力晶創新投資控股公司公告| IPO贏家未上市股票交流網

代子公司力晶積成電子製造股份有限公司公告 有關108年現金增資股票以登錄股票發放及過戶等相關事宜說明

1.事實發生日:108/07/22

2.發生緣由:子公司力晶積成電子製造股份有限公司公告有關108年現金增資股票

以登錄股票發放及過戶等相關事宜說明。

3.因應措施:不適用。

4.其他應敘明事項:

(一)依公司法第161條之2規定及台灣集中保管結算所業務操作辦法：非公開發行

公司及公開發行之未上市（櫃）公司發行之有價證券得向台灣集中保管結算所申

請無實體登錄。

(二)本次力晶積成電子製造(股)公司108年現金增資股票採無實體登錄，股東如有

過戶需要，請於股票發放日（須俟本次增資收足股款基準日並送主管機關變更登

記完成後訂定，屆時除另行公告外並分函通知各股東）後洽本公司股務代理人群

益金鼎證券股份有限公司股務代理部辦理。

(三)辦理過戶應檢附文件：

(1)出受讓股東雙方原留印鑑(若已於673申請單蓋妥原留印鑑免附)。

(2)新戶印鑑卡及身分證影本(法人檢附變更登記事項卡影本)(舊戶免附)。

(3)673登錄專戶持股明細異動申請單。

(4)證交稅一般代徵稅額繳款書或完稅證明。

*受讓者為未成年股東需加附國稅局支付價款證明及法定代理人父母雙方身分證及

印章。

*外僑及外國法人檢附主管機關核准函，外國法人加附扣繳單位設立（變更）登記

申請書。

*未上市櫃股票買賣，應由代徵人於買賣交割之當日，依成交總價額按千分之三代

徵稅款，並於代徵次日(買賣交割日二日內)，填寫繳款書向公庫繳納即完成報繳。

*證交稅單內有關證券出賣人及買受人姓名、身分證統一編號、地址、買賣證券名

稱、營利事業統一編號、股數、每股面額、每股成交價格、成交總價額及應納證券

交易稅、是否為二親等勾選等項目，應逐一正確填寫，不可塗改及疏漏。

(四)無實體登錄股票轉讓過戶應檢附文件及表單請進入群益金融網站

(https://www.capital.com.tw) 下載。

(五)請 貴股東檢附相關資料郵寄或臨櫃至群益金鼎證券股務代理部辦理，

住址:台北市大安區敦化南路二段97號B2；電話:02-270239999

代子公司力晶積成電子製造股份有限公司公告現金 增資認股基準日等相關事宜

1.事實發生日:108/06/28

2.發生緣由:子公司力晶積成電子製造股份有限公司為充實營運資金，

擬辦理現金增資發行普通股。

3.因應措施:

(1)董事會決議日期：108年06月28日。

(2)增資資金來源:現金增資發行新股。

(3)發行股數：400,000,000股。

(4)每股面額：新台幣10元。

(5)發行總金額：新台幣4,040,000,000元。

(6)發行價格：每股新台幣10.1元。

(7)員工認購股數：依公司法第267條規定，保留發行股份總數13.5%，

計54,000,000股。

(8)公開銷售方式及股數：不適用。

(9)原股東認購比例(請註明暫定每仟股得認購或配發股數)：不適用，

請詳其他應敘明事項(1)說明。

(10)畸零股及逾期未認購股份之處理方式：董事會授權董事長洽特定

人認購之。

(11)本次發行新股之權利義務：與原普通股份相同。

(12)本次增資資金用途：充實營運資金。

(13)現金增資認股基準日：108年07月17日。

(14)最後過戶日：108年07月12日。

(15)停止過戶起始日期：108年07月13日。

(16)停止過戶截止日期：108年07月17日。

(17)股款繳納期間：

A.力晶科技股份有限公司股東及力晶積成電子製造股份有限公司

員工股款繳納期間：108年07月22日至108年08月23日。

B.特定人股款繳納期間：108年08月26日至108年09月06日。

4.其他應敘明事項:

(1)本公司原股東力晶科技股份有限公司(以下簡稱「力晶科技」)108年

股東常會決議將其認購權利讓予力晶科技全體股東，依最近一次力晶科

技停止過戶日股東名冊記載之持有股份計算，力晶科技流通在外普通股

因盈餘轉增資發行新股由2,439,188,126股減除108年第1季股東拋棄持

股庫藏股票註銷349股，加計盈餘轉增資發行新股731,756,438股後，

流通在外普通股計3,170,944,215股，故力晶科技原股東每仟股可認購

股數由159.581787股調整為109.115763股。嗣後如因力晶科技股本發生

變動以致影響流通在外股數，致認股比例發生變動時，授權董事長全權

處理。

(2)依經濟部84年4月29日商207018號函規定本次力晶積成電子製造股份

有限公司現金增資全體力晶科技股東以特定人身份認購，若欲放棄認購

權亦不得將認購權利移轉他人。

(3)本次現金增資發行新股如因實際作業需要而須變動或其他相關未盡

事宜，授權董事長依公司法或其相關法令規定全權處理之。

1.股東會決議日:108/05/31

2.許可從事競業行為之董事姓名及職稱:

(1)董事：黃崇仁先生

(2)法人董事：智仁科技開發股份有限公司、仁典投資股份有限公司、智翔投資

股份有限公司

(3)法人董事代表人：陳瑞隆先生、謝再居先生

(4)獨立董事：劉炯朗先生

3.許可從事競業行為之項目:依公司法第209條第一項相關規定，董事為自己或

他人為屬於公司營業範圍內之行為。

4.許可從事競業行為之期間:108/05/31~110/05/23

5.決議情形（請依公司法第209條說明表決結果）:

本案經主席徵詢在場出席股東無異議照案通過。

6.所許可之競業行為如屬大陸地區事業之營業者，董事姓名及職稱（非屬大陸地區事業

之營業者，以下欄位請輸不適用）:不適用。

7.所擔任該大陸地區事業之公司名稱及職務:不適用。

8.所擔任該大陸地區事業地址:不適用。

9.所擔任該大陸地區事業營業項目:不適用。

10.對本公司財務業務之影響程度:無。

11.董事如有對該大陸地區事業從事投資者，其投資金額及持股比例:不適用。

12.其他應敘明事項:無。

公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3160475專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

快閃記憶體閘極結構及其製作方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/11/23

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 84,154

4.其他應敘明事項:

本發明提供一種快閃記憶體閘極結構的製作方法，包含：首先提供一基底，再依

序形成一第一絕緣層、一第一導電層和一第二絕緣層覆蓋基底，然後在第一導電

層和第二絕緣層內形成至少一第一溝渠，之後形成一第二導電層和一遮罩層覆蓋

第二絕緣層，其中第二導電層填滿第一溝渠，接續形成複數個圖案化遮罩層，接

著於各個圖案化遮罩層之兩側各形成一側壁子，最後以圖案化遮罩層與側壁子為

遮罩蝕刻第一導電層，直至第一絕緣層曝露出來，以形成一第一閘極結構和一第

二閘極結構。

公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3070168專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

快閃記憶體及其製造方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/09/25

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 61,022

4.其他應敘明事項:

一種快閃記憶體，包括堆疊閘極結構、第一摻雜區與第二摻雜區、選擇閘極以及

閘介電層。堆疊閘極結構設置於基底上，堆疊閘極結構從基底起依序包括穿隧介

電層、浮置閘極、閘間介電層以及控制閘極。第一摻雜區與第二摻雜區分別設置

於堆疊閘極結構兩側的基底中。選擇閘極設置於堆疊閘極結構下方的基底中的溝

渠內，且選擇閘極鄰近第一摻雜區並與第二摻雜區相距一距離。閘介電層設置於

選擇閘極與基底之間。穿隧介電層設置於浮置閘極與選擇閘極之間以及於浮置閘

極與基底之間。

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

電源控制電路以及具備電源控制電路的邏輯電路裝置

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/09/25

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 244,096

4.其他應敘明事項:

本發明的電源控制電路用於邏輯電路，該邏輯電路對來自記憶部件的多個輸入信

號進行規定的邏輯運算，並輸出邏輯運算後的多個輸出信號。電源控制電路包括

：開關部件，切換是否將電源電壓供給至邏輯電路；多個檢測器電路，分別檢測

多個輸入信號的信號位準的變化，當檢測出信號位準的變化時，分別輸出檢測信

號；以及控制電路，基於來自多個檢測器電路的至少一個檢測信號來控制開關部

件對邏輯電路供給電源電壓，另一方面，在未從多個檢測器電路輸出檢測信號時

，控制開關部件不對邏輯電路供給電源電壓。

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

影像亮度重配模組及影像亮度重配方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/10/02

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 179,868

4.其他應敘明事項:

本發明提供了一種影像亮度重配模組，其包括一開關器、一第一透鏡、一數位微

鏡裝置、一第二透鏡以及一第三透鏡。開關器選擇性地允許具一光強度分佈之一

第一圖像通過，而第一圖像係由一照明光束通過一光罩所形成。第一圖像藉由通

過第一透鏡而被調整尺寸以形成一第二圖像，成像於數位微鏡裝置的表面，並藉

由數位微鏡裝置形成具一重配光強度分佈之一第三圖像。第三圖像經數位微鏡裝

置輸出至第二透鏡，並藉由通過第二透鏡而被調整尺寸以形成一第四圖像，以及

第四圖像藉由通過第三透鏡而被調整尺寸以形成一第五圖像並輸出至影像亮度重

配模組外。

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

多層王冠型金屬-絕緣體-金屬電容器結構及其製作方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/11/06

