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DRAM行情出現反轉訊號，專業報價機構集邦科技昨（17）日公布11月上旬DRAM合約價終止連續半年漲勢，最高較10月下旬下跌4.5%，預期明年首季將續跌5%至7%，法人憂心隨著報價走弱，恐不利南亞科、華亞科短期營運。

儘管合約價走勢露疲態，南亞科資深副總經理李培瑛強調，目前DRAM市況穩定，個人電腦及伺服器市場仍供不應求，但低功率、消費及現貨市況持平。他預估，南亞科本季整體產品平均售價估計將較第3季下滑3%至5%，整體營運還是會不錯。

據悉，三星日前與個人電腦大廠惠普，協議第4季標準型DRAM調漲3%，化解市場原預期第4季淡季，價格可能下跌的疑慮，不過三星與惠普協議似乎遭遇阻力，三星最後同意降價，以取得惠普大單，此舉讓其他電腦代工廠（OEM）同步要求其他DRAM廠降價，是造成11月上旬合約價回跌的原因之一。

集邦表示，兩大指標廠三星及SK海力士25奈米製程良率漸趨穩定、產出增加，部分DRAM廠策略逐步自獲利導向，轉為出貨導向，讓OEM廠乘勢壓低採購價，也造成11月上旬DRAM合約價走跌。

根據集邦統計，11月上旬DDR3 4GB模組合約均價下跌3.1%，來到31.75美元；高價位產品合約價更從33.5美元下滑至32美元，跌幅達4.5%。

集邦協理吳雅婷預期，隨著DRAM顆粒產出增加，加上第4季適逢手機需求淡季，產能不易移轉至行動記憶體，DRAM後續價格走跌機率高，不排除明年第1季可能跌破30美元關卡，與現階段價位相較，跌幅約5%至7%。

DRAM後市出現雜音，衝擊族群昨天股價表現，華亞科由紅翻黑急殺，盤中跌幅一度近6%，終場收44元、跌幅5.38%；南亞科收盤價63.7元、跌幅3.48%。

南亞科和華亞科今日應野村證券邀請，參加法說會，但昨天三大法人同步大舉賣超華亞科2萬4,803張，其中，外資賣超1萬8,391張。

三星、SK海力士及美光三大DRAM廠明年製程進入20奈米世代，儘管市場憂心恐造成供給大增、壓抑價格走勢，但DRAM業者強調，製程微縮並非一、兩天可以完成，期間將遭遇技術瓶頸與整量產能縮減等問題，因此儘管資本支出龐大，明年DRAM價格仍可望持穩，業者仍會穩定獲利。

集邦協理吳雅婷表示，三星及SK海力士在製程推進至25奈米期間，都吃足苦頭，預料美光借重華亞科從30奈米製程直接切入20奈米製程，同樣也將面臨極大的挑戰。三星首次進入28奈米製程時，因良率無法有效提升，黯然宣告中止，部分產能轉回35奈米，部份產能直上25奈米製程務求突破，經超過一年的改善，今年下半年良率終良邁入成熟階段，預計今年底產出量高達70%，明年更計劃由20奈米接棒，是目前量產20奈米製程進度最快的DRAM廠。

SK海力士去年底導入25奈米量產，初期也面臨良率不高的問題，經半年努力，終於獲得突破性的改善，決議從第4季至明年第1季將產能大幅轉進25奈米製程，明年中再推21奈米製程量產。

