公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I645554專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

CMOS影像感測器的深溝渠隔離結構及其製造方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/12/21

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 61,400

4.其他應敘明事項:

一種CMOS影像感測器的深溝渠隔離結構及其製造方法，所述深溝渠隔離結構包括

位於基底中的光感測區之間的多個隔離結構，且每個隔離結構包括第一溝渠隔離

結構和第二溝渠隔離結構。第一溝渠隔離結構形成於基底的第一表面內，其中第

一溝渠隔離結構包括第一填充層與包覆第一填充層表面的第一介電襯層。第二溝

渠隔離結構形成於基底中相對於第一表面的第二表面內，且第二溝渠隔離結構包

括第二填充層與包覆第二填充層表面的第二介電襯層，其中第二介電襯層的底面

與第一介電襯層的底面直接接觸。