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市調機構集邦科技旗下記憶體儲存研究（DRAMeXchange）指出，第1季整體NANDFlash市況延續去年第4季的缺貨情況，即使第1季為傳統NANDFlash銷售淡季，但通路顆粒合約價卻仍上揚約20∼25％，使得第1季6大品牌廠營收合計約119.078億美元，僅較去年第4季微幅減少0.4％。

模組廠指出，第2季NANDFlash價格持續看漲，下半年蘋果iPhone開始拉貨後，缺貨情況恐更嚴重。整體來看，今年NANDFlash價格可望看漲到年底。

儘管第1季為傳統淡季，終端需求量較少，但因為供給產出量受製程切換影響而降低，市場供給仍相對吃緊，使得NANDFlash營收僅微幅衰退。DRAMeXchange預估，在2017年NANDFlash供應都將吃緊的情況下，NANDFlash廠商營收將逐季增加。

以各大供應商的營運情況來看，三星電子受惠於供給狀況吃緊，加上高容量企業級固態硬碟的亮麗表現，三星透過成功的產品配置，大幅挹注其營業利益率。三星第1季固態硬碟（SSD）占整體產品組合比重已超過4成，且平均銷售價格隨著市場缺貨而上揚，因此，第1季營收雖然較去年第4季衰退5.8％，但其NANDFlash的營業利益率卻較去年第4季提升。

SK海力士受到大陸智慧型手機以及SSD的需求動能帶動，加上整體NANDFlash庫存水位偏低，推升平均售價季增約15％，雖然SK海力士第1季位元出貨量較去年第4季下降3％，但所有產品線均維持穩定的獲利水位。

日本東芝半導體同樣受惠缺貨潮，其產品上議價程度較以往來的更有力度，在整體產品規劃上，東芝去年著重於蘋果產品輸出，今年第1季略有調整且平均分配至其他應用產品線，仍維持穩定獲利水準。

市調集邦科技(TrendForce)記憶體儲存研究(DRAMeXchange)表示，第2季行動式記憶體的需求增長動能雖然稍做停歇，但伺服器記憶體的需求依然強勁，使得標準型記憶體與伺服器用記憶體價格在第2季上揚超過10％。

受到DRAM價格仍可望持續走升，法人表示，DRAM廠南亞科、華邦電及DRAM模組廠威剛、宇瞻、創見今年業績展望都可望出現亮眼表現。

集邦表示，第1季的DRAM產業營收表現再度創下新高。從價格方面來看，由於去年第4季嚴重供不應求，使得第1季合約價再度上漲超過3成，亦帶動其他記憶體類別同步上揚，如伺服器用記憶體在第1季的價格上揚也相當可觀，行動式記憶體價格也有近1成的漲幅。

DRAMeXchange研究協理吳雅婷指出，第1季DRAM總體營收較前一季大幅成長約13.4％。從市場面來觀察，原廠產能增加的效應最快在2017年下半年浮現，但僅是滿足下半年智慧型手機與PC出貨的記憶體需求。

從營收角度來觀察，三星依然穩坐DRAM產業的龍頭，由於去年第4季營收基期已高，加上第1季的位元成長相對有限，使得營收成長僅6.8％，但營收金額已經來到63億美元，遠超過SK海力士的40億美元。而SK海力士表現亦不俗，第1季營收成長21.5％，兩大韓廠的市占率分別為44.8％以及28.7％，合計韓國三星與SK海力士兩大廠已經囊括全球73.5％的市占率，至於位居第三的則是美光集團，今年首季營收季增22.3％，市占率為21％。

受到價格持續大漲，三星第1季營業獲利率提升至54％最高，SK海力士由36％上升至47％，而美光則是從14.9％變成32.5％。展望今年第2季，由於DRAM價格上漲並未停歇，各家獲利仍將進一步的提升。

隨著中國大陸太陽能補助「630」大限逼近，供應鏈也進入最後搶建的拉貨階段，略微推升上週太陽能報價向上，漲幅約在1％左右。但研調單位卻也同時示警，進入6月份之後，業界恐怕將接受市場萎縮的衝擊。

太陽能報價連續3周緩步上揚，但以此價位來看，加上新台幣升值至今，供應鏈仍難以獲利。面對產業嚴酷挑戰，國內廠商也持續調整營運模式，矽晶圓廠部分跳過切晶的過程，直接以晶錠出貨；電池廠則拉高PERC製程產品的比重，甚至放棄傳統多晶產品線；模組廠除了寄望政府免徵平板玻璃稅金政策之外，也朝向輕量化發展。

