公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3053769專

公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3053769專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

半導體結構的製造方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/08/31

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 70,545

4.其他應敘明事項:

一種半導體結構的製造方法，包括以下步驟。提供包括多數個區塊的基底。各區塊

分別包括交替排列的第一區以及第二區。於基底上形成多數個複合層。圖案化最頂

層的複合層，以於基底的第一區上形成多數個複合塊。依序對區塊上的複合層以及

複合塊進行移除製程，以於基底上形成階梯結構。