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集邦科技(未)公司新聞
動態隨機存取記憶體（DRAM）、儲存型快閃記憶體（NAND Flash）及編碼型快閃記憶體（NOR Flash）三種記憶體本季成為業界最受注目焦點。業者研判，本季DRAM和NOR晶片漲勢最為凌厲；NAND Flash擔心影響供需，將小幅向下修正。不過，一旦北韓情勢爆發軍事衝突，各項記憶體都將同步喊漲，漲幅都會超乎預期。
稍早市調機構集邦發布報告，預告本季DRAM合約價因各供應商製程不順，均價將再上漲12.5%。
不過，業者強調，本季DRAM供貨仍吃緊，其中以標準型DRAM和伺服器用DRAM最缺，主因三星和美光在轉換1X奈米製程都不順，產出減少。業者估，本季標準型DRAM合約價將會上漲達15%，伺服器用DRAM，漲幅將逾20%。
稍早市調機構集邦發布報告，預告本季DRAM合約價因各供應商製程不順，均價將再上漲12.5%。
不過，業者強調，本季DRAM供貨仍吃緊，其中以標準型DRAM和伺服器用DRAM最缺，主因三星和美光在轉換1X奈米製程都不順，產出減少。業者估，本季標準型DRAM合約價將會上漲達15%，伺服器用DRAM，漲幅將逾20%。
中國大陸的上半年安裝潮並未如預期的啟動，導致太陽能產品報價仍呈現緩跌，讓太陽能廠第2季營運增添壓力。面對大環境壓力，個別廠商努力突破，加上3月份工作天數恢復正常，包括綠能(3519)、昱晶(3514)、昇陽科(3561)分別比前月成長8.7％、7.1％和2.3％。
至於中美晶(5483)則受惠併購效應，單月營收再創歷史新高，月增率和年增率分別為17.4％和110.8％。
從股價來看，太陽能族群昨(6)日多在平盤上下，僅有導電漿廠碩禾(3691)單日大跌20元獨弱，收盤價280元更創2013年11月以來新低。分析師指出，導電漿市場競爭加劇，恐造成碩禾今年度獲利大縮水，而碩禾昨日恢復資券交易，也有不少賣壓來自於空單。不過，碩禾3月營收7.96億元雖然比去年同期衰退49.3％，但比前月大增32.9％，營運有回溫跡象。
根據太陽能產業兩大研調的報價統計來看，本周都還處於下跌階段，其中，PVinsights的報價從多晶矽、矽晶圓到電池與模組都是下跌，多晶矽跌幅約2.8％，高效多晶矽晶圓跌幅約1.7％，台製電池的跌幅約1％；至於集邦的多晶矽報價跌幅則約達4％，至於矽晶圓和電池同樣都呈現小幅下滑。
不過，集邦仍是透露些微好消息，主要是隨著「630大限」拉貨潮的刺激，終端拉貨轉趨積極，預計後市報價繼續走低的空間有限。儘管目前市況仍有些許觀望氛圍，預期4月到5月中旬的需求更明朗後，回溫將會更明顯。
綠能3月合併營收9.31億元，較上個月增加8.7％，為近4個月來高點，累計第1季營收26.27億元，相較於去年同期的「近年最佳時期」則少了將近5成。綠能指出，正積極調整產品組合以應對市場變化，並與財務穩健之長期客戶合作，以銷售利基產品優先，使產線效率最佳化，目前的產能利用率仍維持9成。
綠能除了矽晶圓產能是台灣最大之外，在模組端也開發出「輕量化」的產品，以對抗中國大陸的低價競爭。
中美晶在去年12月併購SEMI之後，效益立即顯現，預期今年度的單月營收都有機會創新高，以3月營收來說，就達51.45億元、月增率和年增率分別為17.4％和110.8％。不過，單就太陽能產品來看，營收10.68億元，也比前月成長2.2％。
至於中美晶(5483)則受惠併購效應，單月營收再創歷史新高，月增率和年增率分別為17.4％和110.8％。
從股價來看，太陽能族群昨(6)日多在平盤上下，僅有導電漿廠碩禾(3691)單日大跌20元獨弱，收盤價280元更創2013年11月以來新低。分析師指出，導電漿市場競爭加劇，恐造成碩禾今年度獲利大縮水，而碩禾昨日恢復資券交易，也有不少賣壓來自於空單。不過，碩禾3月營收7.96億元雖然比去年同期衰退49.3％，但比前月大增32.9％，營運有回溫跡象。
根據太陽能產業兩大研調的報價統計來看，本周都還處於下跌階段，其中，PVinsights的報價從多晶矽、矽晶圓到電池與模組都是下跌，多晶矽跌幅約2.8％，高效多晶矽晶圓跌幅約1.7％，台製電池的跌幅約1％；至於集邦的多晶矽報價跌幅則約達4％，至於矽晶圓和電池同樣都呈現小幅下滑。
不過，集邦仍是透露些微好消息，主要是隨著「630大限」拉貨潮的刺激，終端拉貨轉趨積極，預計後市報價繼續走低的空間有限。儘管目前市況仍有些許觀望氛圍，預期4月到5月中旬的需求更明朗後，回溫將會更明顯。
綠能3月合併營收9.31億元，較上個月增加8.7％，為近4個月來高點，累計第1季營收26.27億元，相較於去年同期的「近年最佳時期」則少了將近5成。綠能指出，正積極調整產品組合以應對市場變化，並與財務穩健之長期客戶合作，以銷售利基產品優先，使產線效率最佳化，目前的產能利用率仍維持9成。
綠能除了矽晶圓產能是台灣最大之外，在模組端也開發出「輕量化」的產品，以對抗中國大陸的低價競爭。
中美晶在去年12月併購SEMI之後，效益立即顯現，預期今年度的單月營收都有機會創新高，以3月營收來說，就達51.45億元、月增率和年增率分別為17.4％和110.8％。不過，單就太陽能產品來看，營收10.68億元，也比前月成長2.2％。
根據市調機構集邦科技最新研究指出，受到今年搭載AMOLED面板的智慧型手機數量大幅增加，以及搭載觸控功能面板驅動IC(TDDI)技術所需NORFlash產能提升的帶動，加上如美光、兆易創新等主要供應廠商供給量下滑，導致今年NORFlash因產能不足而出現價格彈升狀況，預計NORFlash將出現每季至少5％的漲幅，其漲勢將延續至年底。
集邦指出，觀察供給端的變化，最高階NORFlash產品多由美光、賽普拉斯半導體(Cypress)供應，供應容量為64Mb及128Mb，華邦、旺宏則以NORFlash中階產品供應為主，多供應16Mb、32Mb、64Mb等產品，而兆易創新提供的多為低階產品，供應容量為512Kb、1∼2Mb等。以營收做為市占率計算基準，賽普拉斯半導體市占率為25％排名第一，旺宏市占率24％排名居次，美光市占率18％排名第三。
過去兆易創新在取得晶圓片上獲得補貼，因此能以極為低廉價格在市場上拋售產品，然而，由於其晶圓片供應商策略轉向，因而影響供給兆易創新的晶圓片數量，導致兆易創新產能出現下滑狀況。
另一方面，國際大廠美光、賽普拉斯半導體也逐步淡出中低容量的NORFlash市場，賽普拉斯半導體的策略轉向為專注在車用和工規的市場，而美光將出售其8吋廠也將影響整體NORFlash市場的供應。
觀察NORFlash需求面，AMOLED面板需求的看漲，為NORFlash市場帶來新的需求動能。集邦指出，AMOLED面板需求在過去這兩年持續成長，去年面板出貨首度突破3億片大關，預估今年在iPhone正式採用AMOLED面板的帶動下，AMOLED面板出貨有機會達到5億片的龐大市場規模。
此外，由於AMOLED面板技術門檻較高，批次產出的良率可能出現不一致的狀況，面板廠多半會另外透過De-Mura(去除製程中所產生的色不均瑕疵)功能來維持同一批次產出面板的顯示品質一致性。但De-mura編碼目前無法整合進入以高壓製程生產的驅動IC當中，必須要另行外掛一顆NORFlash來儲存De-Mura功能所需的編碼。因此當AMOLED面板需求大增，NORFlash的需求勢必將同步躍升。
另一方面，發展已一段時間的TDDI，在將觸控功能整合進入驅動IC的同時，也受制於觸控功能分位編碼所需容量較大，無法一併整合進入TDDI當中，而要另外外掛一顆NORFlash作為儲存觸控功能所需的分位編碼。在大部分的TDDI方案已於去年下半年陸續到位下，集邦預期，今年搭配TDDI的InCell面板出貨將大幅提升，滲透率將由2016年的5％持續提升至2017年的10％，同步推升對NORFlash的需求。
