公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I633660專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

半導體元件及其製造方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/08/21

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 50,600

4.其他應敘明事項:

本發明提供一種半導體元件及其製造方法。半導體元件包括基底、閘介電層、閘

極、汲極以及源極。基底具有剖面為V形的溝槽。閘介電層位於基底上。閘介電層

在溝槽的側壁上具有第一厚度，且在溝槽外的基底上具有第二厚度。第一厚度大

於第二厚度。閘極位於閘介電層上。汲極與源極分別位於閘極的相對兩側的基底

中。