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根據集邦科技統計，11月NAND Flash合約價持續調漲，128Gb MLC NAND合約均價較上月續漲3.3％達4.11美元，普遍來看價位均改寫今年新高。而集邦亦預估第四季旺季到來，各項NAND Flash產品的合約價漲幅將更高。法人認為群聯（8299）受惠最大，第四季營收及獲利可望續創歷史新高。

受惠於NAND Flash缺貨及漲價效益發酵，推升群聯第三季營收及獲利同創歷史新高，第三季稅後淨利15.01億元，季增率達56.2％，年增也有26.8％，EPS為7.61元，累計前三季稅後淨利33.91億元，較去年同期成長14.4％，EPS為17.18元，表現優於預期。

群聯10月營收達41.77億元，為單月次高，稅前盈餘6.41億元，單月每股稅前盈餘3.25，累計前10月稅前盈餘44.20億元，每股稅前盈餘達22.39元，幾乎追平去年度水準。

集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange最新調查顯示，受惠於智慧型手機需求強勁，及供給端2D NAND 轉進3D NAND 所導致的整體產出減少，第三季NAND Flash開始漲價，使得NAND Flash原廠營收季成長19.6％，營業利益率也較上季大幅進步。

DRAMeXchange研究協理楊文得表示，第四季各項終端設備出貨進入今年最高峰，預估整體NAND Flash供不應求的市況將更為顯著，各項NAND Flash產品的合約價漲幅將更高，廠商的營收與營業利益率也可望再創今年新高。

至於新期公告的11月NAND Flash合約價亦呈現漲勢，其中64Gb MLC NAND合約均價較10月上漲1.5％達2.63美元，128Gb MLC NAND合約均價上漲3.3％達4.11美元，均創下一年來新高價。

由於OEM廠持續增加高容量固態硬碟（SSD）備貨，加上手機用eMMC/eMCP需求不弱，在三星以外供應商轉進3D NAND仍不順並導致2D NAND供給減少情況下，業界看好NAND Flash合約價將續漲至年底。

微發光二極體（Micro LED）可望成為新一代顯示技術，台廠如LED廠晶電（2448）、隆達；面板雙虎友達、群創均積極投入，盼能加速商業化量產時程。工研院樂觀預估，2017年採用Micro LED大型公用顯示器就能亮相。

Micro LED被視為未來殺手級的應用，由於這項顯示技術耗電量只有LCD的10%，色飽和度接近OLED。集邦科技表示，Micro LED被視為新一代顯示技術的完美應用，目前國際大廠都低調進行技術布局，一旦Micro LED商用化，估計會消耗全球LED現有產能的五成。

晶電發言人張世賢表示，由於Micro LED體積很小晶電的磊晶、晶粒製程上要配合移轉設備和系統應用等廠共同開發。在磊晶和晶粒的製程，Micro LED成功機率高，至於明年能否量產出貨，則還要很努力。

張世賢表示，Micro LED需要有很好的技術、專利能力，且要結合材料、設備、系統廠共同開發，進入門檻高，尤其有紅色LED。晶電在殺手級應用上已具有優勢。

隆達董事長蘇?正表示，Micro LED是一項新技術、新應用，有機會增加LED的使用量，這也是隆達布局新應用的方向之一。目前已有不少公司都在布局，進度不一。至於何時可商業化量產，他認為，投入初期良率差，更多人投入後良率提升的學習曲線，不能省略。技術總是一代又代推陳出新，隆達做好準備。

群創董事長暨執行長王志超則指出，軟性顯示將是趨勢，目前看來還有其它的技術選項如Micro LED等。

記憶體下半年漲勢凌厲，不過，從主要記憶體模組廠第3季季報表現看，擁有貨源才是贏家。其中，DRAM模組中以威剛（3260）擁有低價貨最多，表現最佳；快閃記憶體中則由群聯勝出。

根據集邦調查，上月DRAM漲勢最兇猛，其中，以應用在個人電腦的標準型記憶體單月漲幅達20%最大，集邦表示，今年下半年全球智慧型手機與伺服器需求強勁，DRAM 產能迅速轉進行動式記憶體與伺服器用記憶體，標準型記憶體因此面臨供需嚴重失衡，成DRAM價格全面起漲契機。集邦預估，本季DRAM合約價漲幅估計可達四成，顯示主要供應大廠仍藉由供給吃緊，企圖拉升售價。

DRAM價格漲勢凌厲，各DRAM模組廠卻不是雨露均霑，而是擁有較多貨源廠商勝出。DRAM模組大廠威剛因在第2季就備妥低價貨源，成為最大贏家。

威剛第3季稅後純益季增逾三倍，達3.53億元，每股稅後純益1.65元。累計今年前三季稅後純益5.61億元，每股純益2.62元，上季獲利大躍進，即拜擁有低價DRAM貨源之賜，預期本季在供應商支持，以及貨源仍充足下，營收和獲利有機會登上今年高點。

