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集邦科技(未)公司新聞
集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange指出，DRAM原廠與一線電腦代工大廠敲定了第4季合約價，4GB DDR3／DDR4模組價格合約均價漲至17.5美元，現貨也維持強勁上漲格局，顯見市場對於後市上漲仍將持續保持樂觀的態度。
DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，2016下半年在全球智慧型手機與伺服器需求強勁下，DRAM產能迅速轉進Mobile DRAM以及伺服器DRAM，標準型DRAM因此面臨供需嚴重失衡，成為DRAM價格全面起漲的契機。
同時，三大DRAM廠間關係也發生了微妙的變化，首先是三大廠認同自己現在的競爭態勢，不再為搶攻市占率而非理性擴產，在共榮共存的前提下，也都遵循最大供應商的價格策略，不再削價競爭，以確保自身最大獲利。
在此一情況下，DRAMeXchange預估三大DRAM廠對2017年DRAM資本支出將不會擴大，較今年持平或是下修可能性高，意味軍備競賽暫時落幕。也就是說，以獲利為首要目標，將是DRAM廠一致的共識，2017年產能年成長率也將創下近8年來最低，預估供給位元年成長率低於20％。
值得注意的是，大陸政府近年來已宣示要進軍記憶體產業，去年及今年上半年市場狀況不佳，藉併購與合作方式切入記憶體產業，的確可說是最佳時機點。
不過，韓系廠商都處於獲利階段，與大陸合作意願不高，反觀財務狀況不佳的美光自然是大陸政府的目標。
然而，經由這次韓系DRAM大廠主導的漲價，不光幫助美光擺脫財務窘境，在未來持續獲利的情況下，也無形降低美光與大陸業者合作的意願，畢竟面臨國家代表隊等級的對手，三大DRAM廠不免感到壓力。吳雅婷表示，此波漲價蘊含著三大DRAM原廠的近期目標與長期策略─近期可讓自身維持不錯的獲利結構，長期則可提高大陸進軍記憶體產業的門檻。
DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，2016下半年在全球智慧型手機與伺服器需求強勁下，DRAM產能迅速轉進Mobile DRAM以及伺服器DRAM，標準型DRAM因此面臨供需嚴重失衡，成為DRAM價格全面起漲的契機。
同時，三大DRAM廠間關係也發生了微妙的變化，首先是三大廠認同自己現在的競爭態勢，不再為搶攻市占率而非理性擴產，在共榮共存的前提下，也都遵循最大供應商的價格策略，不再削價競爭，以確保自身最大獲利。
在此一情況下，DRAMeXchange預估三大DRAM廠對2017年DRAM資本支出將不會擴大，較今年持平或是下修可能性高，意味軍備競賽暫時落幕。也就是說，以獲利為首要目標，將是DRAM廠一致的共識，2017年產能年成長率也將創下近8年來最低，預估供給位元年成長率低於20％。
值得注意的是，大陸政府近年來已宣示要進軍記憶體產業，去年及今年上半年市場狀況不佳，藉併購與合作方式切入記憶體產業，的確可說是最佳時機點。
不過，韓系廠商都處於獲利階段，與大陸合作意願不高，反觀財務狀況不佳的美光自然是大陸政府的目標。
然而，經由這次韓系DRAM大廠主導的漲價，不光幫助美光擺脫財務窘境，在未來持續獲利的情況下，也無形降低美光與大陸業者合作的意願，畢竟面臨國家代表隊等級的對手，三大DRAM廠不免感到壓力。吳雅婷表示，此波漲價蘊含著三大DRAM原廠的近期目標與長期策略─近期可讓自身維持不錯的獲利結構，長期則可提高大陸進軍記憶體產業的門檻。
雖然英特爾對第4季電腦市場看法較為保守，但標準型DRAM市場仍是供不應求，4Gb DDR3/DDR4原廠顆粒現貨價持續飆漲，10月以來平均漲幅已達15％左右，第3季以來累計漲幅已達45∼50％。由於三大DRAM廠明年上半年之前並無新增產能開出，業界不僅樂觀看待DRAM價格將續漲到年底，明年第1季前缺貨問題亦難獲得紓解。
標準型DRAM晶片持續飆漲，模組價格漲幅更大，10月以來4GB DDR3/DDR4模組價格漲幅已逾兩成，對威剛（3260）及創見（2451）等模組廠來說，第4季營收及獲利將較第3季大幅成長。而標準型DRAM帶動利基型及伺服器DRAM同步上漲，南亞科（2408）、華邦電（2344）對第4季營運樂觀，產能幾乎已被客戶包下。
包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM廠今年上半年將主要產能移轉生產Mobile DRAM，導致下半年標準型DRAM供不應求，價格也一路飆漲不回頭。
根據集邦科技及模組廠提供報價，8Gb DDR4原廠顆粒現貨均價昨日已漲至4.78美元，10月以來漲幅達10.4％，第3季以來漲幅達31.7％，改寫今年新高價。
主流的4Gb DDR4原廠顆粒現貨均價昨日漲至2.48美元，10月以來漲幅達14.3％，第3季以來漲幅達49.4％。4Gb DDR3原廠顆粒現貨價漲勢同樣強勁，昨日平均報價已達2.42美元，10月以來漲幅達16.3％，第3季以來漲幅達46.7％，兩種規格DRAM價格已創1年多來新高。
下半年個人電腦市場雖然需求仍然平淡，但銷售情況已明顯優於上半年，由於英特爾及超微均推出新一代處理器，ODM/OEM廠及主機板廠手中庫存水位又過低，隨著需求持續回溫，自然帶動DRAM價格走高，其中又以DRAM模組價格漲幅最大，7月初4GB DDR3/DDR4模組價格約介於13∼14美元，但10月以來價格已漲至20美元以上，累計漲幅高達5∼6成。
由供給端來看，雖然三大DRAM廠下半年的20奈米製程良率趨於穩定，不過因為沒有新增產能開出，且在明年中之前，三大DRAM廠也沒有新建生產線可以開出新產能，加上20奈米及更先進的1x/1y奈米的製程進入量產後，對現有產能會造成產能自然減損問題，同一條生產線的投片量至少縮水兩成左右。因此，模組業者普遍認為DRAM供不應求情況將延續到明年第1季，價格也會持續看漲
標準型DRAM晶片持續飆漲，模組價格漲幅更大，10月以來4GB DDR3/DDR4模組價格漲幅已逾兩成，對威剛（3260）及創見（2451）等模組廠來說，第4季營收及獲利將較第3季大幅成長。而標準型DRAM帶動利基型及伺服器DRAM同步上漲，南亞科（2408）、華邦電（2344）對第4季營運樂觀，產能幾乎已被客戶包下。
包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM廠今年上半年將主要產能移轉生產Mobile DRAM，導致下半年標準型DRAM供不應求，價格也一路飆漲不回頭。
根據集邦科技及模組廠提供報價，8Gb DDR4原廠顆粒現貨均價昨日已漲至4.78美元，10月以來漲幅達10.4％，第3季以來漲幅達31.7％，改寫今年新高價。
主流的4Gb DDR4原廠顆粒現貨均價昨日漲至2.48美元，10月以來漲幅達14.3％，第3季以來漲幅達49.4％。4Gb DDR3原廠顆粒現貨價漲勢同樣強勁，昨日平均報價已達2.42美元，10月以來漲幅達16.3％，第3季以來漲幅達46.7％，兩種規格DRAM價格已創1年多來新高。
下半年個人電腦市場雖然需求仍然平淡，但銷售情況已明顯優於上半年，由於英特爾及超微均推出新一代處理器，ODM/OEM廠及主機板廠手中庫存水位又過低，隨著需求持續回溫，自然帶動DRAM價格走高，其中又以DRAM模組價格漲幅最大，7月初4GB DDR3/DDR4模組價格約介於13∼14美元，但10月以來價格已漲至20美元以上，累計漲幅高達5∼6成。
由供給端來看，雖然三大DRAM廠下半年的20奈米製程良率趨於穩定，不過因為沒有新增產能開出，且在明年中之前，三大DRAM廠也沒有新建生產線可以開出新產能，加上20奈米及更先進的1x/1y奈米的製程進入量產後，對現有產能會造成產能自然減損問題，同一條生產線的投片量至少縮水兩成左右。因此，模組業者普遍認為DRAM供不應求情況將延續到明年第1季，價格也會持續看漲
DRAM本季供給缺口浮現，價格漲勢超乎預期。集邦科技昨（3）日上修本季合約價漲幅，由原預估一成擴增到三成，DRAM價格將重登兩年來新高，DRAM族群南亞科（2408）、威剛和宇瞻等營運笑開懷。
集邦昨天公布9月DRAM模組合約均價為14.5美元，比上月上漲7.4%，主因DRAM原廠持續調整產出比重，標準型記憶體因供貨持續吃緊，推升合約價續揚。
