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集邦科技(未)公司新聞
集邦科技昨（10）日發布最新調查，受到DRAM供應吃緊，第1季伺服器DRAM模組價格漲幅逾25%，高容量漲幅甚至直逼30%，創下歷年淡季最大漲勢；標準型DRAM漲幅也相近，讓南亞科、華邦及威剛等今年首季營運看俏。
集邦旗下的DRAMeXchange表示，標準型記憶體價格一路看漲，使伺服器用記憶體模組價格也跟著發燙，更帶動伺服器廠商備貨的動能與需求。
DRAMeXchange強調，今年整體DRAM產能擴增有限，全年度供需狀況仍吃緊，伺服器用記憶體模組價格將隨著原廠調配產出比重而維持穩定獲利水位。
據調查，伺服器用DDR4 32GB模組，每條已突破200美元大關，首季合約價平均漲幅逾25%，高容量模組漲幅更直逼30%以上。
DRAMeXchange表示，下一代的伺服器處理晶片，英特爾14奈米新平台Purley已於2016年第4季初陸續送至各大ODM廠測試，Purley平台將支援至六通道記憶體，並支援單處理器最多12條DDR4 RDIMM、NVM DIMM與NVDIMM 等不同種類記憶體，能顯著改善高階運算伺服器群的效能。
集邦稍早也預估首季標準型DRAM和伺服器用DRAM漲幅都會接近三成；行動式DRAM因中國大陸智慧型手機因應春節前鋪貨，需求強勁，不論是單顆顆粒或多晶片封裝（eMCP），單季漲幅也超過一成、約達15%；繪圖用記憶體與利基型記憶體也雨露均霑，單季漲幅將超過一成。
國內DRAM廠雖然都已退出標準型DRAM市場，轉攻利基型市場，但隨著漲勢愈猛，可望雨露均霑。
近期DRAM漲勢主要由三星主導，且漲勢仍未停歇，首季標準型DRAM漲幅逾三成，行動式DRAM約15~20%，伺服器用DRAM漲幅在25~30%。法人看好，南亞科、華邦電、旺宏、力晶等擁有記憶體製造產能的公司，本季起業績將明顯提升，今年營運表現值得期待。
集邦旗下的DRAMeXchange表示，標準型記憶體價格一路看漲，使伺服器用記憶體模組價格也跟著發燙，更帶動伺服器廠商備貨的動能與需求。
DRAMeXchange強調，今年整體DRAM產能擴增有限，全年度供需狀況仍吃緊，伺服器用記憶體模組價格將隨著原廠調配產出比重而維持穩定獲利水位。
據調查，伺服器用DDR4 32GB模組，每條已突破200美元大關，首季合約價平均漲幅逾25%，高容量模組漲幅更直逼30%以上。
DRAMeXchange表示，下一代的伺服器處理晶片，英特爾14奈米新平台Purley已於2016年第4季初陸續送至各大ODM廠測試，Purley平台將支援至六通道記憶體，並支援單處理器最多12條DDR4 RDIMM、NVM DIMM與NVDIMM 等不同種類記憶體，能顯著改善高階運算伺服器群的效能。
集邦稍早也預估首季標準型DRAM和伺服器用DRAM漲幅都會接近三成；行動式DRAM因中國大陸智慧型手機因應春節前鋪貨，需求強勁，不論是單顆顆粒或多晶片封裝（eMCP），單季漲幅也超過一成、約達15%；繪圖用記憶體與利基型記憶體也雨露均霑，單季漲幅將超過一成。
國內DRAM廠雖然都已退出標準型DRAM市場，轉攻利基型市場，但隨著漲勢愈猛，可望雨露均霑。
近期DRAM漲勢主要由三星主導，且漲勢仍未停歇，首季標準型DRAM漲幅逾三成，行動式DRAM約15~20%，伺服器用DRAM漲幅在25~30%。法人看好，南亞科、華邦電、旺宏、力晶等擁有記憶體製造產能的公司，本季起業績將明顯提升，今年營運表現值得期待。
集邦科技記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新研究顯示，由於D RAM供貨吃緊至今未有改善的跡象，因此延續2016下半年的價格漲勢 ，2017年第一季DRAM平均銷售單價呈大幅上漲格局，4GB DDR3模組的 合約價最高已超過25美元，季漲幅超過3成，為DRAM史上首個在傳統 淡季下仍維持強勢漲價的季度。
DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，根據現已成交的合約價格看來 ，2017年第一季標準型DRAM價格持續攀高，平均漲幅接近3成，伺服 器DRAM的漲幅略同，R-DIMM規格32GB模組合約價已超過200美元大關 ，漲幅同樣超過2成。行動式DRAM也因智慧型手機在中國新年鋪貨的 需求帶動下，不論是單顆晶片顆粒或eMCP解決方案，價格都同樣攀高 ，季漲幅估將超過1成。
2016年起，由於中國品牌崛起帶動智慧型手機需求旺盛，DRAM原廠 陸續調降標準型DRAM產出，轉作行動式DRAM。在供貨減少下，4GB D DR3合約均價一路攀升至今，連帶讓伺服器DRAM價格也呈現大漲，甚 至行動式DRAM在2017年第一季也有近15％的季漲幅，此外，繪圖用G DDR與利基型DRAM也都雨露均霑，季漲幅至少超過1成。
展望2017年，各DRAM原廠資本支出較為保守，皆不傾向過分擴張產 能，並以獲利導向為主要經營策略。DRAMeXchange預估，2017年DRA M產業的供給端位元年成長率僅19％，遠低於往年至少2成甚至超過3 成的年成長率，在2017年DRAM需求端年成長超過22％情況下，供不應 求的嚴峻程度較市場預期還嚴重。
從市場面觀察，由於2017年旗艦手機行動式DRAM搭載量將上看8GB ，加上中階手機多邁向搭載4GB規格，因此行動式DRAM依然是產業需 求成長最為強勁的類別。整體而言，2017年智慧型手機DRAM容量年成 長將超過30％，超越一般筆電使用的標準型DRAM規格。
此外，因各式雲端服務興起，伺服器DRAM需求也顯著成長。DRAMe Xchange預估，2017年伺服器的平均DRAM容量將達130GB以上。
DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，根據現已成交的合約價格看來 ，2017年第一季標準型DRAM價格持續攀高，平均漲幅接近3成，伺服 器DRAM的漲幅略同，R-DIMM規格32GB模組合約價已超過200美元大關 ，漲幅同樣超過2成。行動式DRAM也因智慧型手機在中國新年鋪貨的 需求帶動下，不論是單顆晶片顆粒或eMCP解決方案，價格都同樣攀高 ，季漲幅估將超過1成。
2016年起，由於中國品牌崛起帶動智慧型手機需求旺盛，DRAM原廠 陸續調降標準型DRAM產出，轉作行動式DRAM。在供貨減少下，4GB D DR3合約均價一路攀升至今，連帶讓伺服器DRAM價格也呈現大漲，甚 至行動式DRAM在2017年第一季也有近15％的季漲幅，此外，繪圖用G DDR與利基型DRAM也都雨露均霑，季漲幅至少超過1成。
展望2017年，各DRAM原廠資本支出較為保守，皆不傾向過分擴張產 能，並以獲利導向為主要經營策略。DRAMeXchange預估，2017年DRA M產業的供給端位元年成長率僅19％，遠低於往年至少2成甚至超過3 成的年成長率，在2017年DRAM需求端年成長超過22％情況下，供不應 求的嚴峻程度較市場預期還嚴重。
從市場面觀察，由於2017年旗艦手機行動式DRAM搭載量將上看8GB ，加上中階手機多邁向搭載4GB規格，因此行動式DRAM依然是產業需 求成長最為強勁的類別。整體而言，2017年智慧型手機DRAM容量年成 長將超過30％，超越一般筆電使用的標準型DRAM規格。
此外，因各式雲端服務興起，伺服器DRAM需求也顯著成長。DRAMe Xchange預估，2017年伺服器的平均DRAM容量將達130GB以上。
DRAM在淡季飆出單季最大漲幅。集邦調查，今年首季DRAM合約價漲幅逾三成，為歷年來淡季最高漲幅，顯示出DRAM供貨短缺嚴重，擁有產能的南亞科（2408）、華邦電等受惠。
集邦預估，DRAM缺貨情形將持續一整年，預料相關族群營運都會同步升溫，但是否會牽連相關產品無法順利出貨，值得密切注意。集邦旗下DRAMeXchange昨（4）日公布最新調查強調，DRAM供貨吃緊情形一直未獲改善，今年首季仍延續去年下半年漲勢，平均銷售單價持續大漲，DDR3 4GB模組合約價最高已超過25美元，單季漲幅三成，創史上在傳統淡季最大漲幅。
DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，首季標準型DRAM和伺服器用DRAM漲幅都接近三成；行動式DRAM因中國大陸智慧型手機因應春節前鋪貨，需求強勁，不論是單顆顆粒或多晶片封裝（eMCP），單季漲幅也超過一成、約達15%；繪圖用記憶體與利基型記憶體也雨露均霑，單季漲幅將超過一成。
集邦強調，今年各DRAM廠資本支出仍然保守，都不傾向過分擴張產能，採取獲利導向為主要策略，預估今年DRAM產業的供給端位元年成長率僅19%，遠低於往年至少年增二成、甚至逾三成的年增率，但DRAM需求端年增率預估超過22%，因此供給缺口浮現問題會愈來愈明。集邦預估，主要DRAM廠未來會將產能挪移需求量較強，且單價較高的行動式和伺服器用DRAM，加深標準型DRAM供給吃緊。
近期已有不少個人電腦品牌廠感受到缺貨壓力，擔心會影響新個人電腦出貨，都積極展開搶貨，預料缺貨問題還會延續，有助DARM廠維持獲利。法人看好在DRAM持續缺貨下，擁有產能的南亞科和華邦電將是直接受惠廠商。
集邦預估，DRAM缺貨情形將持續一整年，預料相關族群營運都會同步升溫，但是否會牽連相關產品無法順利出貨，值得密切注意。集邦旗下DRAMeXchange昨（4）日公布最新調查強調，DRAM供貨吃緊情形一直未獲改善，今年首季仍延續去年下半年漲勢，平均銷售單價持續大漲，DDR3 4GB模組合約價最高已超過25美元，單季漲幅三成，創史上在傳統淡季最大漲幅。
DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，首季標準型DRAM和伺服器用DRAM漲幅都接近三成；行動式DRAM因中國大陸智慧型手機因應春節前鋪貨，需求強勁，不論是單顆顆粒或多晶片封裝（eMCP），單季漲幅也超過一成、約達15%；繪圖用記憶體與利基型記憶體也雨露均霑，單季漲幅將超過一成。
集邦強調，今年各DRAM廠資本支出仍然保守，都不傾向過分擴張產能，採取獲利導向為主要策略，預估今年DRAM產業的供給端位元年成長率僅19%，遠低於往年至少年增二成、甚至逾三成的年增率，但DRAM需求端年增率預估超過22%，因此供給缺口浮現問題會愈來愈明。集邦預估，主要DRAM廠未來會將產能挪移需求量較強，且單價較高的行動式和伺服器用DRAM，加深標準型DRAM供給吃緊。
近期已有不少個人電腦品牌廠感受到缺貨壓力，擔心會影響新個人電腦出貨，都積極展開搶貨，預料缺貨問題還會延續，有助DARM廠維持獲利。法人看好在DRAM持續缺貨下，擁有產能的南亞科和華邦電將是直接受惠廠商。
市調機構集邦科技旗下記憶體儲存研究事業部（DRAMeXchange）最新研究報告顯示，2017年NAND Flash整體投片產能僅年增6％，隨著業者加速轉進3D NAND，2017年2D NAND缺貨情況將持續一整年，而3D NAND在64層堆疊順利導入OEM系統產品前，也將持續缺貨，價格有望穩健走揚，使NAND Flash原廠營運表現持續往上。
第4季各項終端設備出貨進入今年最高峰，預估整體NAND Flash供不應求的市況將更為顯著，各項NAND Flash產品的合約價漲幅將更高，廠商的營收與營業利益率也可望再創今年新高。集邦已公告11月NAND Flash合約價亦呈現漲勢，其中64Gb MLC NAND合約均價較10月上漲1.5％達2.63美元，128Gb MLC NAND合約均價上漲3.3％達4.11美元，均創下一年來新高價。
DRAMeXchange研究協理楊文得表示，在今年新增產能及製程轉換同時進行的情況下，業者自第2季起加速3D NAND的製程轉進，整體3D NAND產出比重在年底前達到30％，而自明年起在整體投片產能僅年增6％的成長幅度下，多數業者將開始降低2D NAND的供貨來達到提升3D NAND產能的目標。
因此，DRAMeXchange預估，自2017年第1季起2D NAND的供給量滑落的速度將加快，至第3季占整體NAND Flash出貨比重將滑落至50％以下。
然而，在3D NAND的進展上，64層堆疊的3D NAND在良率與eMMC/UFS、用戶級固態硬碟（SSD）、企業級SSD等OEM產品的導入上，挑戰性皆增加，因此明年3D NAND在64層堆疊的產品成熟前也將維持供應吃緊的狀況，最快要到2017年第3季起才有機會成熟量產出貨。
從需求端來看，由於智慧型手機成長放緩、平板電腦出貨持續衰退，相關行動式NAND Flash的需求成長動能將改由平均搭載量（Content per box）來驅動，而在新款iPhone出貨主流為128GB下，其他智慧型手機品牌也加速提升eMMC/UFS的容量來提高產品競爭力。
DRAMeXchange預估，2017年第4季全球筆電出貨的SSD滲透率將超越50％，且企業級SSD的需求也隨著伺服器及資料中心的需求強勁成長而快速上揚，再加上SSD的平均搭載量也持續增加，使得2017年整體SSD需求成長率將高達60％，所消耗的NAND Flash比重也將正式站上40％大關，為各項NAND Flash終端需求中表現最強勁的應用。
第4季各項終端設備出貨進入今年最高峰，預估整體NAND Flash供不應求的市況將更為顯著，各項NAND Flash產品的合約價漲幅將更高，廠商的營收與營業利益率也可望再創今年新高。集邦已公告11月NAND Flash合約價亦呈現漲勢，其中64Gb MLC NAND合約均價較10月上漲1.5％達2.63美元，128Gb MLC NAND合約均價上漲3.3％達4.11美元，均創下一年來新高價。
DRAMeXchange研究協理楊文得表示，在今年新增產能及製程轉換同時進行的情況下，業者自第2季起加速3D NAND的製程轉進，整體3D NAND產出比重在年底前達到30％，而自明年起在整體投片產能僅年增6％的成長幅度下，多數業者將開始降低2D NAND的供貨來達到提升3D NAND產能的目標。
因此，DRAMeXchange預估，自2017年第1季起2D NAND的供給量滑落的速度將加快，至第3季占整體NAND Flash出貨比重將滑落至50％以下。
然而，在3D NAND的進展上，64層堆疊的3D NAND在良率與eMMC/UFS、用戶級固態硬碟（SSD）、企業級SSD等OEM產品的導入上，挑戰性皆增加，因此明年3D NAND在64層堆疊的產品成熟前也將維持供應吃緊的狀況，最快要到2017年第3季起才有機會成熟量產出貨。
從需求端來看，由於智慧型手機成長放緩、平板電腦出貨持續衰退，相關行動式NAND Flash的需求成長動能將改由平均搭載量（Content per box）來驅動，而在新款iPhone出貨主流為128GB下，其他智慧型手機品牌也加速提升eMMC/UFS的容量來提高產品競爭力。
DRAMeXchange預估，2017年第4季全球筆電出貨的SSD滲透率將超越50％，且企業級SSD的需求也隨著伺服器及資料中心的需求強勁成長而快速上揚，再加上SSD的平均搭載量也持續增加，使得2017年整體SSD需求成長率將高達60％，所消耗的NAND Flash比重也將正式站上40％大關，為各項NAND Flash終端需求中表現最強勁的應用。
集邦科技旗下拓墣產業研究院最新研究，中國大陸積體電路產業投資基金（大基金）近二年投入半導體晶圓製程投資金額已高達人民幣700億元（約新台幣3,220億元），占投資比重約六成，預估中國大陸下階段的投資重心將轉向IC設計業。
拓墣產業研究院統計，中國大陸IC設計公司數量由2015年的736家增至目前的1,362家，一年內幾乎翻倍成長。
拓墣產業研究院指出，從2015年至今，中國大陸在晶圓廠投資計畫約人民幣4,800億元，其中大陸出資部分約為人民幣4,350億，占整體中國大陸IC基金（包括大基金和地方基金）總額的86.5%。
拓墣分析，中國大陸IC基金在下階段將篩選出合適標的IC設計產業的投資上，未來需結合產業，並給予資本支持，提升海外併購腳步。尤其像是如編碼型快閃記憶體（NOR Flash）等市場，雖較不被大廠商重視，但只要與中國大陸半導體資源形成互補或加強，仍值得耕耘。
拓墣進一步表示，中國大陸半導體基金下一階段除加強對IC設計業投資外，也將增加對封測與設備業的投資。