集邦科技指出，長期以來「供過於求」壓力最大的多晶矽端，報價呈現上揚，也提振後段的矽晶圓和電池廠的報價信心。

集邦調查，多晶矽上周現貨價漲1.43％，高效多晶太陽能矽晶圓價漲0.35％，特高效多晶太陽能矽晶圓漲1.01％，高效多晶太陽能電池也漲0.98％。

不過，因為政府補助的期限是在6月底結束，屆時得完成整個建置，若時間往回推，太陽能電廠業者向供應鏈拉貨的底線也就落在5月底。因此，時序進入6月份之後，供應鏈恐將再度承受市場萎縮的衝擊。

但集邦認為，美國201條款調查是否會啟動當地太陽能電廠系統業者的避險需求，而提前開始備貨？則是牽動太陽能後市的關鍵。

市調機構集邦科技最新研究顯示，在今年度行動式DRAM猛烈的價格漲勢之下，智慧型手機行動式DRAM搭載量的成長動能受到壓抑，預估2017年智慧型手機行動式DRAM平均單機搭載量自3.7GB下修至約3.2GB，不過與去年相比仍然成長33.4％，至於蘋果新iPhone最高也只會搭載3GBLPDDR4。

集邦科技智慧型手機分析師吳雅婷表示，2016年全球智慧型手機的平均DRAM容量大約為2.4GB，而今年在LPDDR4成為主流應用的帶動下，原本有望大幅成長，但由於行動式DRAM漲勢未見停歇跡象，手機品牌廠考量成本結構，因此延緩擴增行動式DRAM搭載量的腳步。

吳雅婷分析，無論在性能需求或是消費者偏好的考量，智慧型手機品牌都有持續擴增單機搭載容量的必要性，尤其對於非蘋陣營、以安卓(Android)作業系統為主的品牌而言更是如此。

觀察性能方面，由於安卓的開放性系統特性，手機使用一段時間後，運算速度會逐步下降，因此從產品設計的角度考量，在設計手機的階段置入足夠容量的行動式DRAM，將是有效改善使用者體驗的方式。從消費者的角度來看，尤其對中國大陸地區的消費者而言，其考量購買的重點除了手機處理器的效能以外，莫過於是手機內建的DRAM搭載量。因此，近年來智慧型手機的DRAM搭載量成長幅度遠高於平板等其他產品，許多高階智慧型手機更已搭載至4GB∼6GB，與目前主流的筆電相當。

然而，現在的智慧型手機品牌數加總超過30個，競爭激烈，除了三星與蘋果享有龐大經濟規模及豐厚獲利外，其他品牌的年出貨量如果沒有超過4,000∼5,000萬支，皆恐將面臨獲利空間壓縮的問題。多數智慧型手機品牌商在面對記憶體漲價，造成成本結構上壓力加重的情況下，因而被迫放緩單機搭載容量的成長速度。

記憶體漲價的態勢，對年出貨超過兩億台的iPhone來說，也造成了一定的成本壓力。吳雅婷表示，由於DRAM供不應求狀況估將延續一整年，蘋果在考量成本結構及避免供應鏈管理困難下，將搭載AMOLED面板的新一代iPhone記憶體搭載量設定在3GB容量，而其它兩款分別維持在5.5吋搭載3GB、4.7吋搭載2GB。因此，今年度蘋果單機的搭載容量成長來自於更高比例的3GB應用，而4GB的機種預估要等到2018年才會問世。

儘管今年LED照明滲透率持續拉升，但是藍光LED仍舊壟罩在陸資廠擴產的陰影之下，次世代顯示技術MicroLED距離商用量產可能還需5年時間，但是有意壓寶的廠商不在少數，替今年即將登場的LED

Forum2017，提前炒熱氣氛。

由集邦科技LEDinside主辦的「LEDForum2017：次世代顯示技術MicroLED」研討會，將於本月10日登場，此次研討會的講者包含Aixtron技術長耿奎權、Lumiode創辦人暨執行長VincentLee，此外更有來自Evatec、Disco、香港科大、中國南方科技大學等業界、學術界代表，提供新的觀點。不過，今年國內晶片龍頭廠晶電沒有主管層級的人員擔任講者。

MicroLED具有高亮度、超省電及反應速度快等特性，挾著取代現有LCD、OLED的氣勢來勢洶洶。LEDinside預估，若全面取代背光模組、液晶、偏光板等現有液晶顯示器的零組件，MicroLED潛在的市場規模約可達300∼400億美元。

目前MicroLED面臨著什麼技術難題，距離量產仍有多遠？在這波新興技術的競逐賽中，台灣該如何整合供應鏈？LEDinside將在此次研討會中，針對MicroLED四大關鍵技術：磊晶與晶片技術、轉移技術、鍵結技術與彩色化方案，邀集講師解析。