反觀創見雖靠工控產品維持業績穩定，但因不賭投機財，手中無低價貨源，加上重壓美元看漲，因無法彌補高額匯損，第3季單季每股純益1.1元，不如第2季的1.77元。

其餘模組廠如宇瞻和廣穎等，也都受DRAM和Flash缺貨影響，無法如期交貨，導致第3季獲利受影響。

宇瞻第3季每股純益0.83元，累計前三季每股純益1.81元，低於公司預期。廣穎第3季每股純益0.26元，低於第2季0.49元；累計前三季每股純益1.41元。

群聯也因把上半年低價貨源提前在第3季實現，使第3季每股純益達7.61元，創單季獲利新高；前三季每股純益17.18元，優於去年同期15.16元。

受到三大DRAM廠持續調整產品組合影響，標準型DRAM第3季以來供不應求且現貨價持續上漲，不僅帶動10月份合約價大幅飆漲20∼25％，缺貨情況看來將延續到明年。

市調機構集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMexchange最新研究顯示，繼第4季4GB DDR3/DDR4模組合約均價較上季大漲3成後，明年第1季將再漲15％。

受惠於DRAM合約價持續上漲，法人看好漲價效益將持續到年底，包括南亞科（2408）、華邦電（2344）、威剛（3260）、創見（2451）等業者將直接受惠外，因為DRAM漲價行情已延燒到利基型DRAM市場，法人亦看好晶豪科（3006）、愛普（6531）、鈺創（5351）等業者第4季營運表現。

10月DRAM合約價出現飆漲行情，主流的4GB DDR3/DDR4模組合約均價由14.5美元漲至17.5美元，單月漲幅20.7％，11月合約價雖仍在協商中，但預期將衝上18∼19美元間。

集邦指出，第3季適逢蘋果iPhone 7與三星Note7二大旗艦機備貨潮，雖然Note 7後來於第4季停產，但第3季的備貨仍有效去化DRAM產能及推升價格上漲，加上筆電搭載高容量8GB DRAM比重持續增加，第4季標準型DRAM合約價季漲幅將逾30％。

展望2017年第1季，受惠於農曆新年備貨需求，及買方普遍認同供貨吃緊仍將持續，標準型4GB DDR3/DDR4模組均價將往20美元邁進，預估季漲幅約15％。其他如伺服器DRAM、行動式與利基型DRAM等產品價格預估也將同步攀升，呈現淡季不淡的格局。

DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，由於DRAM供給端的寡占型態已經成熟，且製程在轉進20奈米後，位元成長有限，包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM廠短期內沒有新增產能的計畫，新製程轉進進度也有放緩的趨勢，預估供貨將持續吃緊。

吳雅婷指出，目前DRAM買賣雙方正陸續議定2017年第1季的DRAM價格，價格走勢確定持續攀升，而合約市場4GB模組價將站上20美元大關，與現貨價格的價差正逐步收斂。

市調機構集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange表示，受惠於全球智慧型手機出貨成長，及記憶體搭載量不斷攀升，第二季開始DRAM原廠逐步降低標準型DRAM的產出，產能移轉至行動式與伺服器DRAM。在供應逐漸吃緊下，第三季開始標準型DRAM價格呈現上漲走勢，同時帶動其他類別DRAM的價格上揚，使得第三季全球DRAM市場總體營收較上季大幅成長約15.8％。

DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，第三季適逢蘋果iPhone 7與三星Note 7等二大旗艦機備貨潮，雖然Note 7後來於第四季停產，但第三季的備貨仍有助記憶體消化產量與帶動價格上揚，標準型DRAM也因出貨比預期更佳，加上筆電搭載高容量8GB記憶體比重持續增加，第四季標準型DRAM合約價季漲幅可望超過30％。

根據集邦統計，第三季全球DRAM市場總營收達105.36億元，較第二季成長15.8％，其中，三星電子受惠於蘋果iPhone 7訂單加持，營收季成長約22.4％達52.86億美元，市占率一舉衝上50.2％穩坐龍頭寶座，第二大廠SK海力士市占率亦達24.8％。由此來看，韓國二大DRAM廠已掌握全球75％市占率。

由技術推進情況來看，三星已在20奈米製程上取得領先，成本為三大DRAM廠中最低，新廠Line 17的18奈米製程也從下半年起開始生產。吳雅婷指出，由於三星目標以獲利為重，對於18奈米是否繼續大規模擴產仍在謹慎規劃中。

在台灣業者部分，南亞科受惠於第三季標準型DRAM價格持續上漲，加上客戶陸續追加訂單，第三季營收較第二季成長16.7％，但隨著新工廠Fab 3A North完工，明年上半年將導入20奈米製程，屆時成本有望進一步降低。

力晶科技DRAM營收大幅下滑31.1％，主因在於其減少第三季標準型DRAM產出，但隨著第四季DRAM價格大漲，力晶DRAM投片又開始恢復之前水準，可預期營收將回復成長。