集邦指出，觀察供給端的變化，最高階NORFlash產品多由美光、賽普拉斯半導體(Cypress)供應，供應容量為64Mb及128Mb，華邦、旺宏則以NORFlash中階產品供應為主，多供應16Mb、32Mb、64Mb等產品，而兆易創新提供的多為低階產品，供應容量為512Kb、1∼2Mb等。以營收做為市占率計算基準，賽普拉斯半導體市占率為25％排名第一，旺宏市占率24％排名居次，美光市占率18％排名第三。
過去兆易創新在取得晶圓片上獲得補貼，因此能以極為低廉價格在市場上拋售產品，然而，由於其晶圓片供應商策略轉向，因而影響供給兆易創新的晶圓片數量，導致兆易創新產能出現下滑狀況。
另一方面，國際大廠美光、賽普拉斯半導體也逐步淡出中低容量的NORFlash市場，賽普拉斯半導體的策略轉向為專注在車用和工規的市場，而美光將出售其8吋廠也將影響整體NORFlash市場的供應。
觀察NORFlash需求面，AMOLED面板需求的看漲，為NORFlash市場帶來新的需求動能。集邦指出，AMOLED面板需求在過去這兩年持續成長，去年面板出貨首度突破3億片大關，預估今年在iPhone正式採用AMOLED面板的帶動下，AMOLED面板出貨有機會達到5億片的龐大市場規模。
此外，由於AMOLED面板技術門檻較高，批次產出的良率可能出現不一致的狀況，面板廠多半會另外透過De-Mura(去除製程中所產生的色不均瑕疵)功能來維持同一批次產出面板的顯示品質一致性。但De-mura編碼目前無法整合進入以高壓製程生產的驅動IC當中，必須要另行外掛一顆NORFlash來儲存De-Mura功能所需的編碼。因此當AMOLED面板需求大增，NORFlash的需求勢必將同步躍升。
另一方面，發展已一段時間的TDDI，在將觸控功能整合進入驅動IC的同時，也受制於觸控功能分位編碼所需容量較大，無法一併整合進入TDDI當中，而要另外外掛一顆NORFlash作為儲存觸控功能所需的分位編碼。在大部分的TDDI方案已於去年下半年陸續到位下，集邦預期，今年搭配TDDI的InCell面板出貨將大幅提升，滲透率將由2016年的5％持續提升至2017年的10％，同步推升對NORFlash的需求。
DRAM缺貨將持續蔓延，繼三星18奈米轉換不順，回收模組產品後，近期也傳出美光17奈米製程也不順，恐導致下季供需缺口持續擴大，價格持續看漲，連帶也讓儲存型快閃記憶體（NAND Flash）、編碼型快閃記憶體（NOR Flash ）產能同步受到壓縮。
記憶體業者表示，台廠擁有生產線的南亞科（2408）、華邦電、旺宏，及模組廠的威剛、創見等，將同步受惠，尤其NOR缺口持續擴大，讓NOR晶片雙雄成為市場爭相包產能的對象。
根據集邦調查，因近年來因DRAM無新增產區，廠商多仰賴製程推進帶動產出位元成長，但整體產能增加有限，加上部分標準型DRAM產能不斷被轉為生產伺服器與手機DRAM用，導致標準型DRAM供需由昔日供給過剩，轉為供不應求。集邦統計，標準型DRAM去年下半年以來漲幅已近60%，光是首季漲幅即逾30%，帶動相關伺服器用、行動式和利基型DRAM等也同步上漲，漲幅在10%~30%不等。
儘管三星宣布決定增產DRAM，但因新產能至少要二年後才會投入，但稍早三星發生18奈米製程出包，緊急召回10萬條DRAM模組，已沖淡三星增產衝擊。
但近期稍後也傳出美光自25奈米轉換到17奈米，同樣發生製程轉換不順問題，不過美光昨天表示1x奈米產品本來就計畫第3季小量產出，第4季才會放量，進度可能和分析師預期有出入。
但法人認為，三星和美光在競逐更先進DRAM製程都遭遇難度增加現象，讓市場原本擔心的價格反轉疑慮消除，預料第2季漲勢仍會明顯，下半年依舊缺貨，價格仍看漲。
業者表示，DRAM漲勢延續，也會進一步壓縮NOR晶片產出更為吃緊，原擔心的20%供應缺口可能還會擴大，讓台廠坐擁NOR供應首位的旺宏和第四的華邦電成為大贏家。
記憶體業者表示，台廠擁有生產線的南亞科（2408）、華邦電、旺宏，及模組廠的威剛、創見等，將同步受惠，尤其NOR缺口持續擴大，讓NOR晶片雙雄成為市場爭相包產能的對象。
根據集邦調查，因近年來因DRAM無新增產區，廠商多仰賴製程推進帶動產出位元成長，但整體產能增加有限，加上部分標準型DRAM產能不斷被轉為生產伺服器與手機DRAM用，導致標準型DRAM供需由昔日供給過剩，轉為供不應求。集邦統計，標準型DRAM去年下半年以來漲幅已近60%，光是首季漲幅即逾30%，帶動相關伺服器用、行動式和利基型DRAM等也同步上漲，漲幅在10%~30%不等。
儘管三星宣布決定增產DRAM，但因新產能至少要二年後才會投入，但稍早三星發生18奈米製程出包，緊急召回10萬條DRAM模組，已沖淡三星增產衝擊。
但近期稍後也傳出美光自25奈米轉換到17奈米，同樣發生製程轉換不順問題，不過美光昨天表示1x奈米產品本來就計畫第3季小量產出，第4季才會放量，進度可能和分析師預期有出入。
但法人認為，三星和美光在競逐更先進DRAM製程都遭遇難度增加現象，讓市場原本擔心的價格反轉疑慮消除，預料第2季漲勢仍會明顯，下半年依舊缺貨，價格仍看漲。
業者表示，DRAM漲勢延續，也會進一步壓縮NOR晶片產出更為吃緊，原擔心的20%供應缺口可能還會擴大，讓台廠坐擁NOR供應首位的旺宏和第四的華邦電成為大贏家。
筆記型電腦加速導入固態硬碟(SSD)已成趨勢，但受到蘋果、三星等手機廠大舉預訂NANDFlash產能情況下，今年以來SSD大缺貨且第一季合約價已大漲10∼16％。由於SSD看缺一整年，系統廠及ODM/OEM廠積極擴大下單建立庫存，業界看好SSD價格一路漲到下半年，群聯(8299)及威剛(3260)直接受惠。
NANDFlash廠今年雖然全力搶進3DNAND，但良率不佳問題仍未獲得明顯改善，且2DNAND產能持續受到擠壓，因此，第一季NANDFlash仍供不應求，特別是用在SSD產品線的TLC規格NANDFlash晶片嚴重缺貨，就算拿現金登門也買不到。也因此，SSD缺貨問題難解，仁寶總經理陳瑞聰在法說會中直言，SSD可能會缺一整年。
集邦科技記憶體儲存研究(DRAMeXchange)資深研究經理陳玠瑋表示，第一季主流容量用戶級(PC-Client)OEMSSD合約均價上漲10∼16％，主要是智慧型手機、ODM/OEM客戶的採購需求持續穩健，讓NANDFlash市場供不應求；另一方面，NANDFlash原廠產能轉往TLC規格2DNAND或3DNAND，使得MLC規格SSD供給量驟降，價格漲幅自然擴大。
集邦統計，去年第四季筆電SSD搭載率約35∼36％，加計桌上型電腦與通路市場SSD出貨量，整體用戶級SSD總出貨量3,320萬顆，季增2∼3％續創新高。陳玠瑋指出，SSD讀寫效能遠勝傳統硬碟，已逐步受消費者青睞，因此儘管SSD供貨呈現吃緊，ODM/OEM客戶仍維持穩健的拉貨動能，預估今年筆電SSD搭載率將挑戰45％水準。
群聯去年每股淨利大賺24.67元，董事會決議今年每普通股將發放14元現金股利。群聯董事長潘健成表示，未來智慧醫療、智慧城市、工控及車載等物聯網相關的新應用市場，將持續帶動SSD的需求強勁成長。
群聯長期技術合作夥伴日本東芝已量產3DNANDFlashBiCS3晶片，群聯的SSD系列控制IC如S10/S11等，皆領先全球同業取得BiCS3測試驗證，與東芝正攜手在相關的3DNANDFlash記憶體技術掌握關鍵商機。
威剛去年每股淨利6.21元，繳出亮麗成績單，今年每普通股將配發4元現金股息。威剛2月因DRAM模組及SSD出貨放量，合併營收衝上27.01億元，與去年同期相較大增102％，並再創近3年單月新高。威剛3月因SSD出貨續創新高，營收還會優於2月維持成長態勢。
NANDFlash廠今年雖然全力搶進3DNAND，但良率不佳問題仍未獲得明顯改善，且2DNAND產能持續受到擠壓，因此，第一季NANDFlash仍供不應求，特別是用在SSD產品線的TLC規格NANDFlash晶片嚴重缺貨，就算拿現金登門也買不到。也因此，SSD缺貨問題難解，仁寶總經理陳瑞聰在法說會中直言，SSD可能會缺一整年。