拓墣產業研究院統計，中國大陸IC設計公司數量由2015年的736家增至目前的1,362家，一年內幾乎翻倍成長。
拓墣產業研究院指出，從2015年至今，中國大陸在晶圓廠投資計畫約人民幣4,800億元，其中大陸出資部分約為人民幣4,350億，占整體中國大陸IC基金（包括大基金和地方基金）總額的86.5%。
拓墣分析，中國大陸IC基金在下階段將篩選出合適標的IC設計產業的投資上，未來需結合產業，並給予資本支持，提升海外併購腳步。尤其像是如編碼型快閃記憶體（NOR Flash）等市場，雖較不被大廠商重視，但只要與中國大陸半導體資源形成互補或加強，仍值得耕耘。
拓墣進一步表示，中國大陸半導體基金下一階段除加強對IC設計業投資外，也將增加對封測與設備業的投資。
中國大陸智慧型手機出貨暢旺、筆電出貨回溫，第3季起DRAM的平均銷售單價開始大幅上揚。集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange預估，明年整體DRAM供給位元成長將小於20％，創歷年最低，在需求面持續強下，預估明年全年供給成長將小於需求成長，帶動DRAM價格持續攀高，維持供應商全面獲利狀態。
DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，DRAM產業屬寡占市場型態，各供應商在產能的擴張上皆有所節制，2017年整體晶圓的投片量與今年相較沒有明顯成長。以供給位元成長來看，主要會來自於20奈米轉向1Y奈米的顆粒增加，不過，由於die shrink（顆粒微縮）的難度提高，2017年DRAM產業整體的供給位元成長將小於20％。
2016下半年20奈米已陸續成為生產主流，在新製程的推動下，最新一代產品DDR4及LPDDR4也將正式成為市場的供貨主流。目前DDR4在伺服器端早已成為主要解決方案，但在PC部份，則由於英特爾平台的支援時間遞延，至今年底才將成為主流解決方案。
LPDDR4部份，隨著智慧型手機主要晶片組（application processor）支援性提高，將在2017年正式取代LPDDR3成為主流，且在成本結構合理化的考量下，LPDDR4的容量都會在4GB或以上，持續推升智慧型手機單機搭載容量成長。
智慧型手機在近兩年面臨成長高原化的挑戰，使相關廠商都積極尋找下一個「主流產品」以求進一步市場成長。儘管無人機、機器人、物聯網等產品，或AR／VR等其他遊戲繪圖的應用，仍處於發展初期，無法確定後續市場潛力，DRAM供應商仍積極開發客製化產品，來因應前述多元市場與應用需求。
以繪圖用記憶體（Graphic DRAM）為例，供應商與NVIDIA協同開發的特殊規格GDDR5X就以超頻、速度更高為目的，且以高階繪圖卡為主要市場，期望達到產品差異化。吳雅婷指出，相關的特殊規格產品在2017年起比例會持續增加，為現在製程技術上處於20奈米「齊頭式平等」的供應商帶來更高的獲利空間。
DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，DRAM產業屬寡占市場型態，各供應商在產能的擴張上皆有所節制，2017年整體晶圓的投片量與今年相較沒有明顯成長。以供給位元成長來看，主要會來自於20奈米轉向1Y奈米的顆粒增加，不過，由於die shrink（顆粒微縮）的難度提高，2017年DRAM產業整體的供給位元成長將小於20％。
2016下半年20奈米已陸續成為生產主流，在新製程的推動下，最新一代產品DDR4及LPDDR4也將正式成為市場的供貨主流。目前DDR4在伺服器端早已成為主要解決方案，但在PC部份，則由於英特爾平台的支援時間遞延，至今年底才將成為主流解決方案。
LPDDR4部份，隨著智慧型手機主要晶片組（application processor）支援性提高，將在2017年正式取代LPDDR3成為主流，且在成本結構合理化的考量下，LPDDR4的容量都會在4GB或以上，持續推升智慧型手機單機搭載容量成長。
智慧型手機在近兩年面臨成長高原化的挑戰，使相關廠商都積極尋找下一個「主流產品」以求進一步市場成長。儘管無人機、機器人、物聯網等產品，或AR／VR等其他遊戲繪圖的應用，仍處於發展初期，無法確定後續市場潛力，DRAM供應商仍積極開發客製化產品，來因應前述多元市場與應用需求。
以繪圖用記憶體（Graphic DRAM）為例，供應商與NVIDIA協同開發的特殊規格GDDR5X就以超頻、速度更高為目的，且以高階繪圖卡為主要市場，期望達到產品差異化。吳雅婷指出，相關的特殊規格產品在2017年起比例會持續增加，為現在製程技術上處於20奈米「齊頭式平等」的供應商帶來更高的獲利空間。
太陽能產業烏雲再起，集邦預估，明年中國大陸、美國及日本等三大市場需求將同步衰退，供過於求嚴重；明年下半年時，上中下游價格將再失序，包括多晶矽、矽晶圓、電池片價格都可能再創新低，兩岸太陽能廠都將降成本列為首要目標，以度過景氣寒冬。
集邦預估，明年太陽能廠獲利也將低於今年，固守財務體質已成為台廠首要課題。法人分析，包括中美晶（5483）、綠能、茂迪、新日光等太陽能廠都將面臨營運及獲利下滑的挑戰。
集邦昨（14）日出具明年太陽能產業展望報告，大陸、美國和日本太陽能裝置需求都將同步衰退；印度市場雖然崛起、維持成長趨勢，並取代日本成為全球第三大太陽能裝置需求國，但仍無法彌補中、美、日的需求衰退幅度。
集邦預估，受到三大消費市場同步下滑影響，明年太陽能模組價格將由明年初的每瓦0.38美元，至明年底降到每瓦0.33美元，價格可能會再創新低，跌幅逾一成，屆時包括太陽能矽晶圓廠和電池廠都將面臨嚴重虧損壓力。
集邦指出，明年整體太陽能總需求將會與今年的69.5GW（10億瓦）相近，整體太陽能供應鏈，由上至下的獲利表現都遠低於今年。
至於過去藉由轉進第三地規避高額反傾銷稅的廠商，因大陸一線大廠已相繼到海外大舉擴產，使美、歐現貨價格近期快速下殺，目前價格扣除運費已與大陸市場同價，因此預估明年此優勢不在，未來決勝並非取決於產能多寡，而是能否產出單晶或單晶PERC等享有較高價格優勢的差異化產品。
集邦看好明年單晶太陽能市占將由今年的23.5%，提升到32%；多晶面臨壓力下，端看導入鑽石線切割的進展及良率，必須加速降成本，才能度過下波產業景氣寒冬。
集邦預估，明年太陽能廠獲利也將低於今年，固守財務體質已成為台廠首要課題。法人分析，包括中美晶（5483）、綠能、茂迪、新日光等太陽能廠都將面臨營運及獲利下滑的挑戰。
集邦昨（14）日出具明年太陽能產業展望報告，大陸、美國和日本太陽能裝置需求都將同步衰退；印度市場雖然崛起、維持成長趨勢，並取代日本成為全球第三大太陽能裝置需求國，但仍無法彌補中、美、日的需求衰退幅度。
集邦預估，受到三大消費市場同步下滑影響，明年太陽能模組價格將由明年初的每瓦0.38美元，至明年底降到每瓦0.33美元，價格可能會再創新低，跌幅逾一成，屆時包括太陽能矽晶圓廠和電池廠都將面臨嚴重虧損壓力。
集邦指出，明年整體太陽能總需求將會與今年的69.5GW（10億瓦）相近，整體太陽能供應鏈，由上至下的獲利表現都遠低於今年。
至於過去藉由轉進第三地規避高額反傾銷稅的廠商，因大陸一線大廠已相繼到海外大舉擴產，使美、歐現貨價格近期快速下殺，目前價格扣除運費已與大陸市場同價，因此預估明年此優勢不在，未來決勝並非取決於產能多寡，而是能否產出單晶或單晶PERC等享有較高價格優勢的差異化產品。
集邦看好明年單晶太陽能市占將由今年的23.5%，提升到32%；多晶面臨壓力下，端看導入鑽石線切割的進展及良率，必須加速降成本，才能度過下波產業景氣寒冬。
韓媒報導， 夏普明年將停止供應電視面板。三星在面板供貨來源減少後，傳出轉向LGD等業者求援，對於明年產業競合增添新變數。不過大陸新世代面板廠明年尚未投入量產，面板短期供給仍吃緊。
IHS顯示器研究總經理謝勤益表示，南韓政治風暴對面板產業的影響有待觀察。現階段三星因應關閉TFT面板廠，持續加碼向雙虎採購電視面板的策略不變。
他說，三星向群創採購的電視面板數量，從去年的920萬片、今年的1,220萬片，到明年預估1,300萬片，採購數量較友達多73%。而三星向友達採購的量為2015年450萬片、2016年530萬片，2017年為750萬片，年增幅達41.5%。