美光集團25奈米製程在併購爾必達後也進入成熟階段，美光更將切入20奈米的重責大任寄託在華亞科上。

研調機構集邦科技昨（12）日指出，第3季標準型記憶體產出減少，帶動相關合約價持續上漲，全球第3季DRAM產值達120億美元，季增11%，單季營收再創新高。

對於第4季DRAM市況，華亞科（3474）董事長高啟全認為，仍將持穩。

集邦表示，第3季三大DRAM廠積極調配旗下產能，以應付蘋果iPhone新機的行動式記憶體需求。

在排擠效應下，導致標準型記憶體產出減少，合約價上漲，標準型記憶體因此蟬聯毛利最高的DRAM產品。

全球第3季DRAM產值達120億美元，集邦指出，由於各DRAM廠產品比重調配得宜，且先進製程產出增加，獲利能力進一步提升，其中以三星表現最佳。

三星25奈米製程良率於第3季來到約85%，SK海力士25奈米製程良率在第3季也有突破性發展，預計第4季產出量將大增，將帶動營收提升。

由於三星、SK海力士、美光等三大廠手中過半產能均投產MobileD RAM，導致標準型、伺服器DRAM供給吃緊；通路業者透露，三星9月底 調漲標準型及伺服器DRAM合約價5％後，美光正與OEM廠協商將漲價3 ∼5％，華亞科可直接受惠。

第4季原是DRAM傳統淡季，但今年市況明顯轉變，在全球DRAM無新 增產能，蘋果新推出的iPhone 6/6 Plus全球熱賣，今年若出貨量1億 支，將去化高達1億顆8Gb LPDDR3產能；此外，蘋果iPad Air 2搭載 2GB容量Mobile DRAM，年底前若出貨量如預期般達2,000萬，也將去 化4,000萬顆8Gb LPDDR3。

光蘋果年底前就需要1.4億顆以上8Gb LPDDR3產出支援，等同吃掉 20萬片2x奈米12吋晶圓產能。此外，非蘋陣營第4季及明年第1季大量 推出4G智慧型手機，搭載Mobile DRAM容量上看2∼3GB，第4季就去化 15萬片以上12吋晶圓產能。

也因此，三大DRAM廠為了滿足Mobile DRAM強勁需求，第4季Mobil e DRAM投片均逾5成，嚴重排擠標準型及伺服器DRAM供給量。雖然第 4季是PC/NB市場淡季，不過資料中心及伺服器需求續強，才意外在淡 季出現供給吃緊情況，包括16GB DDR3伺服器DRAM模組已連漲3個月飆 上140美元新天價，且三星、美光9月順利調漲DRAM合約價，4GB DDR 3模組達33美元，美光正與OEM廠協商將再漲合約價3∼5％。

DRAM合約價順利調漲，華亞科受惠最大，9月位元出貨量雖較8月下 滑，但受惠於美光漲價效應，修正後營收月增2.8％達69億元。法人 表示，華亞科第3季營收季減6.2％，但因毛利率持平且認列匯兌收益 ，第3季稅後淨利上看115億元，將創歷史新高，前3季每股淨利約5. 3元。

集邦科技指出，10月4GB DDR3模組合約價格從第3季合約低價31美 元往33美元移動，實際漲幅帶來的營收利益，會在第4季發酵。

記憶體專業研調機構集邦科技昨（6）日表示，三星平澤新廠最快2017上半年正式投產，有鑑於三星智慧手機採用自家處理器的比重並未明顯增長，若三星新廠落成，著重於DRAM或儲存型快閃記憶體（NAND Flash）產品的可能性較高。

集邦研究協理吳雅婷指出，三星此一時間點在DRAM市場的策略，應是較激進的「先擴產先贏」，意即市占最大的領導廠商率先宣布擴產，因風險增高，其他競爭者將難以跟進，藉此保持三星在記憶體市場的領先地位。

吳雅婷認為，三星宣布擴廠，並非考量需求強勁，而是三星陸續進行海外投資，受到南韓政府高度關切，要求將某部分投資留在南韓。至於平澤新廠的具體建廠時程及產品別仍待評估。

明年三星Line17廠對DRAM的位元增長貢獻集中在下半年，預估平澤新廠要在2016年下半年之後才有可能影響市場供給，因此短期不致造成市場太大波動。

半導體設備商透露，記憶體龍頭三星半導體已啟動南韓新廠line 18新廠擴建，將全數投入生產DRAM及NAND Flash，預計明年6月完成建廠，第3季裝機投產，恐將打破近二年已趨穩定的DRAM平衡，為明年DRAM供需投下新變數。