近期DRAM族群股價在漲多後，出現回檔整理，市調單位集邦科技調查，第二季全球標準型記憶體仍呈現供不應求，對於新季度合約價有助漲效果，可望挹注南亞科(2408)營運成長表現。玉山證券表示，看好南亞科未來股價表現的投資人，可以權代股參與上漲行情。

DRAM大廠南亞科3月營收41.93億元，創近2年半次高，且年成長27％，今年DRAM行情在其他大廠產能開出不順、需求面仍有智慧手機、伺服器、物聯網產品的支撐，且南亞科在今年第三季量產20奈米製程，產能將可再提升。4月26日將召開法說會，屆時將說明第1季營運表現以及第2季營運展望。

玉山證券金融商品部表示，近期大盤回檔至季線，操作個股時也可以在季線附近逢低承低，降低追高的風險，同時以股價在季線位置試算出權證的停損價格，嚴格執行停損。

投資人在股價盤整區間，可以少量買進權證試單，並挑選長天期的權證，減少時間價值的壓力，掌握波段獲利機會；若是屬於短線操作的投資人，可以挑選價平、天期少於90天的權證，放大槓桿效果。

集邦昨（18）日出具報告，預估第2季伺服器用DRAM，因缺口仍在，合約價格將續漲逾10%，但業者認為漲幅應可達15~20%；台廠以南亞科（2408）受惠最大。

這是集邦繼日前公布第2季標準型DRAM合約價平均漲幅約12.5%後，針對伺服器用DRAM價格走勢，提供最新的分析。

集邦旗下的記憶體儲存研究（DRAMeXchange）指出，伺服器用記憶體供給持續吃緊，且仍有供給缺口未能完全滿足需求，主要DRAM對伺服器製造商的平均出貨達成率僅八成，顯示還有二成的缺口未能滿足伺服器廠的需求：甚至對中國大陸和台灣ODM廠的出貨達成率也降至六成，供不應求情況仍相當嚴重。

集邦科技(Trendforce)最新生物科技研究報告顯示，乳癌罹病人口眾多，藥品市場潛力龐大，吸引藥廠爭相競逐；預估2016∼2023年間，乳癌藥品市場複合成長率為9.3％，而針對三陰性乳癌和BRCA基因突變的乳癌藥品缺口，3年內也可望大幅填補。

乳癌是女性發生率最高的癌症，根據世衛組織(WHO)指出，每年有超過167萬人罹患乳癌，從各國乳癌人口來看，以中國與美國罹病發生人數最高，估計2016年兩國罹病發生人數皆超過26萬人。

由於乳癌病患數量持續增加、乳癌治療新產品進入市場以及Perjeta、Kadcyla銷售額成長的推動下，全球乳癌藥品市場規模穩定成長，TrendForce報告指出，2016年全球乳癌藥品市場規模約達119.7億美元，預估2023年市場規模為223.5億美元，2016∼2023年複合成長率為9.3％。

TrendForce生物科技研究副理劉適寧指出，乳癌依據細胞表面抗原表現可分為HER2陽性、荷爾蒙受體(HR)陽性和三陰性乳癌這三大類型，因此乳癌藥品市場亦以此作區分。

2016年全球HER2陽性表現乳癌藥品市場規模約74.1億美元，2023年市場規模將達124.2億美元，2016∼2023年複合成長率7.7％。

而全球HR陽性表現和三陰性乳癌藥品市場部分，2016年市場規模為45.6億美元，受惠於Ibrance銷售持續成長和包含CDK4/6抑制劑在內多款新藥進入市場，預估2023年市場規模可成長至99.3億美元，2016∼2023年複合成長率為11.8％。

劉適寧表示，由於乳癌罹病人口眾多，在廠商爭相卡位中，已有相當多臨床解決方案。不過，以往藥品多半集中在治療HER2陽性表現乳癌和HR陽性表現乳癌，使得三陰性乳癌和BRCA基因突變的乳癌仍缺乏有效藥品，近來許多藥廠也開始注意這塊未被滿足的臨床需求，因此有多款PI3K、PARP抑制劑新藥已進入臨床三期，可望在3年內逐步上市，大幅填補乳癌治療需求缺口。

東北亞情勢緊張，使得目前全球市占率最高的南韓雙D（DRAM與LCD）產業受關注。供應鏈斷鏈危機升高，預料台灣雙D產業成為鏈上短期避險避風港，來台尋求備貨密集度增高。

業者透露，北韓情勢若演變到港灣或航空封鎖，對全球記憶體與面板供應將造成嚴重衝擊。在記憶體方面，南韓三星和SK海力士在全球DRAM市占高達八成，NAND晶片也逾六成；在面板方面，南韓是全球第一大生產國，占全球35%，尤其65吋等大電視面板，只有台韓兩地面板廠生產。一旦南韓因戰爭被阻止出貨，全球將立即陷入斷鏈危機，電子業出貨也連帶受波及，將使得雙D產能更吃緊，價格有望上揚。

