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DRAM廠華亞科13日說明美光暫緩收購的相關事宜，合併案將推遲至下半年再行決定，800億聯貸案持續進行外，瑞晶與華亞科的技術合作將會暫緩，增添合併案的變數。不過，華亞科兩大股東美光（Micron）及南亞科均指出，只是計畫展延並非破局，將努力促成該合併案圓滿落幕。

市調機構集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange表示，2016年度美光的位元成長有賴20奈米製程轉進的時程，而華亞科是美光陣營最早開始轉進20奈米的DRAM廠，代表華亞科在美光集團中至關重要的角色無法取代。

集邦指出，自從美光計劃轉進20奈米之後，華亞科逐步取代日本爾必達，成為最重要的生產重鎮。美光陣營（含爾必達廣島廠、台灣瑞晶、華亞科、及美光在美國與新加坡的產能合計）中，華亞科廠是最早轉進20奈米製程，而目前的產能除了原先僅有的標準型及伺服器DRAM，更將產能大幅延伸至新一代的行動式記憶體LPDDR4。

截至目前為止，華亞科20奈米的投片仍持續提升，預計今年9月時程就能夠在投片端全轉進20奈米。2016年度美光的位元成長有賴20奈米製程轉進的時程，代表華亞科在美光集團中至關重要的角色，無法取代。

中國大陸國家能源局在外界高度期盼下，終於公布了2016年度太陽能裝置計畫，預估裝置量為18.1GW。儘管後續可能還有「扶貧」的政策需求，以及如同去年度的「加碼補助」，但兩岸的研調單位都認為「2016年度的裝置目標將比2015年度衰退」，也創下大陸太陽能發展史上先例。

中國大陸在去年初公布的太陽能裝置目標是17.8GW，後來又「加碼」5.3GW，並將併網裝機的時限延後到今年6月30日，這也導致今年第一季以來兩岸太陽能產業拚命趕工，呈現「淡季很旺」的原因。此外，大陸去年還發布「領跑者計畫」，是指希望透過提高轉換效率，來淘汰老舊設備的政策，去年的額度為1GW。因此，大陸2015年度的裝置目標總量，也就創下24.1GW的歷史新高。

至於2016年度的裝置目標，大陸國家能源局直到端午節前夕才公告，預估新增18.1GW（包括太陽能電站12.6GW，及「領跑者計畫」5.5GW），儘管此一數字比起去年度初步公布的17.8GW是微幅提升，但此一目標已包含「領跑者計畫」，也讓兩岸研調一致認為今年的裝置量將出現首度衰退。

大陸研調單位SOLARZOOM新能源智庫判斷，即使依據十三五計畫，新增了「扶貧計畫」約3GW的分額，2016年的總目標預期也才21.1GW，比起2015年仍下滑了12％。

集邦科技則評估，從大陸所公布的今年度太陽能安裝量來看，意味大陸官方的太陽能政策出現轉變，不再一昧追求安裝量，並透過領跑者計畫，要求單體電站規模需在100MW以上，且須採取招標、優選等配套方式來壓低電價，讓擁有技術、規模的一線模組廠有較大的「贏面」。

其次，大陸官方此次還點名甘肅、新疆及雲南等地因「不具太陽能電站條件」，故今年度並無設定目標；再者，官方還要求各地太陽能電廠的發電狀況，必須透過信息管理平台等方式詳實追蹤，這些都表明官方正從以往追求「量」，轉而追求「質」，朝更成熟的市場邁進。

集邦不忘提出示警，表示大陸太陽能電站補貼持續延遲發放，加上西部限電情形嚴重，恐讓大陸電站投資報酬率不如預期，且今年安裝目標時限並未說明，因此下半年不至於出現搶裝潮，太陽能第三季的市況恐將冷清。

蘋果iPhone 7新機入門款儲存容量可望從目前的16GB倍增至32GB，最高階的機種儲存容量也從128GB大增至256GB，引爆儲存型快閃記體（NAND Flash）需求熱潮，群聯、威剛、慧榮等NAND相關業者喜迎商機。

研調機構集邦科技指出，在蘋果iPhone 6╱6 Plus，以及iPhone 6s╱6s Plus的出貨量中，64GB與128GB高容量機種比重超過60%，讓iPhone的NAND消耗量大幅成長，而新一代iPhone最高儲存容量極有可能提升至256GB，首波備貨需求將為第3季NAND市場挹注甚大。