無獨有偶，三星因自家手機銷售不佳及蘋果代工訂單大量流失，今年起，將原生產28奈米製程邏輯晶片產能轉作生產DRAM。

根據三星下給設備廠的改造設備訂單估算，位於南韓華城的line 17廠，至少將有月產能5萬片全數轉作生產DRAM，預計年底開始投片，相關轉換進度已造成市場一定程度干擾。

設備商預估，明年6月後，三星line 17及新廠line 18增加DRAM的產出，勢必將打破維持近二年的DRAM供需平衡，增加的產出，將不再是業者眼中的一朵烏雲，可能是一場新的風暴。

三星將line 17轉作DRAM的消息，近期在市場掀起極大的討論，稍早市場傳出，三星因搶到蘋果A9訂單，且為維持DRAM價格平穩，決定暫緩轉移line 17轉作DRAM腳步。

不過，根據取得三星下單設備商透露，三星啟動DRAM增產的行動並未停止，外資券商摩根士丹利也證實，三星增產DRAM如火如荼進行中。

設備商表示，三星除了line 17廠確定有超過5萬片產能轉為生產DRAM外，也在line 17廠旁，啟動line 18廠的新建案。

雖然三星還未對外公開宣布擴產消息，但這座新廠已經動工，並訂明年6月完工，可開始裝機，若全數投入DRAM生產，估計每月增加產能，將遠大於line 17的5萬片，可能超過6萬片。

國內DRAM大廠華亞科董事長高啟全昨（5）日表示，並未聽說三星line 18新建案。他強調，DRAM供需平穩對各DRAM廠有利，他不認為三星會重新打破這個平衡。

三星手機銷售不佳，衝擊財報表現，轉向衝刺毛利率較佳的記憶體事業，似乎已成為撐起集團獲利首要之策，三星這頭記憶體界的「大猩猩」重新衝刺DRAM，帶給業界震撼不可小覷。

根據集邦統計，目前全球每月DRAM需求約105萬片，照原本各家DRAM轉進2x奈米製程微縮，以及南韓三星南韓line 17廠新增DRAM產能，原預估每月僅增約5萬片，占全球總產能不到5%。

隨著三星啟動line 18廠新建計畫，將使明年DRAM供給增加至少逾11萬片，增加供給量逾一成，現有DRAM產業寡占的架構將面臨重大挑戰，甚至會讓DRAM供過於求的情況再現。

三星日前釋出已於14奈米（鰭式場效電晶體）重新獲得蘋果A9處理器訂單的消息，讓外界一度認為三星將放緩line 17轉DRAM的行動。

研調機構集邦科技昨（1）日表示，整體太陽能供應鏈從9月開始加溫，以因應第4季的安裝熱潮，預計隨著中、日等市場需求增加，二、三線廠代工單也會增加，整體稼動率將恢復到85%以上。

雖然太陽能市況近期已有所好轉，包括訂單量與價格都回溫，但法人推估，不少太陽能業者在第3季仍會面臨虧損的壓力。

在矽晶圓方面，集邦指出，因市場對效率提升的需求，二、三線矽晶圓片廠技術提升空間有限，既有一線廠商因此有機會擴大市占率，且為提高輸出瓦數，矽晶圓將往大尺寸或重回開發類單晶的方向發展。

至於電池方面，台電池廠為增加產品競爭力並開拓新市場，紛紛提高單晶產能，預計台廠在2015年的單晶規模，可望達到全部產能的30%至40%。

另外，對於最上游的多晶矽方面，集邦表示，第3季受到國際貿易戰的影響，加上需求不如預期，雖然多晶矽價格持平且有向上趨勢，但多數多晶矽廠商仍選擇延後新產能。中國大陸先前暫停多晶矽來料加工貿易申請，做為年底前中美談判的重要籌碼，美方的決定將影響大陸是否持續封堵多晶矽進口的課稅漏洞。