集邦科技旗下光電事業處WitsView報告指出，韓系面板廠持續縮減LCD產線，僅著重於高階產品，預估2017年全球7吋（含）以上大尺寸面板出貨總量將持續滑落，至約7.25億片，年衰退2.4%；但在電視及監視器的大螢幕視覺享受需求持續帶動下，2017年整體大尺寸面板出貨面積年成長約3.8%。
至於大陸面板廠部分，京東方10.5代線預定在2018年下半年投產，華星光電11代廠則在2019年下半年投產，2020年這兩座廠才會完全量產，對2017年面板供需沒有影響。明年上半年只有群創8.6代廠新產能開出，2017年上半年面板供應吃緊。
IHS指出，京東方與華星光電的10.5代及11代廠，雖是夏普十代廠產能的2.7倍，主要鎖定43、65及75吋的電視面板市場，但預估2019年時，10.5代及11代廠將僅占全球面板總產能的5%。
IHS顯示器研究總經理謝勤益表示，南韓政治風暴對面板產業的影響有待觀察。現階段三星因應關閉TFT面板廠，持續加碼向雙虎採購電視面板的策略不變。
他說，三星向群創採購的電視面板數量，從去年的920萬片、今年的1,220萬片，到明年預估1,300萬片，採購數量較友達多73%。而三星向友達採購的量為2015年450萬片、2016年530萬片，2017年為750萬片，年增幅達41.5%。
集邦科技旗下光電事業處WitsView報告指出，韓系面板廠持續縮減LCD產線，僅著重於高階產品，預估2017年全球7吋（含）以上大尺寸面板出貨總量將持續滑落，至約7.25億片，年衰退2.4%；但在電視及監視器的大螢幕視覺享受需求持續帶動下，2017年整體大尺寸面板出貨面積年成長約3.8%。
至於大陸面板廠部分，京東方10.5代線預定在2018年下半年投產，華星光電11代廠則在2019年下半年投產，2020年這兩座廠才會完全量產，對2017年面板供需沒有影響。明年上半年只有群創8.6代廠新產能開出，2017年上半年面板供應吃緊。
IHS指出，京東方與華星光電的10.5代及11代廠，雖是夏普十代廠產能的2.7倍，主要鎖定43、65及75吋的電視面板市場，但預估2019年時，10.5代及11代廠將僅占全球面板總產能的5%。
由於DRAM市場在明年上半年並無新增產能開出，DRAM供應商與ODM/OEM廠及系統廠議定明年第一季合約價已陸續傳出好消息，屆時標準型DRAM合約價可望再度調漲3成，4GB DDR3/DDR4模組合約價將上看20∼22美元。
法人看好南亞科（2408）營收及獲利將大躍進，美系外資調升目標價至52元。
每年11月之後是DRAM市場傳統淡季，但今年第四季缺貨問題未獲紓解，且ODM/OEM廠及系統廠手中的庫存水位低於3周。因此，不僅11月合約價再度調漲約3％，4GB DDR3/DDR4模組合約均價來到18美元，4Gb DDR3/DDR4原廠顆粒現貨價亦再見漲勢，均價來到2.7∼2.9美元區間，創下一年半來新高紀錄。
受惠於DRAM漲價效益發酵，南亞科11月合併營收月增5.0％達40.12億元，為20個月來新高，法人預估第四季營收將較上季成長15％以上，優於市場預期。
美系外資最新研究報告將南亞科目標價從40元上修到52元，評等從中立調高到優於大盤，並強調DRAM上升周期仍持續，現在買南亞科還不晚。
集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，第四季各產品別需求仍然強勁，再加上針對明年初農曆新年的補貨需求，使得DRAM價格維持上漲。目前各DRAM供應商正積極與客戶議定明年第一季度的合約價格，可確定均價持續上揚的態勢不變，預期2017年第一季整體DRAM平均售價漲幅與第四季略同甚至更高，4GB模組價格也將正式站上20美元大關。
展望2017年第一季，雖然需求面理應受到淡季影響而下滑，但由於DRAM產業中，三星、SK海力士、美光形成的寡占市場態勢確立，價格主要掌握在賣方手中，同時由於DRAM製程轉進面臨瓶頸，在未來供給位元成長有限的前提之下，DRAM價格將不易下跌。
市場原本預估第一季標準型DRAM合約價將調漲15％左右，但根據目前三大廠與ODM/OEM廠及系統廠的議價情況來看，季度漲幅將優於原先預估。
據了解，由於大陸部份系統大廠為了避免明年農曆春節旺季可能因DRAM缺貨影響出貨，願意以20美元以上價格追價回補庫存水位，第一季合約價看來將較第四季大漲25∼30％幅度。
法人看好南亞科（2408）營收及獲利將大躍進，美系外資調升目標價至52元。
每年11月之後是DRAM市場傳統淡季，但今年第四季缺貨問題未獲紓解，且ODM/OEM廠及系統廠手中的庫存水位低於3周。因此，不僅11月合約價再度調漲約3％，4GB DDR3/DDR4模組合約均價來到18美元，4Gb DDR3/DDR4原廠顆粒現貨價亦再見漲勢，均價來到2.7∼2.9美元區間，創下一年半來新高紀錄。
受惠於DRAM漲價效益發酵，南亞科11月合併營收月增5.0％達40.12億元，為20個月來新高，法人預估第四季營收將較上季成長15％以上，優於市場預期。
美系外資最新研究報告將南亞科目標價從40元上修到52元，評等從中立調高到優於大盤，並強調DRAM上升周期仍持續，現在買南亞科還不晚。
集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，第四季各產品別需求仍然強勁，再加上針對明年初農曆新年的補貨需求，使得DRAM價格維持上漲。目前各DRAM供應商正積極與客戶議定明年第一季度的合約價格，可確定均價持續上揚的態勢不變，預期2017年第一季整體DRAM平均售價漲幅與第四季略同甚至更高，4GB模組價格也將正式站上20美元大關。
展望2017年第一季，雖然需求面理應受到淡季影響而下滑，但由於DRAM產業中，三星、SK海力士、美光形成的寡占市場態勢確立，價格主要掌握在賣方手中，同時由於DRAM製程轉進面臨瓶頸，在未來供給位元成長有限的前提之下，DRAM價格將不易下跌。
市場原本預估第一季標準型DRAM合約價將調漲15％左右，但根據目前三大廠與ODM/OEM廠及系統廠的議價情況來看，季度漲幅將優於原先預估。
據了解，由於大陸部份系統大廠為了避免明年農曆春節旺季可能因DRAM缺貨影響出貨，願意以20美元以上價格追價回補庫存水位，第一季合約價看來將較第四季大漲25∼30％幅度。
集邦（TrendForce）旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange最新研究顯示，由於市場供不應求，11月DRAM合約價和現貨價上揚，漲勢可望持續到明年第1季。以今年全年來看，漲幅達到四成。
集邦科技旗下拓墣產業研究所最新研究統計，預估今年全球前十大IC設計公司當中，聯發科穩坐第三名位置，且仍居台灣IC設計龍頭寶座，全年營收可望達到89.22億美元，年成長17.6％。瑞昱則是今年前十大公司當中，業績成長力道最強的公司。
拓墣指出，2016年全球前十大無晶圓IC設計業者營收中，高通（QCT）仍然穩居全年龍頭寶座。而前三大業者高通、博通（Broadcom）與聯發科合計營收佔前十名營收總和的65％，短期內領先地位不易受到撼動。
全球前十大IC設計業者的排名變化，拓墣認為，主要受到併購影響。安華高（Avago）在併購博通，成為新博通後，排名躍升至第二，讓後續排名遞補。聯發科收購台灣四家IC設計公司後營收亦有提升，明顯拉開與後七名廠商的距離。
至於成長力道最強的公司則為瑞昱，年成長幅度上看22.5％，去年原先在前十大排名之外，今年成功擠下戴樂格半導體（Dialog）站上第九名位置。
今年營收正成長的公司有聯發科、輝達（NVIDIA）、超微（AMD）、賽靈思（Xilinx）和瑞昱。拓墣指出，聯發科營收年成長率高達17.6％，主要受惠於併購效益與中國智慧型手機的強勁成長動能；輝達近年來除在遊戲領域多有著墨外，在資料中心與車用電子應用的成長幅度相當亮眼。
超微則是在半客製化、嵌入式與企業端領域逐漸展現成效，其營收在今年第3季大幅成長，成為超微最重要的營收成長動能之一。