集邦科技記憶體儲存研究(DRAMeXchange)資深研究經理陳玠瑋表示，第一季主流容量用戶級(PC-Client)OEMSSD合約均價上漲10∼16％，主要是智慧型手機、ODM/OEM客戶的採購需求持續穩健，讓NANDFlash市場供不應求；另一方面，NANDFlash原廠產能轉往TLC規格2DNAND或3DNAND，使得MLC規格SSD供給量驟降，價格漲幅自然擴大。
集邦統計，去年第四季筆電SSD搭載率約35∼36％，加計桌上型電腦與通路市場SSD出貨量，整體用戶級SSD總出貨量3,320萬顆，季增2∼3％續創新高。陳玠瑋指出，SSD讀寫效能遠勝傳統硬碟，已逐步受消費者青睞，因此儘管SSD供貨呈現吃緊，ODM/OEM客戶仍維持穩健的拉貨動能，預估今年筆電SSD搭載率將挑戰45％水準。
群聯去年每股淨利大賺24.67元，董事會決議今年每普通股將發放14元現金股利。群聯董事長潘健成表示，未來智慧醫療、智慧城市、工控及車載等物聯網相關的新應用市場，將持續帶動SSD的需求強勁成長。
群聯長期技術合作夥伴日本東芝已量產3DNANDFlashBiCS3晶片，群聯的SSD系列控制IC如S10/S11等，皆領先全球同業取得BiCS3測試驗證，與東芝正攜手在相關的3DNANDFlash記憶體技術掌握關鍵商機。
威剛去年每股淨利6.21元，繳出亮麗成績單，今年每普通股將配發4元現金股息。威剛2月因DRAM模組及SSD出貨放量，合併營收衝上27.01億元，與去年同期相較大增102％，並再創近3年單月新高。威剛3月因SSD出貨續創新高，營收還會優於2月維持成長態勢。
全球記憶體龍頭三星電子傳出將進行DRAM擴產計畫，國內業者認為，由於建廠時間還要兩年，難解今年缺貨窘境，不過受心理層面影響，恐讓下半年DRAM漲勢止歇。
三星決定斥資10兆韓元（87億美元），擴充南韓華城廠DRAM產能。三星表示，新產線約需兩年時間建造，將視研發進度和製程轉換良率，決定生產18奈米或更先進製程的DRAM。
對於今年DRAM供需，稍早包括南亞科總經理李培瑛、創見董事長束崇萬，及威剛董事長長陳立白都表示，今年DRAM因主要供應大廠將產能挪移生產儲存型快閃記憶體（NAND Flash），且只做DRAM 製程升級，未見擴大資本支出增產，加上DRAM市場除個人電腦外，在各類智慧型裝置，如車用、電視、家庭自動化、網通、伺服器以及行動裝置等普遍使用，讓供給缺口浮現。
集邦統計，首季除利基型DRAM漲幅在10~15%外，其餘包括標準型DRAM、伺服器DRAM、行動式DRAM等，漲幅都在20~35%不等，並在淡季寫下單季歷史最大漲幅。預估第2季DRAM合約價仍會續漲，漲幅雖收斂，但也會逾一成。三星決定增產DRAM，記憶體模組業者表示，這一波DRAM上漲是由三星領軍，使價格回到合理的利潤，預料不至於殺價搶市占。
三星決定斥資10兆韓元（87億美元），擴充南韓華城廠DRAM產能。三星表示，新產線約需兩年時間建造，將視研發進度和製程轉換良率，決定生產18奈米或更先進製程的DRAM。
對於今年DRAM供需，稍早包括南亞科總經理李培瑛、創見董事長束崇萬，及威剛董事長長陳立白都表示，今年DRAM因主要供應大廠將產能挪移生產儲存型快閃記憶體（NAND Flash），且只做DRAM 製程升級，未見擴大資本支出增產，加上DRAM市場除個人電腦外，在各類智慧型裝置，如車用、電視、家庭自動化、網通、伺服器以及行動裝置等普遍使用，讓供給缺口浮現。
集邦統計，首季除利基型DRAM漲幅在10~15%外，其餘包括標準型DRAM、伺服器DRAM、行動式DRAM等，漲幅都在20~35%不等，並在淡季寫下單季歷史最大漲幅。預估第2季DRAM合約價仍會續漲，漲幅雖收斂，但也會逾一成。三星決定增產DRAM，記憶體模組業者表示，這一波DRAM上漲是由三星領軍，使價格回到合理的利潤，預料不至於殺價搶市占。
集邦科技記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新調查指出，隨著智慧終端裝置和網路服務廣為普及，帶動雲端計算及網路服務需求熱絡，今年全球資料中心代工業務量也跟著躍升，預計全球伺服器出貨量將年成長約3.8％。
DRAMeXchange表示，近年雲端計算與雲端儲存受到青睞，成為帶動整體伺服器市場成長的首要關鍵，而整體伺服器DRAM和NANDFlash的需求將主要來自單機搭載容量提升，在各伺服器應用別裡尤以資料中心需求為大宗。
現階段多數伺服器需求皆源自如谷歌、亞馬遜、微軟等資料中心代工業務量，2017年全球資料中心代工業務量預估將年成長9.2％。而由於中國大陸伺服器市場成長勁道傲視全球，逐漸成為各家代工業者角逐標的，其中網路服務與雲端計算提供者如騰訊、阿里巴巴、百度等都為領先角逐指標，DRAMeXchange預估，2017年大陸指標性網路服務商的伺服器擴增需求將成長13％。
以伺服器代工業者來看，目前大中國區的領導廠商以華為、聯想、浪潮、曙光為首，其最主要代工動能仍以大陸當地資料中心標案為主，其次為國家計畫與電信業者的伺服器計畫。
DRAMeXchange指出，高階伺服器晶片現已進入10奈米製程節點，大廠競賽趨於白熱化。從資料中心與商務伺服器中央處理器(CPU)進程來看，英特爾新一代Purley平台，與超微即將發表的Naples新平台，將陸續於今年第2季進入市場，其伺服器CPU則預計於第3季正式放量並導入各階產品線。
在高階運算平台的運算晶片支援部分，英特爾新解決方案將提前導入高階市場，而超微則是透過提高核心數來維持運算效能。DRAMeXchange表示，相較於現階段英特爾主流Grantley平台，超微新推出的Naples平台運算效能較有優勢，但在面對今年英特爾Purley平台的強勢入市下，預期超微仍將面臨產品生態圈較缺乏的弱勢局面。
ARM架構方面，高通Centriq目前仍在晶圓代工廠小量試產，其解決方案將針對資料中心中後段的低功耗伺服器群做主打市場。DRAMeXchange指出，相較於x86架構，ARM架構在資料存取上有更多優勢，現階段美系資料中心多數運用ARM架構在後段存儲性質較高的伺服器上。
DRAMeXchange表示，近年雲端計算與雲端儲存受到青睞，成為帶動整體伺服器市場成長的首要關鍵，而整體伺服器DRAM和NANDFlash的需求將主要來自單機搭載容量提升，在各伺服器應用別裡尤以資料中心需求為大宗。
現階段多數伺服器需求皆源自如谷歌、亞馬遜、微軟等資料中心代工業務量，2017年全球資料中心代工業務量預估將年成長9.2％。而由於中國大陸伺服器市場成長勁道傲視全球，逐漸成為各家代工業者角逐標的，其中網路服務與雲端計算提供者如騰訊、阿里巴巴、百度等都為領先角逐指標，DRAMeXchange預估，2017年大陸指標性網路服務商的伺服器擴增需求將成長13％。
以伺服器代工業者來看，目前大中國區的領導廠商以華為、聯想、浪潮、曙光為首，其最主要代工動能仍以大陸當地資料中心標案為主，其次為國家計畫與電信業者的伺服器計畫。
DRAMeXchange指出，高階伺服器晶片現已進入10奈米製程節點，大廠競賽趨於白熱化。從資料中心與商務伺服器中央處理器(CPU)進程來看，英特爾新一代Purley平台，與超微即將發表的Naples新平台，將陸續於今年第2季進入市場，其伺服器CPU則預計於第3季正式放量並導入各階產品線。
在高階運算平台的運算晶片支援部分，英特爾新解決方案將提前導入高階市場，而超微則是透過提高核心數來維持運算效能。DRAMeXchange表示，相較於現階段英特爾主流Grantley平台，超微新推出的Naples平台運算效能較有優勢，但在面對今年英特爾Purley平台的強勢入市下，預期超微仍將面臨產品生態圈較缺乏的弱勢局面。
ARM架構方面，高通Centriq目前仍在晶圓代工廠小量試產，其解決方案將針對資料中心中後段的低功耗伺服器群做主打市場。DRAMeXchange指出，相較於x86架構，ARM架構在資料存取上有更多優勢，現階段美系資料中心多數運用ARM架構在後段存儲性質較高的伺服器上。
