公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3093644專

公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3093644專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

非揮發性記憶體的製造方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/09/28

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 56,597

4.其他應敘明事項:

一種非揮發性記憶體的製造方法。於基底上依序形成複合層、第一導體層及第一

頂蓋層。於基底中形成沿第一方向延伸的多個元件隔離結構，上述元件隔離結構

的表面位於第一頂蓋層與基底之間。對第一頂蓋層、第一導體層、複合層以及基

底進行圖案化，以於基底中形成沿第二方向延伸的多個溝槽，其中第一方向與第

二方向交錯。於溝槽中形成絕緣層及第二導體層，其中絕緣層環繞而包覆第二導

體層。移除第一頂蓋層，並在暴露出的絕緣層之兩側分別形成第二頂蓋層。以第

二頂蓋層為罩幕，圖案化第一導體層以及複合層，以使第一導體層形成為控制閘

極。