暉盛科技 引領電漿製程技術新主流 |暉盛科技

國內電漿設備指標廠之一的暉盛科技，近幾年，挾優越電漿技術開發能力，不僅成功打進美系半導體大廠供應鏈，並取得國際通訊大廠合作機會，且在晶圓代工廠對於晶圓級封裝、IC載版封裝、micro Led需求帶動下，非等向性之高密度反應式離子蝕刻電漿（ICP-RIE）詢問度大幅提高，也讓暉盛科技成為半導體前段製程不可或缺的夥伴，不僅訂單放量成長，輔以歐洲及亞太地區訂單加成，整體營收再創新高。

暉盛科技表示，在半導體先進封裝製程下，業界對於重度蝕刻需求攀升，尤其以非等向性之高密度反應式離子蝕刻電漿（ICP-RIE）詢問度最為明顯，該設備具有高密度電漿源與反應性離子蝕刻雙重特性，蝕刻均勻度達90%以上，可用於金屬、介電質、低介電材料之蝕刻，可客製化處理面積，最大可達660X660mm，勘稱業界最大規格。

隨著5G、AI、高效能運算、物聯網、新能源車╱自駕車等新興應用，IC封裝需求亦隨之成長，對於電漿設備的要求，不僅是單純處理有機材料，如Epoxy、LCP、Polyimide、PTFE、Solder Mask ╱ Dry Film等活化與粗化，未來可直接進行基板及鍍層材料的乾蝕刻加工，不論是藉由具高濃度自由基、無離子轟擊的大氣式微波電漿噴頭(Microwave Atmospheric Plasma Jet)移除金屬氧化物，或是採用非等向性之高密度反應式離子蝕刻電漿（ICP-RIE），去除包括鈦、鋁等金屬、矽、光阻、各種介層填充材(Filler)等應用，暉盛科技都有可對應的解決方案。

在綠能永續議題上，暉盛也利用自身電漿技術基礎，推出微波火炬電漿（Microwave Torch）技術，無電極式微波電漿可適用各型反應物（氧化性、還原性、惰性），能將PFC、N2O、VOCs等有害氣體無害化，亦可應用於碳氫化合物之轉化及脫碳，產出無碳或低碳燃料。

暉盛科技指出，安規上不僅獲取TUV認證，在機械設計及電控設計，亦符合IEC及SEMI等規範，連續式設計可串接上下游，支援標準介面及通訊協議，符合智慧製造的工業4.0未來，將成下一波電漿製程設備的主流。