華邦電子第三季營收小幅成長7.0％，除46奈米比重持續提升外，38奈米製程預估最快於第四季正式少量投片生產，此外，由於利基型DRAM第四季起漲價，亦將反映在第四季的營收表現上。

集邦科技昨（17）日公布第3季全球DRAM業總營收季增15.8%，本季合約價漲幅大，業者營運持續看俏。法人指出，本季利基型DRAM價格跟著上揚，漲勢明顯，以利基型DRAM為主的南亞科（2408）、華邦等，營運同步吃補。

集邦旗下DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，第3季適逢蘋果iPhone 7與三星Note 7二大旗艦機備貨潮，雖然Note 7後來因爆炸事件決定停產，但第3季手機品牌強勁備貨仍大舉消化記憶體產能，並推升報價，標準型DRAM因出貨比預期更佳，加上筆電搭載高容量大幅提升至8GB，預料使第4季標準型DRAM合約價季漲幅逾30%。

集邦指出，上季三大DRAM廠營收表現，三星依然穩坐龍頭，營收季成長約22.4%，增幅遠超過市占第二的SK海力士，三星的市占率更來到50.2%，SK海力士為24.8%，合計二家韓廠囊括DRAM 75%市占，美光集團仍位居第三。

太陽能矽晶圓及電池報價反彈力道減弱，隨著備貨需求暫告尾聲，集邦預估12月各項報價將轉弱並下滑，讓主要太陽能廠第4季力拚轉盈的希望落空。

各太陽能廠第3季財報已出爐，除少數上游廠維持獲利，太陽能矽晶圓廠包括中美晶（5483）、綠能、達能及電池廠茂迪、新日光、昱晶、益通、元晶等全都虧損，單季虧損金額合計估近百億元。

原本業者預期本季在訂單增溫、產品售價提升及庫存調整結束等因素加持下，力拚本季轉盈。

集邦昨（16）日出具報告表示，因部分年底前併網的太陽能系統需求逐漸完成，讓飆漲一個半月的太陽能上中游太陽能矽晶及電池訂單熱度減弱，預料很快就會下滑，且走弱至明年第1季。

共和黨候選人川普當選美國總統，集邦科技（TrendForce）和IEK認為對生技業有利，產業仍將延續成長軌道。Trendforce生物科技分析師劉適寧認為，併購熱潮將持續，在精準醫學興起，基因平台大一統逐漸成形下，台灣需挖掘特定疾病領域，結合臨床伴隨式治療找利基。

劉適寧指出，2015年有許多金額龐大的併購案，前十大併購案金額皆超過十億美元，是2007年以來的高峰。從2016年上半年看來，併購案的金額銳減，市場回歸小型併案模式。不過，產業併購力度依舊不減，較小型公司透過買進新技術或合併，仍是營運成長的重要策略。

另外，隨著定序因技術的進步使成本大幅降低，基因專利無效判決更為基因定序產業的發展提供了契機。此外，多國大幅投入精準醫療/基因組計畫刺激基因定序產業的蓬勃發展。近年來次世代定序（NGS）儀器與試劑市場，在美國、中國等經濟大國祭出明確精準醫療/基因組計畫國家之需求推動下，預期2019年之後NGS儀器與試劑需求成長平穩。

劉適寧提醒，由於多國投入精準醫療或人類基因組計畫，儘管將帶動次世代定序（NGS）儀器與試劑、基因檢測服務、診斷應用開發等產業相關業者蓬勃發展，但在基因平台大一統逐漸成形中，台灣要尋求利基，則必須透過最佳演算，挖掘特定疾病，例如找出疾病分型標記、預後基因、影響用藥決策基因或族群差異基因等，以結合臨床解決方案和配合藥物的伴隨式診斷，才可望發揮價值。

劉適寧表示，2015年全球藥品市場規模達1兆美元大關，預估2020年市場規模可達1.5兆美元，2015∼2020年年複合成長率為6.8％。其中，人口成長與經濟力提升使新興國家藥品市場成長力道強勁，而新興市場的藥品需求重心漸從感染疾病移往非感染性疾病。

醫療器材部分，TrendForce預估2020年全球醫材市場規模可達4,845億美元，2015∼2020年年複合成長率為5.3％。在美國健保法案（Patient Protection and Affordable Care Act）施行後，醫材發展逐漸轉往價值導向，更注重切入未滿足醫療需求的核心及降低醫療支出。

雖然川普當選，全球市場忐忑，不過，集邦和IEK都認為，藥廠有藥證廠房認證和品質問題，不是隨便就能搬遷，對產業衝擊較有限，反而是川普沒有要打壓藥價，相對產業發展有利。

記憶體漲價漲不停！由於三大DRAM廠標準型DRAM占產能比重降至兩成以下，導致10月份DRAM合約價大幅飆漲20∼25％，其中，主流的4GB DDR3／DDR4模組合約均價大漲20.7％至17.5美元，4GB DDR3／DDR4晶片合約價則飆漲25.3％達1.88美元，均創今年來新高價。