另一方面，營收衰退者為高通、新博通、邁威爾科技（Marvell）、聯詠及戴樂格半導體（Dialog）。高通今年在中國智慧型手機市場面臨激烈競爭，除聯發科外亦有海思、展訊等中國IC設計大廠技術提升所帶來的競爭壓力，華為手機更大量採用旗下海思半導體處理器。
同時，高通也面臨三星Note 7事件帶來的負面影響。而新博通營收衰退主因，來自於出售物聯網產品線給賽普拉斯半導體（Cypress）。聯詠礙於全球消費性電子產業進入高原期，成長動能有限，使得今年營收衰退。
拓墣指出，2016年全球前十大無晶圓IC設計業者營收中，高通（QCT）仍然穩居全年龍頭寶座。而前三大業者高通、博通（Broadcom）與聯發科合計營收佔前十名營收總和的65％，短期內領先地位不易受到撼動。
全球前十大IC設計業者的排名變化，拓墣認為，主要受到併購影響。安華高（Avago）在併購博通，成為新博通後，排名躍升至第二，讓後續排名遞補。聯發科收購台灣四家IC設計公司後營收亦有提升，明顯拉開與後七名廠商的距離。
至於成長力道最強的公司則為瑞昱，年成長幅度上看22.5％，去年原先在前十大排名之外，今年成功擠下戴樂格半導體（Dialog）站上第九名位置。
今年營收正成長的公司有聯發科、輝達（NVIDIA）、超微（AMD）、賽靈思（Xilinx）和瑞昱。拓墣指出，聯發科營收年成長率高達17.6％，主要受惠於併購效益與中國智慧型手機的強勁成長動能；輝達近年來除在遊戲領域多有著墨外，在資料中心與車用電子應用的成長幅度相當亮眼。
超微則是在半客製化、嵌入式與企業端領域逐漸展現成效，其營收在今年第3季大幅成長，成為超微最重要的營收成長動能之一。
另一方面，營收衰退者為高通、新博通、邁威爾科技（Marvell）、聯詠及戴樂格半導體（Dialog）。高通今年在中國智慧型手機市場面臨激烈競爭，除聯發科外亦有海思、展訊等中國IC設計大廠技術提升所帶來的競爭壓力，華為手機更大量採用旗下海思半導體處理器。
同時，高通也面臨三星Note 7事件帶來的負面影響。而新博通營收衰退主因，來自於出售物聯網產品線給賽普拉斯半導體（Cypress）。聯詠礙於全球消費性電子產業進入高原期，成長動能有限，使得今年營收衰退。
根據集邦科技統計，11月NAND Flash合約價持續調漲，128Gb MLC NAND合約均價較上月續漲3.3％達4.11美元，普遍來看價位均改寫今年新高。而集邦亦預估第四季旺季到來，各項NAND Flash產品的合約價漲幅將更高。法人認為群聯（8299）受惠最大，第四季營收及獲利可望續創歷史新高。
受惠於NAND Flash缺貨及漲價效益發酵，推升群聯第三季營收及獲利同創歷史新高，第三季稅後淨利15.01億元，季增率達56.2％，年增也有26.8％，EPS為7.61元，累計前三季稅後淨利33.91億元，較去年同期成長14.4％，EPS為17.18元，表現優於預期。
群聯10月營收達41.77億元，為單月次高，稅前盈餘6.41億元，單月每股稅前盈餘3.25，累計前10月稅前盈餘44.20億元，每股稅前盈餘達22.39元，幾乎追平去年度水準。
集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange最新調查顯示，受惠於智慧型手機需求強勁，及供給端2D NAND 轉進3D NAND 所導致的整體產出減少，第三季NAND Flash開始漲價，使得NAND Flash原廠營收季成長19.6％，營業利益率也較上季大幅進步。
DRAMeXchange研究協理楊文得表示，第四季各項終端設備出貨進入今年最高峰，預估整體NAND Flash供不應求的市況將更為顯著，各項NAND Flash產品的合約價漲幅將更高，廠商的營收與營業利益率也可望再創今年新高。
至於新期公告的11月NAND Flash合約價亦呈現漲勢，其中64Gb MLC NAND合約均價較10月上漲1.5％達2.63美元，128Gb MLC NAND合約均價上漲3.3％達4.11美元，均創下一年來新高價。
由於OEM廠持續增加高容量固態硬碟（SSD）備貨，加上手機用eMMC/eMCP需求不弱，在三星以外供應商轉進3D NAND仍不順並導致2D NAND供給減少情況下，業界看好NAND Flash合約價將續漲至年底。
受惠於NAND Flash缺貨及漲價效益發酵，推升群聯第三季營收及獲利同創歷史新高，第三季稅後淨利15.01億元，季增率達56.2％，年增也有26.8％，EPS為7.61元，累計前三季稅後淨利33.91億元，較去年同期成長14.4％，EPS為17.18元，表現優於預期。
群聯10月營收達41.77億元，為單月次高，稅前盈餘6.41億元，單月每股稅前盈餘3.25，累計前10月稅前盈餘44.20億元，每股稅前盈餘達22.39元，幾乎追平去年度水準。
集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange最新調查顯示，受惠於智慧型手機需求強勁，及供給端2D NAND 轉進3D NAND 所導致的整體產出減少，第三季NAND Flash開始漲價，使得NAND Flash原廠營收季成長19.6％，營業利益率也較上季大幅進步。
DRAMeXchange研究協理楊文得表示，第四季各項終端設備出貨進入今年最高峰，預估整體NAND Flash供不應求的市況將更為顯著，各項NAND Flash產品的合約價漲幅將更高，廠商的營收與營業利益率也可望再創今年新高。
至於新期公告的11月NAND Flash合約價亦呈現漲勢，其中64Gb MLC NAND合約均價較10月上漲1.5％達2.63美元，128Gb MLC NAND合約均價上漲3.3％達4.11美元，均創下一年來新高價。
由於OEM廠持續增加高容量固態硬碟（SSD）備貨，加上手機用eMMC/eMCP需求不弱，在三星以外供應商轉進3D NAND仍不順並導致2D NAND供給減少情況下，業界看好NAND Flash合約價將續漲至年底。
微發光二極體（Micro LED）可望成為新一代顯示技術，台廠如LED廠晶電（2448）、隆達；面板雙虎友達、群創均積極投入，盼能加速商業化量產時程。工研院樂觀預估，2017年採用Micro LED大型公用顯示器就能亮相。
Micro LED被視為未來殺手級的應用，由於這項顯示技術耗電量只有LCD的10%，色飽和度接近OLED。集邦科技表示，Micro LED被視為新一代顯示技術的完美應用，目前國際大廠都低調進行技術布局，一旦Micro LED商用化，估計會消耗全球LED現有產能的五成。
晶電發言人張世賢表示，由於Micro LED體積很小晶電的磊晶、晶粒製程上要配合移轉設備和系統應用等廠共同開發。在磊晶和晶粒的製程，Micro LED成功機率高，至於明年能否量產出貨，則還要很努力。
張世賢表示，Micro LED需要有很好的技術、專利能力，且要結合材料、設備、系統廠共同開發，進入門檻高，尤其有紅色LED。晶電在殺手級應用上已具有優勢。
隆達董事長蘇?正表示，Micro LED是一項新技術、新應用，有機會增加LED的使用量，這也是隆達布局新應用的方向之一。目前已有不少公司都在布局，進度不一。至於何時可商業化量產，他認為，投入初期良率差，更多人投入後良率提升的學習曲線，不能省略。技術總是一代又代推陳出新，隆達做好準備。
群創董事長暨執行長王志超則指出，軟性顯示將是趨勢，目前看來還有其它的技術選項如Micro LED等。
Micro LED被視為未來殺手級的應用，由於這項顯示技術耗電量只有LCD的10%，色飽和度接近OLED。集邦科技表示，Micro LED被視為新一代顯示技術的完美應用，目前國際大廠都低調進行技術布局，一旦Micro LED商用化，估計會消耗全球LED現有產能的五成。
晶電發言人張世賢表示，由於Micro LED體積很小晶電的磊晶、晶粒製程上要配合移轉設備和系統應用等廠共同開發。在磊晶和晶粒的製程，Micro LED成功機率高，至於明年能否量產出貨，則還要很努力。
張世賢表示，Micro LED需要有很好的技術、專利能力，且要結合材料、設備、系統廠共同開發，進入門檻高，尤其有紅色LED。晶電在殺手級應用上已具有優勢。
