

集邦科技(未)公司新聞
全球前兩大記憶體廠三星及SK海力士(SK Hynix)擴建DRAM同踩煞車,上周通知設備商暫緩後續設備採購行動。業界解讀,二大DRAM廠市占逾七成,此舉有意藉調控產出量,避免DRAM供需失衡。
在所有研究機構看淡本季及明年DRAM展望,三星和SK海力士擴產策略急轉彎,對整體DRAM產業及台系DRAM大廠華亞科、南亞科及華邦電等無疑是一大利多。
三星和SK海力士不樂見當前DRAM價格來到二年半低點,希望藉暫停擴產腳步,消弭市場觀望氣氛,上周通知主要半導體設備供應商,包括三星的Line 17及SK海力士的M14,暫緩後續擴產行動。
另一大廠美光雖未表態,但美光執行長Mark Durcan上周在發布財報時,強調仍看好2016年整體記憶體將趨於穩定且好轉,顯示三大廠已達一定的默契,各自約束,不會讓主力產品陷入虧損局面。
半導體設備業者表示,三星的Line17原計劃要擴增到月產6萬~8萬片,但相關採購到4萬片後,上周突然通知設備廠暫緩後續設備採購作業。
業者解讀,三星認為擴增的產能已達原定的位元成長目標,再者,近期三星為消化DRAM庫存,針對部分PC大廠降價,削減三星獲利,內部檢討若持續放任產能擴增,對集團貢獻逾六成的DRAM 事業恐形成更不利影響。
至於SK海力士,目前全部獲利幾乎全靠DRAM挹注,NAND Flash已處於虧損,為扭轉頹勢,旗下M14廠才完成月產1萬片DRAM廠,也喊停。
據了解,SK海力士M14廠月產能規劃要達至10萬片的規模,且稍早該集團在總裁崔泰源獲特赦後,宣布斥資260億美元在南韓擴建新廠,由此看來,全球經濟低迷,SK海力士仍得先保住獲利。
市調機構顧能極不看好明年DRAM市況,預期市場恐將供過於求,明年DRAM產值可能衰退17.4%。
根據集邦統計,三星首季全球市占率達44.1%,為2011年第3季以來最高,SK海力士也升至27.6%,美光則掉到21.2%,南韓二大DRAM廠全球市占率逾七成,二大廠暫緩擴產行動,對扭轉全球DRAM供需,扮演極重要角色。
在所有研究機構看淡本季及明年DRAM展望,三星和SK海力士擴產策略急轉彎,對整體DRAM產業及台系DRAM大廠華亞科、南亞科及華邦電等無疑是一大利多。
三星和SK海力士不樂見當前DRAM價格來到二年半低點,希望藉暫停擴產腳步,消弭市場觀望氣氛,上周通知主要半導體設備供應商,包括三星的Line 17及SK海力士的M14,暫緩後續擴產行動。
另一大廠美光雖未表態,但美光執行長Mark Durcan上周在發布財報時,強調仍看好2016年整體記憶體將趨於穩定且好轉,顯示三大廠已達一定的默契,各自約束,不會讓主力產品陷入虧損局面。
半導體設備業者表示,三星的Line17原計劃要擴增到月產6萬~8萬片,但相關採購到4萬片後,上周突然通知設備廠暫緩後續設備採購作業。
業者解讀,三星認為擴增的產能已達原定的位元成長目標,再者,近期三星為消化DRAM庫存,針對部分PC大廠降價,削減三星獲利,內部檢討若持續放任產能擴增,對集團貢獻逾六成的DRAM 事業恐形成更不利影響。
至於SK海力士,目前全部獲利幾乎全靠DRAM挹注,NAND Flash已處於虧損,為扭轉頹勢,旗下M14廠才完成月產1萬片DRAM廠,也喊停。
據了解,SK海力士M14廠月產能規劃要達至10萬片的規模,且稍早該集團在總裁崔泰源獲特赦後,宣布斥資260億美元在南韓擴建新廠,由此看來,全球經濟低迷,SK海力士仍得先保住獲利。
市調機構顧能極不看好明年DRAM市況,預期市場恐將供過於求,明年DRAM產值可能衰退17.4%。
根據集邦統計,三星首季全球市占率達44.1%,為2011年第3季以來最高,SK海力士也升至27.6%,美光則掉到21.2%,南韓二大DRAM廠全球市占率逾七成,二大廠暫緩擴產行動,對扭轉全球DRAM供需,扮演極重要角色。
南韓二大DRAM暫緩擴建,業者研判,因二大廠具價格主導權,雖然第4季市況需求仍弱,但可預見二大廠已無意再降價,配合全球景氣逐步復甦,明年首季末DRAM將再掀漲勢。
目前各市調機構同步看淡第4季DRAM價格走勢,稍早集邦科技旗下的DRAMeXchange預估,第4季DRAM合約價恐再跌15%。不過,掌控全球逾七成的三星、SK海力士,似乎不這麼認為,決定透過暫停擴建新產能,避免整體DRAM供需過度失序。
記憶體模組業者強調,各通路商DRAM庫存降到非常低的水準,主要反映前二季PC銷售低於預期,不過,近期惠普發布最新銷售報告,美PC銷售已回溫。
目前各市調機構同步看淡第4季DRAM價格走勢,稍早集邦科技旗下的DRAMeXchange預估,第4季DRAM合約價恐再跌15%。不過,掌控全球逾七成的三星、SK海力士,似乎不這麼認為,決定透過暫停擴建新產能,避免整體DRAM供需過度失序。
記憶體模組業者強調,各通路商DRAM庫存降到非常低的水準,主要反映前二季PC銷售低於預期,不過,近期惠普發布最新銷售報告,美PC銷售已回溫。
DRAM市況不見起色,價格持續滑落,研調機構集邦科技昨(1)日表示,9月DDR3 4GB合約均價約下跌3%,預估明年上半年DRAM顆粒價格走勢將比現在狀況更加嚴峻。
外界認為,DRAM需求若無法有效提振,導致價格持續探底,將對華亞科(3474)等業者後續營運造成壓力。
儘管價格持續有下跌壓力,DRAM族群昨天在台股大漲激勵下,同步走揚,漲幅普遍超過1%,以華亞科上漲3.65%、收21.3元,漲勢最凌厲,呈現利空不跌。
集邦指出,9月DDR3 4GB合約均價從8月的19美元跌至18.5美元,跌幅約3%,最低價已來到18美元。相較於8月時,一線大廠力守價格在20至21美元間,當時現貨市場庫存水位低,且逢中國海關嚴格監控進口,掀起一波提前拉貨潮,現貨市場價格甚至大漲8%,但9月DRAM市場終究還是回歸基本面。
集邦統計,DRAM價格在第3季約下跌25%,法人預估,第4季DRAM價格跌幅約達15%左右,至於明年第1季,因為DRAM原廠轉進製程的產能會開始大量出貨,DDR 4產品的跌價應會加速,所以跌價空間可能比今年第4季更大。
目前部分DRAM業者已保守看待第4季營運,對於明年上半的情況也沒有太樂觀。
集邦研究協理吳雅婷表示,全球第3季NB出貨旺季不如預期,主因是Windows10無法帶動需求,免費升級策略也對換機潮造成影響;智慧型手機與伺服器出貨同樣面臨向下修正的困境,侵蝕DRAM廠的獲利空間。
外界認為,DRAM需求若無法有效提振,導致價格持續探底,將對華亞科(3474)等業者後續營運造成壓力。
儘管價格持續有下跌壓力,DRAM族群昨天在台股大漲激勵下,同步走揚,漲幅普遍超過1%,以華亞科上漲3.65%、收21.3元,漲勢最凌厲,呈現利空不跌。
集邦指出,9月DDR3 4GB合約均價從8月的19美元跌至18.5美元,跌幅約3%,最低價已來到18美元。相較於8月時,一線大廠力守價格在20至21美元間,當時現貨市場庫存水位低,且逢中國海關嚴格監控進口,掀起一波提前拉貨潮,現貨市場價格甚至大漲8%,但9月DRAM市場終究還是回歸基本面。