由於北韓的地緣政治風險牽動影響相當大，全球各產業正繃緊神經，密切注意北韓和美國動態，也希望最壞的情況不要發生。

根據集邦統計，南韓是全球最大DRAM和面板供應國，其中二大DRAM廠三星和SK海力士全球市占率高達八成，北韓情勢若演變成港灣和空港封鎖，都將影響南韓面板和DRAM出貨，雖然三星和SK海力士在大陸也有生產據點，不過，全球DRAM將立即陷入斷貨危機。

國內記憶體業者坦承正密切注意北韓情勢發展，以及美國是否會對北韓採取軍事制裁行動。業者強調，目前DRAM正處於缺貨，業者也進入第2季備貨需求增溫，北韓情勢緊張，也給了台廠成為備貨避風港的機會。

記憶體通路商強調，一旦爆發軍事衝突，DRAM價格將再度上漲，即使最後緩和，第2季DRAM仍處於供不應求局面，價格還是會大漲，台廠中以南亞科、華邦電及旺宏三家記憶體擁有產能，將成為北韓情勢緊張最大備貨避風港。

動態隨機存取記憶體（DRAM）、儲存型快閃記憶體（NAND Flash）及編碼型快閃記憶體（NOR Flash）三種記憶體本季成為業界最受注目焦點。業者研判，本季DRAM和NOR晶片漲勢最為凌厲；NAND Flash擔心影響供需，將小幅向下修正。不過，一旦北韓情勢爆發軍事衝突，各項記憶體都將同步喊漲，漲幅都會超乎預期。

稍早市調機構集邦發布報告，預告本季DRAM合約價因各供應商製程不順，均價將再上漲12.5%。

不過，業者強調，本季DRAM供貨仍吃緊，其中以標準型DRAM和伺服器用DRAM最缺，主因三星和美光在轉換1X奈米製程都不順，產出減少。業者估，本季標準型DRAM合約價將會上漲達15%，伺服器用DRAM，漲幅將逾20%。

中國大陸的上半年安裝潮並未如預期的啟動，導致太陽能產品報價仍呈現緩跌，讓太陽能廠第2季營運增添壓力。面對大環境壓力，個別廠商努力突破，加上3月份工作天數恢復正常，包括綠能(3519)、昱晶(3514)、昇陽科(3561)分別比前月成長8.7％、7.1％和2.3％。

至於中美晶(5483)則受惠併購效應，單月營收再創歷史新高，月增率和年增率分別為17.4％和110.8％。

從股價來看，太陽能族群昨(6)日多在平盤上下，僅有導電漿廠碩禾(3691)單日大跌20元獨弱，收盤價280元更創2013年11月以來新低。分析師指出，導電漿市場競爭加劇，恐造成碩禾今年度獲利大縮水，而碩禾昨日恢復資券交易，也有不少賣壓來自於空單。不過，碩禾3月營收7.96億元雖然比去年同期衰退49.3％，但比前月大增32.9％，營運有回溫跡象。

根據太陽能產業兩大研調的報價統計來看，本周都還處於下跌階段，其中，PVinsights的報價從多晶矽、矽晶圓到電池與模組都是下跌，多晶矽跌幅約2.8％，高效多晶矽晶圓跌幅約1.7％，台製電池的跌幅約1％；至於集邦的多晶矽報價跌幅則約達4％，至於矽晶圓和電池同樣都呈現小幅下滑。

不過，集邦仍是透露些微好消息，主要是隨著「630大限」拉貨潮的刺激，終端拉貨轉趨積極，預計後市報價繼續走低的空間有限。儘管目前市況仍有些許觀望氛圍，預期4月到5月中旬的需求更明朗後，回溫將會更明顯。

綠能3月合併營收9.31億元，較上個月增加8.7％，為近4個月來高點，累計第1季營收26.27億元，相較於去年同期的「近年最佳時期」則少了將近5成。綠能指出，正積極調整產品組合以應對市場變化，並與財務穩健之長期客戶合作，以銷售利基產品優先，使產線效率最佳化，目前的產能利用率仍維持9成。

綠能除了矽晶圓產能是台灣最大之外，在模組端也開發出「輕量化」的產品，以對抗中國大陸的低價競爭。

中美晶在去年12月併購SEMI之後，效益立即顯現，預期今年度的單月營收都有機會創新高，以3月營收來說，就達51.45億元、月增率和年增率分別為17.4％和110.8％。不過，單就太陽能產品來看，營收10.68億元，也比前月成長2.2％。

