南茂、力成搶進DDR-II封測市場

看好明年DDR-II將成為新一世代DRAM市場主流，且DDR-II在後段封裝測試製程亦將出現技術世代交替現象，因此專注在DRAM後段封測市場的南茂集團與力成科技，昨（十九）日分別宣布進軍DDR-II封測市場策略，其中南茂宣佈採用印刷式B階環氧樹脂的細間距閘球陣列封裝（FBGA）已研發成功並可量產，力成則表示第四季可完成微窗閘球陣列封裝（wBGA）產能建置。