集邦統計,DRAM價格在第3季約下跌25%,法人預估,第4季DRAM價格跌幅約達15%左右,至於明年第1季,因為DRAM原廠轉進製程的產能會開始大量出貨,DDR 4產品的跌價應會加速,所以跌價空間可能比今年第4季更大。
目前部分DRAM業者已保守看待第4季營運,對於明年上半的情況也沒有太樂觀。
集邦研究協理吳雅婷表示,全球第3季NB出貨旺季不如預期,主因是Windows10無法帶動需求,免費升級策略也對換機潮造成影響;智慧型手機與伺服器出貨同樣面臨向下修正的困境,侵蝕DRAM廠的獲利空間。
對於整體太陽能市場展望,研調機構集邦科技昨(24)日指出,今年在中、美、日等各大市場及其他新興市場崛起的帶動下,太陽能需求持續成長。在政策不變的前提下,明年全球市場仍將繼續增加,需求量預計達約58GW(10億瓦),隨著市場需求持續放大,對業者營運有正面幫助。
集邦表示,今年上半全球前五大太陽能市場排名依序為中國、日本、美國、英國及德國,下半年預估英、德兩國安裝量持平,中、美國兩國將進入安裝高峰。
目前全球太陽能市場仍維持成長態勢,集邦提到,亞洲在中國十三五及領跑者計劃的推動下,縱使明年後將因日本逐漸減少補貼額度,導致需求減少,缺口仍能補足。
印度雖然發展較晚,但因中國廠商的參與,在地製造的產能持續擴大,明年將成為全球第四大市場;其他如南韓、泰國、菲律賓等也有一定數量的需求,預期明年亞洲市場可來到約33.1GW。
另外,美洲區域因碰上美國補貼即將結束,需求也預期會大幅度增加;南美各國含巴西、智利、宏都拉斯、烏拉圭等短期目標皆到數百MW(百萬瓦),預計2016年整體需求可達約14.6GW。
歐非中東地區則以英國市場的變化較大,由於政府對太陽能政策將走向無補貼趨勢,若真的實施修正政府電力收購制度(FiT),2016年需求將由預期的3GW,降低至1.2GW左右。其他如德國今年需求因補貼刪減持續衰退、希臘則因經濟問題逐漸轉回石化能源,但中東及非洲地區表現不俗。預估2016年歐非中東地區的太陽能安裝總量持平,約達10.3GW。
集邦表示,今年上半全球前五大太陽能市場排名依序為中國、日本、美國、英國及德國,下半年預估英、德兩國安裝量持平,中、美國兩國將進入安裝高峰。
目前全球太陽能市場仍維持成長態勢,集邦提到,亞洲在中國十三五及領跑者計劃的推動下,縱使明年後將因日本逐漸減少補貼額度,導致需求減少,缺口仍能補足。
印度雖然發展較晚,但因中國廠商的參與,在地製造的產能持續擴大,明年將成為全球第四大市場;其他如南韓、泰國、菲律賓等也有一定數量的需求,預期明年亞洲市場可來到約33.1GW。
另外,美洲區域因碰上美國補貼即將結束,需求也預期會大幅度增加;南美各國含巴西、智利、宏都拉斯、烏拉圭等短期目標皆到數百MW(百萬瓦),預計2016年整體需求可達約14.6GW。
歐非中東地區則以英國市場的變化較大,由於政府對太陽能政策將走向無補貼趨勢,若真的實施修正政府電力收購制度(FiT),2016年需求將由預期的3GW,降低至1.2GW左右。其他如德國今年需求因補貼刪減持續衰退、希臘則因經濟問題逐漸轉回石化能源,但中東及非洲地區表現不俗。預估2016年歐非中東地區的太陽能安裝總量持平,約達10.3GW。
PC DRAM價格從今年初起明顯滑落,近期跌勢稍有緩和,研調機構集邦科技昨(14)日指出,因全球經濟狀況疲弱,且匯率波動劇烈影響,企業用伺服器品牌出貨呈現停滯,甚至是衰退,伺服器記憶體價格持續滑落,本季以來DDR4模組合約均價跌幅達15%。
集邦表示,9月伺服器用記憶體價格跌幅雖可望收斂,但跌價壓力依然存在。伺服器用記憶體模組主流容量將從今年的8GB╱16GB提升至16GB╱32GB,明年在單機搭載記憶體容量提升帶動下,伺服器記憶體需求位元成長仍可高達三成。
不過,由於缺乏新一代伺服器記憶體產品,加上英特爾新平台Purley於2017年才會上市,集邦預估,明年上半年伺服器記憶體跌價趨勢恐將持續。
業界人士認為,第4季的DRAM價格或可穩住,甚至稍有回升一些,但由於整體PC與手機的需求不佳,連伺服器產品需求也受到波及,明年上半的情況沒有想像中樂觀。
集邦表示,9月伺服器用記憶體價格跌幅雖可望收斂,但跌價壓力依然存在。伺服器用記憶體模組主流容量將從今年的8GB╱16GB提升至16GB╱32GB,明年在單機搭載記憶體容量提升帶動下,伺服器記憶體需求位元成長仍可高達三成。
不過,由於缺乏新一代伺服器記憶體產品,加上英特爾新平台Purley於2017年才會上市,集邦預估,明年上半年伺服器記憶體跌價趨勢恐將持續。
業界人士認為,第4季的DRAM價格或可穩住,甚至稍有回升一些,但由於整體PC與手機的需求不佳,連伺服器產品需求也受到波及,明年上半的情況沒有想像中樂觀。
儲存型快閃記憶體(NAND Flash)持續供過於求,價格明顯滑落,研調機構集邦科技昨(3)日表示,歐美返校與中國十一長假備貨潮未出現,8月下旬主流顆粒合約均價下跌6%至7%,下滑幅度是近三個月新高。
集邦預估,今年NAND晶片供過於求的狀況,將持續至明年第1季,價格也將持續下滑。外界預期,NAND市況未見改善,對創見(2451)、宇瞻等NAND相關業務比重較高的模組廠營運會造成壓力。
對於NAND Flash市況,模組廠坦言,近期需求面確實沒有什麼好消息,智慧手機市場已經飽和,即使蘋果iPhone 6s亮相,應該也拉不起來。
集邦預估,今年NAND晶片供過於求的狀況,將持續至明年第1季,價格也將持續下滑。外界預期,NAND市況未見改善,對創見(2451)、宇瞻等NAND相關業務比重較高的模組廠營運會造成壓力。
對於NAND Flash市況,模組廠坦言,近期需求面確實沒有什麼好消息,智慧手機市場已經飽和,即使蘋果iPhone 6s亮相,應該也拉不起來。
太陽能族群近期受惠於需求回溫,電池價格已走揚一段時間,不過研調機構集邦科技昨(24)日指出,大陸廠商於第三地擴產,相關產能將於明年陸續開出,衝擊供需市況。外界預期,屆時可能對茂迪(6244)、新日光、昱晶等太陽能業者造成營運壓力。
台股昨日重挫,太陽能類股也是重災區,盤中一度多達11檔跌停,收盤一片綠油油,包括矽晶圓廠綠能、達能,電池廠茂迪、昱晶、新日光、太極、昇陽科等,股價均不支倒地。
集邦科技表示,今年太陽能市況相對較為供需平衡,近期整體市況還不錯,不過最近產品漲幅有些停滯,因為人民幣貶值,台廠與大陸客戶的報價仍在拉鋸,預期9月還能有小幅調漲空間。
同時,集邦科技提到,今年上半年印度是成長最明顯的市場,躍居中國模組三大主要出口國之一。
下半年預期有中、美、日、印等四大市場的支撐,整體需求持續暢旺,帶動電池及模組廠商產能利用率持續滿載。
但由於中國大陸廠商大幅在兩岸之外的第三地擴產,可能從今年末開始量產,這將使得明年上半年淡季供需再度有失衡之虞,尤其是明年第2季,這將造成市場跌價壓力。