根據市調機構集邦科技最新研究指出，受到今年搭載AMOLED面板的智慧型手機數量大幅增加，以及搭載觸控功能面板驅動IC(TDDI)技術所需NORFlash產能提升的帶動，加上如美光、兆易創新等主要供應廠商供給量下滑，導致今年NORFlash因產能不足而出現價格彈升狀況，預計NORFlash將出現每季至少5％的漲幅，其漲勢將延續至年底。

集邦指出，觀察供給端的變化，最高階NORFlash產品多由美光、賽普拉斯半導體(Cypress)供應，供應容量為64Mb及128Mb，華邦、旺宏則以NORFlash中階產品供應為主，多供應16Mb、32Mb、64Mb等產品，而兆易創新提供的多為低階產品，供應容量為512Kb、1∼2Mb等。以營收做為市占率計算基準，賽普拉斯半導體市占率為25％排名第一，旺宏市占率24％排名居次，美光市占率18％排名第三。

過去兆易創新在取得晶圓片上獲得補貼，因此能以極為低廉價格在市場上拋售產品，然而，由於其晶圓片供應商策略轉向，因而影響供給兆易創新的晶圓片數量，導致兆易創新產能出現下滑狀況。

另一方面，國際大廠美光、賽普拉斯半導體也逐步淡出中低容量的NORFlash市場，賽普拉斯半導體的策略轉向為專注在車用和工規的市場，而美光將出售其8吋廠也將影響整體NORFlash市場的供應。

觀察NORFlash需求面，AMOLED面板需求的看漲，為NORFlash市場帶來新的需求動能。集邦指出，AMOLED面板需求在過去這兩年持續成長，去年面板出貨首度突破3億片大關，預估今年在iPhone正式採用AMOLED面板的帶動下，AMOLED面板出貨有機會達到5億片的龐大市場規模。

此外，由於AMOLED面板技術門檻較高，批次產出的良率可能出現不一致的狀況，面板廠多半會另外透過De-Mura(去除製程中所產生的色不均瑕疵)功能來維持同一批次產出面板的顯示品質一致性。但De-mura編碼目前無法整合進入以高壓製程生產的驅動IC當中，必須要另行外掛一顆NORFlash來儲存De-Mura功能所需的編碼。因此當AMOLED面板需求大增，NORFlash的需求勢必將同步躍升。

另一方面，發展已一段時間的TDDI，在將觸控功能整合進入驅動IC的同時，也受制於觸控功能分位編碼所需容量較大，無法一併整合進入TDDI當中，而要另外外掛一顆NORFlash作為儲存觸控功能所需的分位編碼。在大部分的TDDI方案已於去年下半年陸續到位下，集邦預期，今年搭配TDDI的InCell面板出貨將大幅提升，滲透率將由2016年的5％持續提升至2017年的10％，同步推升對NORFlash的需求。

DRAM缺貨將持續蔓延，繼三星18奈米轉換不順，回收模組產品後，近期也傳出美光17奈米製程也不順，恐導致下季供需缺口持續擴大，價格持續看漲，連帶也讓儲存型快閃記憶體（NAND Flash）、編碼型快閃記憶體（NOR Flash ）產能同步受到壓縮。

記憶體業者表示，台廠擁有生產線的南亞科（2408）、華邦電、旺宏，及模組廠的威剛、創見等，將同步受惠，尤其NOR缺口持續擴大，讓NOR晶片雙雄成為市場爭相包產能的對象。

根據集邦調查，因近年來因DRAM無新增產區，廠商多仰賴製程推進帶動產出位元成長，但整體產能增加有限，加上部分標準型DRAM產能不斷被轉為生產伺服器與手機DRAM用，導致標準型DRAM供需由昔日供給過剩，轉為供不應求。集邦統計，標準型DRAM去年下半年以來漲幅已近60%，光是首季漲幅即逾30%，帶動相關伺服器用、行動式和利基型DRAM等也同步上漲，漲幅在10%~30%不等。

儘管三星宣布決定增產DRAM，但因新產能至少要二年後才會投入，但稍早三星發生18奈米製程出包，緊急召回10萬條DRAM模組，已沖淡三星增產衝擊。

但近期稍後也傳出美光自25奈米轉換到17奈米，同樣發生製程轉換不順問題，不過美光昨天表示1x奈米產品本來就計畫第3季小量產出，第4季才會放量，進度可能和分析師預期有出入。

但法人認為，三星和美光在競逐更先進DRAM製程都遭遇難度增加現象，讓市場原本擔心的價格反轉疑慮消除，預料第2季漲勢仍會明顯，下半年依舊缺貨，價格仍看漲。

業者表示，DRAM漲勢延續，也會進一步壓縮NOR晶片產出更為吃緊，原擔心的20%供應缺口可能還會擴大，讓台廠坐擁NOR供應首位的旺宏和第四的華邦電成為大贏家。

筆記型電腦加速導入固態硬碟(SSD)已成趨勢，但受到蘋果、三星等手機廠大舉預訂NANDFlash產能情況下，今年以來SSD大缺貨且第一季合約價已大漲10∼16％。由於SSD看缺一整年，系統廠及ODM/OEM廠積極擴大下單建立庫存，業界看好SSD價格一路漲到下半年，群聯(8299)及威剛(3260)直接受惠。

