記憶體產能湧出 封測廠Q4忙擴產 |南茂科技

受惠於國內四大ＤＲＡＭ廠九○奈米新製程產能開始於十月起大量開

出，以及東芝、新帝（ＳａｎＤｉｓｋ）又大量釋出ＮＡＮＤ快閃記

憶體封測訂單來台，後段封測廠矽品、力成、泰林、南茂等業者，第

四季記憶體封測產能已全面告急。由於記憶體廠明年首季後仍會新產

能陸續開出，配合韓國ＤＲＡＭ大廠Ｈｙｎｉｘ又開始擴大委外代工

訂單，封測廠已開始下單採購設備，迎接第四季傳統旺季到來。

國內ＤＲＡＭ廠七月起開始大量將主流製程由○．一一微米轉入九○

奈米，新製程產能已開始於九月底陸續開出，十月後將有逾半產出是

採用新製程。由於九○奈米新製程初期需要較長時間的測試，單片晶

圓產出顆粒又較○．一一微米增加三○％，所以封裝測試廠已接獲上

游ＤＲＡＭ廠通知，要求配合擴增後段封測產能。

同時，東芝及新帝亦開始增加ＮＡＮＤ封測委外訂單來台。二家合資

的東芝四日市十二吋廠第三製造棟原訂今年底月產能為四萬七千五百

片，但為了擴大市佔率，月產能已提高至七萬片，並開始以七○奈米

新製程量產。所以為東芝代工的力成、為新帝代工的矽品等二家業者

，現在同樣面臨封測產能不足問題，不得不開始加碼採購設備擴產。

設備業者指出，原本封測廠端下半年並沒有太積極的擴產計劃，但沒

想到ＤＲＡＭ價格在八月中旬開始大漲，ＮＡＮＤ價格亦在九月止跌

，不但減輕了封測價格下跌壓力，上游客戶端持續以新製程開出產能

，對測試產能需求更為強勁，因此封測廠第三季停滯的擴產計劃，又

於近期重新啟動，矽品、力成、泰林、南茂等業者，都有擴增封裝測

試設備的動作。

在ＮＡＮＤ快閃記憶體部份，東芝及新帝明年將開始把主流製程由七

○奈米移轉到五六奈米，不但單片晶圓產出量增加超過三成，測試時

間亦要拉長，加上東芝及新帝亦決定興建第四製造棟，明年底月產能

為二千五百片，○八年底月產能達六萬七千五百片，所以光是二家業

者委外訂單，就夠力成及矽品接單滿到後年。