法人也看好DRAM價格將續漲至年底，台廠南亞科（2408）、華邦電（2344）、威剛（3260）將直接受惠。

根據集邦科技統計，10月DRAM合約價出現飆漲行情，主流的4GB DDR3／DDR4模組合約均價由14.5美元漲至17.5美元，單月漲幅高達20.7％；4GB DDR3／DDR4晶片合約均價則由1.50美元漲至1.88美元，單月漲幅衝上25.3％。高階規格的8GB DDR4模組合約均價同樣大漲逾20％達35美元，普遍來看，10月標準型DRAM合約價大漲20∼25％，創下今年來新高價外，也是一年來新高價。

不僅DRAM合約價大漲，現貨價也持續走高。4GB DDR3／DDR4原廠顆粒現貨價10月大漲18∼20％，均價已衝上2.50美元左右。由於現貨價及合約價間仍有3成以上的溢價差，因此業界普遍看好DRAM合約價將一路漲到年底，而受到標準型DRAM價格大漲帶動，10月利基型DRAM合約價亦順利調漲3∼6％。

集邦科技旗下記憶體事業處DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，觀察市場面，由於原廠產能陸續轉進Mobile DRAM與伺服器DRAM後，標準型DRAM產能已低於20％以下，加上廠商庫存水位偏低與旺季需求比預期更佳，標準型DRAM出現歷年少見在無工廠意外情況下而價格暴漲的情形，此效應也讓其他的DRAM產品在第4季皆有漲幅。

今年下半年DRAM價格漲勢兇猛，包括三星、SK海力士、美光等三大廠主要產能均已移轉生產Mobile DRAM及伺服器DRAM。由需求面來看，智慧型手機搭載容量拉高至3∼4GB已有效去化Mobile DRAM產能，資料中心建置需求續增亦消化掉伺服器DRAM產能，整體來看，今年底三大廠手中庫存水位可能不到兩周，SK海力士就在日前法說會中指出其年底庫存將低於一周。

由製程上來看，三大廠20奈米製程已提升至產能的7成，但明年並沒有加快18/16奈米微縮計畫，同時也沒有興建新生產線動作。法人認為，明年DRAM市場位元成長率恐低於20％，將是8年來最低的一年，只要需求維持今年水準，明年DRAM市場將是全年供不應求。

受惠於DRAM合約價大漲，模組廠威剛受惠最大，不僅DRAM模組價格持續拉高，還賣到缺貨，上半年備妥的低價庫存將帶來明顯獲利。至於DRAM廠南亞科、華邦電等也受惠於合約價全面上漲，第4季營收可望較第3季明顯成長，將是今年營收及獲利最高的一季。

集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange指出，DRAM原廠與一線電腦代工大廠敲定了第4季合約價，4GB DDR3／DDR4模組價格合約均價漲至17.5美元，現貨也維持強勁上漲格局，顯見市場對於後市上漲仍將持續保持樂觀的態度。

DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，2016下半年在全球智慧型手機與伺服器需求強勁下，DRAM產能迅速轉進Mobile DRAM以及伺服器DRAM，標準型DRAM因此面臨供需嚴重失衡，成為DRAM價格全面起漲的契機。

同時，三大DRAM廠間關係也發生了微妙的變化，首先是三大廠認同自己現在的競爭態勢，不再為搶攻市占率而非理性擴產，在共榮共存的前提下，也都遵循最大供應商的價格策略，不再削價競爭，以確保自身最大獲利。

在此一情況下，DRAMeXchange預估三大DRAM廠對2017年DRAM資本支出將不會擴大，較今年持平或是下修可能性高，意味軍備競賽暫時落幕。也就是說，以獲利為首要目標，將是DRAM廠一致的共識，2017年產能年成長率也將創下近8年來最低，預估供給位元年成長率低於20％。

值得注意的是，大陸政府近年來已宣示要進軍記憶體產業，去年及今年上半年市場狀況不佳，藉併購與合作方式切入記憶體產業，的確可說是最佳時機點。

不過，韓系廠商都處於獲利階段，與大陸合作意願不高，反觀財務狀況不佳的美光自然是大陸政府的目標。

然而，經由這次韓系DRAM大廠主導的漲價，不光幫助美光擺脫財務窘境，在未來持續獲利的情況下，也無形降低美光與大陸業者合作的意願，畢竟面臨國家代表隊等級的對手，三大DRAM廠不免感到壓力。吳雅婷表示，此波漲價蘊含著三大DRAM原廠的近期目標與長期策略─近期可讓自身維持不錯的獲利結構，長期則可提高大陸進軍記憶體產業的門檻。