集邦旗下DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，近期DRAM現貨顆粒價格漲幅劇烈，9月底DDR3/DDR4 4Gb價格分別來到每顆2.1及2.0美元，各上漲19%與15%，昨天價格更再推升至2.2美元及2.1美元，顯見市場供不應求的態勢持續擴大。
她強調，第3季智慧型手機、筆電正處備貨高峰，再加上行動式記憶體產出擴大至整體產出的四成以上，標準型記憶體產出遭到排擠，僅剩不到二成。
此外，適逢傳統銷售旺季即將來臨，筆電配置8GB記憶體的新款機種數量也在迅速攀升，商務機種最明顯。
吳雅婷指出，第3季PC-OEM客戶已開始對標準型記憶體追價與追量，帶動第4季還有一波更高的漲幅。不僅如此，第4季標準型記憶體需求大增，超過DRAM原廠的預估，供給缺口將加大。吳雅婷預期，個人電腦代工廠為確保料源穩定，將展開搶貨大戰，第4季標準型記憶體價格估計漲幅上看三成；至於儲存型快閃記憶體（NAND Flash）也會缺貨，第4季嵌入式記憶體（eMCP）產品也將上漲10%至15%。
法人預估，第4季DRAM漲勢超乎預期，加上DRAM和NAND Flash雙漲，DRAM製造廠南亞科、華亞科、華邦；模組廠威剛、創見等獲利成長可期。
集邦昨天公布9月DRAM模組合約均價為14.5美元，比上月上漲7.4%，主因DRAM原廠持續調整產出比重，標準型記憶體因供貨持續吃緊，推升合約價續揚。
集邦旗下DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，近期DRAM現貨顆粒價格漲幅劇烈，9月底DDR3/DDR4 4Gb價格分別來到每顆2.1及2.0美元，各上漲19%與15%，昨天價格更再推升至2.2美元及2.1美元，顯見市場供不應求的態勢持續擴大。
她強調，第3季智慧型手機、筆電正處備貨高峰，再加上行動式記憶體產出擴大至整體產出的四成以上，標準型記憶體產出遭到排擠，僅剩不到二成。
此外，適逢傳統銷售旺季即將來臨，筆電配置8GB記憶體的新款機種數量也在迅速攀升，商務機種最明顯。
吳雅婷指出，第3季PC-OEM客戶已開始對標準型記憶體追價與追量，帶動第4季還有一波更高的漲幅。不僅如此，第4季標準型記憶體需求大增，超過DRAM原廠的預估，供給缺口將加大。吳雅婷預期，個人電腦代工廠為確保料源穩定，將展開搶貨大戰，第4季標準型記憶體價格估計漲幅上看三成；至於儲存型快閃記憶體（NAND Flash）也會缺貨，第4季嵌入式記憶體（eMCP）產品也將上漲10%至15%。
法人預估，第4季DRAM漲勢超乎預期，加上DRAM和NAND Flash雙漲，DRAM製造廠南亞科、華亞科、華邦；模組廠威剛、創見等獲利成長可期。
市調機構集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange表示，隨著DRAM原廠持續調整產出比重，標準型DRAM在供貨持續吃緊下，9月合約價維持強勁的漲勢，4GB DDR3／DDR4均價已來到14.5美元，較8月明顯上漲7.4％。在全球筆電需求出乎意料大增的情況下，預估第4季的合約價將較第3季大漲約3成，創下兩年來的新高點。
全球筆電需求出乎意料的大增，集邦也預估第4季的合約價將大漲。以第3季4GB DDR3／DDR4模組合約均價約13.75美元來看，第4季合約均價將上看17.5∼18美元。法人表示，標準型DRAM漲價已帶動伺服器及利基型DRAM跟漲，包括南亞科（2408）、華亞科（3474）、華邦電（2344）、威剛（3260）、創見（2451）等業者下半年獲利成長幅度不容小覷。
DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，DRAM現貨顆粒價格漲幅更劇烈，顯見市場供不應求的態勢持續擴大。據集邦統計，高階8Gb DDR4原廠顆粒現貨昨（3）日已漲至4.35美元，9月以來漲幅達16.9％；4Gb DDR4原廠顆粒現貨價續漲至2.19美元，9月以來漲幅達19.7％；4Gb DDR3原廠顆粒現貨價亦漲至2.1美元，9月以來漲幅高達23.5％。
從供需狀況來看，第3季智慧型手機、筆電生產鏈正處備貨高峰，再加上Mobile DRAM產出擴大至整體產出的4成以上，使得標準型DRAM產出遭到排擠，至目前僅剩不到兩成。此外，適逢傳統銷售旺季即將來臨，筆電配置8GB DDR3／DDR4的新款機種數量也在迅速攀升中，尤以商務機種最為明顯。
吳雅婷指出，第3季PC OEM客戶已開始對標準型DRAM追價與追量，帶動第4季還有一波更高的漲幅，不僅如此，第4季標準型DRAM需求大增，超過DRAM原廠的預估，使得供需失衡的狀況更是雪上加霜。
包括三星、SK海力士、美光等三大廠的原廠標準型DRAM供貨吃緊，9月PC OEM廠已積極議定第4季度的價格。吳雅婷表示，第4季DRAM合約價大戰提前開打，主因在於標準型DRAM產能轉進Mobile DRAM與伺服器DRAM的速度過快，加上部分廠商的20奈米或21奈米良率提升不如預期，恐難滿足原先預估的需求，因此引起PC OEM廠的恐慌而加量搶貨，並亟欲提高現有庫存水位，來穩定自身的DRAM需求。
全球筆電需求出乎意料的大增，集邦也預估第4季的合約價將大漲。以第3季4GB DDR3／DDR4模組合約均價約13.75美元來看，第4季合約均價將上看17.5∼18美元。法人表示，標準型DRAM漲價已帶動伺服器及利基型DRAM跟漲，包括南亞科（2408）、華亞科（3474）、華邦電（2344）、威剛（3260）、創見（2451）等業者下半年獲利成長幅度不容小覷。
DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，DRAM現貨顆粒價格漲幅更劇烈，顯見市場供不應求的態勢持續擴大。據集邦統計，高階8Gb DDR4原廠顆粒現貨昨（3）日已漲至4.35美元，9月以來漲幅達16.9％；4Gb DDR4原廠顆粒現貨價續漲至2.19美元，9月以來漲幅達19.7％；4Gb DDR3原廠顆粒現貨價亦漲至2.1美元，9月以來漲幅高達23.5％。
從供需狀況來看，第3季智慧型手機、筆電生產鏈正處備貨高峰，再加上Mobile DRAM產出擴大至整體產出的4成以上，使得標準型DRAM產出遭到排擠，至目前僅剩不到兩成。此外，適逢傳統銷售旺季即將來臨，筆電配置8GB DDR3／DDR4的新款機種數量也在迅速攀升中，尤以商務機種最為明顯。
吳雅婷指出，第3季PC OEM客戶已開始對標準型DRAM追價與追量，帶動第4季還有一波更高的漲幅，不僅如此，第4季標準型DRAM需求大增，超過DRAM原廠的預估，使得供需失衡的狀況更是雪上加霜。
包括三星、SK海力士、美光等三大廠的原廠標準型DRAM供貨吃緊，9月PC OEM廠已積極議定第4季度的價格。吳雅婷表示，第4季DRAM合約價大戰提前開打，主因在於標準型DRAM產能轉進Mobile DRAM與伺服器DRAM的速度過快，加上部分廠商的20奈米或21奈米良率提升不如預期，恐難滿足原先預估的需求，因此引起PC OEM廠的恐慌而加量搶貨，並亟欲提高現有庫存水位，來穩定自身的DRAM需求。
大陸國家核電、中國廣核集團，以及中國核工等公司提出未來十年將在大陸興建60座核能發電廠，對近年積極獎勵的分散式太陽能電站將是當頭棒喝，是否會排擠大陸太陽能產業發展，值得注意。
科技專業調研機構集邦科技則不看好明年太陽能產業發展，預估明年市場供過於求的狀況會更嚴重，明年全球太陽能產業將首次出現停滯成長。
集邦旗下的EnergyTrend表示，今年下半年全球太陽能市場需求大幅減少，主因全球最大市場大陸經過上半年的搶裝潮之後，下半年需求量提前拉完，造成下半年全球市場表現疲弱。
EnergyTrend指出，雖然印度市場逐年成長，南美洲、中東等新興市場也漸形成規模，但明年將是令人感到失落的一年。受美、日市場衰退，大陸僅維持穩定安裝量影響，明年全球太陽能市場將首次出現停滯成長。
EnergyTrend預估，明年全球太陽能需求量從今年的63.4GW（10 億瓦），微增至63.7GW，但供給卻持續擴張。尤其供應鏈中游的太陽能電池，明年產能將比今年多13至15GW，嚴重供過於求的情景將再浮現。
法人表示，台灣太陽能電池廠包括茂迪、昱晶、新日光、昇陽科、益通等，上季營收普遍呈現逐月下滑，且各項電池報價都處於虧損，不利第3季財報表現。