NANDFlash廠今年雖然全力搶進3DNAND，但良率不佳問題仍未獲得明顯改善，且2DNAND產能持續受到擠壓，因此，第一季NANDFlash仍供不應求，特別是用在SSD產品線的TLC規格NANDFlash晶片嚴重缺貨，就算拿現金登門也買不到。也因此，SSD缺貨問題難解，仁寶總經理陳瑞聰在法說會中直言，SSD可能會缺一整年。

集邦科技記憶體儲存研究(DRAMeXchange)資深研究經理陳玠瑋表示，第一季主流容量用戶級(PC-Client)OEMSSD合約均價上漲10∼16％，主要是智慧型手機、ODM/OEM客戶的採購需求持續穩健，讓NANDFlash市場供不應求；另一方面，NANDFlash原廠產能轉往TLC規格2DNAND或3DNAND，使得MLC規格SSD供給量驟降，價格漲幅自然擴大。

集邦統計，去年第四季筆電SSD搭載率約35∼36％，加計桌上型電腦與通路市場SSD出貨量，整體用戶級SSD總出貨量3,320萬顆，季增2∼3％續創新高。陳玠瑋指出，SSD讀寫效能遠勝傳統硬碟，已逐步受消費者青睞，因此儘管SSD供貨呈現吃緊，ODM/OEM客戶仍維持穩健的拉貨動能，預估今年筆電SSD搭載率將挑戰45％水準。

群聯去年每股淨利大賺24.67元，董事會決議今年每普通股將發放14元現金股利。群聯董事長潘健成表示，未來智慧醫療、智慧城市、工控及車載等物聯網相關的新應用市場，將持續帶動SSD的需求強勁成長。

群聯長期技術合作夥伴日本東芝已量產3DNANDFlashBiCS3晶片，群聯的SSD系列控制IC如S10/S11等，皆領先全球同業取得BiCS3測試驗證，與東芝正攜手在相關的3DNANDFlash記憶體技術掌握關鍵商機。

威剛去年每股淨利6.21元，繳出亮麗成績單，今年每普通股將配發4元現金股息。威剛2月因DRAM模組及SSD出貨放量，合併營收衝上27.01億元，與去年同期相較大增102％，並再創近3年單月新高。威剛3月因SSD出貨續創新高，營收還會優於2月維持成長態勢。

全球記憶體龍頭三星電子傳出將進行DRAM擴產計畫，國內業者認為，由於建廠時間還要兩年，難解今年缺貨窘境，不過受心理層面影響，恐讓下半年DRAM漲勢止歇。

三星決定斥資10兆韓元（87億美元），擴充南韓華城廠DRAM產能。三星表示，新產線約需兩年時間建造，將視研發進度和製程轉換良率，決定生產18奈米或更先進製程的DRAM。

對於今年DRAM供需，稍早包括南亞科總經理李培瑛、創見董事長束崇萬，及威剛董事長長陳立白都表示，今年DRAM因主要供應大廠將產能挪移生產儲存型快閃記憶體（NAND Flash），且只做DRAM 製程升級，未見擴大資本支出增產，加上DRAM市場除個人電腦外，在各類智慧型裝置，如車用、電視、家庭自動化、網通、伺服器以及行動裝置等普遍使用，讓供給缺口浮現。

集邦統計，首季除利基型DRAM漲幅在10~15%外，其餘包括標準型DRAM、伺服器DRAM、行動式DRAM等，漲幅都在20~35%不等，並在淡季寫下單季歷史最大漲幅。預估第2季DRAM合約價仍會續漲，漲幅雖收斂，但也會逾一成。三星決定增產DRAM，記憶體模組業者表示，這一波DRAM上漲是由三星領軍，使價格回到合理的利潤，預料不至於殺價搶市占。

集邦科技記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新調查指出，隨著智慧終端裝置和網路服務廣為普及，帶動雲端計算及網路服務需求熱絡，今年全球資料中心代工業務量也跟著躍升，預計全球伺服器出貨量將年成長約3.8％。

DRAMeXchange表示，近年雲端計算與雲端儲存受到青睞，成為帶動整體伺服器市場成長的首要關鍵，而整體伺服器DRAM和NANDFlash的需求將主要來自單機搭載容量提升，在各伺服器應用別裡尤以資料中心需求為大宗。

