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美國國際貿易委員會（ITC）開對大陸太陽能擴大雙反措施聽證會，於美東時間20日登場，台灣太陽能廠也組團前往答辯，後續預定將於當地時間26日提出書面證詞。

大陸商務部於昨（20）日公布對美國等多晶矽業者的終判雙反稅率，反補貼稅率最高僅2.1%，但反傾銷稅率最高達57%，中美太陽能貿易戰持續上演。

先前大陸太陽能電池已遭美國課徵雙反稅率，陸廠轉向台廠採購電池，再製作成模組輸美因應。

為防堵前述雙反漏洞，美國太陽能業者SolarWorld等再度向ITC與商務部申訴，希望擴大雙反範圍至採用台灣等第三地電池的大陸模組，台廠因此捲入中美太陽能雙反戰。

太陽能業者指出，ITC主要是評估對美國相關產業的損害，根據以往申訴立案的情況來看，此次初判約有八成機率會成案。

業者表示，聽證會後，ITC應會於今年2月中左右初判，同時，美國商務部若決定立案調查台廠有無傾銷事實，初判結果可能於6、7月宣布，若裁定傾銷，將有初步課徵稅率。大約8、9月間，商務部終判可能出爐，如仍認定傾銷，會有終判稅率，再由ITC做出最後終判，時間點最快為今年10月，但也可能到明年2月才定案。

集邦認為，最終裁定的判決範圍可能回溯到3月初，屆時台廠在第1季底及第2季初的中國代工單可能受波及。未來不論是大陸廠商減少對美出貨，或改由自行生產出貨，對台廠都將造成傷害，台廠積極開發自有出海口仍當務之急。

研調機構集邦科技昨（20）日公布，去年台灣整體太陽能電池出貨瓦數超過8.3GW（10億瓦），年成長率高達42%。今年新日光有望擠下茂迪，登上台灣第一的寶座。新日光去年底擴增電池產能，領先群雄，因此今年的出貨量有機會超越茂迪。

儲存型快閃記憶體（NAND Flash）市況仍供過於求，加上淡季效應影響後續拉貨動能，對價格更加形成壓力，研調機構集邦科技昨（20）日表示，1月上旬的NAND Flash合約價持續走跌3%至5%，農曆年之後跌幅恐更加劇。

法人認為，NAND晶片報價跌跌不休，恐使得廣穎（4973）、群聯等與NAND應用關連性強的業者受到衝擊。

集邦指出，今年第1季智慧型手機、平板與NB等OEM廠裝置出貨量，預計會比去年第4季的高峰減少約15%至20%，但NAND Flash原廠仍積極出貨給模組客戶。

由於農曆新年需求展望保守，大多數模組廠在庫存水位偏高的情況下，備貨均較為謹慎，因此報價持續緩跌。

展望農曆新年後的市況，集邦認為，在傳統淡季效應的影響下，不論是隨身碟、記憶卡、eMMC或SSD銷售需求，短期內將持續走弱。

同時，集邦評估，NAND Flash業者雖然努力控制新產能投片的時程，但在製程持續轉進1X奈米的情況下，供給量逐季增加將無可避免。

基於主力產品銷售未見起色，但供給量卻快速增加，集邦預期賣方未來面臨的庫存去化壓力將不斷提高。今年第1季市況持續供過於求，且供需差距達4%至5%，較去年第4季進一步擴大，預期NAND Flash合約價於過完農曆年後，跌幅將會更為明顯。

高效太陽能矽晶圓市場需求強，綠能（3519）、中美晶、國碩等業者積極調漲價格，希望改善虧損狀態，打破先前太陽能業「上瘦下肥」的狀況。

研調機構集邦科技公布本周太陽能現貨價格走勢，由於高效產品供不應求，多晶矽晶圓維持上揚趨勢，但電池價格則呈現小跌。

多晶矽方面，受中國市場牽動影響大，集邦科技表示，由於中國市場多晶矽價格仍保持高檔，加上1月報價維持向上趨勢，本周價格持續上漲，價位來到每公斤17.883美元，漲幅為2.1%。

集邦科技說，矽晶圓現貨價格受多晶矽走強影響，同步上揚，平均價位來到每片0.921美元，漲幅為0.66%。同時，依照PVinsights最新太陽能報價，高效產品部份，均價也來到每片0.966元，眼見離1美元大關越來越近，相關業者轉盈希望愈來愈濃厚。另外，在單晶矽晶圓方面，本周平均價格則下滑。

市場研調機構集邦（TrendForce ）旗下記憶體事業處DRAMeXchange昨（18）日發布最新調查，12月上旬DRAM合約價因庫存水位下降及需求因假期推升，每顆均價平均上漲約3%；預料下旬仍維持小漲局面。

集邦指出，儘管SK海力士宣布明年元月逐步恢復產能，近日DRAM現貨報價小幅拉回，但整體而言，12月上旬整體DRAM 庫存已明顯去化，加上耶誕節來自零售及PC OEM廠商補貨需貨力道提升，因而推升12月上旬合約價上揚。

根據集邦觀察，以12月上旬合約價格推算，主流DDR3 4Gb 顆粒價格最高為4.06美元；4Gb DRAM現貨價12月上旬勁揚8.5%，最高來到4.13美元，拉開與合約價格的距離。

DRAMeXchange認為，由於PC OEM廠補貨需求仍在，加上模組廠良率不佳導致交貨不順，短期內顆粒價格持續攀升的機會仍高。至於各PC OEM庫存水位，目前已降至三到四周水準，出貨量的PC OEM廠更低於三周，預期下旬合約價仍將維持穩定走勢。