集邦研究經理黃公暉認為，如果中美雙方在雙反判決仍然無法取得共識，明年多晶矽市場可能就會面臨較大的變數，而且也有可能將會導致大陸境內的多晶矽價格上漲，而海外的價格則會下跌。

研調機構集邦科技昨（28）日表示，短期DRAM合約價上漲機會受限，礙於今年大陸十一拉貨潮動能可能不強，下季DRAM價格跌幅可能達一成，明年若總體經濟不佳，恐再度有供過於求疑慮。外界認為，市場不確定性增加，將為南亞科（2408）、華亞科等業者後續營運添加變數。

集邦認為，目前DRAM現貨顆粒價格比合約價高出約15%，由於價差太大，現貨價可能向下修正。

集邦指出，往年大陸十一長假前的拉貨潮都會為DRAM市場帶來一劑強心針，但目前業界還無法確認今年大陸十一假期是否能為DRAM市況帶來漲勢。集邦保守認為，今年大陸十一假期刺激DRAM報價走揚的機率不大。

DRAM模組廠則指出，DRAM市場由三大龍頭業者主控，目前供需還算健康，因此對第3季與第4季的價格走勢不會悲觀。雖然市場傳出三星可能增產的消息，但三星DRAM業務還處於獲利狀態，沒有必要打壞市場，所以現階段尚可中性看待市況。

集邦預期，今年以來DRAM市場持續供貨吃緊、價格走揚，DRAM廠因此紛紛決定自第4季開始增加產能，估計2015年因製程微縮與新增產能貢獻，DRAM產出年增率將逼近30%，若明年總體經濟狀況不如預期，恐將導致DRAM供過於求的情況再現，壓縮DRAM廠獲利。

集邦分析，三大DRAM廠皆面臨製程微縮至2X奈米後，生產複雜度變高，導致總投片量下修的問題，因此寡占市場下的自律開始出現鬆動。三星首先宣布韓國Line17生產線將挪用部分產能生產DRAM，最快今年底開始投片，初步優先生產標準型記憶體，明年下半產能將達每月6萬片，等於增加全球DRAM約5%產能。

SK海力士韓國利川M14新廠將在明年落成，目前規劃總產能不會增加，但難保後續不會跟進增加產能。

近期儲存型快閃記憶體（NAND Flash）市況佳，研調機構集邦科技昨（25）日預期，2015年NAND Flash產業規模將提升至266億美元（約新台幣7,980億元），年成長率為9%。外界看好群聯（8299）、威剛、創見、宇瞻等概念股都將受惠於相關需求成長力道。

集邦科技研究協理楊文得表示，今年NAND Flash需求位元成長率約為36%，在終端應用更多元化的情況下，估計2015年需求位元成長率仍有35%。

由於智慧手機與平板電腦逐漸進入成熟期，出貨動能趨緩，固態硬碟（SSD）應用將成為NAND晶片下一波成長動能。

在DRAM現貨價持續上漲之際，7月份DRAM合約價也同步上漲，4GBD DR3模組高價區來到33美元，漲幅達6.5％。集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange認為，第3季DRAM價格將會維持高價水位，不排除8月及9月還有小幅上漲的空間。

集邦科技指出，第3季合約價格多數於7月下旬議定完成，4GB DDR 3模組均價來到32美元，月成長4.9％，其中高價區間更來到33美元，漲幅達6.5％。集邦研究協理吳雅婷表示，時序進入傳統旺季，蘋果新款手機出貨在即，原先略顯吃緊DRAM產能還需要保留行動式記憶體 (Mobile DRAM)的生產，導致第3季價格仍維持上漲格局。