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 102,949

4.其他應敘明事項:

一種多層王冠型金屬-絕緣體-金屬電容器結構，包含有一基底，其中設有一導電

區域；一金屬層間介電層，設於基底上；一電容溝渠，貫穿金屬層間介電層，顯

露出導電區域；一電容下電極結構，設於電容溝渠內，包括一第一下電極及一第

二下電極，其中第一下電極環繞著第二下電極，且第一下電極直接接觸導電區域

；一導電支撐底座，位於電容溝渠內，固定並電連接第一下電極及第二下電極的

底部；一電容介電層，順形的設置在第一下電極、第二下電極及導電支撐底座的

表面上；以及一電容上電極，設置在電容介電層上。

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

光罩及光罩承載平台的維護方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/11/01

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 103,280

4.其他應敘明事項:

本發明提供一種光罩，其可置放於曝光裝置中的光罩承載平台上，此光罩包括一

基板以及一反射結構。基板包括一主表面與至少一側壁，且主表面與側壁相接，

其中主表面包括一圖案區以及一周邊區，周邊區設置於圖案區的一外側。反射結

構至少設置於側壁表面或設置於主表面之周邊區。

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

非揮發性記憶體裝置及對其驗證的錯誤補償方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/11/01

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 52,600

4.其他應敘明事項:

一種非揮發性記憶體裝置及對其驗證的錯誤補償方法。非揮發性記憶體裝置包括

記憶體區塊、字元線驅動器、位元線電路以及控制器。記憶體區塊具備多個記憶

胞。當對所述記憶胞進行第一程式化處理以及第一驗證處理之後，控制器對所述

記憶胞的控制端進行反向讀取，依據預定的程式化數據並藉由所述字元線驅動器

以將預定電壓分別施加至所述記憶胞的所述控制端，藉由所述位元線電路以讀取

所述記憶胞中的數據，藉由從所述記憶胞中所讀取的所述數據來判斷每個記憶胞

的所述數據是否正常。當記憶胞中的特定記憶胞的數據不正常時，控制器對特定

記憶胞進行第二程式化處理。

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

半導體記憶裝置

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/12/21

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 86,900

4.其他應敘明事項:

半導體記憶裝置，於通常讀出或寫入模式與自動再新模式中進行選擇動作，包括

：感測放大器，自記憶元件讀出資料；第1開關元件，於第1期間，在將作為過驅

動電壓的第1電源電壓連接於第1電源中間節點後，於第2期間，將作為陣列電壓的

第2電源電壓連接於第1電源中間節點；第2開關元件，於感測放大器的驅動時將第

4電源電壓連接於感測放大器的第2電源中間節點；第1電容器，連接於過驅動電壓

且對過驅動電壓進行充電；第3開關元件，於自動再新模式時導通；及電壓產生部

件，產生第3電源電壓並經由第3開關元件與第1電源電壓並聯地施加。

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

統計多維變數而推算生產力的方法、統計多維變數而排程

優先順序的方法與統計多維變數進行最佳化配置的方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/11/01

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 152,000

4.其他應敘明事項:

一種經由統計多維變數而推算出生產力的方法。首先，提供複數個機臺的複數個

登錄資料。其次，分別轉譯每個登錄資料，而得到複數個變數與複數個參數。之

後，區別每個變數，使得每個變數成為合用變數或捨棄變數其中之一。繼續，統

計複數個合用變數，而得到統計合用變數。然後，將統計合用變數，組成統計庫

。接著，經由此統計庫推算出生產力。

公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3092137專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

止逆閥及防止氣體回沖的系統

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/09/28

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 65,144

4.其他應敘明事項:

一種止逆閥，其包括閥體、多個旋啟式柵門及多個檔塊。閥體具有多個開口。旋

啟式柵門設置於閥體上。在旋啟式柵門關閉時，旋啟式柵門封住開口。檔塊設置

於閥體上。在旋啟式柵門開啟時，檔塊擋住旋啟式柵門，以限制旋啟式柵門的開

啟角度。

公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3123040專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

多層王冠型金屬-絕緣體-金屬電容器結構及其製作方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/10/26

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 72,032

4.其他應敘明事項:

