公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 1512524專

公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 1512524專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

動態隨機存取記憶體的電容器下電極的製造方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:103/12/04

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$88,811

4.其他應敘明事項:

一種動態隨機存取記憶體的電容器下電極的製造方法包括下列步驟。提供具有記

憶胞區的基底。於基底的記憶胞區上形成多晶矽模板層。於多晶矽模板層上形成

支撐層。形成穿過支撐層、多晶矽模板層的多個開孔。至少於開孔所暴露的多晶

矽模板層上形成一襯層(liner layer)。於基底上形成實質上共形的導電層。移

除支撐層上的導電層，而形成多個電容器下電極。利用多晶矽模板層，可以製造

出外型輪廓良好(側向蝕刻少)的開孔，因此可以縮小元件尺寸。