穩懋半導體12月12日新廠啟用 預定明年第三季量產

台灣第一座也是全球第一座6吋GaAs MMIC（砷化鎵

微波磊晶片）的穩懋半導體，今日舉行新廠啟用典禮，

該公司日前已宣佈成功開發出第一片 6吋 2微米HBT(磷

化銦異質介面雙極性電晶體）晶圓，預計2001年第三季

便可開始量產。

穩懋半導體副董事長林燕津表示，手機市場逐年成

長，對於RF需求日加殷切，也使得今年台灣眾多業者極

力挺進砷化鎵（GaAs）半導體代工業務，穩冒領先同業

完成第一片2微米HBT晶圓開發，將快速搶佔台灣砷化鎵

代工市場。

該公司主要業務鎖定在HBT及PHEMT，初期將以 HBT

為主，日前已成功開發出 2微米 HBT，並於12月進行試

產，明年 3月便可量產。至於新投入的可應用於光纖領

域的產品，預計明年第三季便可開發完成並進行試產。