科技專業調研機構集邦科技則不看好明年太陽能產業發展，預估明年市場供過於求的狀況會更嚴重，明年全球太陽能產業將首次出現停滯成長。
集邦旗下的EnergyTrend表示，今年下半年全球太陽能市場需求大幅減少，主因全球最大市場大陸經過上半年的搶裝潮之後，下半年需求量提前拉完，造成下半年全球市場表現疲弱。
EnergyTrend指出，雖然印度市場逐年成長，南美洲、中東等新興市場也漸形成規模，但明年將是令人感到失落的一年。受美、日市場衰退，大陸僅維持穩定安裝量影響，明年全球太陽能市場將首次出現停滯成長。
EnergyTrend預估，明年全球太陽能需求量從今年的63.4GW（10 億瓦），微增至63.7GW，但供給卻持續擴張。尤其供應鏈中游的太陽能電池，明年產能將比今年多13至15GW，嚴重供過於求的情景將再浮現。
法人表示，台灣太陽能電池廠包括茂迪、昱晶、新日光、昇陽科、益通等，上季營收普遍呈現逐月下滑，且各項電池報價都處於虧損，不利第3季財報表現。
包括三星、SK海力士、美光等3大DRAM廠9月嚴控出貨，但ODM/OEM廠進入出貨旺季積極回補庫存水位，推升DRAM現貨價出現近3年難得一見的飆漲行情。主流4Gb DDR3/DDR4原廠顆粒現貨均價在9月底均成功站上2美元關卡，並創下今年來新高，南亞科、華邦電、威剛等業者9月營收將見明顯成長，第3季獲利也將大幅跳升。
根據集邦科技報價，4Gb DDR4原廠顆粒現貨均價9月底以2.17美元作收，9月以來漲幅高達18.6％，第3季累計漲幅達26.9％。4Gb DDR3原廠顆粒現貨均價在9月底衝上2.08美元，9月以來漲幅衝上22.4％，第3季以來累計漲幅亦達26.1％。由此來看，DRAM現貨在9月出現難得一見的飆漲走勢。
南亞科總經理李培瑛表示，第2季DRAM價格跌幅過深，第3季才會出現明顯漲幅，目前客戶端及通路端的庫存水位都不高，因此DRAM價格仍看漲，符合先前對下半年DRAM市況及價格均優於上半年的預期。
由供給面來看，3大DRAM廠第2季將主要產能移撥生產智慧型手機Mobile DRAM，導致第3季以來標準型DRAM市場供給量逐月下降，而且下半年來自大陸的資料中心需求增溫，標準型DRAM產能又被移撥生產伺服器DRAM，因此，3大DRAM廠9月開始嚴控出貨，並透露第4季仍無法滿足市場需求，於是引爆DRAM價格大漲行情。
由需求面來看，除了伺服器DRAM需求明顯進入旺季外，下半年筆電市場銷售仍有旺季應有表現，如第3季北美地區筆電需求增溫，惠普與戴爾出貨季成長皆超過8％，造成標準型DRAM供應緊俏。
集邦科技指出，在原廠仍維持轉進高毛利的Mobile DRAM策略下，預估第4季標準型DRAM價格將持續上漲，季對季的價格漲幅將上看15％，DRAM廠整體獲利結構逐步攀升，DRAM市場未來1年都將維持健康的供需狀態。
根據集邦科技報價，4Gb DDR4原廠顆粒現貨均價9月底以2.17美元作收，9月以來漲幅高達18.6％，第3季累計漲幅達26.9％。4Gb DDR3原廠顆粒現貨均價在9月底衝上2.08美元，9月以來漲幅衝上22.4％，第3季以來累計漲幅亦達26.1％。由此來看，DRAM現貨在9月出現難得一見的飆漲走勢。
南亞科總經理李培瑛表示，第2季DRAM價格跌幅過深，第3季才會出現明顯漲幅，目前客戶端及通路端的庫存水位都不高，因此DRAM價格仍看漲，符合先前對下半年DRAM市況及價格均優於上半年的預期。
由供給面來看，3大DRAM廠第2季將主要產能移撥生產智慧型手機Mobile DRAM，導致第3季以來標準型DRAM市場供給量逐月下降，而且下半年來自大陸的資料中心需求增溫，標準型DRAM產能又被移撥生產伺服器DRAM，因此，3大DRAM廠9月開始嚴控出貨，並透露第4季仍無法滿足市場需求，於是引爆DRAM價格大漲行情。
由需求面來看，除了伺服器DRAM需求明顯進入旺季外，下半年筆電市場銷售仍有旺季應有表現，如第3季北美地區筆電需求增溫，惠普與戴爾出貨季成長皆超過8％，造成標準型DRAM供應緊俏。
集邦科技指出，在原廠仍維持轉進高毛利的Mobile DRAM策略下，預估第4季標準型DRAM價格將持續上漲，季對季的價格漲幅將上看15％，DRAM廠整體獲利結構逐步攀升，DRAM市場未來1年都將維持健康的供需狀態。
在標準型DRAM價格持續調漲下，x16規格利基型DRAM價格也在9月下旬出現飆漲行情，短短不到一周時間漲幅高達1成，對於主攻利基型DRAM市場的南亞科（2408）、華邦電（2344）、晶豪科（3006）等業者來說，第三季獲利將見大幅跳升。
由於第四季DRAM市場仍供不應求，價格持續看漲，業者喜迎旺季到來，營收及獲利可望持續攀高。
DRAM市場供給吃緊情況有惡化跡象。由於三星、SK海力士、美光等三大DRAM廠將多數產能移轉生產Mobile DRAM之後，標準型DRAM及利基型DRAM供給缺口持續放大。由於第三季進入PC及消費性電子傳統旺季，因此，韓系DRAM廠開始嚴格控管出貨量，除了推升標準型DRAM價格持續上漲，利基型DRAM更因缺貨嚴重，價格在本周出現飆升情況。
根據集邦科技報價，4Gb DDR4標準型x8規格DRAM現貨均價已經漲至2.1美元價格，4Gb DDR3標準型DRAM現貨均價也在昨日站上2美元關卡。在利基型DRAM部份，x16規格的4Gb DDR3現貨價昨日漲幅最大達2.33％，平均價格來到1.931美元，幾乎已經來到今年新高，低容量的x16規格2Gb DDR3現貨價亦來到1.107美元價位，價格已是去年10月以來新高。
由於國內DRAM廠南亞科、華邦電、晶豪科等早已淡出標準型DRAM市場，並轉型鎖定在利基型DRAM市場，因此第三季以來標準型DRAM價格持續走高，DRAM廠受惠情況不如模組廠來的好。不過，現在標準型DRAM漲幅趨緩，利基型DRAM因大陸系統廠開始擴大拉貨，導致現貨價出現強勁飆漲行情，對南亞科、晶豪科等業者來說就十分有利。
法人表示，利基型DRAM價格出現飆漲走勢，需求明顯大於供給，價格可望在近期站上2美元，南亞科、華邦電、晶豪科等業者9月營收可望出現明顯成長。由於DRAM單位製造成本下半年隨著製程微縮而下降，DRAM業者第三季獲利將見到明顯跳升，第四季營運持續樂觀。
由於第四季DRAM市場仍供不應求，價格持續看漲，業者喜迎旺季到來，營收及獲利可望持續攀高。
DRAM市場供給吃緊情況有惡化跡象。由於三星、SK海力士、美光等三大DRAM廠將多數產能移轉生產Mobile DRAM之後，標準型DRAM及利基型DRAM供給缺口持續放大。由於第三季進入PC及消費性電子傳統旺季，因此，韓系DRAM廠開始嚴格控管出貨量，除了推升標準型DRAM價格持續上漲，利基型DRAM更因缺貨嚴重，價格在本周出現飆升情況。
根據集邦科技報價，4Gb DDR4標準型x8規格DRAM現貨均價已經漲至2.1美元價格，4Gb DDR3標準型DRAM現貨均價也在昨日站上2美元關卡。在利基型DRAM部份，x16規格的4Gb DDR3現貨價昨日漲幅最大達2.33％，平均價格來到1.931美元，幾乎已經來到今年新高，低容量的x16規格2Gb DDR3現貨價亦來到1.107美元價位，價格已是去年10月以來新高。
由於國內DRAM廠南亞科、華邦電、晶豪科等早已淡出標準型DRAM市場，並轉型鎖定在利基型DRAM市場，因此第三季以來標準型DRAM價格持續走高，DRAM廠受惠情況不如模組廠來的好。不過，現在標準型DRAM漲幅趨緩，利基型DRAM因大陸系統廠開始擴大拉貨，導致現貨價出現強勁飆漲行情，對南亞科、晶豪科等業者來說就十分有利。
法人表示，利基型DRAM價格出現飆漲走勢，需求明顯大於供給，價格可望在近期站上2美元，南亞科、華邦電、晶豪科等業者9月營收可望出現明顯成長。由於DRAM單位製造成本下半年隨著製程微縮而下降，DRAM業者第三季獲利將見到明顯跳升，第四季營運持續樂觀。
受到三星、SK海力士、美光等三大DRAM廠產品線調整影響，加上製程轉進20奈米後導致產能出現自然減損情況，第3季以來DRAM市場已是供不應求，而且9月以來缺貨問題日益嚴重，價格幾乎天天上漲，累計漲幅已逾1成幅度。由於短期內並無DRAM新產能開出，缺貨情況將持續到第4季，擁有低價庫存的模組廠威剛（3260）受惠最大，獲利亦是水漲船高。