由於歐美貿易戰的範圍大多為電池及模組,今年大廠的第三地產能建置也大多為這兩項產能。集邦科技指出,無論是購買新產線、現有產能外移、或與第三地廠商合作,都讓中國當地產能獨霸的版圖漸有轉移,印度、馬來西亞、泰國等地的產業聚落將更成熟。未來新增的第三地產能擁有無稅率優勢,將壓制台灣各電池廠的產品漲勢。
目前台廠中,以茂迪的反傾銷稅率最低,昱晶則為最高,其餘電池廠則適用平均稅率,因此其中以茂迪的產品價格回升幅度與回流訂單量最為可觀。
台股昨日重挫,太陽能類股也是重災區,盤中一度多達11檔跌停,收盤一片綠油油,包括矽晶圓廠綠能、達能,電池廠茂迪、昱晶、新日光、太極、昇陽科等,股價均不支倒地。
集邦科技表示,今年太陽能市況相對較為供需平衡,近期整體市況還不錯,不過最近產品漲幅有些停滯,因為人民幣貶值,台廠與大陸客戶的報價仍在拉鋸,預期9月還能有小幅調漲空間。
同時,集邦科技提到,今年上半年印度是成長最明顯的市場,躍居中國模組三大主要出口國之一。
下半年預期有中、美、日、印等四大市場的支撐,整體需求持續暢旺,帶動電池及模組廠商產能利用率持續滿載。
但由於中國大陸廠商大幅在兩岸之外的第三地擴產,可能從今年末開始量產,這將使得明年上半年淡季供需再度有失衡之虞,尤其是明年第2季,這將造成市場跌價壓力。
由於歐美貿易戰的範圍大多為電池及模組,今年大廠的第三地產能建置也大多為這兩項產能。集邦科技指出,無論是購買新產線、現有產能外移、或與第三地廠商合作,都讓中國當地產能獨霸的版圖漸有轉移,印度、馬來西亞、泰國等地的產業聚落將更成熟。未來新增的第三地產能擁有無稅率優勢,將壓制台灣各電池廠的產品漲勢。
目前台廠中,以茂迪的反傾銷稅率最低,昱晶則為最高,其餘電池廠則適用平均稅率,因此其中以茂迪的產品價格回升幅度與回流訂單量最為可觀。
DRAM市況因手機和個人電腦銷售不佳呈現疲弱,記憶體模組金士頓、創見(2451)、威剛、勁永及宇瞻等,紛紛降低DRAM占比,轉攻固態硬碟(SSD)、嵌入式記憶體及相關車用周邊記憶產器,拓展新利基市場。
受到DRAM需求和價格同步下滑影響,記憶體模組廠上半年普遍繳出低於去年同期成績,部分廠商如威剛第2季甚至陷入虧損,單季每股虧損1.19元,上半年每股虧損1.07元。
創見第2季雖仍維持獲利,但比首季大幅衰退逾四成,每股純益1.14元,上半年每股純益3.08元,低於去年同期的4.04元。
集邦科技表示,今年因DRAM現貨市場規模逐漸變小,模組廠必須尋找新市場維持營收的成長,其中以金士頓打入合約市場,是最佳的案例。因應PC銷售不如預期,今年各記憶體模組也都專注高毛利的工規市場或電競市場,同時也積極提高Flash產品比重及策略性商品。
美商金士頓、晟碟(SanDisk)及國內品牌大廠創見(2451)、威剛、宇瞻等推出USB新一代傳輸介面USB 3.0 或3.1 Type C隨身碟,卡位新一代傳輸商機。
威剛今年也儘量降低DRAM庫存,避免遭受存貨跌價損失,產品押注在快閃記憶體比重提高,主攻工控固態硬碟和嵌入式快間記憶體;DRAM則主攻毛利較高的電競市場,另外也持續增加電影的投資。
創見除固守工控應用記憶體外,也推出新型行車紀錄器,拓展車用周邊商機。
宇瞻今年主要重心集中衝刺嵌入式產品及固態硬碟,尤其與群聯結盟後,將積極發展零售SSD產品,希望能彌補DRAM產品業績。
受到DRAM需求和價格同步下滑影響,記憶體模組廠上半年普遍繳出低於去年同期成績,部分廠商如威剛第2季甚至陷入虧損,單季每股虧損1.19元,上半年每股虧損1.07元。
創見第2季雖仍維持獲利,但比首季大幅衰退逾四成,每股純益1.14元,上半年每股純益3.08元,低於去年同期的4.04元。
集邦科技表示,今年因DRAM現貨市場規模逐漸變小,模組廠必須尋找新市場維持營收的成長,其中以金士頓打入合約市場,是最佳的案例。因應PC銷售不如預期,今年各記憶體模組也都專注高毛利的工規市場或電競市場,同時也積極提高Flash產品比重及策略性商品。
美商金士頓、晟碟(SanDisk)及國內品牌大廠創見(2451)、威剛、宇瞻等推出USB新一代傳輸介面USB 3.0 或3.1 Type C隨身碟,卡位新一代傳輸商機。
威剛今年也儘量降低DRAM庫存,避免遭受存貨跌價損失,產品押注在快閃記憶體比重提高,主攻工控固態硬碟和嵌入式快間記憶體;DRAM則主攻毛利較高的電競市場,另外也持續增加電影的投資。
創見除固守工控應用記憶體外,也推出新型行車紀錄器,拓展車用周邊商機。
宇瞻今年主要重心集中衝刺嵌入式產品及固態硬碟,尤其與群聯結盟後,將積極發展零售SSD產品,希望能彌補DRAM產品業績。
調機構集邦科技昨(17)日發布最新調查顯示,第2季行動式記憶體營收達到38.51億美元,季增7.7%,也成為支撐DRAM廠獲利的主要關鍵。
集邦預估,第3季因標準型記憶體合約價持續下滑,預料將加速各廠提升行動式記憶體腳步,推升行動式記憶體占整體DRAM營收比重,超越第2季的33.7%。
國內DRAM三雄南亞科(2408)、華亞科及華邦電,昨天股價即受到DRAM價格持續下跌,同時美光股價跌到2年來低點的衝擊,同步下挫,其中與美光連動高的華亞科跌幅達5.79%,以18.7元作收;南亞科跌幅更高達8.73%,收盤價37.65元;華邦電收6.91元,跌幅1.99%。
集邦研究協理吳雅婷表示,第2季行動式記憶體的位元產出主要仍來自於韓系廠商三星半導體。三星推出的旗艦型機種Galaxy S6以及S6 edge搭載3GB的LPDDR4 DRAM,大幅提升三星半導體在第2季行動式記憶體的出貨,占總產出比重約四成,標準型記憶體的占比也降至兩成多。
集邦預估,第3季因標準型記憶體合約價持續下滑,預料將加速各廠提升行動式記憶體腳步,推升行動式記憶體占整體DRAM營收比重,超越第2季的33.7%。
國內DRAM三雄南亞科(2408)、華亞科及華邦電,昨天股價即受到DRAM價格持續下跌,同時美光股價跌到2年來低點的衝擊,同步下挫,其中與美光連動高的華亞科跌幅達5.79%,以18.7元作收;南亞科跌幅更高達8.73%,收盤價37.65元;華邦電收6.91元,跌幅1.99%。
集邦研究協理吳雅婷表示,第2季行動式記憶體的位元產出主要仍來自於韓系廠商三星半導體。三星推出的旗艦型機種Galaxy S6以及S6 edge搭載3GB的LPDDR4 DRAM,大幅提升三星半導體在第2季行動式記憶體的出貨,占總產出比重約四成,標準型記憶體的占比也降至兩成多。
集邦科技旗下光電事業處 WitsView昨(17)日發表預測指出,在電視品牌廠提高採購量的支撐下,大尺寸電視面板第3季出貨量可望與前一季持平;但第4季預估電視面板出貨將衰退10%,對面板雙虎群創(3481)和友達帶來營運壓力。
