ALD低溫真空鍍膜技術 汎銓獲專利 |汎銓科技

半導體製程技術顛覆性的發展，是支援5G及未來科技應用的重要支柱，微縮化則是半導體不變的發展方向，晶圓大廠邁向2、3奈米量產也逐步實現，而支持先進製程穩定推進的重要周邊力量，也受到市場關注，用於半導體產業的ALD真空鍍膜技術就是其中的焦點。

在整個半導體量產製造流程中，ALD真空鍍膜技術已被普遍使用。汎銓科技則是將ALD低溫真空鍍膜技術運用於材料分析，且已正式取得專利。汎銓科技董事長柳紀綸表示，ALD是一種原子層沉積技術，用於7奈米以下製程的材料分析樣品製備，確保不會在電子束照射下導致樣品變形及倒塌，造成研發人員誤判。

以超低介電材料（Low K）與5奈米以下製程導入EUV光阻為例，最大的挑戰就在於樣品產生變形及倒塌，這對先進製程技術的發展，如同一顆大石頭，對所有MA業者而言，是不易突破的高難度關卡。

多年前，汎銓科技即發展出ALD低溫真空鍍膜技術，領先市場成功搬開路障，並於近期取得專利。柳紀綸形容，ALD是預防樣品變形倒塌的「金鐘罩」，而取得專利，則是汎銓重要的「保護牆」，能讓汎銓往前走得更順遂，阻斷對手彎道超車的可能。

汎銓為半導體材料分析專家及IC故障分析高手，專長半導體製程研發初期的製程細微結構形貌及成分分析，透過高階電子顯微鏡等分析設備儀器，以及搭配自行研發的特殊分析技術工法，提供精準的專業分析報告，成為全球各大半導體廠商的重要研發夥伴。

成為「半導體先進製程研發的領航者」，始終是汎銓矢志努力的目標，如今以該公司的技術領先程度來看，的確是桂冠在握。