DRAM市場缺貨問題已浮上檯面，而且短期內難獲紓解。由供給面來看，下半年進入智慧型手機零組件備貨旺季，不僅Android陣營高階手機DRAM搭載容量已提升至3∼4GB，蘋果大尺寸iPhone 7 Plus搭載容量提升5成至3GB，導致三大DRAM廠將產能大量移轉至生產Mobile DRAM。
其中，三星Galaxy Note 7出現電池爆炸事件而進行全面回收，三星已經重新生產新機以利消費者換機，等於用掉了原本Mobile DRAM需求量的2倍，這讓三星無多餘產能轉回生產標準型DRAM。同時，三大DRAM廠今年開始跨入20奈米世代，產能自然減損情況已導致近期的投片量明顯低於上一世代30奈米製程。
模組廠普遍認為DRAM缺貨問題將延續到第4季，看好價格將一路漲到11月。
據集邦科技及模組廠提供報價，8Gb DDR4現貨均價昨日大漲1.86％達4.10美元，9月來漲幅已達10.22％；4Gb DDR4現貨均價亦漲至1.99美元，9月以來漲幅達8.74％。至於4Gb DDR3現貨均價則漲到1.88美元，9月以來漲幅亦高達10.59％。
隨著DRAM價格持續走高，不僅南亞科、華亞科、華邦電等DRAM廠直接受惠，記憶體模組廠如創見、威剛等更是獲利大躍進。其中，DRAM營收占比較高的威剛將是最大受惠者，第3季營運績效已回到相當於產業多頭時的高水準。
威剛表示，新款智慧型手機陸續倍數提升記憶體容量，推升Mobile DRAM需求大增，標準型DRAM產出受到產能排擠效應影響，供貨吃緊狀態未見紓解。預期DRAM價格漲勢將延續至第4季，威剛在庫存充足且供貨無虞的後盾下，本業獲利表現可望於下半年繳出亮眼成績單。
DRAM市場缺貨問題已浮上檯面，而且短期內難獲紓解。由供給面來看，下半年進入智慧型手機零組件備貨旺季，不僅Android陣營高階手機DRAM搭載容量已提升至3∼4GB，蘋果大尺寸iPhone 7 Plus搭載容量提升5成至3GB，導致三大DRAM廠將產能大量移轉至生產Mobile DRAM。
其中，三星Galaxy Note 7出現電池爆炸事件而進行全面回收，三星已經重新生產新機以利消費者換機，等於用掉了原本Mobile DRAM需求量的2倍，這讓三星無多餘產能轉回生產標準型DRAM。同時，三大DRAM廠今年開始跨入20奈米世代，產能自然減損情況已導致近期的投片量明顯低於上一世代30奈米製程。
模組廠普遍認為DRAM缺貨問題將延續到第4季，看好價格將一路漲到11月。
據集邦科技及模組廠提供報價，8Gb DDR4現貨均價昨日大漲1.86％達4.10美元，9月來漲幅已達10.22％；4Gb DDR4現貨均價亦漲至1.99美元，9月以來漲幅達8.74％。至於4Gb DDR3現貨均價則漲到1.88美元，9月以來漲幅亦高達10.59％。
隨著DRAM價格持續走高，不僅南亞科、華亞科、華邦電等DRAM廠直接受惠，記憶體模組廠如創見、威剛等更是獲利大躍進。其中，DRAM營收占比較高的威剛將是最大受惠者，第3季營運績效已回到相當於產業多頭時的高水準。
威剛表示，新款智慧型手機陸續倍數提升記憶體容量，推升Mobile DRAM需求大增，標準型DRAM產出受到產能排擠效應影響，供貨吃緊狀態未見紓解。預期DRAM價格漲勢將延續至第4季，威剛在庫存充足且供貨無虞的後盾下，本業獲利表現可望於下半年繳出亮眼成績單。
全球記憶體龍頭三星主導漲DRAM價策略奏效，集邦科技昨（21）日晚間最新DRAM現貨價強漲1.6%至2.3%，是近期單日最大漲幅，累計近一周已漲近5%，南亞科（2408）、華邦、威剛及宇瞻等概念股樂透。
記憶體通路商表示，三星和SK海力士近期主導價格漲勢態度積極，除8月調漲DRAM報價，第4季合約價也再漲一成，連同第3季合約價調漲15%，等於下半年漲幅約25%。
三星、SK海力士全球DRAM市占合計逾八成，兩大廠漲價策略奏效，激勵現貨報價連二周走揚。通路商分析，三星企圖藉由拉升DRAM報價、提升記憶體事業獲利，以彌補因Note 7發生電池燃燒意外、需要大舉召回造成的損失。
此外，包括手機、筆電廠在第3季末競推新產品，尤其蘋果iPhone 7╱7 Plus新機，幾乎包下三星多數產能，讓三星順勢調提DRAM售價。
集邦科技昨天晚間最新DRAM報價，主流DDR4 4Gb晶片單日最高價攀上每顆2.35美元，均價為1.96美元，單日漲幅1.6%；DDR4 8Gb晶片單日漲幅更達2.3%，均價站上4美元、達4.01美元。隨著漲勢延續，業界預料，DDR4 4Gb晶片均價很快可站穩2美元之上。
至於應用於其他工控、網通及消費產品的DDR3 2Gb及4Gb晶片，也因主要大廠將產能轉向行動式和伺服器用DRAM，漲勢比DDR3提早發動，昨天也同步上漲2.1%。
記憶體通路商表示，三星和SK海力士近期主導價格漲勢態度積極，除8月調漲DRAM報價，第4季合約價也再漲一成，連同第3季合約價調漲15%，等於下半年漲幅約25%。
三星、SK海力士全球DRAM市占合計逾八成，兩大廠漲價策略奏效，激勵現貨報價連二周走揚。通路商分析，三星企圖藉由拉升DRAM報價、提升記憶體事業獲利，以彌補因Note 7發生電池燃燒意外、需要大舉召回造成的損失。
此外，包括手機、筆電廠在第3季末競推新產品，尤其蘋果iPhone 7╱7 Plus新機，幾乎包下三星多數產能，讓三星順勢調提DRAM售價。
集邦科技昨天晚間最新DRAM報價，主流DDR4 4Gb晶片單日最高價攀上每顆2.35美元，均價為1.96美元，單日漲幅1.6%；DDR4 8Gb晶片單日漲幅更達2.3%，均價站上4美元、達4.01美元。隨著漲勢延續，業界預料，DDR4 4Gb晶片均價很快可站穩2美元之上。
至於應用於其他工控、網通及消費產品的DDR3 2Gb及4Gb晶片，也因主要大廠將產能轉向行動式和伺服器用DRAM，漲勢比DDR3提早發動，昨天也同步上漲2.1%。
蘋果新機上市，加大DRAM、NAND Flash價格漲勢，加上第4季將進入感恩節、雙11及耶誕節三大旺季需求潮，記憶體模組廠創見（2451）、威剛、宇瞻和廣穎等，樂觀第4季營運，多數廠商營收及獲利都可望寫下今年新高。
法人指出，蘋果、三星、大陸華為、OPPO、vivo等手機廠都相繼在第3季末積極備庫存，不僅讓NAND Flash供貨短缺，連盤跌已久的DRAM價格也明顯回升。
近期市場預期DRAM和NAND Flash供應會更吃緊，備貨需求快速升溫，從集邦科技近二周報價DRAM漲幅逾5%，可一窺端倪。目前業界已對下季DRAM合約價調漲一成形成共識，NAND Flash漲勢也可維持到年底。
法人指出，蘋果、三星、大陸華為、OPPO、vivo等手機廠都相繼在第3季末積極備庫存，不僅讓NAND Flash供貨短缺，連盤跌已久的DRAM價格也明顯回升。
近期市場預期DRAM和NAND Flash供應會更吃緊，備貨需求快速升溫，從集邦科技近二周報價DRAM漲幅逾5%，可一窺端倪。目前業界已對下季DRAM合約價調漲一成形成共識，NAND Flash漲勢也可維持到年底。
太陽能價格持續探底，在各廠商冀望第4季撥雲見日之際，集邦科技昨（19）日提出最新研究報告，明年太陽能供需失衡會更嚴重，明年太陽能產業將是首次出現停滯成長。
中國大陸國家核電及中國廣核集團和中國核工等公司提出未來十年將興建60座核能發電廠，對近幾年積極獎勵的分散式太陽能電站是當頭棒喝，是否會遭到嚴重排擠，值得注意。
集邦旗下的EnergyTrend表示，太陽能產業下半年因需求急凍，導致價格快速崩落，屢創新低，包括矽晶圓與電池片9月報價仍持續探底。
根據目前的價格，太陽能上下供應鏈中多數廠商都處於負毛利，EnergyTrend形容下半年需求已快速進入寒冬。
EnergyTrend表示，太陽能市場需求在下半年大幅減少，主因全球最大太陽能需求大陸市場經過上半年的搶裝後，下半年需求已提前拉完，造成下半年全球市場表現疲弱。
EnergyTrend指出，雖然目前印度市場逐年成長，南美洲、中東等新興市場也漸形成規模，但明年將是令人感到失落的一年。受美日市場衰退，大陸僅維持穩定安裝量，明年全球太陽能市場將首次出現停滯成長。
EnergyTrend預估，明年全球太陽能需求量從今年的63.4GW（10億瓦），微增至63.7GW，但供給卻持續擴張。以供應鏈中段的太陽能電池為例，明年產能將比今年多出13至15GW，預料嚴重供過於求情景將再浮現。
EnergyTrend預估，明年太陽能從上游多晶矽到下游太陽能模組，供過於求比率將達18%至35%，且產能持續擴張至2018年，供過於求短期很難紓解。