WitsView公布最新液晶電視面板出貨報告顯示,今年7月電視面板出貨總量達2,231萬片,月減1%、年增7%。今年以來電視終端銷售疲軟,但品牌對第4季旺季銷售仍寄予厚望,加上近期品牌紛紛提高採購量,以強化對面板廠的議價能力,都轉化為對電視面板的出貨支撐。WitsView預估第3季出貨將與上一季持平。
全球六大面板廠7月電視面板出貨表現,以三星顯示器、京東方及華星光電最亮眼。三星顯示器受惠於主要客戶三星電視品牌訂單回流,7月出貨大幅攀升,月增28%。中國大陸廠商京東方與華星光電也有不錯表現,8.5代產能持續開出,32吋、48吋、55吋出貨同步成長,加上京東方新尺寸43吋的加入,單月出貨分別成長4%與5%。至於樂金顯示器、友達及群創等業者,因主力客戶訂單加持規模有限,且缺乏新產能挹注,皆呈現衰退,7月分別月減13%、2%、18%。
展望第4季,大陸經濟發展趨緩,顯示出內需市場飽和,加上年底的中秋、十一國慶、光棍節(1111)等節慶促銷缺乏驚喜,在9月中旬後,大陸電視品牌面板採購是否能維持現有力道,值得關注。
WitsView認為,今年前三季電視面板備貨力道雖相對強勁,但終端銷售始終疲軟,使面板去化難有喘息機會,恐導致庫存水位持續攀升。WitsView預估,在需求不振及庫存累積的雙重疑慮下,第4季電視面板出貨將較第3季衰退10%,供需失衡的情況將每況愈下。
WitsView公布最新液晶電視面板出貨報告顯示,今年7月電視面板出貨總量達2,231萬片,月減1%、年增7%。今年以來電視終端銷售疲軟,但品牌對第4季旺季銷售仍寄予厚望,加上近期品牌紛紛提高採購量,以強化對面板廠的議價能力,都轉化為對電視面板的出貨支撐。WitsView預估第3季出貨將與上一季持平。
全球六大面板廠7月電視面板出貨表現,以三星顯示器、京東方及華星光電最亮眼。三星顯示器受惠於主要客戶三星電視品牌訂單回流,7月出貨大幅攀升,月增28%。中國大陸廠商京東方與華星光電也有不錯表現,8.5代產能持續開出,32吋、48吋、55吋出貨同步成長,加上京東方新尺寸43吋的加入,單月出貨分別成長4%與5%。至於樂金顯示器、友達及群創等業者,因主力客戶訂單加持規模有限,且缺乏新產能挹注,皆呈現衰退,7月分別月減13%、2%、18%。
展望第4季,大陸經濟發展趨緩,顯示出內需市場飽和,加上年底的中秋、十一國慶、光棍節(1111)等節慶促銷缺乏驚喜,在9月中旬後,大陸電視品牌面板採購是否能維持現有力道,值得關注。
WitsView認為,今年前三季電視面板備貨力道雖相對強勁,但終端銷售始終疲軟,使面板去化難有喘息機會,恐導致庫存水位持續攀升。WitsView預估,在需求不振及庫存累積的雙重疑慮下,第4季電視面板出貨將較第3季衰退10%,供需失衡的情況將每況愈下。
相較於PCDRAM價格跌跌不休,應用在智慧型手機中的MobileDRAM價格相對抗跌,加上有新一代產品LPDDR4的加入提高了平均銷售單價,根據集邦科技旗下記憶儲存事業處DRAMeXchange調查,第2季MobileDRAM營收規模達38.51億美元,季增率達7.7%,在總體DRAM市場占比也達33.7%,且規模持續擴大當中。
集邦研究協理吳雅婷表示,第2季MobileDRAM的位元產出主要仍來自於韓國三星。三星推出的旗艦型機種GalaxyS6/S6Edge搭載3GBLPDDR4,大幅提升了第2季三星在MobileDRAM市場的出貨,占其DRAM總產出比重上看4成,也相對降低了標準型PCDRAM比重。
由於業界預期PCDRAM第3季價格跌幅將上看30%,快速侵蝕DRAM廠獲利,因此,三星日前已經計畫暫緩PCDRAM的出貨,並且將產能轉向MobileDRAM,希望在iPhone新機的LPDDR4的出貨比率能夠提升,同時更擴大MobileDRAM在其他客戶的市占。
吳雅婷表示,PCDRAM價格下跌快速,MobileDRAM成為穩定獲利率的關鍵。三星挾介其優異的製程能力以及完整的產品線,降低PCDRAM轉向MobileDRAM的策略很可能奏效,近一步壓縮其他廠商的獲利空間,在這一波DRAM市場的衰退潮,大者恆大的趨勢將更為明顯。
三星受惠於GalaxyS6/S6Edge的出貨帶動,第2季MobileDRAM營收季增19.1%達22.19億美元,由於三星是LPDDR4產出比率最高,製程也採用最先進的20奈米,預期將是蘋果新iPhone的LPDDR4最大供應商。由於三星第2季的MobileDRAM獲利已高於PCDRAM,下半年若能擴大LPDDR4出貨量,將可穩固整體獲利成為最大贏家。
SK海力士同樣受惠於MobileDRAM產出比重的提升,且LPDDR4開始小量出貨,第2季的表現持穩,營收來到9.2億美元。目前SK海力士與三星在製程上的距離約有半年的落後需要追趕,生產成本略高,但仍然能夠在下半年DRAM價格無法止跌的市況中,維持相對穩健的獲利表現。
至於美光、南亞科、華邦電等業者,第2季MobileDRAM營收均呈現衰退,主要原因在於採用的30奈米或25奈米製程,比起韓系業者較為落後。此外,美光主要爭取中國大陸智慧型手機訂單,但其eMCP產品線尚未成熟,因此處於一個相對弱勢的位置。
集邦研究協理吳雅婷表示,第2季MobileDRAM的位元產出主要仍來自於韓國三星。三星推出的旗艦型機種GalaxyS6/S6Edge搭載3GBLPDDR4,大幅提升了第2季三星在MobileDRAM市場的出貨,占其DRAM總產出比重上看4成,也相對降低了標準型PCDRAM比重。
由於業界預期PCDRAM第3季價格跌幅將上看30%,快速侵蝕DRAM廠獲利,因此,三星日前已經計畫暫緩PCDRAM的出貨,並且將產能轉向MobileDRAM,希望在iPhone新機的LPDDR4的出貨比率能夠提升,同時更擴大MobileDRAM在其他客戶的市占。
吳雅婷表示,PCDRAM價格下跌快速,MobileDRAM成為穩定獲利率的關鍵。三星挾介其優異的製程能力以及完整的產品線,降低PCDRAM轉向MobileDRAM的策略很可能奏效,近一步壓縮其他廠商的獲利空間,在這一波DRAM市場的衰退潮,大者恆大的趨勢將更為明顯。
三星受惠於GalaxyS6/S6Edge的出貨帶動,第2季MobileDRAM營收季增19.1%達22.19億美元,由於三星是LPDDR4產出比率最高,製程也採用最先進的20奈米,預期將是蘋果新iPhone的LPDDR4最大供應商。由於三星第2季的MobileDRAM獲利已高於PCDRAM,下半年若能擴大LPDDR4出貨量,將可穩固整體獲利成為最大贏家。
SK海力士同樣受惠於MobileDRAM產出比重的提升,且LPDDR4開始小量出貨,第2季的表現持穩,營收來到9.2億美元。目前SK海力士與三星在製程上的距離約有半年的落後需要追趕,生產成本略高,但仍然能夠在下半年DRAM價格無法止跌的市況中,維持相對穩健的獲利表現。