群聯等NAND相關業者先前已預告，今年下半年NAND市場因晶片廠製程轉換過渡期，以及傳統旺季帶動，將嚴重缺貨，蘋果新機助陣下，整體供應將更吃緊。

目前iPhone共有16GB、64GB、128GB三種儲存容量版本。供應鏈傳出，iPhone 7擬取消小容量的16GB，改從32GB起跳，iPhone 7的儲存組合可能是32GB╱64GB╱128GB，甚至會出現256GB的版本。

有消息指出，以蘋果過往的訂價策略來看，就算入門型號的儲存容量增加，也不會提高手機的售價，果粉換機將享有加量不加價的「新優惠」。

NAND相關業者指出，若儲存容量倍增的消息屬實，NAND的用量需求會明顯增加，由於蘋果是指標廠商，有刺激其他廠商持續提升產品規格的效果，這對整體產業來說算是好事。

固態硬碟（SSD）與傳統硬碟（HDD）價格持續拉近，意外推升第一季全球SSD出貨量再創歷史新高，由於第二季SSD需求持續轉強，TLC規格128Gb以上高容量NAND Flash驚傳供貨吃緊，晶片供應商在第一季底通知下游將暫停出貨，通路商因此醞釀漲價，群聯（8299）將成最大受惠者。

根據集邦科技研究顯示，2016年第一季主流容量電腦用戶級固態硬碟（PC-Client OEM SSD）的合約均價中，TLC規格NAND Flash的SSD價格季減7∼12％，但SSD價格與HDD價差持續拉近，加快OEM廠採用速度。預估2016年底前128GB SSD與500GB HDD的價差會低於3美元，256GB SSD與1TB HDD的價差則會低於7美元，使SSD的性價比愈來愈具吸引力，今年筆記型電腦的SSD搭載率將會突破30％水準。

事實上，今年以來SSD價格雖持續走跌，但HDD的價格卻意外止跌回升。模組業者表示，HDD大廠已感受到市場需求快速轉向SSD的壓力，HDD殺價搶單已無意義，所以陸續將價格調升到合理且可獲利的價位。也因此，SSD及HDD的價差愈縮愈小，SSD需求反而被持續刺激出來，大幅去化NAND Flash庫存，其中，TLC規格128Gb以上高容量NAND Flash出現供貨吃緊現象，第二季價格看漲。

群聯是兩岸主要TLC規格NAND Flash模組、SSD控制IC供應商，受惠於SSD需求爆發，二月合併營收年增17.5％達30.92億元，改寫同期新高。法人看好群聯三月營收有機會挑戰歷史新高。

法人表示，SSD將是群聯今年成長主要動能，除了TLC規格NAND Flash模組需求暢旺，新款NVMe SSD控制IC搶在第一季底量產出貨，並獲大陸SSD大廠索泰（Zotac）採用，法人預期群聯今年營收及獲利仍會優於去年續創歷史新高。

自去年第四季以來，全球智慧型手機終端需求始終停滯，手機廠皆計畫調降今年首季的出貨計畫，整體市場開始進行約一個季度的通路庫存消化（channel inventory digest）。不過，隨著庫存去化接近尾聲，市調機構集邦科技指出，2月起大陸智慧型手機品牌補貨需求湧現，供應鏈產能已經啟動。

集邦科技智慧型手機分析師吳雅婷表示，受益於庫存調節接近尾聲，及2016年世界通訊大會（MWC）新機發表，2月中起大陸手機品牌陸續出現庫存回補的需求。此外，大陸智慧型手機營運商為拉抬4G機種的普及率，針對數款4G高階智慧型手機增加補貼額度，也推升消費者的購買慾望。

集邦預估2016年全球智慧型手機出貨年成長僅5.7％，但大陸品牌依然有15.6％的成長力道，加上新興市場如印度及東協的崛起，大陸智慧型手機品牌今年仍是帶動出貨成長的火車頭。

華為去年智慧型手機首次出貨達1.08億支，近期更將發表雙鏡頭旗艦機種P9，聲勢奪人，預估華為今年將成長16.7％達到近1.3億支。聯想經歷與摩托羅拉的併購陣痛期後，喊出年度成長20％以上的目標，更把獲利做為最重要方向。

小米於今年MWC展風光發表旗艦機小米5，為力挽去年出貨不如預期的頹勢，今年也將持續深耕印度等新興市場。OPPO與VIVO憑藉強大且忠誠的實體通路銷售，兩個品牌去年出貨總和逼近1億大關，今年目標上看1.1億支，除大陸外，近期於東南亞市場皆有不錯的斬獲。