大陸核能電廠發展計畫是由國家核電公司、中國廣核集團及中國核工業集團等三家核能發電業負責，每家業者每年將新建二座核子反應爐。計劃未來五年先建30座核子反應爐，日後還會蓋更多。首波六座核子反應爐中，中國核工業集團在浙江三門建二座、國家核電公司在山東海陽建二座、中國廣核集團在廣東陸豐建二座。
中國大陸國家核電及中國廣核集團和中國核工等公司提出未來十年將興建60座核能發電廠，對近幾年積極獎勵的分散式太陽能電站是當頭棒喝，是否會遭到嚴重排擠，值得注意。
集邦旗下的EnergyTrend表示，太陽能產業下半年因需求急凍，導致價格快速崩落，屢創新低，包括矽晶圓與電池片9月報價仍持續探底。
根據目前的價格，太陽能上下供應鏈中多數廠商都處於負毛利，EnergyTrend形容下半年需求已快速進入寒冬。
EnergyTrend表示，太陽能市場需求在下半年大幅減少，主因全球最大太陽能需求大陸市場經過上半年的搶裝後，下半年需求已提前拉完，造成下半年全球市場表現疲弱。
EnergyTrend指出，雖然目前印度市場逐年成長，南美洲、中東等新興市場也漸形成規模，但明年將是令人感到失落的一年。受美日市場衰退，大陸僅維持穩定安裝量，明年全球太陽能市場將首次出現停滯成長。
EnergyTrend預估，明年全球太陽能需求量從今年的63.4GW（10億瓦），微增至63.7GW，但供給卻持續擴張。以供應鏈中段的太陽能電池為例，明年產能將比今年多出13至15GW，預料嚴重供過於求情景將再浮現。
EnergyTrend預估，明年太陽能從上游多晶矽到下游太陽能模組，供過於求比率將達18%至35%，且產能持續擴張至2018年，供過於求短期很難紓解。
大陸核能電廠發展計畫是由國家核電公司、中國廣核集團及中國核工業集團等三家核能發電業負責，每家業者每年將新建二座核子反應爐。計劃未來五年先建30座核子反應爐，日後還會蓋更多。首波六座核子反應爐中，中國核工業集團在浙江三門建二座、國家核電公司在山東海陽建二座、中國廣核集團在廣東陸豐建二座。
英特爾上周末宣布調升第3季財測預估，大喊已經見到PC市場需求好轉，讓DRAM市場需求同步轉旺。事實上，標準型DRAM現貨價近半個月來呈現緩漲走勢，4Gb DDR3原廠顆粒現貨價來到1.79美元，飆上逾半年來新高。
由於DRAM現貨價及合約價持續看漲，法人看好南亞科（2408）、華邦電（2344）、威剛（3260）第3季營運轉旺，第4季營收及獲利可望來到今年高點。
南亞科8月合併營收達34.56億元，華邦電8月合併營收達35.74億元，均呈現連續3個月穩定成長趨勢。在DRAM價格持續走高下，法人看好南亞科第3季營收將重回百億元以上，單季獲利將較第2季跳增數倍；華邦電第3季營收則有機會改寫近10年來新高，繼續穩居台灣最賺錢DRAM廠寶座；模組廠威剛則因擁有低價庫存，第3、4季獲利可望衝高。
下半年是智慧型手機零組件備貨旺季，由於蘋果iPhone 7 Plus搭載LPDDR4容量提升5成達3GB，Android陣營高階手機搭載LPDDR4容量也提升至3∼4GB以上，因此，包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM廠，第2季開始大幅調升行動式Mobile DRAM與伺服器DRAM的產出，並調降標準型DRAM出貨。
隨著DRAM市場產品組合改變，第3季以來標準型DRAM市場供貨吃緊，原本市場對下半年PC市場看法保守，認為這波DRAM價格上漲走勢頂多到9月就會結束，但沒想到PC生產鏈庫存去化情況優於預期，英特爾新一代Kaby Lake平台出貨轉強，加上高階及電競PC銷售動能強勁，推升標準型DRAM價格一路走高。
根據集邦科技及模組廠報價，4Gb DDR3原廠顆粒現貨價在中秋長假前已上漲至1.79美元，創下3月初以來新高，等於飆上了逾半年高點。由於標準型DRAM現貨價漲不停，8月底合約價已漲到1.38美元，9月及第4季仍然持續看漲，連伺服器DRAM及利基型DRAM價格也同步被帶動出現明顯漲幅。
由於DRAM現貨價及合約價持續看漲，法人看好南亞科（2408）、華邦電（2344）、威剛（3260）第3季營運轉旺，第4季營收及獲利可望來到今年高點。
南亞科8月合併營收達34.56億元，華邦電8月合併營收達35.74億元，均呈現連續3個月穩定成長趨勢。在DRAM價格持續走高下，法人看好南亞科第3季營收將重回百億元以上，單季獲利將較第2季跳增數倍；華邦電第3季營收則有機會改寫近10年來新高，繼續穩居台灣最賺錢DRAM廠寶座；模組廠威剛則因擁有低價庫存，第3、4季獲利可望衝高。
下半年是智慧型手機零組件備貨旺季，由於蘋果iPhone 7 Plus搭載LPDDR4容量提升5成達3GB，Android陣營高階手機搭載LPDDR4容量也提升至3∼4GB以上，因此，包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM廠，第2季開始大幅調升行動式Mobile DRAM與伺服器DRAM的產出，並調降標準型DRAM出貨。
隨著DRAM市場產品組合改變，第3季以來標準型DRAM市場供貨吃緊，原本市場對下半年PC市場看法保守，認為這波DRAM價格上漲走勢頂多到9月就會結束，但沒想到PC生產鏈庫存去化情況優於預期，英特爾新一代Kaby Lake平台出貨轉強，加上高階及電競PC銷售動能強勁，推升標準型DRAM價格一路走高。
根據集邦科技及模組廠報價，4Gb DDR3原廠顆粒現貨價在中秋長假前已上漲至1.79美元，創下3月初以來新高，等於飆上了逾半年高點。由於標準型DRAM現貨價漲不停，8月底合約價已漲到1.38美元，9月及第4季仍然持續看漲，連伺服器DRAM及利基型DRAM價格也同步被帶動出現明顯漲幅。
受到第三季進入旺季需求帶動，記憶體、面板等關鍵零組件皆終止長期價格頹勢，集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange表示，記憶體在筆電需求回溫、智慧型手機延續強勁成長態勢、與伺服器需求增溫帶動下，DRAM與NAND Flash第四季價格預計將同步上揚，特別是DRAM合約價第四季估將再漲逾一成。
由於今年中國品牌智慧型手機表現超乎預期，伺服器出貨也受惠於中國數據中心需求增溫，下半年台系伺服器代工廠訂單與較上半年平均成長近兩成，促使DRAM原廠自第二季開始大幅調升行動式Mobile DRAM與伺服器DRAM的產出，並調降標準型DRAM出貨。
DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，今年第四季Mobile DRAM出貨比重將逼近45％，伺服器DRAM出貨比重突破25％，標準型DRAM則僅剩不到20％。
然而，從筆電的市況來看，第三季北美地區筆電需求增溫，如惠普與戴爾出貨季成長皆超過8％，造成標準型DRAM供不應求，4GB DDR3/DDR4模組合約均價終於止跌回穩並站上13.5美元。在原廠仍維持轉進毛利高的Mobile DRAM的策略下，DRAMeXchange預估，第四季標準型DRAM價格將持續上漲，4GB DDR3/DDR4模組合約價將上看15美元，季漲幅（季均價對季均價）將達15％，整體獲利結構逐步攀升，DRAM市場未來一年都將維持健康供需狀態。
Mobile DRAM則持續受惠中國智慧型手機拉貨需求，及新一代iPhone備貨將在第四季達高峰，目前已有部分中國大廠與主要DRAM供應商訂定的第四季合約漲價超過一成，預期第四季Mobile DRAM漲幅也將相當可觀。
在NAND Flash部分，第三季蘋果與中國系統大廠華為、Vivo、OPPO等拉貨動能優於預期，對整體2D NAND Flash產能消耗十分龐大，尤在NAND Flash原廠轉進3D NAND速度不如預期情況下，市場供不應求。此外，企業級固態硬碟（SSD）需求、筆電SSD搭載率快速提升，同步造成第三季NAND Flash出現產能缺口。
受到上述系統端強大需求，及製程轉進不順的影響，讓三星、東芝、SanDisk、美光等供應商，對模組商的供貨水位驟降，模組廠在原廠供貨短缺下只能被迫接受漲價。DRAMeXchange調查顯示，截至8月下旬，主流TCL規格128Gb NAND晶圓合約均價已較6月底漲10％以上。