固態硬碟（SSD）應用擴大，隨著儲存型快閃記憶體（NAND Flash）供貨短缺，首季SSD合約價也上漲12~16%，讓近期營收占比拉升的創見（2451）、威剛及宇瞻等記憶體模組廠，營運再添柴火。
市調機構集邦昨（13）日出具SSD市況調查報告，指出第1季應用個人電腦的主流MLC-SSD季漲12∼16%，TLC-SSD季漲幅為10∼16%。第2季因終端產品的銷售將趨持平，加上SSD價格已上漲到PC OEM廠可接受的高點，預估主流容量SSD合約價漲幅將收斂。
包括創見、威剛及宇瞻等記憶體模組廠均表示，SSD漲勢雖趨緩，卻有助整體應用持續擴大，對產業發展應趨正面，公司對今年營運仍抱括樂觀。
集邦旗下的DRAMeXchang表示，首季SSD合約價上漲，主因智慧型手機、PC OEM客戶的採購需求持續穩健，讓NAND Flash市場供不應求。
此外，NAND Flash原廠產能轉往2D TLC或3D NAND Flash，使2D MLC-SSD供給量驟降，讓MLC-SSD價格漲幅大於TLC-SSD。
集邦調查指出，SSD因讀寫效能遠勝傳統硬碟，已逐步受業者加速導入，預估今年筆電SSD搭載率可推進至45%，成長快速。
市調機構集邦昨（13）日出具SSD市況調查報告，指出第1季應用個人電腦的主流MLC-SSD季漲12∼16%，TLC-SSD季漲幅為10∼16%。第2季因終端產品的銷售將趨持平，加上SSD價格已上漲到PC OEM廠可接受的高點，預估主流容量SSD合約價漲幅將收斂。
包括創見、威剛及宇瞻等記憶體模組廠均表示，SSD漲勢雖趨緩，卻有助整體應用持續擴大，對產業發展應趨正面，公司對今年營運仍抱括樂觀。
集邦旗下的DRAMeXchang表示，首季SSD合約價上漲，主因智慧型手機、PC OEM客戶的採購需求持續穩健，讓NAND Flash市場供不應求。
此外，NAND Flash原廠產能轉往2D TLC或3D NAND Flash，使2D MLC-SSD供給量驟降，讓MLC-SSD價格漲幅大於TLC-SSD。
集邦調查指出，SSD因讀寫效能遠勝傳統硬碟，已逐步受業者加速導入，預估今年筆電SSD搭載率可推進至45%，成長快速。
集邦旗下綠能研究(Energy Trend)昨(13)日再潑太陽能產業冷水，指出今年全球太陽能市場恐面臨歷來首次近零成長窘境，估總裝置需求為73.9GW(10億瓦)。
倒是太陽能需求區域排名重新洗牌，印度可望取代日本，成為第三大需求國。
集邦旗下綠能研究指出，因中國公布2017年太陽能裝機目標略低於去年，加上美國川普新政府上任後，政策恐不利於太陽能發展、日本也持續調降躉購費率等因素，導致需求強勁成長中的印度，可望取代日本，成為需求第三大國，占全球比重也提升至14%。
集邦引用根據印度新能源與再生能源署統計，指出去年印度的太陽能累積裝機量已正式超過9GW。位於印度、目前世界單體最大的太陽能電站Rewa Ultra Mega Solar Project也通過競標，預計明年開始運轉，為已有40GW太陽能園區計畫的印度需求再添一濟強心針。
不過印度太陽能政策仍左右太陽能發展。集邦強調，目前印度僅部分地區未享有太陽能產品稅率減免。不過，去年印度通過的增值稅案(GST)至今仍未公布太陽能相關產品的稅率，據印度再生能源署的評估報告，GST針對太陽能相關產品與服務恐課徵高達20%稅率，提高廠商的採購成本，預估將導致每度電的成本提升13~15%，增加後續太陽能建設計畫的財務壓力。
不過，在印度4月太陽能增稅新稅率實施前，預估將湧入一陣拉貨潮，將是今年第1季帶動太陽能市場需求的主要動能，預估今年裝置需求可達10GW，可望擠下日本，成為全球第三大太陽能需求國。
太陽能業者指出，印度太陽能訂單雖然大量湧現，但要求價格得比大陸廠報還低，對台系太陽能廠而言，可說既愛又恨。
倒是太陽能需求區域排名重新洗牌，印度可望取代日本，成為第三大需求國。
集邦旗下綠能研究指出，因中國公布2017年太陽能裝機目標略低於去年，加上美國川普新政府上任後，政策恐不利於太陽能發展、日本也持續調降躉購費率等因素，導致需求強勁成長中的印度，可望取代日本，成為需求第三大國，占全球比重也提升至14%。
集邦引用根據印度新能源與再生能源署統計，指出去年印度的太陽能累積裝機量已正式超過9GW。位於印度、目前世界單體最大的太陽能電站Rewa Ultra Mega Solar Project也通過競標，預計明年開始運轉，為已有40GW太陽能園區計畫的印度需求再添一濟強心針。
不過印度太陽能政策仍左右太陽能發展。集邦強調，目前印度僅部分地區未享有太陽能產品稅率減免。不過，去年印度通過的增值稅案(GST)至今仍未公布太陽能相關產品的稅率，據印度再生能源署的評估報告，GST針對太陽能相關產品與服務恐課徵高達20%稅率，提高廠商的採購成本，預估將導致每度電的成本提升13~15%，增加後續太陽能建設計畫的財務壓力。
不過，在印度4月太陽能增稅新稅率實施前，預估將湧入一陣拉貨潮，將是今年第1季帶動太陽能市場需求的主要動能，預估今年裝置需求可達10GW，可望擠下日本，成為全球第三大太陽能需求國。
太陽能業者指出，印度太陽能訂單雖然大量湧現，但要求價格得比大陸廠報還低，對台系太陽能廠而言，可說既愛又恨。
根據集邦科技記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新研究顯示，去年第4季NANDFlash缺貨達全年高峰，在終端需求出貨暢旺、平均銷售價格普遍上漲的情況下，即使前一季營收基期已高，第4季NANDFlash市場營收規模仍上漲17.8％，同時各廠商的獲利能力也達到全年的頂峰。
DRAMeXchange研究協理楊文得表示，觀察2017年第1季，供給方面因轉進3DNANDFlash製程造成供貨減少，使得各項合約價格持續上揚，但在終端需求方面較2016年第4季減少，預期NANDFlash品牌廠營收仍將持續成長，增幅稍微趨緩，而以全年度NANDFlash供應預期都將吃緊的情況來看，2017年NANDFlash廠商的營收仍可望逐季增加。
龍頭大廠三星受惠於高容量eMMC與UFS需求，和固態硬碟(SSD)表現強勁，去年第4季NANDFlash位元出貨量季成長11∼15％外，平均銷售單價也成長逾5％，NANDFlash營收季成長近20％。
三星在高容量eMMC/UFS及SSD上市占率領先，因此受惠價格上漲的程度更為顯著，而48層堆疊的3DNAND已順利導入全系列SSd產品線。
三星Line16廠持續轉進3DNAND，Line17與平澤廠的新產能貢獻將從第2季後將開始提升，因此預估本季位元出貨量將衰退4∼9％，位元成長要等到第2季後才會顯著提高。
SK海力士今年第1季面臨轉進3DNAND及智慧型手機出貨減少等因素，預估位元出貨量將季衰退約0∼5％，在進度上，3DNAND第1季位元出貨占比為10％，預期在48層堆疊與下半年將推出的72層堆疊3DNAND帶動下，年底前產出比重將超越50％。
日本東芝64層堆疊的3DNAND相關對應的產品下半年將放量生產，現階段在良率尚未顯著提升之際，48層堆疊晶片成為上半年營運的重點，但年底維持超過產出的50％計畫不變。
威騰電子(WD)全系列SSD產品線表現強勁，顯現在合併SanDisk的綜效已開始顯現。從產品面看，威騰的64層堆疊3DNAND已經在自家零售產品開始出貨，OEM產品的認證過程也會在本季開始進行，預計整體產出比重在2017年底前將超過50％。
美光3DNAND的產出比重已超越50％，同時，美光下個世代的64層堆疊3DNAND也預計在今年下半量產。
DRAMeXchange研究協理楊文得表示，觀察2017年第1季，供給方面因轉進3DNANDFlash製程造成供貨減少，使得各項合約價格持續上揚，但在終端需求方面較2016年第4季減少，預期NANDFlash品牌廠營收仍將持續成長，增幅稍微趨緩，而以全年度NANDFlash供應預期都將吃緊的情況來看，2017年NANDFlash廠商的營收仍可望逐季增加。