目前4GB DDR3模組現貨價約介於36∼37美元，與7月合約價相較，約有3∼4美元價溢價差，而現貨價及合約價同步調漲，有助於模組廠 7月營收出現明顯成長，法人看好威剛(3260)、品安(8088)、宇瞻(8271)等模組廠第3季營運表現。

吳雅婷表示，微軟Windows XP停止更新帶動企業PC換機需求，OEM 廠在5月、6月都維持高標的筆記型電腦出貨量，然而OEM廠本身DRAM 庫存水位普遍處於低檔，必須用較高的價格取得穩定的供貨，讓標準型DRAM價格持續上漲，也帶動伺服器、繪圖用、利基型等DRAM價格在近期皆出現小幅上漲的現象。

雖然近期有關三星將擴產DRAM的消息傳出後，壓抑了現貨價走勢，不過集邦指出，由於2014年下半年並沒有新產能開出，加上部份DRA M廠轉進25奈米製程不順或延遲，無疑讓市場更為吃緊。蘋果在DRAM 市場的影響力正迅速擴大中，下半年新款iPhone 6、iWatch以及Mac book Air等，都讓DRAM三大廠全面備戰，產能幾乎被行動式記憶體佔據，以滿足一線大客戶為優先。在排擠效應下，集邦預估第3季DRAM 價格將會維持高價水位，不排除8月、9月還有小幅上漲空間。

調研機構集邦科技分析，6月NAND Flash合約價已上揚，7月續增溫，主因手機與平板電腦等裝置業者於第3季進入旺季，拉貨力道會逐季往上，記憶體模組族群熱門認購權證火紅。

Apple將在第三季推出iPhone 6、iPad新產品，業界傳聞蘋果新產品內建記憶體或SSD固態硬碟容量將大幅拉高，因此擴大採購30nm以下先進製程NAND Flash晶片。威剛(3260)指出，蘋果若推出大容量 iPhone 6，將導致NAND Flash市場供給嚴重吃緊，第3季NAND晶片價格看漲。業界預估，NAND Flash第三季合約價可能上漲10到20％。國內模組廠威剛及群聯(8299)，因庫存水位較高，庫存可望隨NAND價格逐步墊高，獲得較高利潤。

如看好個股後市，可挑選相關認購權證操作，如連結威剛的國票V Z(713274)、國票WN(713407)；連結群聯國票WE(713322)、國票WX(713808)，都是目前處於價平至價外5％左右長天期權證，槓桿約3∼5倍左右。

太陽能產業7月受到美國反傾銷初判前的觀望氣氛影響，營運表現恐怕持續黯淡。

研調機構集邦科技昨（16）日表示，近期太陽能市場價格下滑，部分報價甚至跌破業者的損益平衡點，代工價格也來到近期最低點。

外界預期，矽晶圓與電池業者近期的獲利壓力頗大，不排除出現由盈轉虧或虧損擴大情形。反傾銷初判結果將於7月24日公布，太陽能台廠6月下旬業績已受到衝擊。

法人指出，7月現貨價格已比6月下滑約一成。太陽能業者近期自嘲，「明明是大熱天，卻比冬天還冷」。

太陽能股王碩禾（3691）昨天跌幅較深，達2.98%；矽晶圓廠中美晶、綠能，及電池廠新日光、昱晶、昇陽科等也收黑；茂迪與益通則持續上漲。

集邦科技研究經理胥嘉政表示，在多晶矽晶圓方面，最低價格跌破每片0.9美元關卡，來到0.88美元，已低於廠商生產成本。多晶高效電池產品目前報價落在每瓦約0.35美元。

由於進入需求旺季，供貨吃緊，根據最新的7月上旬NAND Flash合約價統計，增幅約在持平至1%左右。研調機構集邦科技昨（16）日表示，上旬漲幅不明顯，是因業者價格大多尚未談定，預計下旬的價格增幅大於上旬表現。