由於今年中國品牌智慧型手機表現超乎預期，伺服器出貨也受惠於中國數據中心需求增溫，下半年台系伺服器代工廠訂單與較上半年平均成長近兩成，促使DRAM原廠自第二季開始大幅調升行動式Mobile DRAM與伺服器DRAM的產出，並調降標準型DRAM出貨。
DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，今年第四季Mobile DRAM出貨比重將逼近45％，伺服器DRAM出貨比重突破25％，標準型DRAM則僅剩不到20％。
然而，從筆電的市況來看，第三季北美地區筆電需求增溫，如惠普與戴爾出貨季成長皆超過8％，造成標準型DRAM供不應求，4GB DDR3/DDR4模組合約均價終於止跌回穩並站上13.5美元。在原廠仍維持轉進毛利高的Mobile DRAM的策略下，DRAMeXchange預估，第四季標準型DRAM價格將持續上漲，4GB DDR3/DDR4模組合約價將上看15美元，季漲幅（季均價對季均價）將達15％，整體獲利結構逐步攀升，DRAM市場未來一年都將維持健康供需狀態。
Mobile DRAM則持續受惠中國智慧型手機拉貨需求，及新一代iPhone備貨將在第四季達高峰，目前已有部分中國大廠與主要DRAM供應商訂定的第四季合約漲價超過一成，預期第四季Mobile DRAM漲幅也將相當可觀。
在NAND Flash部分，第三季蘋果與中國系統大廠華為、Vivo、OPPO等拉貨動能優於預期，對整體2D NAND Flash產能消耗十分龐大，尤在NAND Flash原廠轉進3D NAND速度不如預期情況下，市場供不應求。此外，企業級固態硬碟（SSD）需求、筆電SSD搭載率快速提升，同步造成第三季NAND Flash出現產能缺口。
受到上述系統端強大需求，及製程轉進不順的影響，讓三星、東芝、SanDisk、美光等供應商，對模組商的供貨水位驟降，模組廠在原廠供貨短缺下只能被迫接受漲價。DRAMeXchange調查顯示，截至8月下旬，主流TCL規格128Gb NAND晶圓合約均價已較6月底漲10％以上。
集邦科技最新太陽能報價出爐！儘管下跌已是共識，但特高效的矽晶圓單周崩跌7.5∼8％，高效多晶電池片單周重挫4.5％，都是持續改寫歷史新低。
不過，台系太陽能族群近期股價似乎已經不再反映報價利空，昨（31）日盤中更在市場喊出「半導體矽晶圓吃緊、太陽能矽晶圓跟進」的說法刺激下，綠能（3519）和國碩（2406）都拉漲2.5％以上，帶動電池片廠昱晶（3514）、新日光（3576）也有1％的漲幅。
只是，同樣是矽晶圓，規格較高、適用於半導體領域的產品近期市況確實有轉趨熱絡，但規格較低、適用於太陽能領域的矽晶圓，則是苦嘗報價持續破底之苦，換言之，半導體矽晶圓近況有如上天堂，太陽能矽晶圓則有如農曆7月鬼壓床，實在不能混為一談。
不過，台系太陽能族群近期股價似乎已經不再反映報價利空，昨（31）日盤中更在市場喊出「半導體矽晶圓吃緊、太陽能矽晶圓跟進」的說法刺激下，綠能（3519）和國碩（2406）都拉漲2.5％以上，帶動電池片廠昱晶（3514）、新日光（3576）也有1％的漲幅。
只是，同樣是矽晶圓，規格較高、適用於半導體領域的產品近期市況確實有轉趨熱絡，但規格較低、適用於太陽能領域的矽晶圓，則是苦嘗報價持續破底之苦，換言之，半導體矽晶圓近況有如上天堂，太陽能矽晶圓則有如農曆7月鬼壓床，實在不能混為一談。
研調機構集邦（TrendForce）旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange昨（29）日公布第3季主流容量PC-Client OEM SSD（固態硬碟）合約均價行情，其中MLC-SSD季漲幅約0∼0.5％，TLC-SSD則小跌0∼1％，這是近一年以來首次出現價格持平。DRAMeXchange預估，今年筆記型電腦SSD搭載率將一舉突破30％的水準，2017年至2018年則有望挑戰50％大關。
DRAMeXchange資深研究經理陳玠瑋表示，今年第2季工作天數增加、多家筆記型電腦品牌通路庫存順利去化，加上新機上市需求帶動全球筆電在第2季單季出貨成長約8.2％，筆電的固態硬碟出貨量則季成長約24％。此外，TLC Flash價格雖然在5、6月大漲並出現供貨吃緊的現象，但通路市場的固態硬碟出貨季成長達12％，工作天數回升與庫存充足，讓整體表現優於預期。
市調單位統計，第2季筆記型電腦固態硬碟搭載率約32∼33％，整體用戶級固態硬碟總出貨量約2,830萬顆，季成長率約15％∼20％。展望第3季，由於NAND Flash供給吃緊，且TLC Flash價格處高檔，恐造成PC-OEM市場與通路市場固態硬碟出貨量出現此消彼長的現象，預估第3季整體用戶級固態硬碟出貨量的季成長率約2∼3％。
陳玠瑋進一步指出，用戶級的固態硬碟市場中，3D-SSD未來架構會以3D-TLC為主，3D-MLC生產成本較不具競爭力，因而比重偏低，只能用於高階產品。由於其他PC-OEM大廠今年下半年起才積極轉進PCIe介面、通路市場需求仍以SATA III為主，DRAMeXchange預估SATA III仍是2016年用戶級固態硬碟市場的主流規格，而PCIe的SSD市占率約兩成，較去年小幅成長。
DRAMeXchange資深研究經理陳玠瑋表示，今年第2季工作天數增加、多家筆記型電腦品牌通路庫存順利去化，加上新機上市需求帶動全球筆電在第2季單季出貨成長約8.2％，筆電的固態硬碟出貨量則季成長約24％。此外，TLC Flash價格雖然在5、6月大漲並出現供貨吃緊的現象，但通路市場的固態硬碟出貨季成長達12％，工作天數回升與庫存充足，讓整體表現優於預期。
市調單位統計，第2季筆記型電腦固態硬碟搭載率約32∼33％，整體用戶級固態硬碟總出貨量約2,830萬顆，季成長率約15％∼20％。展望第3季，由於NAND Flash供給吃緊，且TLC Flash價格處高檔，恐造成PC-OEM市場與通路市場固態硬碟出貨量出現此消彼長的現象，預估第3季整體用戶級固態硬碟出貨量的季成長率約2∼3％。
陳玠瑋進一步指出，用戶級的固態硬碟市場中，3D-SSD未來架構會以3D-TLC為主，3D-MLC生產成本較不具競爭力，因而比重偏低，只能用於高階產品。由於其他PC-OEM大廠今年下半年起才積極轉進PCIe介面、通路市場需求仍以SATA III為主，DRAMeXchange預估SATA III仍是2016年用戶級固態硬碟市場的主流規格，而PCIe的SSD市占率約兩成，較去年小幅成長。
受惠iPhone7開始積極進行記憶體備貨，三星、SK 海力士、美光等三大DRAM廠持續進行產品組合調整，包括提高智慧型手機Mobile DRAM投片量，並降低標準型、利基型DRAM產能。但因ODM/OEM廠下半年開始回補DRAM庫存，7月以來DRAM市場供不應求，DDR3/DDR4現貨價至上周已漲近3成幅度，合約價也順利調漲3∼5％。
在第三季DRAM供不應求的預期下，業界預估DRAM價格可望維持緩漲格局到9月，不僅國內DRAM廠南亞科、華邦電直接受惠，包括晶豪科、愛普、鈺創等DRAM設計業者可望雨露均霑。
由於蘋果iPhone7的Mobile DRAM搭載容量傳出將拉高至3GB，Android陣營高階智慧型手機搭載量也上看4∼6GB，由於7月以來進入記憶體備貨旺季，三大DRAM廠第二季已大動作調整產品組合，將標準型、利基型DRAM產能大舉調撥至生產Mobile DRAM。
不過，DRAM已有多年沒有擴建新廠，只透過製程微縮到20奈米來維持位元成長率，所以隨著主要產能往Mobile DRAM集中，標準型及利基型DRAM自然供不應求，7月以來現貨價格漲幅已近3成，4Gb DDR3原廠顆粒價格已漲至1.7美元，4Gb DDR4原廠顆粒現貨價也漲至1.86美元，連合約價也在6月見到止跌後，7月終於見到漲勢。
集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，第三季DRAM合約均價起漲，起因於標準型DRAM需求不振，加上搭載量受制於Windows 10的授權金制度而無法有效上升，價格逐步往成本貼近，使得韓系DRAM廠在第二季陸續調降標準型DRAM產品比重。所幸全球智慧型手機的記憶體搭載量今年成長率仍高達36％，下半年旗艦機種搭載量上看6GB，伺服器記憶體今年平均搭載量也上看110GB，年成長25％。