雖然英特爾對第4季電腦市場看法較為保守，但標準型DRAM市場仍是供不應求，4Gb DDR3/DDR4原廠顆粒現貨價持續飆漲，10月以來平均漲幅已達15％左右，第3季以來累計漲幅已達45∼50％。由於三大DRAM廠明年上半年之前並無新增產能開出，業界不僅樂觀看待DRAM價格將續漲到年底，明年第1季前缺貨問題亦難獲得紓解。

標準型DRAM晶片持續飆漲，模組價格漲幅更大，10月以來4GB DDR3/DDR4模組價格漲幅已逾兩成，對威剛（3260）及創見（2451）等模組廠來說，第4季營收及獲利將較第3季大幅成長。而標準型DRAM帶動利基型及伺服器DRAM同步上漲，南亞科（2408）、華邦電（2344）對第4季營運樂觀，產能幾乎已被客戶包下。

包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM廠今年上半年將主要產能移轉生產Mobile DRAM，導致下半年標準型DRAM供不應求，價格也一路飆漲不回頭。

根據集邦科技及模組廠提供報價，8Gb DDR4原廠顆粒現貨均價昨日已漲至4.78美元，10月以來漲幅達10.4％，第3季以來漲幅達31.7％，改寫今年新高價。

主流的4Gb DDR4原廠顆粒現貨均價昨日漲至2.48美元，10月以來漲幅達14.3％，第3季以來漲幅達49.4％。4Gb DDR3原廠顆粒現貨價漲勢同樣強勁，昨日平均報價已達2.42美元，10月以來漲幅達16.3％，第3季以來漲幅達46.7％，兩種規格DRAM價格已創1年多來新高。

下半年個人電腦市場雖然需求仍然平淡，但銷售情況已明顯優於上半年，由於英特爾及超微均推出新一代處理器，ODM/OEM廠及主機板廠手中庫存水位又過低，隨著需求持續回溫，自然帶動DRAM價格走高，其中又以DRAM模組價格漲幅最大，7月初4GB DDR3/DDR4模組價格約介於13∼14美元，但10月以來價格已漲至20美元以上，累計漲幅高達5∼6成。

由供給端來看，雖然三大DRAM廠下半年的20奈米製程良率趨於穩定，不過因為沒有新增產能開出，且在明年中之前，三大DRAM廠也沒有新建生產線可以開出新產能，加上20奈米及更先進的1x/1y奈米的製程進入量產後，對現有產能會造成產能自然減損問題，同一條生產線的投片量至少縮水兩成左右。因此，模組業者普遍認為DRAM供不應求情況將延續到明年第1季，價格也會持續看漲

DRAM本季供給缺口浮現，價格漲勢超乎預期。集邦科技昨（3）日上修本季合約價漲幅，由原預估一成擴增到三成，DRAM價格將重登兩年來新高，DRAM族群南亞科（2408）、威剛和宇瞻等營運笑開懷。

集邦昨天公布9月DRAM模組合約均價為14.5美元，比上月上漲7.4%，主因DRAM原廠持續調整產出比重，標準型記憶體因供貨持續吃緊，推升合約價續揚。

集邦旗下DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，近期DRAM現貨顆粒價格漲幅劇烈，9月底DDR3/DDR4 4Gb價格分別來到每顆2.1及2.0美元，各上漲19%與15%，昨天價格更再推升至2.2美元及2.1美元，顯見市場供不應求的態勢持續擴大。

她強調，第3季智慧型手機、筆電正處備貨高峰，再加上行動式記憶體產出擴大至整體產出的四成以上，標準型記憶體產出遭到排擠，僅剩不到二成。

此外，適逢傳統銷售旺季即將來臨，筆電配置8GB記憶體的新款機種數量也在迅速攀升，商務機種最明顯。

吳雅婷指出，第3季PC-OEM客戶已開始對標準型記憶體追價與追量，帶動第4季還有一波更高的漲幅。不僅如此，第4季標準型記憶體需求大增，超過DRAM原廠的預估，供給缺口將加大。吳雅婷預期，個人電腦代工廠為確保料源穩定，將展開搶貨大戰，第4季標準型記憶體價格估計漲幅上看三成；至於儲存型快閃記憶體（NAND Flash）也會缺貨，第4季嵌入式記憶體（eMCP）產品也將上漲10%至15%。

法人預估，第4季DRAM漲勢超乎預期，加上DRAM和NAND Flash雙漲，DRAM製造廠南亞科、華亞科、華邦；模組廠威剛、創見等獲利成長可期。

市調機構集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange表示，隨著DRAM原廠持續調整產出比重，標準型DRAM在供貨持續吃緊下，9月合約價維持強勁的漲勢，4GB DDR3／DDR4均價已來到14.5美元，較8月明顯上漲7.4％。在全球筆電需求出乎意料大增的情況下，預估第4季的合約價將較第3季大漲約3成，創下兩年來的新高點。