吳雅婷表示，從上游產業鏈觀察，2月起聯發科出貨略有小幅回升，包含晶圓代工台積電在針對智慧型手機的先進製程（20奈米及16奈米）產能利用率與去年第四季相較也都有明顯的投片回升，如20奈米製程主要以聯發科的訂單為最大宗，16奈米則主要是蘋果的A9晶片及海思的麒麟晶片系列，可看出智慧型手機品牌補貨需求正逐漸啟動。

另一方面，行動式記憶體市場表現亦是如此。由於蘋果下修第一季手機出貨量，原先預期將讓DRAM廠重新調整產品比重的現象並未出現，行動式記憶體的投片與產出都按原訂計畫進行。

儘管太陽能族群第一季的營運表現仍維持在高檔，但研調機構集邦仍維持之前的戒慎恐懼態度，認為中國大陸隨著農曆年後的市場氣氛轉趨觀望，二線廠開始出現銷售壓力，導致價格開始轉弱，預期第三季在搶裝潮結束、新需求尚未啟動，且供給大增之下，恐成為今年「最淡季」。

長期以來，太陽能產業的產業淡、旺季多半與北半球的氣溫相關，第二、三季是旺季，第四季和第一季則是淡季。不過，去年底以來卻是扭轉長期趨勢，受惠於中國大陸在今年第二季末到期的「搶裝潮」推升，國內太陽能族群營運紅火。

不過，研調機構則是持續站在偏空立場，在今年年初就預估大陸市場將在農曆年後開始降溫，而根據最新的調查，也呈現大陸內需市場的氣氛確實在年後轉趨觀望，尤其二線電池廠在面臨銷售壓力下，價格開始轉弱，本周大陸的多晶太陽能電池報價下跌1.54％；高效多晶矽晶圓報價下滑0.11％。

集邦指出，從需求端來看，儘管3、4月在中國大陸併網的最後一波搶裝需求支撐下，上游廠商的產能稼動率仍可望維持滿載，但在5月下旬搶裝潮結束後，加上美、日、印、英等地的需求尚未開始啟動，恐導致第3季成為今年太陽能產業的「最淡季」。

市調機構集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange最新研究顯示，2016年第一季主流容量電腦用戶級固態硬碟（PC-Client OEM SSD）的合約均價中，採用MLC規格NAND Flash的SSD價格較去年第四季下跌10∼12％，TLC規格NAND Flash的SSD價格則季減7∼12％。SSD價格與與傳統硬碟（HDD）價差持續拉近，加速OEM廠採用速度。

由於三星以外的NAND Flash供應商正處TLC-SSD產品出貨的初步階段，價格跌幅較小，但第一季為筆電傳統淡季且工作天數少，導致OEM廠採購量下滑，拉貨力道銳減，因而NAND Flash原廠的產能壓力大幅上揚，只能繼續降價競爭。

DRAMeXchange預估，2016年底前128GB固態硬碟與500GB傳統硬碟的價差會低於3美元，256GB固態硬碟與1TB傳統硬碟的價差則會低於7美元，使SSD的性價比愈來愈具吸引力。2016年筆記型電腦出貨量不會如2015年般大幅下滑，預估今年筆記型電腦的SSD搭載率將會突破30％水準。

市調機構集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange最新報告顯示，相較於標準型PC DRAM價格去年第四季跌幅逾16％，整體行動式Mobile DRAM價格跌幅趨緩。雖然去年第四季Mobile DRAM總產值季減率僅1％，但預估全球智慧型手機第一季出貨較上季衰退達16％，恐讓Mobile DRAM價格跌幅較上季度擴大逾7％。

法人表示，若第一季Mobile DRAM市況表現真的如集邦所言，對國內DRAM廠南亞科、華邦電，或是主攻Mobile DRAM的晶豪科等業者來說，則會是一個利空消息。不過，包括南亞科在內的業者仍強調，第一季DRAM市況沒有想像中差，Mobile DRAM銷售動能還算穩定，價格跌幅也沒有擴大。

2015年下半年為傳統智慧型手機出貨旺季，2015年第四季Mobile DRAM總產值僅較上季小幅衰退1％。以各家DRAM廠表現來看，三星第四季營收維持小幅成長1.3％，SK海力士則衰退2.1％，美光集團在三大DRAM廠中跌幅最大，來到7.7％。

DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，三大DRAM廠受蘋果採用的占比，決定了Mobile DRAM營收高低。如三星在LPDDR4的製程與良率領先競爭對手至少半年，是蘋果首要提升比重的對象，SK海力士則以25奈米製程穩居第二位，美光集團2015年第三季仍未通過蘋果的品質驗證，錯失iPhone 6S的黃金備貨期，其影響都表現在第四季的Mobile DRAM營收上。

