InGaP HBT）及0.5、0.35 微米製程的 pHEMT晶圓並已具投片量產的能力。總經理吳展興表示，目前已有近60餘家美、日及台灣等地的客戶正進行驗證中，計劃在4月起並可正式量產。穩懋半導體15日宣佈，已成功開發出全球第一片以 0.15微米技術製成的砷化銦鎵應變式高電子遷移率電晶體（pHEMT）6 吋晶圓，並預估第四季可開始投片生產，而目前也有近10餘家美、日大廠對穩懋進行認證中。