NAND Flash市場在今年初還因供過於求，讓市場氣氛偏向保守，但市況於第2季開始翻轉，價格逐漸上揚，先前NAND Flash控制晶片廠群聯（8299）董事長潘健成即表達對於第3季NAND Flash市況的樂觀看法，認為NAND Flash供應會有點吃緊。外界預期，下半年包括群聯、威剛、創見等有望受惠。6月NAND Flash合約價已上揚，7月持續增溫，主要是因為手機與平板電腦等裝置業者於第3季進入旺季，集邦科技指出，拉貨力道會逐季往上。

太陽能矽晶圓大廠中美晶（5483）總經理徐秀蘭昨（13）日表示，美國對台太陽能反傾銷稅率預定7月下旬裁定稅率，買盤趨於觀望，讓台系太陽能矽晶圓及電池廠7月將遭遇亂流，營收面臨下滑壓力，但中美晶看好後市拉貨動能轉強，本月太陽能矽晶圓仍將全能生產。

美國對太陽能反傾銷調查初判結果出爐前，近期太陽能市場觀望氣氛濃厚，根據集邦科技近期最新報價，多晶矽到模組產品持續下跌，太陽能矽晶圓也跌破1美元。

徐秀蘭強調，近期市場確實呈現觀望，矽晶圓及電池報價呈現下滑，但因台廠多半集中於高效晶片及高轉換率電池，價格下滑幅度有限，加上各廠有節制接單，不盲目殺價，預料在對台稅率裁定後，買盤將進場，價格甚至可望止跌上揚。

徐秀蘭說，中美晶及台系相關電池廠7月營收將因買盤觀望，造成營收下滑，但這是屬於短暫現象。她認為，美國對大陸提出新雙反，是為防堵轉單的漏洞，美方顧及自己利益，以及三二法則，對台反傾銷稅率應會輕於大陸，且未來出貨美國太陽能模組所用的矽晶圓或電池要有在台證明，情況未必對台不利。她對太陽能後市抱持樂觀，主因美國今年太陽能裝置需求可能超乎預估的6GW至7GW，而且美國不太可能全部防堵大陸及台灣矽晶圓和電池而不用。

7月底美國對太陽能反傾銷調查初判結果出爐前，太陽能市場觀望氣氛濃厚，從多晶矽到模組產品的最新報價大多持續下跌。

研調機構集邦科技昨（9）日表示，目前看好後市的業者持續生產，反之則控制庫存水位。

太陽能族群近期受短期利空影響，業績與股價同步下探，僅中美晶（5483）、碩禾與達能6月業績比5月上揚，其他如昱晶、新日光、茂迪、太極、昇陽科、益通、綠能、國碩等，均較5月衰退。

昨日類股股價多收黑，僅中美晶與國碩小漲。

集邦指出，6月太陽能電池廠產能利用率持續下滑，拖累業者營收表現，7月市場需求仍然清淡。客戶端近期釋單意願薄弱，業者面臨不小的庫存壓力。

在矽晶圓方面，集邦表示，近期業者出貨狀況不佳，部分廠商庫存水位已將近一個月，連帶影響交易價格。高效多晶矽晶圓成交價格已跌破每片1美元關卡，苦撐每片0.98美元的底限。

集邦研究經理胥嘉政也提到，除了價格下滑之外，近期多晶矽業者積極要求客戶履約，也對矽晶圓業者帶來另一層壓力。

依照集邦最新報價，多晶矽價格已滑落到每公斤20.411美元，多晶矽晶圓價格持續下滑，來到每片0.974美元，跌幅約0.2%；電池則受到美國新雙反情勢不明影響，價格跌破每瓦0.36美元關卡，來到每瓦0.359美元。