現階段多數伺服器需求皆源自如谷歌、亞馬遜、微軟等資料中心代工業務量，2017年全球資料中心代工業務量預估將年成長9.2％。而由於中國大陸伺服器市場成長勁道傲視全球，逐漸成為各家代工業者角逐標的，其中網路服務與雲端計算提供者如騰訊、阿里巴巴、百度等都為領先角逐指標，DRAMeXchange預估，2017年大陸指標性網路服務商的伺服器擴增需求將成長13％。

以伺服器代工業者來看，目前大中國區的領導廠商以華為、聯想、浪潮、曙光為首，其最主要代工動能仍以大陸當地資料中心標案為主，其次為國家計畫與電信業者的伺服器計畫。

DRAMeXchange指出，高階伺服器晶片現已進入10奈米製程節點，大廠競賽趨於白熱化。從資料中心與商務伺服器中央處理器(CPU)進程來看，英特爾新一代Purley平台，與超微即將發表的Naples新平台，將陸續於今年第2季進入市場，其伺服器CPU則預計於第3季正式放量並導入各階產品線。

在高階運算平台的運算晶片支援部分，英特爾新解決方案將提前導入高階市場，而超微則是透過提高核心數來維持運算效能。DRAMeXchange表示，相較於現階段英特爾主流Grantley平台，超微新推出的Naples平台運算效能較有優勢，但在面對今年英特爾Purley平台的強勢入市下，預期超微仍將面臨產品生態圈較缺乏的弱勢局面。

ARM架構方面，高通Centriq目前仍在晶圓代工廠小量試產，其解決方案將針對資料中心中後段的低功耗伺服器群做主打市場。DRAMeXchange指出，相較於x86架構，ARM架構在資料存取上有更多優勢，現階段美系資料中心多數運用ARM架構在後段存儲性質較高的伺服器上。

固態硬碟（SSD）應用擴大，隨著儲存型快閃記憶體（NAND Flash）供貨短缺，首季SSD合約價也上漲12~16%，讓近期營收占比拉升的創見（2451）、威剛及宇瞻等記憶體模組廠，營運再添柴火。

市調機構集邦昨（13）日出具SSD市況調查報告，指出第1季應用個人電腦的主流MLC-SSD季漲12∼16%，TLC-SSD季漲幅為10∼16%。第2季因終端產品的銷售將趨持平，加上SSD價格已上漲到PC OEM廠可接受的高點，預估主流容量SSD合約價漲幅將收斂。

包括創見、威剛及宇瞻等記憶體模組廠均表示，SSD漲勢雖趨緩，卻有助整體應用持續擴大，對產業發展應趨正面，公司對今年營運仍抱括樂觀。

集邦旗下的DRAMeXchang表示，首季SSD合約價上漲，主因智慧型手機、PC OEM客戶的採購需求持續穩健，讓NAND Flash市場供不應求。

此外，NAND Flash原廠產能轉往2D TLC或3D NAND Flash，使2D MLC-SSD供給量驟降，讓MLC-SSD價格漲幅大於TLC-SSD。

集邦調查指出，SSD因讀寫效能遠勝傳統硬碟，已逐步受業者加速導入，預估今年筆電SSD搭載率可推進至45%，成長快速。

集邦旗下綠能研究(Energy Trend)昨(13)日再潑太陽能產業冷水，指出今年全球太陽能市場恐面臨歷來首次近零成長窘境，估總裝置需求為73.9GW(10億瓦)。

倒是太陽能需求區域排名重新洗牌，印度可望取代日本，成為第三大需求國。

集邦旗下綠能研究指出，因中國公布2017年太陽能裝機目標略低於去年，加上美國川普新政府上任後，政策恐不利於太陽能發展、日本也持續調降躉購費率等因素，導致需求強勁成長中的印度，可望取代日本，成為需求第三大國，占全球比重也提升至14%。

集邦引用根據印度新能源與再生能源署統計，指出去年印度的太陽能累積裝機量已正式超過9GW。位於印度、目前世界單體最大的太陽能電站Rewa Ultra Mega Solar Project也通過競標，預計明年開始運轉，為已有40GW太陽能園區計畫的印度需求再添一濟強心針。

不過印度太陽能政策仍左右太陽能發展。集邦強調，目前印度僅部分地區未享有太陽能產品稅率減免。不過，去年印度通過的增值稅案(GST)至今仍未公布太陽能相關產品的稅率，據印度再生能源署的評估報告，GST針對太陽能相關產品與服務恐課徵高達20%稅率，提高廠商的採購成本，預估將導致每度電的成本提升13~15%，增加後續太陽能建設計畫的財務壓力。

不過，在印度4月太陽能增稅新稅率實施前，預估將湧入一陣拉貨潮，將是今年第1季帶動太陽能市場需求的主要動能，預估今年裝置需求可達10GW，可望擠下日本，成為全球第三大太陽能需求國。