龍頭大廠三星受惠於高容量eMMC與UFS需求，和固態硬碟(SSD)表現強勁，去年第4季NANDFlash位元出貨量季成長11∼15％外，平均銷售單價也成長逾5％，NANDFlash營收季成長近20％。
三星在高容量eMMC/UFS及SSD上市占率領先，因此受惠價格上漲的程度更為顯著，而48層堆疊的3DNAND已順利導入全系列SSd產品線。
三星Line16廠持續轉進3DNAND，Line17與平澤廠的新產能貢獻將從第2季後將開始提升，因此預估本季位元出貨量將衰退4∼9％，位元成長要等到第2季後才會顯著提高。
SK海力士今年第1季面臨轉進3DNAND及智慧型手機出貨減少等因素，預估位元出貨量將季衰退約0∼5％，在進度上，3DNAND第1季位元出貨占比為10％，預期在48層堆疊與下半年將推出的72層堆疊3DNAND帶動下，年底前產出比重將超越50％。
日本東芝64層堆疊的3DNAND相關對應的產品下半年將放量生產，現階段在良率尚未顯著提升之際，48層堆疊晶片成為上半年營運的重點，但年底維持超過產出的50％計畫不變。
威騰電子(WD)全系列SSD產品線表現強勁，顯現在合併SanDisk的綜效已開始顯現。從產品面看，威騰的64層堆疊3DNAND已經在自家零售產品開始出貨，OEM產品的認證過程也會在本季開始進行，預計整體產出比重在2017年底前將超過50％。
美光3DNAND的產出比重已超越50％，同時，美光下個世代的64層堆疊3DNAND也預計在今年下半量產。
市場傳出，南韓DRAM大廠三星18奈米製程生產的8Gb DRAM模組出現瑕疵決定回收，讓PC DRAM缺貨更為嚴重，因占比高達二成，業者預料第2季將再掀漲勢，且漲幅將超乎預期。
三星出包讓同業的美光和SK海力士成為最大受惠廠商，美光股價上周五股價大漲，寫下兩年來新高，終場收25.57美元，大漲3.52%。法人預期同族群的南亞科、華邦電及記憶體模組威剛、創見等，將再成為資金追逐標的。
業界傳出，三星近期已陸續召回部分18奈米製程記憶體模組，因這批18奈米製程的PC DRAM，在裝機測試後發現系統出錯，出現藍色螢幕當機，讓三星不得不主動召回相關的記憶體模組。
這也是三星繼Note 7電池出包與高層行賄被起訴後，再次衰事上身。
據了解，三星的8Gb標準型DRAM，可用來生產4GB和8GB DRAM模組，且供應一線PC廠，供貨廠商包括惠普、聯想、華碩及戴爾等品牌大廠，估計回收總數超過10萬組，預料衝擊可能會再擴大。
記憶體業者估算，18奈米製程三星居業界之冠，占三星產能高達20%，若產品瑕疵再擴大，不僅影響三星獲利，更讓近期DRAM缺貨更為嚴重。不過，截至目前為止，三星均未對此回應。
記憶體業者表示，三星目前全球DRAM市占近50%，因近期早已將大部分產能移往需求更迫切、市場快速成長的儲存型快閃記憶體（NAND Flash），雖然兩項產品產能可以互換，但此次發生是製程的瑕疵，恐非將NAND Flash轉回生產DRAM就能輕易解決，何況第2季起，包括蘋果及三星自家手機都包走三星多數NAND Flash，三星也無法將產能轉回增產DRAM。
稍早集邦公布首季PC DRAM合約價漲幅逾三成，在淡季寫下歷史最大漲幅，如今全球最大供應商三星DRAM製程出包，DRAM漲勢恐難停歇；市場排名第二和第三的SK海力士及美光，可望乘機搶攻市占。
三星出包讓同業的美光和SK海力士成為最大受惠廠商，美光股價上周五股價大漲，寫下兩年來新高，終場收25.57美元，大漲3.52%。法人預期同族群的南亞科、華邦電及記憶體模組威剛、創見等，將再成為資金追逐標的。
業界傳出，三星近期已陸續召回部分18奈米製程記憶體模組，因這批18奈米製程的PC DRAM，在裝機測試後發現系統出錯，出現藍色螢幕當機，讓三星不得不主動召回相關的記憶體模組。
這也是三星繼Note 7電池出包與高層行賄被起訴後，再次衰事上身。
據了解，三星的8Gb標準型DRAM，可用來生產4GB和8GB DRAM模組，且供應一線PC廠，供貨廠商包括惠普、聯想、華碩及戴爾等品牌大廠，估計回收總數超過10萬組，預料衝擊可能會再擴大。
記憶體業者估算，18奈米製程三星居業界之冠，占三星產能高達20%，若產品瑕疵再擴大，不僅影響三星獲利，更讓近期DRAM缺貨更為嚴重。不過，截至目前為止，三星均未對此回應。
記憶體業者表示，三星目前全球DRAM市占近50%，因近期早已將大部分產能移往需求更迫切、市場快速成長的儲存型快閃記憶體（NAND Flash），雖然兩項產品產能可以互換，但此次發生是製程的瑕疵，恐非將NAND Flash轉回生產DRAM就能輕易解決，何況第2季起，包括蘋果及三星自家手機都包走三星多數NAND Flash，三星也無法將產能轉回增產DRAM。
稍早集邦公布首季PC DRAM合約價漲幅逾三成，在淡季寫下歷史最大漲幅，如今全球最大供應商三星DRAM製程出包，DRAM漲勢恐難停歇；市場排名第二和第三的SK海力士及美光，可望乘機搶攻市占。
日本東芝以NAND Flash為主體的記憶體事業將在3月31日分拆成新 公司，吸引多方陣營爭搶，繼傳出鴻海、蘋果、微軟等大廠有興趣外 ，日媒昨(22)日報導，台積電亦有意參加競標。台積電對此表示， 公司不對市場謠言做評論。
周三東芝股價受到記憶體事業釋股多方競逐、身價愈喊愈高的利多 激勵，早盤跳空大漲後一路走高，終場以224.70日圓做收，暴漲41日 圓或22.3％。
日刊工業新聞22日報導，全球晶圓代工龍頭台積電有意參與東芝半 導體事業新公司的競標。據報導，台積電目前為東芝代工邏輯晶片， 有意投資東芝半導體新公司，應該是期望藉此擴大和東芝在半導體生 產領域的合作。不過台積電已回應，不評論市場謠言。
日媒報導指出，台積電於1997年設立日本法人，擁有為數眾多的日 企客戶。東芝預估在本年會計年度(2017年3月底止)結束時，陷入 將所有資產賣掉也無法償清債務的局面，為了籌措更多資金，決定切 割NAND Flash事業獨立的半導體事業新公司，釋股比重也將從原訂的 不到2成擴大至過半數，且將重新招標，希望藉此籌得1兆日圓以上資 金。
目前被點名有意參與競標的業者，包括東芝合作夥伴威騰(WD)、 美光、SK海力士、鴻海等，昨日更傳出台積電有意競標。東芝預計在 24日以新條件重新進行招標。
日媒亦報導，東芝已向有意出資的企業或基金提出要求，將參與競 標的條件設定在把半導體新公司的企業價值預估值定在2兆日圓以上 。東芝原訂在3月底出售半導體新公司股權，現已延期至4月以後，目 的是讓參與競標的企業能有更多時間進行資產審查，才能在出售後獲 取最大收益，以彌補母公司的高額財報赤字。
根據集邦科技統計，東芝去年下半年的單季NAND Flash營收超過2 0億美元，市占率約達2成。由於去年下半年NAND Flash供給吃緊，價 格持續調漲，且今年NAND Flash仍將供不應求，法人認為，東芝此時 若出售半導體事業新公司股權，的確有機會籌得高額資金。
周三東芝股價受到記憶體事業釋股多方競逐、身價愈喊愈高的利多 激勵，早盤跳空大漲後一路走高，終場以224.70日圓做收，暴漲41日 圓或22.3％。
日刊工業新聞22日報導，全球晶圓代工龍頭台積電有意參與東芝半 導體事業新公司的競標。據報導，台積電目前為東芝代工邏輯晶片， 有意投資東芝半導體新公司，應該是期望藉此擴大和東芝在半導體生 產領域的合作。不過台積電已回應，不評論市場謠言。
日媒報導指出，台積電於1997年設立日本法人，擁有為數眾多的日 企客戶。東芝預估在本年會計年度(2017年3月底止)結束時，陷入 將所有資產賣掉也無法償清債務的局面，為了籌措更多資金，決定切 割NAND Flash事業獨立的半導體事業新公司，釋股比重也將從原訂的 不到2成擴大至過半數，且將重新招標，希望藉此籌得1兆日圓以上資 金。
目前被點名有意參與競標的業者，包括東芝合作夥伴威騰(WD)、 美光、SK海力士、鴻海等，昨日更傳出台積電有意競標。東芝預計在 24日以新條件重新進行招標。