至於美光、南亞科、華邦電等業者,第2季MobileDRAM營收均呈現衰退,主要原因在於採用的30奈米或25奈米製程,比起韓系業者較為落後。此外,美光主要爭取中國大陸智慧型手機訂單,但其eMCP產品線尚未成熟,因此處於一個相對弱勢的位置。
個人電腦(PC)及手機銷售不如預期,DRAM跌勢不止,主流DDR4 4Gb每顆跌破3美元支撐,美光上周與分析師會議展望後市不佳,上周五股價重挫4.24%,跌至兩年來新低,通路商認為,DRAM止跌反彈恐延至第4季。
為挽救DRAM頹勢,全球DRAM龍頭三星上月底宣布減產PC DRAM,將產能轉至供應手機用的低功耗行動式記憶體(Mobile DRAM),不過,因遭遇另一大廠美光本月處於會計年度結束,賣壓仍重,導致近期主流DDR4 4Gb DRAM報價,上周最低來到2.9美元,正式跌破3美元支撐,短短一個月內跌幅高達15%,反應需求不振。
DRAM業者表示,價格持續下滑,並非來自供給大增,而是需求不振。原本冀望第3季電子傳統旺季帶動需求,目前旺季不旺確立,筆電和手機等需求端持續疲弱,加上美光年終的作帳賣壓,加深DDR4 4Gb DRAM跌勢。
美光上周舉行分析師會議,在展望後市不佳及近期公布的全年財報也不如預期下,股價跌破前波17美元支撐,最低跌到16.82美元,最後以16.95美元收盤,跌幅4.24%,為兩年多來新低,加深市場對DRAM族群後市疑慮,對同屬美光集團的華亞科(3474)今日股價恐帶來負面衝擊。
集邦上周公布第2季全球DRAM市占率,三星以45.1%獨占鰲頭,且比首季43.1%提升,SK海力士也由首季的27.3%增至27.7%,美光市占卻由首季22.5%降至20.6%,顯示美光因推進到20奈米製程進度落後前二家,市占大幅流失。未來幾季,DRAM業仍面臨嚴峻考驗,但通路端庫存水位極低,年底購物節會有一波備貨需求,原預期本季反彈將落空,DRAM跌勢最快9月才會落底,預期反彈將延至第4季。
為挽救DRAM頹勢,全球DRAM龍頭三星上月底宣布減產PC DRAM,將產能轉至供應手機用的低功耗行動式記憶體(Mobile DRAM),不過,因遭遇另一大廠美光本月處於會計年度結束,賣壓仍重,導致近期主流DDR4 4Gb DRAM報價,上周最低來到2.9美元,正式跌破3美元支撐,短短一個月內跌幅高達15%,反應需求不振。
DRAM業者表示,價格持續下滑,並非來自供給大增,而是需求不振。原本冀望第3季電子傳統旺季帶動需求,目前旺季不旺確立,筆電和手機等需求端持續疲弱,加上美光年終的作帳賣壓,加深DDR4 4Gb DRAM跌勢。
美光上周舉行分析師會議,在展望後市不佳及近期公布的全年財報也不如預期下,股價跌破前波17美元支撐,最低跌到16.82美元,最後以16.95美元收盤,跌幅4.24%,為兩年多來新低,加深市場對DRAM族群後市疑慮,對同屬美光集團的華亞科(3474)今日股價恐帶來負面衝擊。
集邦上周公布第2季全球DRAM市占率,三星以45.1%獨占鰲頭,且比首季43.1%提升,SK海力士也由首季的27.3%增至27.7%,美光市占卻由首季22.5%降至20.6%,顯示美光因推進到20奈米製程進度落後前二家,市占大幅流失。未來幾季,DRAM業仍面臨嚴峻考驗,但通路端庫存水位極低,年底購物節會有一波備貨需求,原預期本季反彈將落空,DRAM跌勢最快9月才會落底,預期反彈將延至第4季。
NB與PC市場不振,DRAM類股成重災區,研調機構集邦科技昨(27)日表示,微軟Windows 10作業系統對硬體規格要求沒有太多提升,相關換機潮將減弱,且為規避Win 10授權金,有廠商考慮在低價機種使用2GB記憶體,將導致今年NB記憶體搭載容量下修,對產業是雪上加霜。
DRAM族群華亞科(3474)、南亞科、鈺創、晶豪科與力積昨面對大盤重挫,紛紛中槍倒地,收跌停。
DRAM族群華亞科(3474)、南亞科、鈺創、晶豪科與力積昨面對大盤重挫,紛紛中槍倒地,收跌停。
DRAM狂殺南亞科華亞科受重傷報價跌勢未見底,廠商Q2獲利估季減2成,下半年也不太妙
個人電腦及智慧型手機市場仍在去化過多庫存,但包括三星、SK海力士、美光等三大廠的20奈米DRAM,卻已開始進入全面量產投片階段。由於20奈米可切割的裸晶(grossdie)數量較30奈米大增80∼100%,DRAM市場供給過剩問題已日趨惡化,不僅價格續跌看不見底,也直接衝擊DRAM廠導致獲利大縮水。
法人指出,DRAM市場供給過剩,標準型及利基型DRAM價格同樣跌跌不休,預估南亞科(2408)、華亞科(3474)、華邦電(2344)等DRAM廠第2季獲利恐將較第1季縮水2成左右。以第3季DRAM價格續創新低的情況來看,DRAM廠獲利恐將較第2季再縮水3成以上,第4季還會更低。
今年上半年PC市場需求疲弱,雖然上游DRAM廠沒有增加任何新產能,還因為進行20奈米微縮,導致產能出現自然減損,但DRAM市場仍處於供給過剩情況,DRAM現貨價及合約價同步走跌。7月以來PC市場需求毫無起色,加上OEM廠及模組廠手中庫存已拉高到2∼3個月新高,上游20奈米DRAM新產能持續開出,DRAM價格不僅看不到止跌跡象,跌勢還有擴大跡象。
根據集邦科技報價,4GbDDR3今年初現貨均價約3.7美元,6月底跌到2.6美元,7月至今已跌到2.4美元,等於今年內價格跌幅達35%。合約價部份,今年初約3.6美元,至6月底已跌至2.7美元,7月合約價雖然仍在協商,但OEM廠手中庫存水位過高,模組廠預估將一舉跌破2.5美元價位。
模組業者表示,下半年PC市場雖有英特爾Skylake處理器及微軟Windows10推出,但Windows10採取直接升級,初期很難大規模刺激換機需求,但供給面來看,下半年正好是三大DRAM廠加快20奈米微縮的時間點,由於20奈米每片晶圓產出的裸晶數量,較25奈米增加30∼50%,較30奈米增加80∼100%,隨著20奈米投片比重持續拉高,供給量只會愈來愈多,DRAM供給過剩情況明顯惡化,價格跌勢加快,而且看不見底部。
標準型DRAM價格跌不停,利基型及行動型DRAM自然受到拖累,今年上半年價格已跌逾2成,7月以來價格亦下滑逾5%。受到DRAM價格持續下跌影響,DRAM廠第2季獲利明顯縮水,下半年營收及獲利看來也會逐季且大幅下滑。
南亞科及華亞科28日將召開法說會,目前不評論法人預估財務數字。惟法人預估,華亞科第2季營收季減12.0%達162.44億元,單季獲利低於60億元,上半年每股淨利不到2元,第3季每股淨利可能下探0.5元。南亞科第2季營收季減7.2%達111.56億元,單季獲利恐僅50億元左右,第3季看來會低於40億元。
個人電腦及智慧型手機市場仍在去化過多庫存,但包括三星、SK海力士、美光等三大廠的20奈米DRAM,卻已開始進入全面量產投片階段。由於20奈米可切割的裸晶(grossdie)數量較30奈米大增80∼100%,DRAM市場供給過剩問題已日趨惡化,不僅價格續跌看不見底,也直接衝擊DRAM廠導致獲利大縮水。
