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力晶創新投資控股

報價日期:2026/02/01
買價(賣方參考)
15.45
賣價(買方參考)
17.92

公告本公司取得美國專利局核發US 9484349專利



1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

靜態隨機存取記憶體

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/11/01

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 239,741

4.其他應敘明事項:

一種靜態隨機存取記憶體,包括至少一個靜態隨機存取記憶胞。靜態隨機存取記憶胞

的閘極佈局包括第一至第四條狀摻雜區、凹入式閘極線、第一閘極線及第二閘極線。

第一至第四條狀摻雜區依序設置於基底中且彼此分離。凹入式閘極線相交於第一至第

四條狀摻雜區。第一至第四條狀摻雜區在與凹入式閘極線的相交處斷開。第一閘極線

相交於第一條狀摻雜區與第二條狀摻雜區。第一條狀摻雜區與第二條狀摻雜區在與第

一閘極線的相交處斷開。第二閘極線相交於第三條狀摻雜區與第四條狀摻雜區。第三

條狀摻雜區與第四條狀摻雜區在與第二閘極線的相交處斷開。

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