日媒亦報導，東芝已向有意出資的企業或基金提出要求，將參與競 標的條件設定在把半導體新公司的企業價值預估值定在2兆日圓以上 。東芝原訂在3月底出售半導體新公司股權，現已延期至4月以後，目 的是讓參與競標的企業能有更多時間進行資產審查，才能在出售後獲 取最大收益，以彌補母公司的高額財報赤字。
根據集邦科技統計，東芝去年下半年的單季NAND Flash營收超過2 0億美元，市占率約達2成。由於去年下半年NAND Flash供給吃緊，價 格持續調漲，且今年NAND Flash仍將供不應求，法人認為，東芝此時 若出售半導體事業新公司股權，的確有機會籌得高額資金。
智慧型手機引爆大量雲端影像儲存，讓第1季伺服器用DRAM價格飆漲近四成，創下歷年淡季最大漲幅。集邦昨（20）日預估三星等大廠主導下，第2季還會續漲一成，預料將再掀起DRAM族群包括南亞科（2408）、華邦電及威剛等，再啟動另一波漲勢。
集邦旗下的DRAMeXchange昨天發布最新的調查報告，伺服器用DRAM首季因供給吃緊，合約價上揚近四成。
集邦表示，去年第4季起，伺服器DRAM便因標準型DRAM供貨吃緊價格飆升，且去年下半年多起大型標案，帶動整體伺服器用DRAM 備貨力道超出預期。
集邦旗下的DRAMeXchange昨天發布最新的調查報告，伺服器用DRAM首季因供給吃緊，合約價上揚近四成。
集邦表示，去年第4季起，伺服器DRAM便因標準型DRAM供貨吃緊價格飆升，且去年下半年多起大型標案，帶動整體伺服器用DRAM 備貨力道超出預期。
集邦科技(TrendForce)記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新研 究顯示，由於供給吃緊態勢尚未改變，今年伺服器用記憶體第1季合 約價上揚近4成，預估第2季將更進一步上漲約1成水位，其中DDR4 1 6GB伺服器模組將邁向130美元大關。法人表示，當中南亞科、威剛、 創見、宇瞻等概念股都將受惠。
DRAMeXchange表示，自2016年第4季起，伺服器用記憶體便在標準 型記憶體的供貨吃緊下連帶漲價，且受惠於2016下半年大型標案，整 體備貨力道超出預期。展望今年，由於DRAM原廠對記憶體資本支出趨 於保守，產能擴增受限且供給吃緊，預估上半年伺服器用記憶體仍會 漲價。
從記憶體產出製程來分析，三星今年的重點將會是提高18奈米製程 的投片，同時SK海力士與美光陣營也會提高其20／21奈米高容量晶圓 顆粒與良率，進而提升整體高容量伺服器模組的滲透率。
此外，目前如華為、浪潮等中國大陸伺服器廠商皆已通過原廠先進 製程的驗證，預計在今年第2季大量轉進至20奈米以下之製程，並規 畫於今年第4季前達到近6成的20奈米產品規畫，可以預期高容量模組 如16GB與32GB的伺服器應用將更多。
DRAMeXchange指出，2017年20奈米將成為伺服器用記憶體主要供應 製程，8Gb mono die成為市場主流顆粒，使得16GB與32GB容量的伺服 器模組取得更加容易，再加上下半年英特爾與超微新伺服器平台的導 入，將迫使如廣達等一線代工廠提升伺服器用記憶體模組的配置，以 改善整體效能。然而，單機搭載容量的提升依舊是今年伺服器用記憶 體最主要的成長動能。
三大記憶體原廠目前已將產能轉進獲利較高的行動型及伺服器DRA M，但仍不足應付需求，南亞科雖已全面進軍利基型DRAM，但因原廠 產能轉換影響，利基型DRAM也同步價漲，其他如威剛、創見及宇瞻等 模組廠，由於與原廠合作關係密切，因此備貨充足，也可望因此推升 業績。
DRAMeXchange表示，自2016年第4季起，伺服器用記憶體便在標準 型記憶體的供貨吃緊下連帶漲價，且受惠於2016下半年大型標案，整 體備貨力道超出預期。展望今年，由於DRAM原廠對記憶體資本支出趨 於保守，產能擴增受限且供給吃緊，預估上半年伺服器用記憶體仍會 漲價。
從記憶體產出製程來分析，三星今年的重點將會是提高18奈米製程 的投片，同時SK海力士與美光陣營也會提高其20／21奈米高容量晶圓 顆粒與良率，進而提升整體高容量伺服器模組的滲透率。
此外，目前如華為、浪潮等中國大陸伺服器廠商皆已通過原廠先進 製程的驗證，預計在今年第2季大量轉進至20奈米以下之製程，並規 畫於今年第4季前達到近6成的20奈米產品規畫，可以預期高容量模組 如16GB與32GB的伺服器應用將更多。
DRAMeXchange指出，2017年20奈米將成為伺服器用記憶體主要供應 製程，8Gb mono die成為市場主流顆粒，使得16GB與32GB容量的伺服 器模組取得更加容易，再加上下半年英特爾與超微新伺服器平台的導 入，將迫使如廣達等一線代工廠提升伺服器用記憶體模組的配置，以 改善整體效能。然而，單機搭載容量的提升依舊是今年伺服器用記憶 體最主要的成長動能。
三大記憶體原廠目前已將產能轉進獲利較高的行動型及伺服器DRA M，但仍不足應付需求，南亞科雖已全面進軍利基型DRAM，但因原廠 產能轉換影響，利基型DRAM也同步價漲，其他如威剛、創見及宇瞻等 模組廠，由於與原廠合作關係密切，因此備貨充足，也可望因此推升 業績。
集邦科技記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新調查顯示，在三星 Note 7爆炸影響下，消費者購機需求紛紛轉向其他手機品牌，蘋果、 華為、樂金等品牌出貨明顯提升，讓早已供不應求的DRAM市場供貨更 為吃緊，帶動價格飆漲，使去年第4季全球Mobile DRAM產值高達55. 05億美元，季成長約20％。
DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，以三大DRAM廠的Mobile DRAM 營收市占來看，三星半導體依然過半、市占來到61.3％，以整體營收 作計算，2016年第4季Mobile DRAM營收就占了DRAM總營收的44.2％。
從三大DRAM廠的競爭能力分析，三星仍是Mobile DRAM的技術領先 者，除了率先推出新規格LPDDR4x外，2017年製程亦從20奈米逐步轉 向18奈米，讓三星半導體的獲利表現有望進一步提升。
SK海力士方面，由於21奈米製程良率在去年第4季已較為穩定，20 17年的目標便是擴大21奈米的產出占比，旗下M14廠也有擴大產能的 規畫。SK海力士期許今年在產出與良率雙雙提升下，能滿足客戶的需 求。此外，SK海力士也規畫於今年下半導入次世代18奈米製程的產品 ，希望盡速實現量產。
美光集團目前Mobile DRAM已逐步轉向20奈米製程為主，如台灣美 光晶圓科技(原華亞科)已全數轉進20奈米製程。台灣美光記憶體( 原瑞晶)也正式於1月將18奈米製程導入量產，目前良率穩定提升中 ，希望今年年底該廠能有90％皆為18奈米製程的產品。
台廠部分，南亞科由於Mobile DRAM的產出比重提升，在漲價的助 益下，營收市占從1.3％提升至1.5％，營收成長來到41.3％，為各廠 最高。目前南亞科廠內正進行20奈米製程的產線轉換工程，未來將能 夠對營收有進一步的貢獻。
華邦電去年第4季營收市占0.7％，營收小幅成長6％，其中46奈米 製程的Mobile DRAM占比已經來到72％，華邦新製程38奈米有機會於 今年第3季導入生產，優先利用在利基型DRAM與Mobile DRAM上。
從市場面分析，由於DRAM原廠產能的擴張效應須待2017下半年陸續 浮現，整體上半年的供需依然維持吃緊。吳雅婷指出，2017年搭載6 GB DRAM的高階智慧型手機已是各廠既定的方針，中階手機也會來到 3∼4GB的搭載量，預估2017年智慧型手機DRAM的需求位元成長仍有3 0％以上，DRAM產業持續獲利的狀況將維持一整年。
DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，以三大DRAM廠的Mobile DRAM 營收市占來看，三星半導體依然過半、市占來到61.3％，以整體營收 作計算，2016年第4季Mobile DRAM營收就占了DRAM總營收的44.2％。