法人指出,DRAM市場供給過剩,標準型及利基型DRAM價格同樣跌跌不休,預估南亞科(2408)、華亞科(3474)、華邦電(2344)等DRAM廠第2季獲利恐將較第1季縮水2成左右。以第3季DRAM價格續創新低的情況來看,DRAM廠獲利恐將較第2季再縮水3成以上,第4季還會更低。
今年上半年PC市場需求疲弱,雖然上游DRAM廠沒有增加任何新產能,還因為進行20奈米微縮,導致產能出現自然減損,但DRAM市場仍處於供給過剩情況,DRAM現貨價及合約價同步走跌。7月以來PC市場需求毫無起色,加上OEM廠及模組廠手中庫存已拉高到2∼3個月新高,上游20奈米DRAM新產能持續開出,DRAM價格不僅看不到止跌跡象,跌勢還有擴大跡象。
根據集邦科技報價,4GbDDR3今年初現貨均價約3.7美元,6月底跌到2.6美元,7月至今已跌到2.4美元,等於今年內價格跌幅達35%。合約價部份,今年初約3.6美元,至6月底已跌至2.7美元,7月合約價雖然仍在協商,但OEM廠手中庫存水位過高,模組廠預估將一舉跌破2.5美元價位。
模組業者表示,下半年PC市場雖有英特爾Skylake處理器及微軟Windows10推出,但Windows10採取直接升級,初期很難大規模刺激換機需求,但供給面來看,下半年正好是三大DRAM廠加快20奈米微縮的時間點,由於20奈米每片晶圓產出的裸晶數量,較25奈米增加30∼50%,較30奈米增加80∼100%,隨著20奈米投片比重持續拉高,供給量只會愈來愈多,DRAM供給過剩情況明顯惡化,價格跌勢加快,而且看不見底部。
標準型DRAM價格跌不停,利基型及行動型DRAM自然受到拖累,今年上半年價格已跌逾2成,7月以來價格亦下滑逾5%。受到DRAM價格持續下跌影響,DRAM廠第2季獲利明顯縮水,下半年營收及獲利看來也會逐季且大幅下滑。
南亞科及華亞科28日將召開法說會,目前不評論法人預估財務數字。惟法人預估,華亞科第2季營收季減12.0%達162.44億元,單季獲利低於60億元,上半年每股淨利不到2元,第3季每股淨利可能下探0.5元。南亞科第2季營收季減7.2%達111.56億元,單季獲利恐僅50億元左右,第3季看來會低於40億元。
2015年無晶圓廠(Fabless)IC設計產業表現受到智慧型手機、平板電腦、個人電腦等產品出貨不如預期影響,表現欠佳,但市場寄望隨著下半年的旺季來臨,此情況將有所改善。若不計阿爾特拉(Altera)併入英特爾後造成的產值減損,集邦科技旗下拓墣產業研究所預估,今年全球IC設計產業年增率約3.8%,產值913億美元左右。
拓墣半導體分析師陳穎書表示,相較於全球IC設計業,2015年台灣IC設計產業成長力道雖不如2014年,但由於基本面健康,成長力道得以維持,預計總產值年成長約達4.8%,優於全球的平均成長率。
中國IC設計產業則受惠於政府政策支持、技術層次提升與擁有廣大的內需市場,預計2015年總產值成長幅度將超過15%。其中,展訊併入紫光集團後,再加上英特爾的入股,技術和資金實力大增;而華為集團旗下海思將推出以16奈米製程的Kirin950,性能亦具競爭力。
2015年上半年佔IC設計產業總產值超過25%的行動應用處理器,競爭仍十分激烈,晶片廠皆有4G新產品問世。陳穎書表示,雖然削價情形嚴重,但由於市場廣大,各廠家仍在降價同時不斷追逐最先進製程技術、開發更高效能的架構。
另方面,物聯網第一波浪潮穿戴式裝置也在2015年遍地開花。微控制器、通訊晶片等晶片成長迅速。在通訊晶片方面,將其整合至其他晶片中成為異質系統單晶片為一趨勢,市場可見到愈來愈普及的WiFi模組與MCU整合晶片與藍牙模組整合晶片等。
拓墣半導體分析師陳穎書表示,相較於全球IC設計業,2015年台灣IC設計產業成長力道雖不如2014年,但由於基本面健康,成長力道得以維持,預計總產值年成長約達4.8%,優於全球的平均成長率。
中國IC設計產業則受惠於政府政策支持、技術層次提升與擁有廣大的內需市場,預計2015年總產值成長幅度將超過15%。其中,展訊併入紫光集團後,再加上英特爾的入股,技術和資金實力大增;而華為集團旗下海思將推出以16奈米製程的Kirin950,性能亦具競爭力。
2015年上半年佔IC設計產業總產值超過25%的行動應用處理器,競爭仍十分激烈,晶片廠皆有4G新產品問世。陳穎書表示,雖然削價情形嚴重,但由於市場廣大,各廠家仍在降價同時不斷追逐最先進製程技術、開發更高效能的架構。
另方面,物聯網第一波浪潮穿戴式裝置也在2015年遍地開花。微控制器、通訊晶片等晶片成長迅速。在通訊晶片方面,將其整合至其他晶片中成為異質系統單晶片為一趨勢,市場可見到愈來愈普及的WiFi模組與MCU整合晶片與藍牙模組整合晶片等。
受到筆記型電腦的出貨疲軟影響,標準型記憶體受到庫存去化不易影響,第3季的合約價格持續下探、尚未見到止跌訊號。不過,研調單位預估,伺服器用記憶體將受惠於白牌伺服器出貨暢旺,產品報價的跌勢可望在本季出現收歛。
研調機構集邦科技(TrendForce)旗下DRAMeXchange表示,全球經濟局勢不確定因素影響,DRAM市場上半年呈現供過於求狀況,進入第3季又面臨筆記型電腦的出貨疲軟、使得標準型記憶體產能去化不易,導致合約價格不斷下探。
至於伺服器記憶體方面,在第2季面臨伺服器業者期待DDR4跌價的預期心理影響,需求受到壓抑,也因此伺服器用的DDR3與DDR4的價差,從年初的30%,縮短至第2季底的10%。
進入第3季,由於Google、Facebook、Amazon及Microsoft等大型資料中心需求強勁、加計新世代產品DDR4良率提升,推升DDR4與DDR3的價差已有效縮短,預料伺服器記憶體的價格跌勢已領先標準型記憶體,開始出現收歛。
DRAMeXchange調查,DDR3R-DIMM平均價格今年以來跌幅達7∼9%,DDR4R-DIMM近半年跌價幅度則接近20%,伺服器用DDR3與DDR4價差從年初的30%,縮小至第2季底的10%左右。
分析師劉家羽指出,伺服器用記憶體新世代產品DDR4無論是滲透速度與價格,都是今年市場關注的焦點,目前伺服器的DIMM單條主流容量為8GB/16GB,隨著20/21奈米良率提升,8Gb單晶顆粒產出比重將迅速拉升,未來主流將轉向更高容量產品如32GB甚至64GB規格發展,也更能因應雲端服務的爆炸性成長對伺服器單機搭載容量需求的提升。
劉家羽預估,伺服器用記憶體漲跌幅的波動,相對較標準型記憶體小,因此即便標準型記憶體價格仍具下探壓力,但預估伺服器用記憶體價格平均跌幅將在第3季有所收斂。
研調機構集邦科技(TrendForce)旗下DRAMeXchange表示,全球經濟局勢不確定因素影響,DRAM市場上半年呈現供過於求狀況,進入第3季又面臨筆記型電腦的出貨疲軟、使得標準型記憶體產能去化不易,導致合約價格不斷下探。
至於伺服器記憶體方面,在第2季面臨伺服器業者期待DDR4跌價的預期心理影響,需求受到壓抑,也因此伺服器用的DDR3與DDR4的價差,從年初的30%,縮短至第2季底的10%。
