穩懋半導體宣佈推出全球最快速的磷化銦鎵HBT製程

鉅亨網編譯戴美如／綜合外電． 1月29日 01/30 09:26

台灣通訊專業廠商穩懋半導體宣佈推出全球最快速

的磷化銦鎵(InGaP)異質接面雙極性電晶體(HBT)製程技

術，應用於無線通訊與相關領域。

穩懋半導體也公開了該公司以砷化銦鎵(InGaAs)為

基礎的HBT 2微米製程，輸出功率 4瓦，在1.9 GHz的頻

率時額外省電功率可達75%。穩懋的HBT製程應用於手機

晶片相當理想，在WLAN(無線區域網路)產品方面的應用

也十分適合。

穩懋方面指出，該項新製程已由一日本晶片大廠認

可。該日本廠正研發藍芽技術所用的功率放大器。穩懋

期望今年能與數位客戶洽談，開始接單生產。

位於桃園的穩懋是個創立 3年的新興公司，以 6吋

晶圓廠提供GaAs晶圓製造服務。穩懋宣稱要成為全球第

一個純粹的 6吋GaAs晶圓廠。