從三大DRAM廠的競爭能力分析，三星仍是Mobile DRAM的技術領先 者，除了率先推出新規格LPDDR4x外，2017年製程亦從20奈米逐步轉 向18奈米，讓三星半導體的獲利表現有望進一步提升。
SK海力士方面，由於21奈米製程良率在去年第4季已較為穩定，20 17年的目標便是擴大21奈米的產出占比，旗下M14廠也有擴大產能的 規畫。SK海力士期許今年在產出與良率雙雙提升下，能滿足客戶的需 求。此外，SK海力士也規畫於今年下半導入次世代18奈米製程的產品 ，希望盡速實現量產。
美光集團目前Mobile DRAM已逐步轉向20奈米製程為主，如台灣美 光晶圓科技(原華亞科)已全數轉進20奈米製程。台灣美光記憶體( 原瑞晶)也正式於1月將18奈米製程導入量產，目前良率穩定提升中 ，希望今年年底該廠能有90％皆為18奈米製程的產品。
台廠部分，南亞科由於Mobile DRAM的產出比重提升，在漲價的助 益下，營收市占從1.3％提升至1.5％，營收成長來到41.3％，為各廠 最高。目前南亞科廠內正進行20奈米製程的產線轉換工程，未來將能 夠對營收有進一步的貢獻。
華邦電去年第4季營收市占0.7％，營收小幅成長6％，其中46奈米 製程的Mobile DRAM占比已經來到72％，華邦新製程38奈米有機會於 今年第3季導入生產，優先利用在利基型DRAM與Mobile DRAM上。
從市場面分析，由於DRAM原廠產能的擴張效應須待2017下半年陸續 浮現，整體上半年的供需依然維持吃緊。吳雅婷指出，2017年搭載6 GB DRAM的高階智慧型手機已是各廠既定的方針，中階手機也會來到 3∼4GB的搭載量，預估2017年智慧型手機DRAM的需求位元成長仍有3 0％以上，DRAM產業持續獲利的狀況將維持一整年。
外資預期下半年DRAM漲勢止歇，下修對記憶體族群展望，但集邦昨（16）日打臉外資，強調今年整體DRAM位元需求增幅可觀，光是智慧手機用行動記憶體位元需求成長達30%以上，整體DRAM產業獲利，將維持一整年。
集邦昨天也公布去年第4季全球行動式記憶體產值及各家占市變化。集邦表示，去年第4季三星Note 7爆炸，消費者購機需求紛紛轉向其他手機品牌，蘋果、華為與樂金等品牌出貨明顯提升，讓早已供不應求的DRAM市場供貨更為吃緊，價格飆漲，去年第4季全球行動式記憶體產值高達55.05億美元，季增20%。
至於市占率變化，三星半導體依然囊括過半的市占率，達61.3%；SK海力士居次，為24.2%；而美光半導體為12.3%，三大DRAM廠的占比高達97.8%。
集邦表示，三星持續維持領先優勢，製程技術已逐步推向18奈米；SK海力士下半年也打算導入次世代18奈米製程 。
集邦昨天也公布去年第4季全球行動式記憶體產值及各家占市變化。集邦表示，去年第4季三星Note 7爆炸，消費者購機需求紛紛轉向其他手機品牌，蘋果、華為與樂金等品牌出貨明顯提升，讓早已供不應求的DRAM市場供貨更為吃緊，價格飆漲，去年第4季全球行動式記憶體產值高達55.05億美元，季增20%。
至於市占率變化，三星半導體依然囊括過半的市占率，達61.3%；SK海力士居次，為24.2%；而美光半導體為12.3%，三大DRAM廠的占比高達97.8%。
集邦表示，三星持續維持領先優勢，製程技術已逐步推向18奈米；SK海力士下半年也打算導入次世代18奈米製程 。
根據集邦科技記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新研究顯示，在 旺季需求帶動，以及DRAM價格全面飆漲的態勢下，2016年第四季全球 DRAM市場總體營收衝上124.54億美元規模，季成長率高達18.2％。
2016年第四季適逢電子產業的傳統銷售旺季，如蘋果iPhone 7上市 、中國品牌手機銷售熱度不減，都讓智慧型手機出貨攀升至高峰。D RAMeXchange研究協理吳雅婷指出，由於整體行動式DRAM需求強勁， 使得標準型DRAM在產能的排擠效應下，持續面臨嚴重的供不應求，因 此去年第四季合約價上漲逾30％。伺服器DRAM部分，去年第四季漲價 幅度雖低於其他產品別，但在今年第一季價格呈現明顯補漲。
從市場面觀察，由於DRAM搭載量不斷提升，且原廠擴張產能最快要 在2017下半年才浮現，都延續DRAM供不應求的態勢。DRAMeXchange統 計，第一季標準型DRAM合約價漲幅更逼近40％，預估第二季價格仍將 持續上漲。
從營收角度來觀察，去年第四季三星依然穩坐DRAM產業龍頭。雖然 三星前一季營收基期已高，但在第四季度仍有12.0％的季成長，市占 率達47.5％。而SK海力士表現亦不俗，第四季營收季成長率衝上27. 3％，市占率亦達26.7％。總計兩大韓廠已囊括74.2％的DRAM市占率 。美光集團則位居第三，營收季成長率為24.4％，市占率達19.4％已 逼近2成。
由技術面觀察，三星今年的目標在於18奈米製程的轉進，一方面滿 足客戶需求，另一面也保持產業領先地位。除Line 17廠外，三星目 前也考慮將其他工廠轉進18奈米，目標今年底18奈米製程的產出達4 0％以上。SK海力士今年的目標將著重21奈米良率提升並擴大該製程 占比，也規劃下半開始18奈米的轉進，期能儘速導入量產階段。
美光方面，台灣美光記憶體在1月將18奈米製程導入量產階段，計 畫年底產能大多轉進至新製程，若進行順利，亦不排除下半年在台灣 美光晶圓科技(原華亞科)導入18奈米製程。
台廠部分，南亞科因客戶需求殷切，且受惠於利基型DRAM持續漲價 ，去年第四季營收成長18.2％，目前正積極轉進20奈米製程中，年底 目標每月投片達3萬片，屆時成本有望進一步降低。
華邦電去年第四季營收則是小幅衰退4.6％，原因在於產品類別的 調整，如第四季NOR Flash需求大增下，排擠部分DRAM的投片。華邦 電除46奈米比重持續提升外，38奈米製程目前正小幅擴產中，預估於 下半年可正式量產，屆時將反映在營收表現上。
力晶科技去年第四季DRAM營收大幅成長59.2％，主因DRAM價格大好 、客戶投片回籠加上代工價格隨DRAM價格上漲而水漲船高，都使力晶 營收表現十分亮眼。
2016年第四季適逢電子產業的傳統銷售旺季，如蘋果iPhone 7上市 、中國品牌手機銷售熱度不減，都讓智慧型手機出貨攀升至高峰。D RAMeXchange研究協理吳雅婷指出，由於整體行動式DRAM需求強勁， 使得標準型DRAM在產能的排擠效應下，持續面臨嚴重的供不應求，因 此去年第四季合約價上漲逾30％。伺服器DRAM部分，去年第四季漲價 幅度雖低於其他產品別，但在今年第一季價格呈現明顯補漲。
從市場面觀察，由於DRAM搭載量不斷提升，且原廠擴張產能最快要 在2017下半年才浮現，都延續DRAM供不應求的態勢。DRAMeXchange統 計，第一季標準型DRAM合約價漲幅更逼近40％，預估第二季價格仍將 持續上漲。
從營收角度來觀察，去年第四季三星依然穩坐DRAM產業龍頭。雖然 三星前一季營收基期已高，但在第四季度仍有12.0％的季成長，市占 率達47.5％。而SK海力士表現亦不俗，第四季營收季成長率衝上27. 3％，市占率亦達26.7％。總計兩大韓廠已囊括74.2％的DRAM市占率 。美光集團則位居第三，營收季成長率為24.4％，市占率達19.4％已 逼近2成。
由技術面觀察，三星今年的目標在於18奈米製程的轉進，一方面滿 足客戶需求，另一面也保持產業領先地位。除Line 17廠外，三星目 前也考慮將其他工廠轉進18奈米，目標今年底18奈米製程的產出達4 0％以上。SK海力士今年的目標將著重21奈米良率提升並擴大該製程 占比，也規劃下半開始18奈米的轉進，期能儘速導入量產階段。
美光方面，台灣美光記憶體在1月將18奈米製程導入量產階段，計 畫年底產能大多轉進至新製程，若進行順利，亦不排除下半年在台灣 美光晶圓科技(原華亞科)導入18奈米製程。