進入第3季,由於Google、Facebook、Amazon及Microsoft等大型資料中心需求強勁、加計新世代產品DDR4良率提升,推升DDR4與DDR3的價差已有效縮短,預料伺服器記憶體的價格跌勢已領先標準型記憶體,開始出現收歛。
DRAMeXchange調查,DDR3R-DIMM平均價格今年以來跌幅達7∼9%,DDR4R-DIMM近半年跌價幅度則接近20%,伺服器用DDR3與DDR4價差從年初的30%,縮小至第2季底的10%左右。
分析師劉家羽指出,伺服器用記憶體新世代產品DDR4無論是滲透速度與價格,都是今年市場關注的焦點,目前伺服器的DIMM單條主流容量為8GB/16GB,隨著20/21奈米良率提升,8Gb單晶顆粒產出比重將迅速拉升,未來主流將轉向更高容量產品如32GB甚至64GB規格發展,也更能因應雲端服務的爆炸性成長對伺服器單機搭載容量需求的提升。
劉家羽預估,伺服器用記憶體漲跌幅的波動,相對較標準型記憶體小,因此即便標準型記憶體價格仍具下探壓力,但預估伺服器用記憶體價格平均跌幅將在第3季有所收斂。
市調機構集邦科技表示,中國工信部電子信息司司長丁文武主導的半導體小組,屬意晶圓代工廠武漢新芯成為中國發展記憶體產業的首要重點區域。業界人士指出,武漢新芯與合作夥伴賽普拉斯(Cypress)已成功完成9層堆疊的3DNAND試產,雖然有意進軍DRAM市場,但因缺乏產品及製程專利,能否說服三大廠進行技轉將是重要關鍵。
集邦表示,中國工信部宣布國家積體電路產業投資基金(大基金)去年成立後,進軍DRAM領域成為中國半導體計畫的第一步。期間經過中國六大地方政府競逐DRAM生產基地,各地方政府也努力的尋找技術、人力、財力及資源,希望躋身為中國半導體領域的重要省分。經過激烈的競爭後,武漢新芯可望出線。
集邦指出,中國工信部電子信息司司長丁文武主導的半導體小組屬意武漢新芯成為中國大陸記憶體產業發展計畫的首要重點區域,未來可能由趙海軍領軍並以武漢新芯做為增資平台。除了大基金外,中芯國際、湖北省科技投資集團、湖北基金、華芯投資等都會投資,遠期計畫要募集到240億美元的規模,長期產能目標要建立每月30萬片龐大規模,正式展開中國大陸DRAM產業發展的計畫。
武漢新芯2008年12吋晶圓廠正式完工並開始投片,原為中芯國際旗下的一座工廠,後來2013年中芯國際退出營運,武漢新芯正式獨立成單一公司,由武漢市政府負責,現任執行長為前中芯營運長楊士寧。
武漢新芯目前有一座12吋晶圓廠運作中,主要是取得飛索半導體(Spansion)的NORFlash及NANDFlash技轉並為其代工,是大陸主要CMOS影像感測器代工廠。而Cypress今年3月正式併購Spansion後,武漢新芯也與Cypress擴大合作內容,為其代工NORFlash及NANDFlash,並且投入3DNAND的技術研發。
只不過,大陸官方雖然希望武漢新芯能跨足DRAM市場,但短期內恐怕無法順利達成目標。業界人士指出,DRAM市場經過過去十餘年的產業整併後,產品專利及製程專利都集中在三星、SK海力士、美光等三大廠手中,就算大陸大基金成功搶下DRAM設計廠矽成,武漢新芯仍因缺乏製程專利而無法順利投產,唯一的解決之道,就是看看能否爭取三大廠的技轉授權。
集邦表示,中國工信部宣布國家積體電路產業投資基金(大基金)去年成立後,進軍DRAM領域成為中國半導體計畫的第一步。期間經過中國六大地方政府競逐DRAM生產基地,各地方政府也努力的尋找技術、人力、財力及資源,希望躋身為中國半導體領域的重要省分。經過激烈的競爭後,武漢新芯可望出線。
集邦指出,中國工信部電子信息司司長丁文武主導的半導體小組屬意武漢新芯成為中國大陸記憶體產業發展計畫的首要重點區域,未來可能由趙海軍領軍並以武漢新芯做為增資平台。除了大基金外,中芯國際、湖北省科技投資集團、湖北基金、華芯投資等都會投資,遠期計畫要募集到240億美元的規模,長期產能目標要建立每月30萬片龐大規模,正式展開中國大陸DRAM產業發展的計畫。
武漢新芯2008年12吋晶圓廠正式完工並開始投片,原為中芯國際旗下的一座工廠,後來2013年中芯國際退出營運,武漢新芯正式獨立成單一公司,由武漢市政府負責,現任執行長為前中芯營運長楊士寧。
武漢新芯目前有一座12吋晶圓廠運作中,主要是取得飛索半導體(Spansion)的NORFlash及NANDFlash技轉並為其代工,是大陸主要CMOS影像感測器代工廠。而Cypress今年3月正式併購Spansion後,武漢新芯也與Cypress擴大合作內容,為其代工NORFlash及NANDFlash,並且投入3DNAND的技術研發。
只不過,大陸官方雖然希望武漢新芯能跨足DRAM市場,但短期內恐怕無法順利達成目標。業界人士指出,DRAM市場經過過去十餘年的產業整併後,產品專利及製程專利都集中在三星、SK海力士、美光等三大廠手中,就算大陸大基金成功搶下DRAM設計廠矽成,武漢新芯仍因缺乏製程專利而無法順利投產,唯一的解決之道,就是看看能否爭取三大廠的技轉授權。
今年以來固態硬碟(SSD)價格落至甜蜜點,帶動創見(2451)、威剛(3260)、宇瞻(8271)等模組廠SSD出貨持續創下新高,集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange最新研究報告顯示,2015年的筆記型電腦SSD滲透率將突破30%大關,更可望在2017年超越50%。
集邦科技指出,隨著NANDFlash製程往下演進至15/16奈米及3D-NANDFlash,SSD價格滑落的速度也逐步加快,第2季度128GB消費型固態硬碟(Client-SSD)的OEM合約均價已下探至50美元,256GB也接近90美元的水準,預期第3季隨著3D-NANDFlash出貨比重開始攀升,筆記型電腦SSD滲透率攀升速度將加快。
集邦預估,去年筆記型電腦SSD滲透率21%,今年將突破30%大關,更可望在2017年來到56%,等於是屆時每2台筆電就有1台是搭載SSD。
集邦研究協理楊文得表示,今年ClientSSD市場產品OEM合約價格下滑的速度,將因TLC架構的SSD逐漸興起而加快。其中,領導廠商三星憑藉自有開發的控制晶片技術及TLC晶片,在市場上推廣態度積極,去年開始以較佳的性價比,在各大主要OEM廠商中的市占率快速攀升。
此外,三星TLC規格3D-NANDFlash的SSD在上半年均完成產品認證測試的流程,自第2季起量產出貨,隨著今年下半年英特爾新處理器平台Skylake上市,出貨量將快速增長,此舉也迫使其他SSD廠商加速開發TLC規格SSD的產品,並加快15/16奈米製程的微縮速度。
至於其他NANDFlash業者的TLC規格SSD則預計在今年下半年陸續送樣給OEM廠商測試,搭載15/16奈米最新製程的MLC規格SSD也將自第3季起推出,因此下半年ClientSSD的OEM價格下滑的幅度將加快。