三星在Mobile DRAM市占率持續擴大到約58.2％，SK海力士的比重微幅衰退至26.1％，美光集團市占率則縮減至14.3％。2016年第一季由於步入傳統出貨淡季，加上全球景氣不佳導致買氣縮手，即使是蘋果單季出貨都面臨下修達三成的窘境，集邦預估，全球智慧型手機第一季出貨較上季衰退達16％，亦讓行動式記憶體價格跌幅較上季度擴大逾7％。

DRAMeXchange預估2016年LPDDR4市占將迅速擴大，從2015年的18.2％提升到45.0％。

太陽能矽晶圓和電池的報價雖然連續數個月回升，但相關原料耗材、模組和逆變器等價格持續下滑，仍使得去（2015）年度的太陽能系統發電的總成本又下降了17％。根據研調機構EnergyTrend預估，今、明兩年的成本還將向下，預期明年度在部分地區的成本就可接近火力（煤）發電，且低於天然氣，將刺激需求進一步擴大。

此外，EnergyTrend認為，台系電池廠在去（2015）年受到美國雙反衝擊，被迫往海外發展，包括在泰國、越南、馬來西亞等地設廠，但如此一來，也可對當地市場進行深耕。

集邦旗下EnergyTrend日前發布調查報告指出，以美國為例，2015年第3季時公共事業用系統（Utility系統）的系統造價約為每瓦1.38美元，比起前年同期的每瓦1.66美元，跌幅約17％。由於價格持續大幅下滑，也讓各國相繼擴大採用太陽能發電。

事實上，太陽能系統發電的成本牽涉項目相當複雜，除了矽晶圓、電池和模組等成本之外，包括耗材、逆變器（inverter）等影響程度也不小。EnergyTrend分析師林建翰表示，生電成本也還得將各地區日照時數、人力成本、補貼以及模組稅後價格等差異計算進去，以印度的光照時數長、模組價格及人力成本較低的條件來看，部分大型系統的每度電成本甚至只需約新台幣2.3元/kWh。

太陽能發電成本持續下降，也難怪印度總理莫迪寧願跳過火力或核能發電，直接大規模興建太陽能廠。而根據最新數據，新興市場如印度、智利、菲律賓等地區的太陽能裝置分別達827MW、750MW、134MW，成長幅度可觀。

林建翰指出，「轉換效率」的持續順利提升，推升今年下半年模組的主流轉換效率，將達多晶265W、單晶275∼280W，因此生電成本也將持續緩跌，預期2017年底公共事業用系統的系統造價可降至0.07元/kWh以下，逼近煤礦火力發電，而低於天然氣發電，使得太陽能需求將擴大，可再生能源的比例也可望再提高。

今年需求面不振、持續供過於求，DRAM價格衰退，尤以標準型DRAM最明顯，對明年DRAM市況，市調機構集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange預估，市場仍維持小幅供過於求，DRAM單價將持續下滑。至於大陸雖有意卡位記憶體，但進入門檻高，三大DRAM廠無意與大陸業者合作，看來難有進展。

DRAMeXchange調查顯示，今年DRAM市場在寡占市場型態下，雖然小幅供過於求且價格持續下滑，各供應商生產仍保持紀律，未有明顯新增產能，因此延續2013年與2014年態勢，今年DRAM各廠仍維持全面獲利。

2016年雖然受惠於智慧型手機及伺服器的需求，單機搭載容量會有顯著提升，但各項終端產品仍難有爆發性的發展，因此預估2016年整體DRAM需求約為23％，供給位元成長約為25％，市場仍維持小幅供過於求，DRAM單價持續下滑，各家獲利能力將大幅取決於製程轉進所造成的成本下降及產品組合的調配。

DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，DRAM屬寡占市場型態，各供應商在產能的擴張上皆有所節制，相較仍處於完全競爭的市場型態的NANDFlash健康許多。

美國記憶體大廠美光(Micron)昨(14)日宣布全數收購華亞科股權。市調機構集邦科技指出，為避免讓中資企業(如紫光集團)趁虛而入，儘管美光已擁有華亞科所有產能，但對美光而言，其他不確定因素仍大，美光將華亞科納入成為100％子公司後，有利於美光未來與台廠之間的合作。

集邦科技旗下記憶體處存事業處DRAMeXchange統計，以今年全球DRAM市場版圖，三星電子仍以46.7％高市占率穩居龍頭，SK海力士市占率約達28％為第二大廠，美光為第三大廠持股比重19.2％。至於與華亞科同屬台塑集團的南亞科則排名第四，市占率僅約3％。

