穩懋6吋晶圓獲日IDM驗證

國內砷化鎵晶圓代工廠穩懋半導體公司 1 月23日宣佈，穩懋已通過日本 IDM大廠之GaAsHBT Power Amplifier(PA-功率放大器)的產品驗證，將在今年內應用於該廠所推出之「藍芽」( bluetooth) 系列產品。這是國內砷化鎵HBT產品以 6 吋晶圓製造技術首次通過國際大廠之驗證。此外，穩懋在GaAsHBT產品技術開發方面亦有重大的突破，已在 6 吋晶圓HBT及pHEMT製造能力與技術方面，吸引了國際間相關業者之注意，進而應邀於國際會議中發表成果。穩懋是全球少數同時擁有 6 吋 GaAsHBT 及 pHEMT 晶片技術的晶圓製造廠商。其中 2 微米 (um)InGaPHBT 技術上的突出表現在 1.9GHz 操作頻率下可產出 4W 之輸出功率及 75% 之極高之功率效率，與一般業界之 HBT相較高了約 10%的效率，此高效率的通訊晶片可大幅提高應用於手機電池之使用壽命。穩懋公司總經理吳展興表示，這次 2umHBT 晶片在技術上的重大突破已吸引了美、日、韓、歐等國際大廠的興趣，紛紛給穩懋下器試產手機、WLAN 及「藍芽」及光纖通訊所使用之功率效率放大器，可以再次確定穩懋在全球專業積體電路製造服務業界的領導地位，更將進一步提升客戶的未來競爭優勢。吳展興表示，除了技術門檻高以外，GaAs之認證時程較矽晶圓產品長，由客戶設計、佈局到送製光罩(Designin-Tapeout )，接著由晶圓製造到可靠度測試完成，往往需要一年或一年半以上的時間，客戶方能下單量產。預計該產品對穩懋今年下半營收會有很大效益。