一種多層王冠型金屬-絕緣體-金屬電容器結構，包含有一基底，其中設有一導電

區域；一金屬層間介電層，設於基底上；一電容溝渠，貫穿金屬層間介電層，顯

露出導電區域；一電容下電極結構，設於電容溝渠內，包括一第一下電極及一第

二下電極，其中第一下電極環繞著第二下電極，且第一下電極直接接觸導電區域

；一導電支撐底座，位於電容溝渠內，固定並電連接第一下電極及第二下電極的

底部；一電容介電層，順形的設置在第一下電極、第二下電極及導電支撐底座的

表面上；以及一電容上電極，設置在電容介電層上。

公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3159745專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

自動監控膜厚均勻性的方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/11/23

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 62,850

4.其他應敘明事項:

一種自動監控膜厚均勻性的方法。取得多個晶圓之薄膜的膜厚資料，其中各晶圓

的膜厚資料包括在多個量測區域上的多個厚度值，並且同一個晶圓的厚度值設定

為一膜厚向量。基於各量測區域所獲得的上述厚度值獲得群均值矩陣。依據群均

值矩陣與上述膜厚向量，獲得群共變異矩陣。基於量測區域之間的偏離關係，獲

得變換矩陣。利用變換矩陣、群均值矩陣以及群共變異矩陣，獲得偏差範圍。基

於偏差範圍來監控各晶圓之薄膜的膜厚均勻性。

公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3125730專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

浮置閘極與非揮發性記憶胞的製造方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/10/26

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 64,984

4.其他應敘明事項:

一種浮置閘極的製造方法，包括下列步驟。提供具有多個隔離結構的基底，隔離

結構的頂面高於基底的頂面。於基底上形成第一導體層。於第一導體層上形成犧

牲層。移除部份犧牲層，而保留隔離結構之間的第一導體層上的犧牲層。以犧牲

層為罩幕，移除部份第一導體層，以於相鄰的隔離結構之間形成導體結構。移除

犧牲層。於基底上形成第二導體層，第二導體層電性連接導體結構。以及圖案化

第二導體層與導體結構，以形成浮置閘極。

公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3125727專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

圖案化方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/10/26

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 65,876

4.其他應敘明事項:

一種圖案化方法。提供材料層。於材料層上形成依序包括第一罩幕層與第一光阻

層的多個罩幕結構。於材料層上共形地形成覆蓋罩幕結構的第二罩幕層。於罩幕

結構間形成第一犧牲層。移除部份第二罩幕層而暴露第一光阻層，以於罩幕結構

間形成第一U型罩幕層。移除第一光阻層與第一犧牲層。於材料層上共形地形成具

有第一表面與低於第一表面的第二表面的第三罩幕層。於第三罩幕層的第二表面上

形成第二犧牲層。移除部份第三罩幕層而暴露第一U型罩幕層的突出部，以形成第

二U型罩幕層。以第二U型罩幕層的突出部為罩幕，對材料層圖案化。

公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3069339專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

半導體製程設備以及預防破片的方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/09/25

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 83,760

4.其他應敘明事項:

一種半導體製程設備，其適於處理基板。半導體製程設備包括腔體、靜電吸盤、

氣體交換管路、進氣排氣單元、壓力調節管路以及壓力調節閥門。靜電吸盤配置

於腔體內且適於吸附基板。靜電吸盤包括圖案化溝槽。圖案化溝槽與基板之間形

成圖案化氣體通道。氣體交換管路連接圖案化氣體通道。進氣排氣單元連接氣體

交換管路。壓力調節管路連接於氣體交換管路與腔體之間。壓力調節閥門配置於

壓力調節管路中。另提供一種預防破片的方法。

公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3080646專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

靜態隨機存取記憶體與其製造方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/09/21

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 61,946

4.其他應敘明事項:

本發明提供一種靜態隨機存取記憶體與其製造方法。透過將特定閘極結構形成為

具有下凹型式閘極結構，調整不同閘極結構之有效通道寬度大小比例，而提高靜

態隨機存取記憶體之表現。

公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 3093644專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

非揮發性記憶體的製造方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/09/28

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 56,597

4.其他應敘明事項:

一種非揮發性記憶體的製造方法。於基底上依序形成複合層、第一導體層及第一

頂蓋層。於基底中形成沿第一方向延伸的多個元件隔離結構，上述元件隔離結構

的表面位於第一頂蓋層與基底之間。對第一頂蓋層、第一導體層、複合層以及基

底進行圖案化，以於基底中形成沿第二方向延伸的多個溝槽，其中第一方向與第

二方向交錯。於溝槽中形成絕緣層及第二導體層，其中絕緣層環繞而包覆第二導

體層。移除第一頂蓋層，並在暴露出的絕緣層之兩側分別形成第二頂蓋層。以第

二頂蓋層為罩幕，圖案化第一導體層以及複合層，以使第一導體層形成為控制閘

極。