美光目前DRAM總產能1個月約31萬片12吋約當晶圓，其中主要產能分布，分別為原為日本爾必達的日本廣島廠約10萬片、台灣瑞晶約8萬片、華亞科則約10萬，華亞科占美光總產能近3成，專職生產伺服器與標準型DRAM。

今年初美光與華亞科曾共同宣布，舊有DRAM價格計價模式將於2016年初開始改變。新制目前雖尚未實施，但將對華亞科較為不利，毛利預估將少3∼5％。明年DRAM市場供過於求未見減緩，恐將對華亞科極為不利。

華亞科目前持股結構，台塑集團合計約32％，與美光持有約33％股權幾乎相當，並列華亞科的大股東，但技術來源皆為美光集團。吳雅婷指出，目前南亞科Fab3ANorth新廠正在興建中，預計明年下半年將可導入20奈米製程技術並量產，藉由本次的換股與認購美光科技新股，南亞科同時獲得10奈米技術的選擇權後，將可確保後續技術授權無慮。

美光集團擴大對華亞科持股的考量則較複雜。就長遠的角度，新計價模式將導致華亞科獲利被壓縮，利益衝突將益趨明顯。吳雅婷指出，中國目前正大力扶植半導體政策，DRAM同為重點發展方向之一，若美光與華亞科漸行漸遠，且台灣政府願意放寬中資對台半導體企業的投資，將可能讓中資企業趁虛而入。因此儘管已有30％產能的控制力，對美光而言其餘不確定因素仍相當大，華亞科成為美光100％子公司後，將有利於美光未來合作相關事宜。

全球晶圓代工龍頭台積電決定登陸設12吋廠，亞洲半導體產業地位再提升。科技市調機構集邦預估，明年台積電營收上看300億美元（約新台幣9,900億元），年增二位數。

集邦指出，今年亞洲主要晶圓代工廠總營收將達360億美元（約新台幣1.18兆元），年增4%至5%，全球產值占比逾80%，明年有機會挑戰400億美元（約新台幣1.32兆元），年增逾一成。

集邦指出，台積電今年蘋果A9晶片表現技壓三星，在全球客戶心中奠定難以撼動的地位，預估台積電今年營收可達260億至270億美元（約新台幣8,580億至8,910億元），年增二位數。

先前伺服器需求放緩，影響相關記憶體價格走勢，研調機構集邦科技指出，第4季大型數據中心的需求湧現，伺服器用記憶體價格應能回穩。外界預期，伺服器DRAM占比高的華亞科（3474）本季業績可望受惠。

目前華亞科的非PC DRAM占比約七成，包括伺服器、消費性、繪圖與行動記憶體等，其中以伺服器用DRAM為主軸；PC DRAM占比只剩三成，因此伺服器DRAM價格回穩，對業績表現有利。

集邦科技表示，11月底DDR3伺服器用記憶體受到終端拉貨力道大幅轉移至DDR4影響，價格降幅較10月明顯，DDR4產品受惠於大型數據中心需求湧現，且滲透速度拉升，價格較有支撐。

集邦科技認為，英特爾伺服器新平台Purley預計在2017年推出，屆時大量伺服器機台的升級換機需求才會出現。2016年需求預期未如以往熱絡，伺服器用記憶體價格將持續下滑，明年整體伺服器用記憶體需求，主要將來自於單機搭載容量提升，需求位元年增幅度約維持在三成五左右。

華亞科正積極轉進20奈米製程，預計今年底20奈米投產比重達8萬片，現階段達近6萬片，30奈米投片占比相對逐步降低，明年第2季底前就會全數轉為20奈米。

蘋果iPhone明年第1季動能轉弱，非蘋陣營大反撲，帶動行動式記憶體（Mobile DRAM）出貨拉升，標準型DRAM價格同步止跌，加上DRAM廠明年資本支出放緩，法人看好，南亞科（2408）、華邦、華亞科等記憶體廠出現谷底反彈契機。

集邦科技先前指出，本季DRAM合約價在需求持續疲弱下，看跌一成，但IC通路商表示，近期非蘋陣營手機備貨需求積極，相關零組件如面板、手機晶片及Mobile DRAM出貨都升溫，反映iPhone明年第1季銷售動能趨緩，大砍零組件備貨，讓非蘋陣營趁勢反撲。