吳雅婷表示，NAND供貨吃緊也助攻DRAM漲價。固態硬碟（SSD）需求強勁、手機eMCP/eMMC已確定漲價以應付旺季需求，加上三星西安廠的意外跳電讓記憶體模組廠於當天停止DRAM與NAND供貨，多重因素引爆DRAM現貨市場價格全面上漲，一掃過去一路走跌的陰霾。
在第三季DRAM供不應求的預期下，業界預估DRAM價格可望維持緩漲格局到9月，不僅國內DRAM廠南亞科、華邦電直接受惠，包括晶豪科、愛普、鈺創等DRAM設計業者可望雨露均霑。
由於蘋果iPhone7的Mobile DRAM搭載容量傳出將拉高至3GB，Android陣營高階智慧型手機搭載量也上看4∼6GB，由於7月以來進入記憶體備貨旺季，三大DRAM廠第二季已大動作調整產品組合，將標準型、利基型DRAM產能大舉調撥至生產Mobile DRAM。
不過，DRAM已有多年沒有擴建新廠，只透過製程微縮到20奈米來維持位元成長率，所以隨著主要產能往Mobile DRAM集中，標準型及利基型DRAM自然供不應求，7月以來現貨價格漲幅已近3成，4Gb DDR3原廠顆粒價格已漲至1.7美元，4Gb DDR4原廠顆粒現貨價也漲至1.86美元，連合約價也在6月見到止跌後，7月終於見到漲勢。
集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，第三季DRAM合約均價起漲，起因於標準型DRAM需求不振，加上搭載量受制於Windows 10的授權金制度而無法有效上升，價格逐步往成本貼近，使得韓系DRAM廠在第二季陸續調降標準型DRAM產品比重。所幸全球智慧型手機的記憶體搭載量今年成長率仍高達36％，下半年旗艦機種搭載量上看6GB，伺服器記憶體今年平均搭載量也上看110GB，年成長25％。
吳雅婷表示，NAND供貨吃緊也助攻DRAM漲價。固態硬碟（SSD）需求強勁、手機eMCP/eMMC已確定漲價以應付旺季需求，加上三星西安廠的意外跳電讓記憶體模組廠於當天停止DRAM與NAND供貨，多重因素引爆DRAM現貨市場價格全面上漲，一掃過去一路走跌的陰霾。
受到三星、SK 海力士、美光等三大DRAM廠持續進行產品組合調整影響，DRAM市場供貨轉趨吃緊，繼6月合約價持平開出後，正在協商中的7月合約價可望順利調漲。由於部分系統業者無法向三大廠取得足夠貨源，近期開始轉向南亞科（2408）及華邦電（2344）採購，在第3季DRAM供不應求的預期下，第3季合約價亦順利調漲3∼5％。
下半年進入智慧型手機銷售旺季，由於蘋果iPhone 7的搭載容量傳出將拉高至3GB，Android陣營高階智慧型手機搭載量也上看6GB，三大DRAM廠第2季開始大動作調整產品組合，將標準型及利基型DRAM產能大舉調撥至生產Mobile DRAM，不僅成功大量去化DRAM過剩產能，也讓標準型及利基型DRAM供貨吃緊，合約價已成功止跌。
集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，DRAM合約價經過近2年的續跌，6月合約價已呈現持平，4GB DDR3模組普遍用12.5美元價格議定完成。由於原廠端供貨吃緊，一線OEM廠於6月提前與DRAM廠洽談第3季合約價格，預估第3季DRAM合約價上漲趨勢確立，漲幅約達4∼8％。
吳雅婷表示，今年上半年標準型DRAM需求不振，搭載量受制於Windows 10的授權金制度而無法有效上升，價格逐步往成本貼近，使得韓系DRAM廠在第2季陸續調降標準型DRAM的產品比重。所幸全球智慧型手機的記憶體搭載量今年成長率仍高達36％，下半年旗艦機種搭載量上看6GB，伺服器DRAM今年平均搭載量也上看110GB，年成長25％，將有效消化產品比重調整下多出來的產能。
再者，今年下半年NAND Flash明顯缺貨，三大廠也將部分DRAM產能移轉生產NAND Flash，而日前大陸西安變電站爆炸，三星西安廠的意外跳電讓記憶體模組廠於當天停止DRAM與NAND Flash供貨，多重因素引爆DRAM現貨市場價格全面上漲，一掃過去一路走跌的陰霾。
在標準型DRAM供不應求之際，利基型DRAM也出現供貨不足情況。事實上，三大廠淡出2Gb以下低容量利基型DRAM市場，在Mobile DRAM產品組合中也大舉撤出LPDDR2市場，並全面降低LPDDR3供貨量。也因此，大陸多數系統廠無法取得足夠DRAM貨源因應下半年旺季需求，已轉向南亞科、華邦電等台灣業者採購，既然DRAM市場已是供不應求，第3季合約價也順利調漲。
下半年進入智慧型手機銷售旺季，由於蘋果iPhone 7的搭載容量傳出將拉高至3GB，Android陣營高階智慧型手機搭載量也上看6GB，三大DRAM廠第2季開始大動作調整產品組合，將標準型及利基型DRAM產能大舉調撥至生產Mobile DRAM，不僅成功大量去化DRAM過剩產能，也讓標準型及利基型DRAM供貨吃緊，合約價已成功止跌。
集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，DRAM合約價經過近2年的續跌，6月合約價已呈現持平，4GB DDR3模組普遍用12.5美元價格議定完成。由於原廠端供貨吃緊，一線OEM廠於6月提前與DRAM廠洽談第3季合約價格，預估第3季DRAM合約價上漲趨勢確立，漲幅約達4∼8％。
吳雅婷表示，今年上半年標準型DRAM需求不振，搭載量受制於Windows 10的授權金制度而無法有效上升，價格逐步往成本貼近，使得韓系DRAM廠在第2季陸續調降標準型DRAM的產品比重。所幸全球智慧型手機的記憶體搭載量今年成長率仍高達36％，下半年旗艦機種搭載量上看6GB，伺服器DRAM今年平均搭載量也上看110GB，年成長25％，將有效消化產品比重調整下多出來的產能。
再者，今年下半年NAND Flash明顯缺貨，三大廠也將部分DRAM產能移轉生產NAND Flash，而日前大陸西安變電站爆炸，三星西安廠的意外跳電讓記憶體模組廠於當天停止DRAM與NAND Flash供貨，多重因素引爆DRAM現貨市場價格全面上漲，一掃過去一路走跌的陰霾。
在標準型DRAM供不應求之際，利基型DRAM也出現供貨不足情況。事實上，三大廠淡出2Gb以下低容量利基型DRAM市場，在Mobile DRAM產品組合中也大舉撤出LPDDR2市場，並全面降低LPDDR3供貨量。也因此，大陸多數系統廠無法取得足夠DRAM貨源因應下半年旺季需求，已轉向南亞科、華邦電等台灣業者採購，既然DRAM市場已是供不應求，第3季合約價也順利調漲。
DRAM產業終於盼到下半年回春，第3季旺季價格有望調升，不僅標準型記憶體產品看漲，其他包括行動記憶體、利基型記憶體等，價格也預期會跟著走揚，南亞科（2408）、華亞科、晶豪科、華邦電等，都有機會受惠。
法人認為，有別於上半年的慘淡，第3季是傳統終端電子產品出貨旺季，帶動記憶體拉貨需求可望回升。
研調機構集邦科技表示，由於原廠端供貨吃緊，一線PC OEM客戶6月提前與DRAM廠洽談第3季合約價，預估本季DRAM合約價上漲趨勢確立，漲幅約4%至8%。
對於DRAM合約價上揚，集邦研究協理吳雅婷表示，韓系DRAM廠第2季陸續調降標準型記憶體產品比重，但全球智慧手機的記憶體搭載量今年成長率仍高達36%，下半年旗艦機種搭載量上看6GB，伺服器記憶體今年平均搭載量也上看110GB，年成長25%，因此可有效消化產品比重調整後多出的量能。
同時，集邦指出，NAND Flash供貨吃緊也助攻DRAM漲價，且由於原廠製程逐步優化，三星18奈米製程將導入量產，SK海力士與美光也擴大20╱21奈米製程投片量，獲利結構有望從谷底回升，讓下半年DRAM市況更加健康。
法人認為，有別於上半年的慘淡，第3季是傳統終端電子產品出貨旺季，帶動記憶體拉貨需求可望回升。
研調機構集邦科技表示，由於原廠端供貨吃緊，一線PC OEM客戶6月提前與DRAM廠洽談第3季合約價，預估本季DRAM合約價上漲趨勢確立，漲幅約4%至8%。
對於DRAM合約價上揚，集邦研究協理吳雅婷表示，韓系DRAM廠第2季陸續調降標準型記憶體產品比重，但全球智慧手機的記憶體搭載量今年成長率仍高達36%，下半年旗艦機種搭載量上看6GB，伺服器記憶體今年平均搭載量也上看110GB，年成長25%，因此可有效消化產品比重調整後多出的量能。
同時，集邦指出，NAND Flash供貨吃緊也助攻DRAM漲價，且由於原廠製程逐步優化，三星18奈米製程將導入量產，SK海力士與美光也擴大20╱21奈米製程投片量，獲利結構有望從谷底回升，讓下半年DRAM市況更加健康。