全球筆電需求出乎意料的大增，集邦也預估第4季的合約價將大漲。以第3季4GB DDR3／DDR4模組合約均價約13.75美元來看，第4季合約均價將上看17.5∼18美元。法人表示，標準型DRAM漲價已帶動伺服器及利基型DRAM跟漲，包括南亞科（2408）、華亞科（3474）、華邦電（2344）、威剛（3260）、創見（2451）等業者下半年獲利成長幅度不容小覷。

DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，DRAM現貨顆粒價格漲幅更劇烈，顯見市場供不應求的態勢持續擴大。據集邦統計，高階8Gb DDR4原廠顆粒現貨昨（3）日已漲至4.35美元，9月以來漲幅達16.9％；4Gb DDR4原廠顆粒現貨價續漲至2.19美元，9月以來漲幅達19.7％；4Gb DDR3原廠顆粒現貨價亦漲至2.1美元，9月以來漲幅高達23.5％。

從供需狀況來看，第3季智慧型手機、筆電生產鏈正處備貨高峰，再加上Mobile DRAM產出擴大至整體產出的4成以上，使得標準型DRAM產出遭到排擠，至目前僅剩不到兩成。此外，適逢傳統銷售旺季即將來臨，筆電配置8GB DDR3／DDR4的新款機種數量也在迅速攀升中，尤以商務機種最為明顯。

吳雅婷指出，第3季PC OEM客戶已開始對標準型DRAM追價與追量，帶動第4季還有一波更高的漲幅，不僅如此，第4季標準型DRAM需求大增，超過DRAM原廠的預估，使得供需失衡的狀況更是雪上加霜。

包括三星、SK海力士、美光等三大廠的原廠標準型DRAM供貨吃緊，9月PC OEM廠已積極議定第4季度的價格。吳雅婷表示，第4季DRAM合約價大戰提前開打，主因在於標準型DRAM產能轉進Mobile DRAM與伺服器DRAM的速度過快，加上部分廠商的20奈米或21奈米良率提升不如預期，恐難滿足原先預估的需求，因此引起PC OEM廠的恐慌而加量搶貨，並亟欲提高現有庫存水位，來穩定自身的DRAM需求。

大陸國家核電、中國廣核集團，以及中國核工等公司提出未來十年將在大陸興建60座核能發電廠，對近年積極獎勵的分散式太陽能電站將是當頭棒喝，是否會排擠大陸太陽能產業發展，值得注意。

科技專業調研機構集邦科技則不看好明年太陽能產業發展，預估明年市場供過於求的狀況會更嚴重，明年全球太陽能產業將首次出現停滯成長。

集邦旗下的EnergyTrend表示，今年下半年全球太陽能市場需求大幅減少，主因全球最大市場大陸經過上半年的搶裝潮之後，下半年需求量提前拉完，造成下半年全球市場表現疲弱。

EnergyTrend指出，雖然印度市場逐年成長，南美洲、中東等新興市場也漸形成規模，但明年將是令人感到失落的一年。受美、日市場衰退，大陸僅維持穩定安裝量影響，明年全球太陽能市場將首次出現停滯成長。

EnergyTrend預估，明年全球太陽能需求量從今年的63.4GW（10 億瓦），微增至63.7GW，但供給卻持續擴張。尤其供應鏈中游的太陽能電池，明年產能將比今年多13至15GW，嚴重供過於求的情景將再浮現。

法人表示，台灣太陽能電池廠包括茂迪、昱晶、新日光、昇陽科、益通等，上季營收普遍呈現逐月下滑，且各項電池報價都處於虧損，不利第3季財報表現。

包括三星、SK海力士、美光等3大DRAM廠9月嚴控出貨，但ODM/OEM廠進入出貨旺季積極回補庫存水位，推升DRAM現貨價出現近3年難得一見的飆漲行情。主流4Gb DDR3/DDR4原廠顆粒現貨均價在9月底均成功站上2美元關卡，並創下今年來新高，南亞科、華邦電、威剛等業者9月營收將見明顯成長，第3季獲利也將大幅跳升。

根據集邦科技報價，4Gb DDR4原廠顆粒現貨均價9月底以2.17美元作收，9月以來漲幅高達18.6％，第3季累計漲幅達26.9％。4Gb DDR3原廠顆粒現貨均價在9月底衝上2.08美元，9月以來漲幅衝上22.4％，第3季以來累計漲幅亦達26.1％。由此來看，DRAM現貨在9月出現難得一見的飆漲走勢。

南亞科總經理李培瑛表示，第2季DRAM價格跌幅過深，第3季才會出現明顯漲幅，目前客戶端及通路端的庫存水位都不高，因此DRAM價格仍看漲，符合先前對下半年DRAM市況及價格均優於上半年的預期。

由供給面來看，3大DRAM廠第2季將主要產能移撥生產智慧型手機Mobile DRAM，導致第3季以來標準型DRAM市場供給量逐月下降，而且下半年來自大陸的資料中心需求增溫，標準型DRAM產能又被移撥生產伺服器DRAM，因此，3大DRAM廠9月開始嚴控出貨，並透露第4季仍無法滿足市場需求，於是引爆DRAM價格大漲行情。

