公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I555179專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:隔離結構及具有其之非揮發性記憶體的製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/10/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 57,6004.其他應敘明事項:一種隔離結構的製造方法，適用於非揮發性記憶體的製程中。此方法是提供基底，並於基底上依序形成介電層、導體層及硬罩幕層。圖案化硬罩幕層及導體層，而形成暴露出介電層的第一溝槽。於基底上形成第一襯層。移除第一溝槽所暴露的第一襯層及介電層，以暴露基底。於導體層及硬罩幕層的側壁形成間隙壁。以具有間隙壁的導體層及硬罩幕層為罩幕，移除部分基底，以形成第二溝槽。之後於第二溝槽中形成一隔離層，其中導體層之間的間距大於第二溝槽的寬度。