台廠部分，南亞科因客戶需求殷切，且受惠於利基型DRAM持續漲價 ，去年第四季營收成長18.2％，目前正積極轉進20奈米製程中，年底 目標每月投片達3萬片，屆時成本有望進一步降低。
華邦電去年第四季營收則是小幅衰退4.6％，原因在於產品類別的 調整，如第四季NOR Flash需求大增下，排擠部分DRAM的投片。華邦 電除46奈米比重持續提升外，38奈米製程目前正小幅擴產中，預估於 下半年可正式量產，屆時將反映在營收表現上。
力晶科技去年第四季DRAM營收大幅成長59.2％，主因DRAM價格大好 、客戶投片回籠加上代工價格隨DRAM價格上漲而水漲船高，都使力晶 營收表現十分亮眼。
集邦科技(TrendForce)生物科技分析師溫靖文指出，人口老化、 慢性病患者數逐年攀升，加速全球重點照護(POCT)醫材市場成長快 速，預估2016年全球POCT市場規模為178億美元，2020年可成長到25 6億美元，2015∼2020年複合成長率高達9.7％。
其中，更以糖尿病、心血管疾病的檢測市場的成長動能最聚焦，不 過，由於血糖以外的POCT檢測項目大多尚未成熟，台廠若能開發此領 域的檢測儀器，將可在POCT市場占有一席之地。
溫靖文表示，POCT屬於體外醫療診斷醫材的一種，其儀器特性為體 積小、操作簡易且花費時間短，可在病患身邊現場採檢、立即檢測， 並快速獲得檢測結果；最為人熟知的相關產品為血糖儀、驗孕棒等， 屬居家常見的檢測儀器。依使用情境來看，POCT儀器較不受限於醫療 院所，操作人員也不限定醫療專業人員，因此廣為市場接受。
由於許多慢性病都有長期監控的需求，讓POCT市場備受矚目，尤其 在糖尿病及心血管疾病的檢測項目上，更是POCT市場成長的主要動能 。
溫靖文表示，現階段POCT市場仍以血糖機為主，占有近半市場規模 ，雖然目前市場有飽合、成長趨緩現象，但新興市場興起和對健康議 題關注度提升，預期將帶動血糖機市場另一波成長。
此外，相較因價格競爭幾乎成為紅海的血糖機市場，其他種類的P OCT產品如分子檢測、電解質分析儀等，雖然在整體POCT市場占比不 高，但成長快速，因此吸引不少醫材大廠如亞培(Abbott)、羅氏( Roche)、西門子(Siemens)、嬌生(Johnson ＆ Johnson)等廠商 爭相投入。
台廠方面，目前全球半數以上的血糖機皆由台廠代工，而台灣多家 血糖機廠商如華廣、泰博、暐世、訊映等也都積極研發生產自家品牌 的血糖機搶市。
其中，更以糖尿病、心血管疾病的檢測市場的成長動能最聚焦，不 過，由於血糖以外的POCT檢測項目大多尚未成熟，台廠若能開發此領 域的檢測儀器，將可在POCT市場占有一席之地。
溫靖文表示，POCT屬於體外醫療診斷醫材的一種，其儀器特性為體 積小、操作簡易且花費時間短，可在病患身邊現場採檢、立即檢測， 並快速獲得檢測結果；最為人熟知的相關產品為血糖儀、驗孕棒等， 屬居家常見的檢測儀器。依使用情境來看，POCT儀器較不受限於醫療 院所，操作人員也不限定醫療專業人員，因此廣為市場接受。
由於許多慢性病都有長期監控的需求，讓POCT市場備受矚目，尤其 在糖尿病及心血管疾病的檢測項目上，更是POCT市場成長的主要動能 。
溫靖文表示，現階段POCT市場仍以血糖機為主，占有近半市場規模 ，雖然目前市場有飽合、成長趨緩現象，但新興市場興起和對健康議 題關注度提升，預期將帶動血糖機市場另一波成長。
此外，相較因價格競爭幾乎成為紅海的血糖機市場，其他種類的P OCT產品如分子檢測、電解質分析儀等，雖然在整體POCT市場占比不 高，但成長快速，因此吸引不少醫材大廠如亞培(Abbott)、羅氏( Roche)、西門子(Siemens)、嬌生(Johnson ＆ Johnson)等廠商 爭相投入。
台廠方面，目前全球半數以上的血糖機皆由台廠代工，而台灣多家 血糖機廠商如華廣、泰博、暐世、訊映等也都積極研發生產自家品牌 的血糖機搶市。
DRAM記憶體首季在淡季飆出歷年最大漲幅，漲幅在二到三成不等，讓完成合併華亞科的美光股價站上近二年半新高，有利南亞科（2408）、華邦等記憶體族群在今日新春開紅盤啟動新一波漲勢。
在DRAM龍頭三星主導漲價下，今年首季DRAM漲勢凌厲，儘管首季是傳統電子業淡季，DRAM價格卻飆出歷年淡季最大漲幅。
根據集邦科技旗下DRAMeXchange調查，首季標準型DRAM和伺服器用DRAM漲幅接近三成；行動式DRAM因中國大陸智慧型手機因應春節前鋪貨，需求強勁，不論是單顆顆粒或多晶片封裝（eMCP），單季漲幅也超過一成、約達15%；繪圖用記憶體與利基型記憶體雨露均霑，單季漲幅將超過一成。
此外，儲存型快閃記憶體（NAND Flash）和編碼型快閃記憶體（Nor Flash）也都因供不應求，價格同步上揚，讓今年各類記憶體罕見同步呈現搶購潮。
去年底完成合併華亞科的美光，是這波記憶體族群股中漲勢凌厲的個股之一，主要因DRAM和NAND Flash價格雙漲，讓美光首季財報優於預期，且本季展望仍佳。
美光第1季財報（至12月1日止），當季營收39.7億美元，年增18.5%，其中，DRAM營收年增18%，NAND年增26%，DRAM當季平均售價增加5%，每股純益0.32美元，優於分析師預估的0.28美元。
由於美光合併華亞科在20奈米製程良率大幅提升，加上DRAM價格漲幅不小，讓美光獲利持續看俏，推升美光股價在美國時間30日一度攻高到24.35元，創2015年7月以來波新高，氣勢如虹，相較去年低點以來，股價漲幅高達160%。
在DRAM龍頭三星主導漲價下，今年首季DRAM漲勢凌厲，儘管首季是傳統電子業淡季，DRAM價格卻飆出歷年淡季最大漲幅。
根據集邦科技旗下DRAMeXchange調查，首季標準型DRAM和伺服器用DRAM漲幅接近三成；行動式DRAM因中國大陸智慧型手機因應春節前鋪貨，需求強勁，不論是單顆顆粒或多晶片封裝（eMCP），單季漲幅也超過一成、約達15%；繪圖用記憶體與利基型記憶體雨露均霑，單季漲幅將超過一成。
此外，儲存型快閃記憶體（NAND Flash）和編碼型快閃記憶體（Nor Flash）也都因供不應求，價格同步上揚，讓今年各類記憶體罕見同步呈現搶購潮。
去年底完成合併華亞科的美光，是這波記憶體族群股中漲勢凌厲的個股之一，主要因DRAM和NAND Flash價格雙漲，讓美光首季財報優於預期，且本季展望仍佳。
美光第1季財報（至12月1日止），當季營收39.7億美元，年增18.5%，其中，DRAM營收年增18%，NAND年增26%，DRAM當季平均售價增加5%，每股純益0.32美元，優於分析師預估的0.28美元。
由於美光合併華亞科在20奈米製程良率大幅提升，加上DRAM價格漲幅不小，讓美光獲利持續看俏，推升美光股價在美國時間30日一度攻高到24.35元，創2015年7月以來波新高，氣勢如虹，相較去年低點以來，股價漲幅高達160%。
集邦科技光電研究（WitsView）昨（24）日公布最新電視面板出貨調查報告，2016年全球電視面板出貨總量達2億6,041萬片，年減3.5%，出貨面積年增6.5%。南韓樂金顯示蟬聯冠軍；京東方擠下群創、奪第三；友達年增0.2%，居第六名。
群創曾去年23.6吋已無標案訂單的挹注，又受到南台地震擾亂生產和出貨計畫，去年全年總出貨量僅4,173萬片，年減19.3%，出貨排名退居第四。友達達2,722萬片，年增0.2%。
WitsView研究經理胡家榕表示，去年面板廠普遍擴產8.5代線，在面板需求尺寸持續放大下，有助產能消耗，平均尺寸推升2.2吋、達43.6吋。
群創曾去年23.6吋已無標案訂單的挹注，又受到南台地震擾亂生產和出貨計畫，去年全年總出貨量僅4,173萬片，年減19.3%，出貨排名退居第四。友達達2,722萬片，年增0.2%。
WitsView研究經理胡家榕表示，去年面板廠普遍擴產8.5代線，在面板需求尺寸持續放大下，有助產能消耗，平均尺寸推升2.2吋、達43.6吋。
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