近期也不少外資對DRAM產業翻多，主因看好今年下半年DRAM資本支出與晶圓產能有放緩，全球DRAM龍頭三星因價格走跌而調降明年資本支出的空間，加上明年蘋果iPhone 7傳搭載DRAM將再上增到3GB，明年DRAM顆粒出貨成長率趨緩、需求增加，有助減輕供過求於的壓力。

記憶通路商表示，這波記憶體拉貨潮，主要集中在Mobile DRAM，讓盤跌近十個月的價格，出現止跌契機，由於三星、SK海力士及美光近幾季也積極調整產能在Mobile DRAM，隨拉貨動能升溫，相關廠商不再給予價格讓步，讓相關Mobile DRAM價格止跌 。

隨著這波大陸手機拉貨潮啟動，將可扭轉DRAM跌勢，加上相關庫存回補需求加溫，進而推升價格止跌回升，國內相關DRAM族群包括南亞科、華邦電及華亞科等明年營運也可望擺脫頹勢，逐季加溫。

根據集邦近期最新報價，DDR3 2Gb DRAM現貨價上周率先止跌反彈3%至4%，回升到1.14至1.46美元；主流DDR4 4Gb DRAM也守穩2.1美元，均價有機會重回2.4美元。

IC通路商表示，這波Moblie DRAM拉貨積極，主要來自大陸品牌手機大廠包括步步高、OPPO、中興、華為、聯想、海爾等，相關通路商也將同步回補庫存。據了解，包括三星、SK海力士及美光及華亞科等，均同步提配合主要手機廠搭載LPDDR4容量推升到2至3GB，並將產能挪移到Mobile DRAM。

集邦科技（TrendForce）旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange發布調查，強調固態硬碟（SSD）價格連四季跌幅逾一成，加速筆電廠商導入，雖下修今年筆電搭載率到25~28%，但預估明年搭載率將突破30%門檻，創見（2451）、威剛、廣穎、宇瞻及群聯和封測的力成、華東及華泰等概念股看俏。

筆記型電腦銷售成長低於預期，電腦品牌廠、零售通路採購心態保守。集邦指出，第3季筆電出貨量季增13%，但主因上季基期低，低於預期，因儲存型快閃記憶體（NAND Flash）價格走跌的預期心理，通路端客戶拉貨趨於保守，SSD出貨量僅比上季微幅成長，旺季不旺。

集邦統計，第3季筆記型電腦的固態硬碟搭載率24-25%，加計零售市場的固態硬碟出貨量，整體用戶級固態硬碟（Client-SSD）的總出貨量2,160萬顆。

DRAMeXchange資深研究經理陳玠瑋表示，第4季是歐美市場的傳統銷售旺季，受惠蘋果筆記型電腦銷售持續成長，加上非蘋陣營的電腦品牌廠搭載英特爾新Skylake處理器也開始出貨，預估本季筆記型電腦SSD搭載率會小幅上升至27-28%，第4季整體用戶級SSD總出貨量約季增46%。

集邦預估，明年隨256GB SSD價格可能與主流容量傳統硬碟接近，進一步拉升商務筆記型電腦產品的搭載率，預估2016年筆記型電腦固態硬碟搭載率將突破30%門檻，有利相關記憶體模組和控制IC廠營運看俏。不過，主要NAND Flash晶片廠為搶奪市占率及去化NAND Flash產能，預估NAND Flash價格戰很可能延續至2016年上半年。

集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange昨（19）日公布，第3季NAND晶片大廠整體營收僅季成長2.4%，主因價格跌幅加快。由於供過於求態勢短期難改善，法人憂心，廣穎（4973）、威剛、創見、群聯等NAND相關業者本季將受考驗。

集邦統計，第3季全球NAND市占率下滑的業者為三星、美光、英特爾，增加的是東芝及合作夥伴晟碟（SanDisk）。不過三星仍維持龍頭地位，市占率31.5%，領先第二名的東芝約9個百分點。

DRAMeXchange研究協理楊文得表示，三星持續稱冠，主因在3D-NAND Flash相關應用的固態硬碟（SSD）以及16奈米的eMMC/eMCP產品線均布局完整，重點都擺在高容量的SSD與eMMC╱eMCP產品推廣與銷售，拉開與其他業者的距離。

三星第3季位元出貨量較第2季成長約15%，但因平均銷售單價下滑幅度擴大，致合併營收微幅衰退1%，至26.8億美元，營業利益率也較第2季下滑。

東芝市占率超越其他同業持續提升，關鍵在15奈米產出比重在第3季突破50%，包括新款智慧型手機拉貨態度積極，加上SSD產品也陸續完成在伺服器與電腦業者的認證出貨，讓第3季東芝NAND Flash營收較第2季成長10%。