隆達董事長蘇?正表示，Micro LED是一項新技術、新應用，有機會增加LED的使用量，這也是隆達布局新應用的方向之一。目前已有不少公司都在布局，進度不一。至於何時可商業化量產，他認為，投入初期良率差，更多人投入後良率提升的學習曲線，不能省略。技術總是一代又代推陳出新，隆達做好準備。
群創董事長暨執行長王志超則指出，軟性顯示將是趨勢，目前看來還有其它的技術選項如Micro LED等。
記憶體下半年漲勢凌厲，不過，從主要記憶體模組廠第3季季報表現看，擁有貨源才是贏家。其中，DRAM模組中以威剛（3260）擁有低價貨最多，表現最佳；快閃記憶體中則由群聯勝出。
根據集邦調查，上月DRAM漲勢最兇猛，其中，以應用在個人電腦的標準型記憶體單月漲幅達20%最大，集邦表示，今年下半年全球智慧型手機與伺服器需求強勁，DRAM 產能迅速轉進行動式記憶體與伺服器用記憶體，標準型記憶體因此面臨供需嚴重失衡，成DRAM價格全面起漲契機。集邦預估，本季DRAM合約價漲幅估計可達四成，顯示主要供應大廠仍藉由供給吃緊，企圖拉升售價。
DRAM價格漲勢凌厲，各DRAM模組廠卻不是雨露均霑，而是擁有較多貨源廠商勝出。DRAM模組大廠威剛因在第2季就備妥低價貨源，成為最大贏家。
威剛第3季稅後純益季增逾三倍，達3.53億元，每股稅後純益1.65元。累計今年前三季稅後純益5.61億元，每股純益2.62元，上季獲利大躍進，即拜擁有低價DRAM貨源之賜，預期本季在供應商支持，以及貨源仍充足下，營收和獲利有機會登上今年高點。
反觀創見雖靠工控產品維持業績穩定，但因不賭投機財，手中無低價貨源，加上重壓美元看漲，因無法彌補高額匯損，第3季單季每股純益1.1元，不如第2季的1.77元。
其餘模組廠如宇瞻和廣穎等，也都受DRAM和Flash缺貨影響，無法如期交貨，導致第3季獲利受影響。
宇瞻第3季每股純益0.83元，累計前三季每股純益1.81元，低於公司預期。廣穎第3季每股純益0.26元，低於第2季0.49元；累計前三季每股純益1.41元。
群聯也因把上半年低價貨源提前在第3季實現，使第3季每股純益達7.61元，創單季獲利新高；前三季每股純益17.18元，優於去年同期15.16元。
根據集邦調查，上月DRAM漲勢最兇猛，其中，以應用在個人電腦的標準型記憶體單月漲幅達20%最大，集邦表示，今年下半年全球智慧型手機與伺服器需求強勁，DRAM 產能迅速轉進行動式記憶體與伺服器用記憶體，標準型記憶體因此面臨供需嚴重失衡，成DRAM價格全面起漲契機。集邦預估，本季DRAM合約價漲幅估計可達四成，顯示主要供應大廠仍藉由供給吃緊，企圖拉升售價。
DRAM價格漲勢凌厲，各DRAM模組廠卻不是雨露均霑，而是擁有較多貨源廠商勝出。DRAM模組大廠威剛因在第2季就備妥低價貨源，成為最大贏家。
威剛第3季稅後純益季增逾三倍，達3.53億元，每股稅後純益1.65元。累計今年前三季稅後純益5.61億元，每股純益2.62元，上季獲利大躍進，即拜擁有低價DRAM貨源之賜，預期本季在供應商支持，以及貨源仍充足下，營收和獲利有機會登上今年高點。
反觀創見雖靠工控產品維持業績穩定，但因不賭投機財，手中無低價貨源，加上重壓美元看漲，因無法彌補高額匯損，第3季單季每股純益1.1元，不如第2季的1.77元。
其餘模組廠如宇瞻和廣穎等，也都受DRAM和Flash缺貨影響，無法如期交貨，導致第3季獲利受影響。
宇瞻第3季每股純益0.83元，累計前三季每股純益1.81元，低於公司預期。廣穎第3季每股純益0.26元，低於第2季0.49元；累計前三季每股純益1.41元。
群聯也因把上半年低價貨源提前在第3季實現，使第3季每股純益達7.61元，創單季獲利新高；前三季每股純益17.18元，優於去年同期15.16元。
受到三大DRAM廠持續調整產品組合影響，標準型DRAM第3季以來供不應求且現貨價持續上漲，不僅帶動10月份合約價大幅飆漲20∼25％，缺貨情況看來將延續到明年。
市調機構集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMexchange最新研究顯示，繼第4季4GB DDR3/DDR4模組合約均價較上季大漲3成後，明年第1季將再漲15％。
受惠於DRAM合約價持續上漲，法人看好漲價效益將持續到年底，包括南亞科（2408）、華邦電（2344）、威剛（3260）、創見（2451）等業者將直接受惠外，因為DRAM漲價行情已延燒到利基型DRAM市場，法人亦看好晶豪科（3006）、愛普（6531）、鈺創（5351）等業者第4季營運表現。
10月DRAM合約價出現飆漲行情，主流的4GB DDR3/DDR4模組合約均價由14.5美元漲至17.5美元，單月漲幅20.7％，11月合約價雖仍在協商中，但預期將衝上18∼19美元間。
集邦指出，第3季適逢蘋果iPhone 7與三星Note7二大旗艦機備貨潮，雖然Note 7後來於第4季停產，但第3季的備貨仍有效去化DRAM產能及推升價格上漲，加上筆電搭載高容量8GB DRAM比重持續增加，第4季標準型DRAM合約價季漲幅將逾30％。
展望2017年第1季，受惠於農曆新年備貨需求，及買方普遍認同供貨吃緊仍將持續，標準型4GB DDR3/DDR4模組均價將往20美元邁進，預估季漲幅約15％。其他如伺服器DRAM、行動式與利基型DRAM等產品價格預估也將同步攀升，呈現淡季不淡的格局。
DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，由於DRAM供給端的寡占型態已經成熟，且製程在轉進20奈米後，位元成長有限，包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM廠短期內沒有新增產能的計畫，新製程轉進進度也有放緩的趨勢，預估供貨將持續吃緊。
吳雅婷指出，目前DRAM買賣雙方正陸續議定2017年第1季的DRAM價格，價格走勢確定持續攀升，而合約市場4GB模組價將站上20美元大關，與現貨價格的價差正逐步收斂。
市調機構集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMexchange最新研究顯示，繼第4季4GB DDR3/DDR4模組合約均價較上季大漲3成後，明年第1季將再漲15％。
受惠於DRAM合約價持續上漲，法人看好漲價效益將持續到年底，包括南亞科（2408）、華邦電（2344）、威剛（3260）、創見（2451）等業者將直接受惠外，因為DRAM漲價行情已延燒到利基型DRAM市場，法人亦看好晶豪科（3006）、愛普（6531）、鈺創（5351）等業者第4季營運表現。
10月DRAM合約價出現飆漲行情，主流的4GB DDR3/DDR4模組合約均價由14.5美元漲至17.5美元，單月漲幅20.7％，11月合約價雖仍在協商中，但預期將衝上18∼19美元間。
集邦指出，第3季適逢蘋果iPhone 7與三星Note7二大旗艦機備貨潮，雖然Note 7後來於第4季停產，但第3季的備貨仍有效去化DRAM產能及推升價格上漲，加上筆電搭載高容量8GB DRAM比重持續增加，第4季標準型DRAM合約價季漲幅將逾30％。
展望2017年第1季，受惠於農曆新年備貨需求，及買方普遍認同供貨吃緊仍將持續，標準型4GB DDR3/DDR4模組均價將往20美元邁進，預估季漲幅約15％。其他如伺服器DRAM、行動式與利基型DRAM等產品價格預估也將同步攀升，呈現淡季不淡的格局。
DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，由於DRAM供給端的寡占型態已經成熟，且製程在轉進20奈米後，位元成長有限，包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM廠短期內沒有新增產能的計畫，新製程轉進進度也有放緩的趨勢，預估供貨將持續吃緊。
吳雅婷指出，目前DRAM買賣雙方正陸續議定2017年第1季的DRAM價格，價格走勢確定持續攀升，而合約市場4GB模組價將站上20美元大關，與現貨價格的價差正逐步收斂。