綜觀應用面,英特爾的處理器支援各種SSD架構的態度漸趨積極,除了相當普遍且成熟的SATA3.0市場外,高速傳輸的PCIe介面市場也逐漸興起。蘋果MacBookPro/Air系列自去年起全面導入PCIe介面,也讓其他OEM業者除了開始規畫相關PCIe應用的產品外,更要求NANDFlash廠商加速開發PCIe介面的SSD。集邦預測今年PCIe的滲透率約20%,而隨著英特爾Skylake及後續處理器平台均可支援PCIe介面的SSD,SSD控制晶片廠也將陸續推出更多具價格競爭力的晶片,明年起PCIe的SSD比重有望明顯增加。
集邦科技指出,隨著NANDFlash製程往下演進至15/16奈米及3D-NANDFlash,SSD價格滑落的速度也逐步加快,第2季度128GB消費型固態硬碟(Client-SSD)的OEM合約均價已下探至50美元,256GB也接近90美元的水準,預期第3季隨著3D-NANDFlash出貨比重開始攀升,筆記型電腦SSD滲透率攀升速度將加快。
集邦預估,去年筆記型電腦SSD滲透率21%,今年將突破30%大關,更可望在2017年來到56%,等於是屆時每2台筆電就有1台是搭載SSD。
集邦研究協理楊文得表示,今年ClientSSD市場產品OEM合約價格下滑的速度,將因TLC架構的SSD逐漸興起而加快。其中,領導廠商三星憑藉自有開發的控制晶片技術及TLC晶片,在市場上推廣態度積極,去年開始以較佳的性價比,在各大主要OEM廠商中的市占率快速攀升。
此外,三星TLC規格3D-NANDFlash的SSD在上半年均完成產品認證測試的流程,自第2季起量產出貨,隨著今年下半年英特爾新處理器平台Skylake上市,出貨量將快速增長,此舉也迫使其他SSD廠商加速開發TLC規格SSD的產品,並加快15/16奈米製程的微縮速度。
至於其他NANDFlash業者的TLC規格SSD則預計在今年下半年陸續送樣給OEM廠商測試,搭載15/16奈米最新製程的MLC規格SSD也將自第3季起推出,因此下半年ClientSSD的OEM價格下滑的幅度將加快。
綜觀應用面,英特爾的處理器支援各種SSD架構的態度漸趨積極,除了相當普遍且成熟的SATA3.0市場外,高速傳輸的PCIe介面市場也逐漸興起。蘋果MacBookPro/Air系列自去年起全面導入PCIe介面,也讓其他OEM業者除了開始規畫相關PCIe應用的產品外,更要求NANDFlash廠商加速開發PCIe介面的SSD。集邦預測今年PCIe的滲透率約20%,而隨著英特爾Skylake及後續處理器平台均可支援PCIe介面的SSD,SSD控制晶片廠也將陸續推出更多具價格競爭力的晶片,明年起PCIe的SSD比重有望明顯增加。
近期標準記憶體市況仍受庫存調整拖累,但行動記憶體價格相對抗跌,是相關記憶體廠商的重要業績來源。台廠當中包括南亞科(2408)、華邦電等,在行動記憶體領域都有著墨,可成為穩定的支撐力道。
研調機構集邦科技研究協理吳雅婷表示,預計上半年行動記憶體價格呈現穩定小跌的趨勢,隨著LPDDR4導入市場,新舊產品交替,將衍生出更多商機。
集邦昨(25)日公布調查資料顯示,今年第1季全球行動記憶體營收達35.76億美元(約新台幣1,093.24億元),季減不到1%,占DRAM總產值比重為29.8%,目前行動記憶體占整體DRAM供應已接近四成。
研調機構集邦科技研究協理吳雅婷表示,預計上半年行動記憶體價格呈現穩定小跌的趨勢,隨著LPDDR4導入市場,新舊產品交替,將衍生出更多商機。
集邦昨(25)日公布調查資料顯示,今年第1季全球行動記憶體營收達35.76億美元(約新台幣1,093.24億元),季減不到1%,占DRAM總產值比重為29.8%,目前行動記憶體占整體DRAM供應已接近四成。
外電報導,在紐約交易所掛牌的全球太陽能模組龍頭中國英利向紐約交易所提出的報告中坦言,對於能否持續經營有所存疑。英利與台灣太陽能廠有業務往來,業界憂心英利財務告急,恐導致台廠面臨倒帳問題。
台灣太陽能廠昨(19)日表示,若與大陸廠交易,都會收到銀行信用狀後才出貨,以控管風險。
研調機構集邦科技統計,去年第4季英利的太陽能模組產能達4GW(10億瓦),全球產能市占率第一、達6.2%;排名第二的天合光能產能市占率5.9%;第三是晶科、市占5%。
太陽能市場競爭激烈,價格持續滑落,外電報導,英利從2011年第2季後陷入虧損,至去年底的短期負債已達16億美元(約新台幣480億元),長期負債4.6億美元(約新台幣138億元)。
英利去年營收20.83億美元(約新台幣624億元),毛利率17.3%,全年淨損約2.09億美元(約新台幣62億元)。去年英利模組出貨量達3.36GW。
大陸是全球最大的太陽能市場,也是首要生產基地,大陸業者在太陽能模組市場的市占約七成。英利去年模組出貨地區以大陸內需為最大宗、占37%,其次是日本占18%。
台灣太陽能電池廠指出,現在與陸廠做生意,都要收到銀行信用狀才願意出貨,如果沒有,考量到應收帳款的安全性,寧可犧牲眼前營收,先前才會有部分訂單遞延到下個月出貨的情形。
台廠說,依照各太陽能陸廠的財報,包括天合、晶科、晶澳、阿特斯等,目前財務體質都還不錯。業界都知道英利財務面較有壓力,與英利交易,會注意相關風險,審慎洽談條件。
電池業者表示,依目前與英利往來的狀況,研判其營運還不至於有危機。
台灣太陽能廠昨(19)日表示,若與大陸廠交易,都會收到銀行信用狀後才出貨,以控管風險。
研調機構集邦科技統計,去年第4季英利的太陽能模組產能達4GW(10億瓦),全球產能市占率第一、達6.2%;排名第二的天合光能產能市占率5.9%;第三是晶科、市占5%。
太陽能市場競爭激烈,價格持續滑落,外電報導,英利從2011年第2季後陷入虧損,至去年底的短期負債已達16億美元(約新台幣480億元),長期負債4.6億美元(約新台幣138億元)。
英利去年營收20.83億美元(約新台幣624億元),毛利率17.3%,全年淨損約2.09億美元(約新台幣62億元)。去年英利模組出貨量達3.36GW。
大陸是全球最大的太陽能市場,也是首要生產基地,大陸業者在太陽能模組市場的市占約七成。英利去年模組出貨地區以大陸內需為最大宗、占37%,其次是日本占18%。
台灣太陽能電池廠指出,現在與陸廠做生意,都要收到銀行信用狀才願意出貨,如果沒有,考量到應收帳款的安全性,寧可犧牲眼前營收,先前才會有部分訂單遞延到下個月出貨的情形。
台廠說,依照各太陽能陸廠的財報,包括天合、晶科、晶澳、阿特斯等,目前財務體質都還不錯。業界都知道英利財務面較有壓力,與英利交易,會注意相關風險,審慎洽談條件。
電池業者表示,依目前與英利往來的狀況,研判其營運還不至於有危機。
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