市占流失的美光，則積極反撲，除持續開發更多的企業級固態硬碟（Enterprise-SSD）與用戶級固態硬碟（Client- SSD）產品線，TLC產品也完成幾個策略合作的模組廠的認證，本季開始量產出貨。

美光預估，明年上半年TLC產出比重可達到20%。同時也加快3D-NAND Flash的製程轉進速度，明年3D-NAND Flash的產出會在下半年快速攀升，有機會超過30% 。

儘管標準型PCDRAM價格持續下滑，MobileDRAM(行動式記憶體)價格相對其他產品類別較為抗跌，在位元產出不斷增加的情況下，第3季MobileDRAM占總體DRAM營收已達40％，且持續擴大。由於蘋果新款i6s搭載2GBLPDDR4，推升MobileDRAM市場規模達45.45億美元，較第2季明顯成長18％。

根據市調機構集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange統計，第3季全球MobileDRAM市場規模季增率達18％，產值擴增量由大至小依序為SK海力士、三星、美光，與蘋果iPhone6s/6sPlus等新機上市而備貨的LPDDR4有高度相關性。

集邦科技旗下DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，第4季全球智慧型手機出貨季成長將持續提升，尤其在i6s的新機出貨帶動下，LPDDR4出貨比重將大幅提高，連帶推升MobileDRAM平均銷售單價，因此全球整體營收規模可望持續擴大。然而，明年第1季智慧型手機出貨恐呈現衰退，與今年第4季相較可能出現逾10％跌幅，MobileDRAM將面臨單價下滑態勢。

三星身為i6s的LPDDR4最大供應商，第3季受惠於智慧型手機旺季出貨需求，整體營收達25.86億美元，季成長率達16.5％。即使身處跌價壓力，三星第3季DRAM營業利益率仍維持在47％水準。

SK海力士也表現優異，同樣受惠i6s的LPDDR4出貨增加，第3季MobileDRAM的營收已達12億美元，較上季大幅成長30.5％，市占上升至26.4％。雖然目前SK海力士在MobileDRAM的主流製程仍是25奈米，落後三星約半個世代，但在價格持續滑落的環境中，仍扮演著維持獲利的關鍵角色。

美光第3季MobileDRAM營收來到6.95億美元，較上季成長約9.2％，市占小幅縮減來到15.3％。未來幾個季度，美光會大量產出20奈米產品，而MobileDRAM的20奈米產品約在明年第2季末逐漸出貨。

至於台灣MobileDRAM供應商南亞科及華邦電，第3季MobileDRAM營收均較第2季明顯衰退，除了產品線仍以LPDDR2/LPDDR3為主，無法爭取到一線大廠高階手機訂單，同時也受到第3季中低階Android智慧型手機銷售動能不佳衝擊。

DRAM市況差，集邦科技昨（2）日公布4Gb DDR3晶片現貨價創歷史新低價；最新出爐的合約價則重挫近10%，均價下探兩年來低點，今年以來累計跌逾50%。由於現為買方市場，法人預期11、12月價格還會再跌，跌勢至少到明年上半年。

這意味DRAM價格恐將持續一路破底，華亞科等業者壓力不小。華亞科上季受DRAM跌價衝擊，本業獲利季減32%，毛利率跌破三成大關、降至28%，本季展望保守。法人認為，DRAM價格不振，華亞科接下來幾季獲利仍將持續衰退。業界普遍對DRAM後市偏空看待，預期明年市場需求不會有爆發性成長。

根據集邦科技昨天晚間最新報價，4Gb DDR3晶片現貨價持續走弱，均價為2.004美元，摜破2012年11月底的2.008美元歷史低點價位；合約市場方面，最新出爐的10月4GB DDR3模組跌幅近一成，均價跌破17美元、下探16.75美元，也是近兩年低點。

集邦分析，市場需求不佳導致電腦代工廠庫存水位高，加上DRAM晶片廠先進製程產出持續增加，使DRAM轉為買方市場。

法人評估，本季合約價跌幅可能達15%左右。集邦研究協理吳雅婷指出，明年上半景氣依然不佳，價格持續走跌的可能性高。

法人認為，目前DRAM市況不佳，三星、SK海力士、美光等三大廠為了降低成本與搶奪市占率，明年上半年大概都不會考慮減產，因此恐怕合約價再下探，到明年中時，均價可能滑落到13美元附近，比現在再跌近18%。