市調機構集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange表示，受惠於全球智慧型手機出貨成長，及記憶體搭載量不斷攀升，第二季開始DRAM原廠逐步降低標準型DRAM的產出，產能移轉至行動式與伺服器DRAM。在供應逐漸吃緊下，第三季開始標準型DRAM價格呈現上漲走勢，同時帶動其他類別DRAM的價格上揚，使得第三季全球DRAM市場總體營收較上季大幅成長約15.8％。
DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，第三季適逢蘋果iPhone 7與三星Note 7等二大旗艦機備貨潮，雖然Note 7後來於第四季停產，但第三季的備貨仍有助記憶體消化產量與帶動價格上揚，標準型DRAM也因出貨比預期更佳，加上筆電搭載高容量8GB記憶體比重持續增加，第四季標準型DRAM合約價季漲幅可望超過30％。
根據集邦統計，第三季全球DRAM市場總營收達105.36億元，較第二季成長15.8％，其中，三星電子受惠於蘋果iPhone 7訂單加持，營收季成長約22.4％達52.86億美元，市占率一舉衝上50.2％穩坐龍頭寶座，第二大廠SK海力士市占率亦達24.8％。由此來看，韓國二大DRAM廠已掌握全球75％市占率。
由技術推進情況來看，三星已在20奈米製程上取得領先，成本為三大DRAM廠中最低，新廠Line 17的18奈米製程也從下半年起開始生產。吳雅婷指出，由於三星目標以獲利為重，對於18奈米是否繼續大規模擴產仍在謹慎規劃中。
在台灣業者部分，南亞科受惠於第三季標準型DRAM價格持續上漲，加上客戶陸續追加訂單，第三季營收較第二季成長16.7％，但隨著新工廠Fab 3A North完工，明年上半年將導入20奈米製程，屆時成本有望進一步降低。
力晶科技DRAM營收大幅下滑31.1％，主因在於其減少第三季標準型DRAM產出，但隨著第四季DRAM價格大漲，力晶DRAM投片又開始恢復之前水準，可預期營收將回復成長。
華邦電子第三季營收小幅成長7.0％，除46奈米比重持續提升外，38奈米製程預估最快於第四季正式少量投片生產，此外，由於利基型DRAM第四季起漲價，亦將反映在第四季的營收表現上。
DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，第三季適逢蘋果iPhone 7與三星Note 7等二大旗艦機備貨潮，雖然Note 7後來於第四季停產，但第三季的備貨仍有助記憶體消化產量與帶動價格上揚，標準型DRAM也因出貨比預期更佳，加上筆電搭載高容量8GB記憶體比重持續增加，第四季標準型DRAM合約價季漲幅可望超過30％。
根據集邦統計，第三季全球DRAM市場總營收達105.36億元，較第二季成長15.8％，其中，三星電子受惠於蘋果iPhone 7訂單加持，營收季成長約22.4％達52.86億美元，市占率一舉衝上50.2％穩坐龍頭寶座，第二大廠SK海力士市占率亦達24.8％。由此來看，韓國二大DRAM廠已掌握全球75％市占率。
由技術推進情況來看，三星已在20奈米製程上取得領先，成本為三大DRAM廠中最低，新廠Line 17的18奈米製程也從下半年起開始生產。吳雅婷指出，由於三星目標以獲利為重，對於18奈米是否繼續大規模擴產仍在謹慎規劃中。
在台灣業者部分，南亞科受惠於第三季標準型DRAM價格持續上漲，加上客戶陸續追加訂單，第三季營收較第二季成長16.7％，但隨著新工廠Fab 3A North完工，明年上半年將導入20奈米製程，屆時成本有望進一步降低。
力晶科技DRAM營收大幅下滑31.1％，主因在於其減少第三季標準型DRAM產出，但隨著第四季DRAM價格大漲，力晶DRAM投片又開始恢復之前水準，可預期營收將回復成長。
華邦電子第三季營收小幅成長7.0％，除46奈米比重持續提升外，38奈米製程預估最快於第四季正式少量投片生產，此外，由於利基型DRAM第四季起漲價，亦將反映在第四季的營收表現上。
集邦科技昨（17）日公布第3季全球DRAM業總營收季增15.8%，本季合約價漲幅大，業者營運持續看俏。法人指出，本季利基型DRAM價格跟著上揚，漲勢明顯，以利基型DRAM為主的南亞科（2408）、華邦等，營運同步吃補。
集邦旗下DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，第3季適逢蘋果iPhone 7與三星Note 7二大旗艦機備貨潮，雖然Note 7後來因爆炸事件決定停產，但第3季手機品牌強勁備貨仍大舉消化記憶體產能，並推升報價，標準型DRAM因出貨比預期更佳，加上筆電搭載高容量大幅提升至8GB，預料使第4季標準型DRAM合約價季漲幅逾30%。
集邦指出，上季三大DRAM廠營收表現，三星依然穩坐龍頭，營收季成長約22.4%，增幅遠超過市占第二的SK海力士，三星的市占率更來到50.2%，SK海力士為24.8%，合計二家韓廠囊括DRAM 75%市占，美光集團仍位居第三。
集邦旗下DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，第3季適逢蘋果iPhone 7與三星Note 7二大旗艦機備貨潮，雖然Note 7後來因爆炸事件決定停產，但第3季手機品牌強勁備貨仍大舉消化記憶體產能，並推升報價，標準型DRAM因出貨比預期更佳，加上筆電搭載高容量大幅提升至8GB，預料使第4季標準型DRAM合約價季漲幅逾30%。
集邦指出，上季三大DRAM廠營收表現，三星依然穩坐龍頭，營收季成長約22.4%，增幅遠超過市占第二的SK海力士，三星的市占率更來到50.2%，SK海力士為24.8%，合計二家韓廠囊括DRAM 75%市占，美光集團仍位居第三。
太陽能矽晶圓及電池報價反彈力道減弱，隨著備貨需求暫告尾聲，集邦預估12月各項報價將轉弱並下滑，讓主要太陽能廠第4季力拚轉盈的希望落空。
各太陽能廠第3季財報已出爐，除少數上游廠維持獲利，太陽能矽晶圓廠包括中美晶（5483）、綠能、達能及電池廠茂迪、新日光、昱晶、益通、元晶等全都虧損，單季虧損金額合計估近百億元。
原本業者預期本季在訂單增溫、產品售價提升及庫存調整結束等因素加持下，力拚本季轉盈。
集邦昨（16）日出具報告表示，因部分年底前併網的太陽能系統需求逐漸完成，讓飆漲一個半月的太陽能上中游太陽能矽晶及電池訂單熱度減弱，預料很快就會下滑，且走弱至明年第1季。
各太陽能廠第3季財報已出爐，除少數上游廠維持獲利，太陽能矽晶圓廠包括中美晶（5483）、綠能、達能及電池廠茂迪、新日光、昱晶、益通、元晶等全都虧損，單季虧損金額合計估近百億元。
原本業者預期本季在訂單增溫、產品售價提升及庫存調整結束等因素加持下，力拚本季轉盈。
集邦昨（16）日出具報告表示，因部分年底前併網的太陽能系統需求逐漸完成，讓飆漲一個半月的太陽能上中游太陽能矽晶及電池訂單熱度減弱，預料很快就會下滑，且走弱至明年第1季。
共和黨候選人川普當選美國總統，集邦科技（TrendForce）和IEK認為對生技業有利，產業仍將延續成長軌道。Trendforce生物科技分析師劉適寧認為，併購熱潮將持續，在精準醫學興起，基因平台大一統逐漸成形下，台灣需挖掘特定疾病領域，結合臨床伴隨式治療找利基。
劉適寧指出，2015年有許多金額龐大的併購案，前十大併購案金額皆超過十億美元，是2007年以來的高峰。從2016年上半年看來，併購案的金額銳減，市場回歸小型併案模式。不過，產業併購力度依舊不減，較小型公司透過買進新技術或合併，仍是營運成長的重要策略。
另外，隨著定序因技術的進步使成本大幅降低，基因專利無效判決更為基因定序產業的發展提供了契機。此外，多國大幅投入精準醫療/基因組計畫刺激基因定序產業的蓬勃發展。近年來次世代定序（NGS）儀器與試劑市場，在美國、中國等經濟大國祭出明確精準醫療/基因組計畫國家之需求推動下，預期2019年之後NGS儀器與試劑需求成長平穩。
劉適寧提醒，由於多國投入精準醫療或人類基因組計畫，儘管將帶動次世代定序（NGS）儀器與試劑、基因檢測服務、診斷應用開發等產業相關業者蓬勃發展，但在基因平台大一統逐漸成形中，台灣要尋求利基，則必須透過最佳演算，挖掘特定疾病，例如找出疾病分型標記、預後基因、影響用藥決策基因或族群差異基因等，以結合臨床解決方案和配合藥物的伴隨式診斷，才可望發揮價值。