太陽能業者指出，印度太陽能訂單雖然大量湧現，但要求價格得比大陸廠報還低，對台系太陽能廠而言，可說既愛又恨。

根據集邦科技記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新研究顯示，去年第4季NANDFlash缺貨達全年高峰，在終端需求出貨暢旺、平均銷售價格普遍上漲的情況下，即使前一季營收基期已高，第4季NANDFlash市場營收規模仍上漲17.8％，同時各廠商的獲利能力也達到全年的頂峰。

DRAMeXchange研究協理楊文得表示，觀察2017年第1季，供給方面因轉進3DNANDFlash製程造成供貨減少，使得各項合約價格持續上揚，但在終端需求方面較2016年第4季減少，預期NANDFlash品牌廠營收仍將持續成長，增幅稍微趨緩，而以全年度NANDFlash供應預期都將吃緊的情況來看，2017年NANDFlash廠商的營收仍可望逐季增加。

龍頭大廠三星受惠於高容量eMMC與UFS需求，和固態硬碟(SSD)表現強勁，去年第4季NANDFlash位元出貨量季成長11∼15％外，平均銷售單價也成長逾5％，NANDFlash營收季成長近20％。

三星在高容量eMMC/UFS及SSD上市占率領先，因此受惠價格上漲的程度更為顯著，而48層堆疊的3DNAND已順利導入全系列SSd產品線。

三星Line16廠持續轉進3DNAND，Line17與平澤廠的新產能貢獻將從第2季後將開始提升，因此預估本季位元出貨量將衰退4∼9％，位元成長要等到第2季後才會顯著提高。

SK海力士今年第1季面臨轉進3DNAND及智慧型手機出貨減少等因素，預估位元出貨量將季衰退約0∼5％，在進度上，3DNAND第1季位元出貨占比為10％，預期在48層堆疊與下半年將推出的72層堆疊3DNAND帶動下，年底前產出比重將超越50％。

日本東芝64層堆疊的3DNAND相關對應的產品下半年將放量生產，現階段在良率尚未顯著提升之際，48層堆疊晶片成為上半年營運的重點，但年底維持超過產出的50％計畫不變。

威騰電子(WD)全系列SSD產品線表現強勁，顯現在合併SanDisk的綜效已開始顯現。從產品面看，威騰的64層堆疊3DNAND已經在自家零售產品開始出貨，OEM產品的認證過程也會在本季開始進行，預計整體產出比重在2017年底前將超過50％。

美光3DNAND的產出比重已超越50％，同時，美光下個世代的64層堆疊3DNAND也預計在今年下半量產。

市場傳出，南韓DRAM大廠三星18奈米製程生產的8Gb DRAM模組出現瑕疵決定回收，讓PC DRAM缺貨更為嚴重，因占比高達二成，業者預料第2季將再掀漲勢，且漲幅將超乎預期。

三星出包讓同業的美光和SK海力士成為最大受惠廠商，美光股價上周五股價大漲，寫下兩年來新高，終場收25.57美元，大漲3.52%。法人預期同族群的南亞科、華邦電及記憶體模組威剛、創見等，將再成為資金追逐標的。

業界傳出，三星近期已陸續召回部分18奈米製程記憶體模組，因這批18奈米製程的PC DRAM，在裝機測試後發現系統出錯，出現藍色螢幕當機，讓三星不得不主動召回相關的記憶體模組。

這也是三星繼Note 7電池出包與高層行賄被起訴後，再次衰事上身。

據了解，三星的8Gb標準型DRAM，可用來生產4GB和8GB DRAM模組，且供應一線PC廠，供貨廠商包括惠普、聯想、華碩及戴爾等品牌大廠，估計回收總數超過10萬組，預料衝擊可能會再擴大。

記憶體業者估算，18奈米製程三星居業界之冠，占三星產能高達20%，若產品瑕疵再擴大，不僅影響三星獲利，更讓近期DRAM缺貨更為嚴重。不過，截至目前為止，三星均未對此回應。

記憶體業者表示，三星目前全球DRAM市占近50%，因近期早已將大部分產能移往需求更迫切、市場快速成長的儲存型快閃記憶體（NAND Flash），雖然兩項產品產能可以互換，但此次發生是製程的瑕疵，恐非將NAND Flash轉回生產DRAM就能輕易解決，何況第2季起，包括蘋果及三星自家手機都包走三星多數NAND Flash，三星也無法將產能轉回增產DRAM。

稍早集邦公布首季PC DRAM合約價漲幅逾三成，在淡季寫下歷史最大漲幅，如今全球最大供應商三星DRAM製程出包，DRAM漲勢恐難停歇；市場排名第二和第三的SK海力士及美光，可望乘機搶攻市占。