大陸西安變電廠爆炸造成當地三星晶圓廠、美光及力成封測廠出現電力閃斷及電功下降，預期將對記憶體市場供給造成影響，記憶體業界昨（20）日均以「西安事變」來形容此次跳電危機，而包括DRAM及NAND Flash報價也出現難得一見的全面上漲行情。
三星、美光、力成等業者昨日指出，對後續供貨情況不會有太大影響。但記憶體業界人士表示，半導體業界在過去10年當中，有關記憶體晶圓廠或封測廠發生電力閃斷的事件後，都出現供貨吃緊問題，因為半導體設備機台跟電腦一樣，電力閃斷就好像插頭拔起幾秒再插回一樣，設備就會當機或參數跑掉，至少也要1∼2周時間才有辦法回復原本正常運作。
所以，通路商預期後續DRAM及NAND Flash供貨可能吃緊，昨日均開始提高庫存水位，根據台灣、香港、深圳三地的昨日現貨報價，NAND隨身碟及記憶卡價格漲幅最大，32GB/64GB USB 3.0隨身碟公板價格漲幅達5∼10％，16GB/32GB MicroSD卡價格漲幅達3∼5％，32GB/64GB MLC規格NAND Flash晶片漲幅達1∼3％。在DRAM部分，深圳地區DRAM模組平均漲幅達3∼5％左右，DDR3顆粒價格則出現1％左右漲幅。
集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange則表示，第3季NAND Flash供貨吃緊的態勢愈發明顯，TLC規格晶圓與記憶卡價格自4月初以來已連續3個月份逐步走揚，由於時間上已進入智慧型手機備貨旺季，三星西安廠短暫跳電導致供不應求預期心理，將導致第3季NAND Flash市況火熱。
DRAMeXchange研究協理楊文得表示，NAND Flash原廠持續降低對於通路的供貨比重，來滿足eMMC/eMCP、固態硬碟（SSD）的需求，並同時積極轉進3D NAND，讓2D NAND的產出持續下滑，因此現貨與通路市場的貨源更顯緊縮。DRAMeXchange預估2016年第3季的TLC晶圓及記憶卡現貨等價格將持續調漲，第4季的NAND Flash的市況將視蘋果新一代iPhone與其他品牌智慧型手機新品上市後的銷售力道而定。
集邦指出，西安18日變電站爆炸，使三星西安廠短暫停電數秒，在工程師搶修設備，並快速進行線上晶圓損害清查後，目前部分產能已恢復生產。楊文得指出，依照事發當日部分產能已能恢復生產的進度來看，此次停電對三星NAND Flash的產出影響有限，預估當日其線上受損晶圓（Wafer-In-Process）片數約略在1萬片以內，此缺口透過增加投片及縮短部分製程可以彌補，但此事件恐將加深第3季NAND Flash供不應求的預期性心理。
三星、美光、力成等業者昨日指出，對後續供貨情況不會有太大影響。但記憶體業界人士表示，半導體業界在過去10年當中，有關記憶體晶圓廠或封測廠發生電力閃斷的事件後，都出現供貨吃緊問題，因為半導體設備機台跟電腦一樣，電力閃斷就好像插頭拔起幾秒再插回一樣，設備就會當機或參數跑掉，至少也要1∼2周時間才有辦法回復原本正常運作。
所以，通路商預期後續DRAM及NAND Flash供貨可能吃緊，昨日均開始提高庫存水位，根據台灣、香港、深圳三地的昨日現貨報價，NAND隨身碟及記憶卡價格漲幅最大，32GB/64GB USB 3.0隨身碟公板價格漲幅達5∼10％，16GB/32GB MicroSD卡價格漲幅達3∼5％，32GB/64GB MLC規格NAND Flash晶片漲幅達1∼3％。在DRAM部分，深圳地區DRAM模組平均漲幅達3∼5％左右，DDR3顆粒價格則出現1％左右漲幅。
集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange則表示，第3季NAND Flash供貨吃緊的態勢愈發明顯，TLC規格晶圓與記憶卡價格自4月初以來已連續3個月份逐步走揚，由於時間上已進入智慧型手機備貨旺季，三星西安廠短暫跳電導致供不應求預期心理，將導致第3季NAND Flash市況火熱。
DRAMeXchange研究協理楊文得表示，NAND Flash原廠持續降低對於通路的供貨比重，來滿足eMMC/eMCP、固態硬碟（SSD）的需求，並同時積極轉進3D NAND，讓2D NAND的產出持續下滑，因此現貨與通路市場的貨源更顯緊縮。DRAMeXchange預估2016年第3季的TLC晶圓及記憶卡現貨等價格將持續調漲，第4季的NAND Flash的市況將視蘋果新一代iPhone與其他品牌智慧型手機新品上市後的銷售力道而定。
集邦指出，西安18日變電站爆炸，使三星西安廠短暫停電數秒，在工程師搶修設備，並快速進行線上晶圓損害清查後，目前部分產能已恢復生產。楊文得指出，依照事發當日部分產能已能恢復生產的進度來看，此次停電對三星NAND Flash的產出影響有限，預估當日其線上受損晶圓（Wafer-In-Process）片數約略在1萬片以內，此缺口透過增加投片及縮短部分製程可以彌補，但此事件恐將加深第3季NAND Flash供不應求的預期性心理。
DRAM產業因長期需求不振，合約價格已歷經連續19個月的跌勢。今年5月底4Gb DDR4合約均價為1.31美元，而4Gb DDR3合約均價僅1.25美元，各廠都面臨龐大的成本壓力。集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange指出，DRAM廠對於製程轉進的態度趨於保守，不僅第三季價格欲跌不易，預估2017年後DRAM位元供給年增率恐低於20％，可望成為DRAM價格止跌回穩契機。
集邦科技研究協理吳雅婷表示，第三季個人電腦將進入出貨高峰，中國品牌智慧型手機出貨持續走揚，再加上蘋果下半年將推出的新一代4.7吋iPhone 7將搭載2GB LPDDR4，5.5吋iPhone 7 Plus將搭載3GB LPDDR4，龐大的拉貨動能將消耗可觀的DRAM產能。
吳雅婷表示，由供給面來看，各家DRAM供應商對製程轉進態度趨保守，DRAMeXchange估2017年後DRAM位元供給年成長率恐低於20％，可望成為DRAM價格止跌回穩契機。
集邦科技表示，三大DRAM廠已開始收斂位元成長率，主要策略包括產品比重調整、減少資本支出、新製程產出遞延等。吳雅婷表示，為因應旺季需求提升，目前三大DRAM廠有計畫性的將標準型DRAM產能再轉往行動式Mobile DRAM。
DRAMeXchange預估，2016年DRAM總位元供給成長率，已自原先預估的25％下修至23.1％，過往動輒30∼50％的年度位元供給成長率不再，供過於求的態勢產生收斂。
根據DRAMeXchange最新報價顯示，現貨市場4Gb DDR3顆粒報價於6月6日開始已出現漲幅，並在本周延伸至DDR4顆粒的報價上，反應出市場樂觀的預期性心理。合約價方面，雖然針對第三季的議價尚未完成，但PC OEM已展現出積極的補貨意願，且部分品牌在DDR4的拉貨上已稍微吃緊，也使得第三季的價格欲跌不易。
集邦科技研究協理吳雅婷表示，第三季個人電腦將進入出貨高峰，中國品牌智慧型手機出貨持續走揚，再加上蘋果下半年將推出的新一代4.7吋iPhone 7將搭載2GB LPDDR4，5.5吋iPhone 7 Plus將搭載3GB LPDDR4，龐大的拉貨動能將消耗可觀的DRAM產能。
吳雅婷表示，由供給面來看，各家DRAM供應商對製程轉進態度趨保守，DRAMeXchange估2017年後DRAM位元供給年成長率恐低於20％，可望成為DRAM價格止跌回穩契機。
集邦科技表示，三大DRAM廠已開始收斂位元成長率，主要策略包括產品比重調整、減少資本支出、新製程產出遞延等。吳雅婷表示，為因應旺季需求提升，目前三大DRAM廠有計畫性的將標準型DRAM產能再轉往行動式Mobile DRAM。
DRAMeXchange預估，2016年DRAM總位元供給成長率，已自原先預估的25％下修至23.1％，過往動輒30∼50％的年度位元供給成長率不再，供過於求的態勢產生收斂。
根據DRAMeXchange最新報價顯示，現貨市場4Gb DDR3顆粒報價於6月6日開始已出現漲幅，並在本周延伸至DDR4顆粒的報價上，反應出市場樂觀的預期性心理。合約價方面，雖然針對第三季的議價尚未完成，但PC OEM已展現出積極的補貨意願，且部分品牌在DDR4的拉貨上已稍微吃緊，也使得第三季的價格欲跌不易。
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