劉適寧表示，2015年全球藥品市場規模達1兆美元大關，預估2020年市場規模可達1.5兆美元，2015∼2020年年複合成長率為6.8％。其中，人口成長與經濟力提升使新興國家藥品市場成長力道強勁，而新興市場的藥品需求重心漸從感染疾病移往非感染性疾病。
醫療器材部分，TrendForce預估2020年全球醫材市場規模可達4,845億美元，2015∼2020年年複合成長率為5.3％。在美國健保法案（Patient Protection and Affordable Care Act）施行後，醫材發展逐漸轉往價值導向，更注重切入未滿足醫療需求的核心及降低醫療支出。
雖然川普當選，全球市場忐忑，不過，集邦和IEK都認為，藥廠有藥證廠房認證和品質問題，不是隨便就能搬遷，對產業衝擊較有限，反而是川普沒有要打壓藥價，相對產業發展有利。
劉適寧指出，2015年有許多金額龐大的併購案，前十大併購案金額皆超過十億美元，是2007年以來的高峰。從2016年上半年看來，併購案的金額銳減，市場回歸小型併案模式。不過，產業併購力度依舊不減，較小型公司透過買進新技術或合併，仍是營運成長的重要策略。
另外，隨著定序因技術的進步使成本大幅降低，基因專利無效判決更為基因定序產業的發展提供了契機。此外，多國大幅投入精準醫療/基因組計畫刺激基因定序產業的蓬勃發展。近年來次世代定序（NGS）儀器與試劑市場，在美國、中國等經濟大國祭出明確精準醫療/基因組計畫國家之需求推動下，預期2019年之後NGS儀器與試劑需求成長平穩。
劉適寧提醒，由於多國投入精準醫療或人類基因組計畫，儘管將帶動次世代定序（NGS）儀器與試劑、基因檢測服務、診斷應用開發等產業相關業者蓬勃發展，但在基因平台大一統逐漸成形中，台灣要尋求利基，則必須透過最佳演算，挖掘特定疾病，例如找出疾病分型標記、預後基因、影響用藥決策基因或族群差異基因等，以結合臨床解決方案和配合藥物的伴隨式診斷，才可望發揮價值。
劉適寧表示，2015年全球藥品市場規模達1兆美元大關，預估2020年市場規模可達1.5兆美元，2015∼2020年年複合成長率為6.8％。其中，人口成長與經濟力提升使新興國家藥品市場成長力道強勁，而新興市場的藥品需求重心漸從感染疾病移往非感染性疾病。
醫療器材部分，TrendForce預估2020年全球醫材市場規模可達4,845億美元，2015∼2020年年複合成長率為5.3％。在美國健保法案（Patient Protection and Affordable Care Act）施行後，醫材發展逐漸轉往價值導向，更注重切入未滿足醫療需求的核心及降低醫療支出。
雖然川普當選，全球市場忐忑，不過，集邦和IEK都認為，藥廠有藥證廠房認證和品質問題，不是隨便就能搬遷，對產業衝擊較有限，反而是川普沒有要打壓藥價，相對產業發展有利。
記憶體漲價漲不停！由於三大DRAM廠標準型DRAM占產能比重降至兩成以下，導致10月份DRAM合約價大幅飆漲20∼25％，其中，主流的4GB DDR3／DDR4模組合約均價大漲20.7％至17.5美元，4GB DDR3／DDR4晶片合約價則飆漲25.3％達1.88美元，均創今年來新高價。
法人也看好DRAM價格將續漲至年底，台廠南亞科（2408）、華邦電（2344）、威剛（3260）將直接受惠。
根據集邦科技統計，10月DRAM合約價出現飆漲行情，主流的4GB DDR3／DDR4模組合約均價由14.5美元漲至17.5美元，單月漲幅高達20.7％；4GB DDR3／DDR4晶片合約均價則由1.50美元漲至1.88美元，單月漲幅衝上25.3％。高階規格的8GB DDR4模組合約均價同樣大漲逾20％達35美元，普遍來看，10月標準型DRAM合約價大漲20∼25％，創下今年來新高價外，也是一年來新高價。
不僅DRAM合約價大漲，現貨價也持續走高。4GB DDR3／DDR4原廠顆粒現貨價10月大漲18∼20％，均價已衝上2.50美元左右。由於現貨價及合約價間仍有3成以上的溢價差，因此業界普遍看好DRAM合約價將一路漲到年底，而受到標準型DRAM價格大漲帶動，10月利基型DRAM合約價亦順利調漲3∼6％。
集邦科技旗下記憶體事業處DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，觀察市場面，由於原廠產能陸續轉進Mobile DRAM與伺服器DRAM後，標準型DRAM產能已低於20％以下，加上廠商庫存水位偏低與旺季需求比預期更佳，標準型DRAM出現歷年少見在無工廠意外情況下而價格暴漲的情形，此效應也讓其他的DRAM產品在第4季皆有漲幅。
今年下半年DRAM價格漲勢兇猛，包括三星、SK海力士、美光等三大廠主要產能均已移轉生產Mobile DRAM及伺服器DRAM。由需求面來看，智慧型手機搭載容量拉高至3∼4GB已有效去化Mobile DRAM產能，資料中心建置需求續增亦消化掉伺服器DRAM產能，整體來看，今年底三大廠手中庫存水位可能不到兩周，SK海力士就在日前法說會中指出其年底庫存將低於一周。
由製程上來看，三大廠20奈米製程已提升至產能的7成，但明年並沒有加快18/16奈米微縮計畫，同時也沒有興建新生產線動作。法人認為，明年DRAM市場位元成長率恐低於20％，將是8年來最低的一年，只要需求維持今年水準，明年DRAM市場將是全年供不應求。
受惠於DRAM合約價大漲，模組廠威剛受惠最大，不僅DRAM模組價格持續拉高，還賣到缺貨，上半年備妥的低價庫存將帶來明顯獲利。至於DRAM廠南亞科、華邦電等也受惠於合約價全面上漲，第4季營收可望較第3季明顯成長，將是今年營收及獲利最高的一季。
法人也看好DRAM價格將續漲至年底，台廠南亞科（2408）、華邦電（2344）、威剛（3260）將直接受惠。
根據集邦科技統計，10月DRAM合約價出現飆漲行情，主流的4GB DDR3／DDR4模組合約均價由14.5美元漲至17.5美元，單月漲幅高達20.7％；4GB DDR3／DDR4晶片合約均價則由1.50美元漲至1.88美元，單月漲幅衝上25.3％。高階規格的8GB DDR4模組合約均價同樣大漲逾20％達35美元，普遍來看，10月標準型DRAM合約價大漲20∼25％，創下今年來新高價外，也是一年來新高價。
不僅DRAM合約價大漲，現貨價也持續走高。4GB DDR3／DDR4原廠顆粒現貨價10月大漲18∼20％，均價已衝上2.50美元左右。由於現貨價及合約價間仍有3成以上的溢價差，因此業界普遍看好DRAM合約價將一路漲到年底，而受到標準型DRAM價格大漲帶動，10月利基型DRAM合約價亦順利調漲3∼6％。
集邦科技旗下記憶體事業處DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，觀察市場面，由於原廠產能陸續轉進Mobile DRAM與伺服器DRAM後，標準型DRAM產能已低於20％以下，加上廠商庫存水位偏低與旺季需求比預期更佳，標準型DRAM出現歷年少見在無工廠意外情況下而價格暴漲的情形，此效應也讓其他的DRAM產品在第4季皆有漲幅。
今年下半年DRAM價格漲勢兇猛，包括三星、SK海力士、美光等三大廠主要產能均已移轉生產Mobile DRAM及伺服器DRAM。由需求面來看，智慧型手機搭載容量拉高至3∼4GB已有效去化Mobile DRAM產能，資料中心建置需求續增亦消化掉伺服器DRAM產能，整體來看，今年底三大廠手中庫存水位可能不到兩周，SK海力士就在日前法說會中指出其年底庫存將低於一周。
由製程上來看，三大廠20奈米製程已提升至產能的7成，但明年並沒有加快18/16奈米微縮計畫，同時也沒有興建新生產線動作。法人認為，明年DRAM市場位元成長率恐低於20％，將是8年來最低的一年，只要需求維持今年水準，明年DRAM市場將是全年供不應求。
受惠於DRAM合約價大漲，模組廠威剛受惠最大，不僅DRAM模組價格持續拉高，還賣到缺貨，上半年備妥的低價庫存將帶來明顯獲利。至於DRAM廠南亞科、華邦電等也受惠於合約價全面上漲，第4季營收可望較第3季明顯成長，將是今年營收及獲利最高的一季。
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