DRAM拉貨潮啟動，上周五（4日）4Gb DDR3現貨價再度刷寫歷史新高，預料將推升華亞科（3474）、南科等相關類股業績。

華亞科、南科、華邦等DRAM族群預定今日公布6月營收，華亞科因良率拉升，加上次級品計價於季底認列，預料仍可維持在歷史新高水準；南科和華邦也可望繳出不錯成績單。

IC通路商透露，受上游晶片商導入20及25奈米製程不順影響，市場供貨短缺，加上通路商及PC OEM廠持續回補庫存，帶動DRAM現貨價買盤強勁。

根據集邦科技旗下DRAMeXchange報價，DRAM現貨價本月初以來持續呈現穩步上揚格局，上周五現貨均價站上4.31美元，超過去年SK海力士無錫廠失火後創下的4.26美元，改寫歷史新高。

集邦預估，本季DRAM漲勢已定，將從7月開始發酵，預估DRAM模組合約價格將向31至32美元邁進，8月高點可能突破33美元，下半年報價都維持漲勢，反映供貨吃緊。

法人指出，目前國內以華亞科擁有最大的標準型DRAM產出量，將是此波DRAM漲價最大的受惠廠商，DRAM模組廠如威剛、創見和宇瞻等，也連帶受惠。

此外，相關利基型記憶體IC設計公司如晶豪科、鈺創，以及封測廠力成、華東、南茂、矽格等，也會搭上此波DRAM缺貨熱潮，整個族群下半年營運都相當樂觀。

根據市場研究機構集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange表示，DRAM大廠持續將產能從標準型DRAM轉移至行動記憶體(MobileD RAM)，下半年已有供貨吃緊的跡象。由於OEM廠庫存水位低，合約價及現貨價間價差又逼近20％，因此預估第3季合約價將可續漲5∼10％。

由於DRAM大廠持續將產能移至Mobile DRAM，加上部份DRAM廠轉進 25奈米１製程良率偏低，及20奈米製程轉進有延宕的情形下，下半年已有供貨吃緊的跡象。以需求端來觀察，由於OEM廠庫存水位普遍不高，採購策略上除了希望原廠提供的顆粒外，亦向記憶體模組廠尋求更多的支援，DRAM市場已經醞釀第3季合約價格上漲的氛圍。

目前4GB DDR3模組現貨報價約在36美元間，但5月份合約均價在30 .5美元，其價差逼近20％，第3季因為是傳統旺季，合約價格往現貨價格貼近是必然的趨勢，預計第3季合約價格仍有5∼10％的上漲空間。法人表示，標準型DRAM價格上漲，除了有利於華亞科第3季營收及獲利續創歷史新高，DRAM營收占比高的模組廠如威剛、品安等也將直接受惠。

集邦表示，近期的標準型DRAM價格持續攀升的主要因素，還是在於供給端的供貨減少。DRAM已經轉為賣方市場，各廠的生產策略已成為影響價格的重要因素，如三星策略著重於每個DRAM產品領域的主導地位與市占增長，Mobile DRAM仍維持穩定的投片比重，伺服器與繪圖用DRAM需求不惡，即使標準型DRAM毛利優於其他產品，但受制於產品比重策略下產出也無法再擴大。

SK海力士無錫廠大火後良率無法有效提升，今年主力在提升Mobil e DRAM產能，讓標準型DRAM供應持續吃緊。美光則基於自身策略關係，首先在去年新加坡Tech廠產能全數轉進NAND Flash製品，廣島廠則專注Mobile DRAM生產，華亞科與台灣美光則持續提升伺服器用DRAM 的產出量，標準型DRAM的產出比重仍未現明顯增長。

集邦表示，標準型DRAM是現階段毛利最高的產品，但各DRAM廠在自身策略考量下並未躁進大幅增加標準型DRAM的產出量，反而更加著重於Mobile DRAM與伺服器用DRAM的產出調配，標準型DRAM的產出受到控制下，無論在價格與毛利都維持豐碩的報酬。今年的DRAM市況仍將呈現高成長的態勢，再創另一波產業總產值的高峰。