由需求面來看，除了伺服器DRAM需求明顯進入旺季外，下半年筆電市場銷售仍有旺季應有表現，如第3季北美地區筆電需求增溫，惠普與戴爾出貨季成長皆超過8％，造成標準型DRAM供應緊俏。

集邦科技指出，在原廠仍維持轉進高毛利的Mobile DRAM策略下，預估第4季標準型DRAM價格將持續上漲，季對季的價格漲幅將上看15％，DRAM廠整體獲利結構逐步攀升，DRAM市場未來1年都將維持健康的供需狀態。

在標準型DRAM價格持續調漲下，x16規格利基型DRAM價格也在9月下旬出現飆漲行情，短短不到一周時間漲幅高達1成，對於主攻利基型DRAM市場的南亞科（2408）、華邦電（2344）、晶豪科（3006）等業者來說，第三季獲利將見大幅跳升。

由於第四季DRAM市場仍供不應求，價格持續看漲，業者喜迎旺季到來，營收及獲利可望持續攀高。

DRAM市場供給吃緊情況有惡化跡象。由於三星、SK海力士、美光等三大DRAM廠將多數產能移轉生產Mobile DRAM之後，標準型DRAM及利基型DRAM供給缺口持續放大。由於第三季進入PC及消費性電子傳統旺季，因此，韓系DRAM廠開始嚴格控管出貨量，除了推升標準型DRAM價格持續上漲，利基型DRAM更因缺貨嚴重，價格在本周出現飆升情況。

根據集邦科技報價，4Gb DDR4標準型x8規格DRAM現貨均價已經漲至2.1美元價格，4Gb DDR3標準型DRAM現貨均價也在昨日站上2美元關卡。在利基型DRAM部份，x16規格的4Gb DDR3現貨價昨日漲幅最大達2.33％，平均價格來到1.931美元，幾乎已經來到今年新高，低容量的x16規格2Gb DDR3現貨價亦來到1.107美元價位，價格已是去年10月以來新高。

由於國內DRAM廠南亞科、華邦電、晶豪科等早已淡出標準型DRAM市場，並轉型鎖定在利基型DRAM市場，因此第三季以來標準型DRAM價格持續走高，DRAM廠受惠情況不如模組廠來的好。不過，現在標準型DRAM漲幅趨緩，利基型DRAM因大陸系統廠開始擴大拉貨，導致現貨價出現強勁飆漲行情，對南亞科、晶豪科等業者來說就十分有利。

法人表示，利基型DRAM價格出現飆漲走勢，需求明顯大於供給，價格可望在近期站上2美元，南亞科、華邦電、晶豪科等業者9月營收可望出現明顯成長。由於DRAM單位製造成本下半年隨著製程微縮而下降，DRAM業者第三季獲利將見到明顯跳升，第四季營運持續樂觀。

受到三星、SK海力士、美光等三大DRAM廠產品線調整影響，加上製程轉進20奈米後導致產能出現自然減損情況，第3季以來DRAM市場已是供不應求，而且9月以來缺貨問題日益嚴重，價格幾乎天天上漲，累計漲幅已逾1成幅度。由於短期內並無DRAM新產能開出，缺貨情況將持續到第4季，擁有低價庫存的模組廠威剛（3260）受惠最大，獲利亦是水漲船高。

DRAM市場缺貨問題已浮上檯面，而且短期內難獲紓解。由供給面來看，下半年進入智慧型手機零組件備貨旺季，不僅Android陣營高階手機DRAM搭載容量已提升至3∼4GB，蘋果大尺寸iPhone 7 Plus搭載容量提升5成至3GB，導致三大DRAM廠將產能大量移轉至生產Mobile DRAM。

其中，三星Galaxy Note 7出現電池爆炸事件而進行全面回收，三星已經重新生產新機以利消費者換機，等於用掉了原本Mobile DRAM需求量的2倍，這讓三星無多餘產能轉回生產標準型DRAM。同時，三大DRAM廠今年開始跨入20奈米世代，產能自然減損情況已導致近期的投片量明顯低於上一世代30奈米製程。

模組廠普遍認為DRAM缺貨問題將延續到第4季，看好價格將一路漲到11月。

據集邦科技及模組廠提供報價，8Gb DDR4現貨均價昨日大漲1.86％達4.10美元，9月來漲幅已達10.22％；4Gb DDR4現貨均價亦漲至1.99美元，9月以來漲幅達8.74％。至於4Gb DDR3現貨均價則漲到1.88美元，9月以來漲幅亦高達10.59％。

隨著DRAM價格持續走高，不僅南亞科、華亞科、華邦電等DRAM廠直接受惠，記憶體模組廠如創見、威剛等更是獲利大躍進。其中，DRAM營收占比較高的威剛將是最大受惠者，第3季營運績效已回到相當於產業多頭時的高水準。