集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange最新研究顯示，由於中國大陸市場胃納量龐大，在伺服器以及智慧型手機的出貨需求持續攀升下，預估2015年大陸內需市場將消耗120億美元的DRAM及66.7億美元的NANDFlash，分別占全球總產值的21.6％及29.1％。

集邦研究協理吳雅婷表示，從DRAM需求來觀察，近年來大陸品牌不論在個人電腦或是智慧型手機領域出貨量不斷增長，如聯想在個人電腦市場與第一名的惠普在伯仲之間，並穩居大陸市占冠軍，代表大陸品牌廠自有採購實力逐年增強。

在智慧型手機市場，大陸品牌的崛起更是明顯，前10大的手機品牌中，來自大陸的就囊括7席，由於大陸手機都採用Google的Android作業系統，需要比蘋果iOS更高的行動記憶體(MobileDRAM)支援，所以消耗量更為可觀。除此之外，近年來由於互聯網的快速崛起，建置伺服器的內部需求強勁成長，導致伺服器DRAM在大陸的消耗量已經逼近總產出的20％大關，足以證明大陸地區的經濟成長發展與DRAM產業的榮衰息息相關。

而隨著NANDFlash市場進入15/16奈米新製程，以及3DNAND進度加速的情況下，固態硬碟(SSD)相關NANDFlash終端應用成長力道更為強勁。除了智慧型手機的eMMC容量持續拉升外，SSD在筆記型電腦的滲透率也快速攀升。

集邦指出，大陸已成為各家智慧型手機、平板電腦、筆記型電腦業者的重點市場，特別是蘋果近兩年針對中國大陸零售鋪點與產品設計等著墨的力道也增加不少，而大陸品牌的智慧型手機業者也隨著海外布局的提升，在其產品規格甚至有凌駕國際品牌的趨勢，各項市場面的因素都讓大陸市場的NANDFlash消耗量快速提升。

從國家策略發展來觀察，大陸對於記憶體領域的發展具有相當程度的企圖心。目前大陸已有數個組織單位積極提出計畫表，冀望爭取官方經費，預計能夠在大陸當地製造記憶體產品，其主要目的並非一定是得到最先進的技術，但第一步先力求能夠達到「自製自銷」的目標。

高啟全將赴紫光集團擔任執行副總裁，可望在未來成為中國DRAM產業操盤手。業界人士認為，中國一直想要搶進DRAM市場，高啟全與美國記憶體大廠美光(Micron)高層之間又有多年合作經驗，紫光與美光合作案可說是大勢底定。

大陸紫光集團挾借其充沛的財力以及進軍半導體的決心，近日與美光集團的高層互動頻仍，而在大陸國家主席習近平訪美之後，紫光集團就以38億美元價格入股美國最大硬碟廠WD、取得15％股權及成為最大法人股東，因此，業界近期也傳出，紫光可能以同樣手法收購部份美光股權，以取得美光DRAM技轉，並在大陸設立DRAM廠。

大陸工信部去年成立國家積體電路產業投資基金(中國簡稱大基金)，持續對半導體生產鏈進行投資，有關大陸有意進軍DRAM市場的傳言不斷，雖然紫光有意收購美光一案已胎死腹中，但紫光投資美光卻可望成真。

集邦科技表示，紫光集團不排除以溢價方式收購部份美光股權，雖然該提案仍在討論階段，但在今年9月29日清華紫光集團旗下紫光股份公告將因籌畫重大事項涉及資產重組而停牌，與美光集團的聯姻可能成型。

對美光而言，若能與清華紫光在股權上產生合作的共識，在當下DRAM與NANDFlash價格持續下滑的市況而言，無疑是一個資金面的保障。在DRAM領域而言，與勁敵三星及SK海力士的製程相較，美光落後約有半年以上，並且市占排名為第三，若能在該領域與清華紫光合作，將大幅提升在中國地區的DRAM出貨。高啟全身為泛美光集團的高階主管之一，若能出任紫光高階主管，不排除能夠幫助搓合與美光合作的可能性。

只不過，紫光一旦與美光策略合作，對華亞科而言恐怕不是太正面的發展。若高啟全確定轉任紫光，將會從南亞科總經理、華亞科董事長一職卸任，代表昔日的資深長官恐怕變成競爭對手。而美光與紫光合作若成定局，必定會有在大陸地區建廠的計畫，長遠來說恐怕削弱華亞科代工地位的重要性。

由於大陸是全球最大的DRAM市場，用政府力量所帶動強大磁吸效應，台灣DRAM產業是否產生連鎖效應，導致供應鏈往對岸移動，進一步使台灣DRAM產業邊緣化，都是今後台灣業者得嚴肅面對的重要課題。