美國商務部對中國大陸太陽能電池與模組產品的「反補貼」初裁於昨(4)日宣布，一般的稅率落在26.89％，高出市場的預估值，凸顯美、中雙方的對立局勢持續升高。不過，業界普遍認為此次反補貼初裁與台廠無關，後續效應影響也不太明顯，使得昨日太陽能族群的股價也是相當「淡定」，漲跌幅在1％∼-2％之間。

研調單位集邦科技認為，此次初判的稅率相較於前一次(2012年) 可說更為嚴厲，若以新稅率來看，從大陸輸往美國的太陽能模組，相較於台灣已沒有成本優勢，如果算進反傾銷稅率，則對於台灣模組輸往美國來說，可望因而受惠。

不過集邦也警示，此次反補貼初判可視為7月底反傾銷初判的風向球。從這次結果來看，美國政府似乎採納CASM的說法，因此原本對反傾銷初判較為樂觀的台灣業者也轉趨保守。也就是說，雖然台灣模組輸美可望受惠，但後續的反傾銷初判，台廠面對的反傾銷稅率，恐怕也會高於預期許多。

事實上，業界認為，此次新雙反的反補貼初判，似乎透露出美國與大陸間的濃濃火藥味，尤其在美國控告大陸多位軍官涉及竊取機密，及大陸宣布禁止企業採用Win8和美國企業諮詢公司之後，「新雙反」也成為另一個觀察指標。

DRAM產業進入寡占結構後，市場從去年開始進入全面獲利的狀況。全球市場研究機構集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange表示，2014年第1季DRAM產值再度攀升至99.4億美元，較上季成長2％，已逼近百億美元規模。而各DRAM廠獲利穩定成長，普遍來看均創3年來新高。

今年第1季DRAM產值再度攀升至99.4億美元，逼近百億美元規模。三大DRAM廠中，韓國SK海力士(SK Hynix)自無錫廠火災後浴火重生，表現最為亮眼，而其它廠商也都有不錯的表現，堪稱DRAM產業狀況極佳的一年，預估2014年DRAM產值可望來到455億美元，較2013年成長30％。

由各DRAM廠的營運情況來看，龍頭大廠三星算是最早進入25奈米製程的DRAM廠，現階段良率已進入成熟階段，今年上半年產出可望突破 50％，下一代23奈米甚至21奈米製程接近開發完成，有機會於下半年開始導入量產。受到第1季DRAM均價下降影響，營收較上季衰退7％，但由於成本結構領先同業，第1季的三星半導體營業利益仍成長至21 ％。

第2大廠SK海力士今年第1季無錫廠已完全恢復商轉，新購機台亦順勢從38奈米提升至29奈米製程，加上第4季因火災導致基期較低的關係，第1季營收大幅成長近21％，營業利益率來到28％，而近期正式投片量產25奈米製程，下半年將逐步提昇產出量。

第3大廠美光仍以穩健的經營方式固守DRAM市場，營收雖維持持平，但因產品比重調整關係，獲利依然成長當中，營業利益率約在21％，現階段技術方面仍以30奈米製程為主。原爾必達廠將在下半年大幅轉進25奈米製程，原採用美光技術的工廠則在第4季直接導入20奈米製程試產，量產時間點將落在明年上半年，產品規劃上將著重於行動式記憶體及伺服器用記憶體等毛利較高的產品。

在台灣廠商部份，南科轉型為生產利基型記憶體為主的DRAM廠後，仍有部份產能生產標準型記憶體，在第1季獲利上有著不錯的表現，雖然營收下滑8％，整體營業利益大幅攀升至34％。

華邦電受惠於利基型記憶體與小容量行動式記憶體銷售暢旺，整體營收較上季成長6.2％，今年更將擴大資本支出，除了投片提升至4萬片外，46奈米製程的轉進也是重點，生產成本降低讓營業利益成長至 25％。

力晶科技第1季DRAM營收較上季成長42％，其主因來自於P1+P2廠日前移入一台浸潤式機台，挪移部份產能生產標準型記憶體所致，未來將視市場狀況機動調整代工與標準型記憶體的生產比重。