威剛表示，新款智慧型手機陸續倍數提升記憶體容量，推升Mobile DRAM需求大增，標準型DRAM產出受到產能排擠效應影響，供貨吃緊狀態未見紓解。預期DRAM價格漲勢將延續至第4季，威剛在庫存充足且供貨無虞的後盾下，本業獲利表現可望於下半年繳出亮眼成績單。

全球記憶體龍頭三星主導漲DRAM價策略奏效，集邦科技昨（21）日晚間最新DRAM現貨價強漲1.6%至2.3%，是近期單日最大漲幅，累計近一周已漲近5%，南亞科（2408）、華邦、威剛及宇瞻等概念股樂透。

記憶體通路商表示，三星和SK海力士近期主導價格漲勢態度積極，除8月調漲DRAM報價，第4季合約價也再漲一成，連同第3季合約價調漲15%，等於下半年漲幅約25%。

三星、SK海力士全球DRAM市占合計逾八成，兩大廠漲價策略奏效，激勵現貨報價連二周走揚。通路商分析，三星企圖藉由拉升DRAM報價、提升記憶體事業獲利，以彌補因Note 7發生電池燃燒意外、需要大舉召回造成的損失。

此外，包括手機、筆電廠在第3季末競推新產品，尤其蘋果iPhone 7╱7 Plus新機，幾乎包下三星多數產能，讓三星順勢調提DRAM售價。

集邦科技昨天晚間最新DRAM報價，主流DDR4 4Gb晶片單日最高價攀上每顆2.35美元，均價為1.96美元，單日漲幅1.6%；DDR4 8Gb晶片單日漲幅更達2.3%，均價站上4美元、達4.01美元。隨著漲勢延續，業界預料，DDR4 4Gb晶片均價很快可站穩2美元之上。

至於應用於其他工控、網通及消費產品的DDR3 2Gb及4Gb晶片，也因主要大廠將產能轉向行動式和伺服器用DRAM，漲勢比DDR3提早發動，昨天也同步上漲2.1%。

蘋果新機上市，加大DRAM、NAND Flash價格漲勢，加上第4季將進入感恩節、雙11及耶誕節三大旺季需求潮，記憶體模組廠創見（2451）、威剛、宇瞻和廣穎等，樂觀第4季營運，多數廠商營收及獲利都可望寫下今年新高。

法人指出，蘋果、三星、大陸華為、OPPO、vivo等手機廠都相繼在第3季末積極備庫存，不僅讓NAND Flash供貨短缺，連盤跌已久的DRAM價格也明顯回升。

近期市場預期DRAM和NAND Flash供應會更吃緊，備貨需求快速升溫，從集邦科技近二周報價DRAM漲幅逾5%，可一窺端倪。目前業界已對下季DRAM合約價調漲一成形成共識，NAND Flash漲勢也可維持到年底。

太陽能價格持續探底，在各廠商冀望第4季撥雲見日之際，集邦科技昨（19）日提出最新研究報告，明年太陽能供需失衡會更嚴重，明年太陽能產業將是首次出現停滯成長。

中國大陸國家核電及中國廣核集團和中國核工等公司提出未來十年將興建60座核能發電廠，對近幾年積極獎勵的分散式太陽能電站是當頭棒喝，是否會遭到嚴重排擠，值得注意。

集邦旗下的EnergyTrend表示，太陽能產業下半年因需求急凍，導致價格快速崩落，屢創新低，包括矽晶圓與電池片9月報價仍持續探底。

根據目前的價格，太陽能上下供應鏈中多數廠商都處於負毛利，EnergyTrend形容下半年需求已快速進入寒冬。

EnergyTrend表示，太陽能市場需求在下半年大幅減少，主因全球最大太陽能需求大陸市場經過上半年的搶裝後，下半年需求已提前拉完，造成下半年全球市場表現疲弱。

EnergyTrend指出，雖然目前印度市場逐年成長，南美洲、中東等新興市場也漸形成規模，但明年將是令人感到失落的一年。受美日市場衰退，大陸僅維持穩定安裝量，明年全球太陽能市場將首次出現停滯成長。

EnergyTrend預估，明年全球太陽能需求量從今年的63.4GW（10億瓦），微增至63.7GW，但供給卻持續擴張。以供應鏈中段的太陽能電池為例，明年產能將比今年多出13至15GW，預料嚴重供過於求情景將再浮現。

EnergyTrend預估，明年太陽能從上游多晶矽到下游太陽能模組，供過於求比率將達18%至35%，且產能持續擴張至2018年，供過於求短期很難紓解。

大陸核能電廠發展計畫是由國家核電公司、中國廣核集團及中國核工業集團等三家核能發電業負責，每家業者每年將新建二座核子反應爐。計劃未來五年先建30座核子反應爐，日後還會蓋更多。首波六座核子反應爐中，中國核工業集團在浙江三門建二座、國家核電公司在山東海陽建二座、中國廣核集團在廣東陸豐建二座。