外電報導，全球第二大記憶體晶片廠南韓SK海力士將增建DRAM新廠，以因應行動裝置發展帶來高階DRAM需求。法人擔心，大廠擴大投資之下，產業可能重啟資本戰，台灣DRAM雙雄南科（2408）、華亞科需謹慎應對。

外電指出，海力士規劃，明年將投資至少38億美元在既有廠房、維運與技術升級等方面，並將興建新廠，最快於2015年初量產。

朝鮮商業報導引述知情人士消息，指SK海力士增設二座新DRAM廠，主要考量潔淨室增加有限，現有M10生產線不足以安裝最先進的設備。

華亞科及南科高層透露，DRAM廠推進20奈米製程，一定要新增潔淨室，才能維持在切入20奈米製程時，仍能保持相當產能，否則總產能會因而下降，因此SK海力士新增潔淨室投資，只能說是計劃導入20奈米，以迎合更高階產品市場需求。

華亞科和南科高層表示，因20奈米製程用潔淨室建廠過程需耗時一年多，DRAM產業短期只有製程微縮，產出速率遠低於需求增速，對明年DRAM價格仍維持平穩且樂觀看法。

DRAM市場目前已形成三星、SK海力士與美光等三大集團瓜分的局面。根據彭博報導，SK海力士第3季DRAM市占率為28.5%，落後於三星的37.1%，後面又有市占26.2%的美光追趕。

業界分析，SK海力士拜DRAM價格回升，財務轉佳，第3季單季稅後純益繳出9,582億韓元佳績，遠遠優於去年同期，讓SK海力士銀彈充裕，明年加大擴大市占的企圖。

在SK海力士無錫廠發生火災前，DDR3 2Gb DRAM顆粒均價約在1.6美元左右，傳出災情後，報價一路上揚，據集邦科技最新報價，DDR3 2Gb DRAM顆粒，目前現貨均價約介於2.34美元至2.41美元。

行動裝置的風行，帶動觸控面板的蓬勃成長。但是觸控筆記型電腦採用觸控功能的滲透率仍低，集邦科技旗下光電事業處WitsView預估，2014年筆記型電腦出貨總量將衰退1%-2%；觸控筆電品牌廠將採降價策略拉抬買氣。

WitsView分析師陳虹燕表示，2013年觸控筆電受到價格過高和軟硬體未達最適化影響，滲透率僅達10.2%。翻蓋式觸控筆電因輸入模式，仍以傳統式滑鼠／觸控板和鍵盤為主，加上應用軟體缺乏搭配性，造成觸控使用率偏低。陳虹燕指出，微軟與英特爾的態度是觸控筆電售價的關鍵。

南韓DRAM大廠SK海力士積極恢復無錫廠受火災損害的產能，研調機構集邦科技昨（12）日認為，SK海力士無錫廠將於明年1月全面恢復投片，估計明年3月初可大量產出，預料DRAM價格將在明年首季末開始走跌，牽動華亞科（3474）、南科等業者獲利。

SK海力士無錫廠9月初發生火災，使得單月全球DRAM供給量減少約一成，現貨報價也因此飆高，DDR3 4Gb顆粒最高一度觸及4.6美元。合約價漲幅雖然不及現貨價，但也呈現上揚，包括南科、華亞科等，都是受惠業者。

近期DRAM現貨價格已經稍有回檔，昨日最高為4.22美元，後續DRAM現貨與合約價格若再下探，也可能牽動相關業者的業績變化。

集邦科技指出，災後SK海力士全力修復工無錫廠，10、11月投片量各約為3萬、7萬片，12月投片目標為10萬片，以無錫廠滿載為13萬片來看，目標是明年1月中旬後全面恢復投片。

市調機構集邦科技旗下DRAMeXchange分析，受惠智慧型手機與平板電腦的熱銷， 一線DRAM大廠紛紛轉進行動式記憶體，標準型記憶體產出將明顯減少，在產業結構趨於健康、市場供需轉為平衡之下，料將是2009年以來供應商秩序最佳的一年，2014年DRAM產值也將較今年年增加12%。

2013年對DRAM產業而言相當具有關鍵性，受惠於智慧型手機與平板電腦的熱銷，一線DRAM大廠紛紛轉進行動式記憶體，導致標準型記憶體產出逐漸減少，再加上9月SK海力士無錫廠大火讓4GB模組合約均價由17美元上漲至今33美元，漲幅逼近一倍，各DRAM廠朝向全面獲利的狀態。

DRAMeXchange指出，產業結構的改變將為2014年DRAM產業帶來新的契機。回顧2013年，8月美光正式整併爾必達後，其合併營收規模與SK海力士已在伯仲之間，再加計三星的市占率，三大集團的DRAM市占率已超過決定性的90%。

由於三大集團各自擁有DRAM與NAND Flash的技術，對於產品組合將可以更靈活的調配運用，在價格走勢上將更傾向穩健的寡占市場格局，因此公司獲利的趨勢將延續至2014年。

另外，受惠於智慧型手機與平板電腦的熱賣，DRAM大廠紛紛轉進行動式記憶體領域，標準型記憶體產出受到排擠而產出逐漸減少，集邦科技預估2014年行動式記憶體將占全球市場的36%，一舉超越標準型記憶體的30%，躍升成為全球DRAM市場主流產品。

就行動式記憶體領域觀察，2014年LPDDR3的比重將在智慧型手機與平板電腦快速增加，更將進軍高階Ultralike市場，預估LPDDR3產出量預計在2014年下半年將超越LPDDR2。

研究機構集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange分析，201 3年是對DRAM產業具關鍵性的一年，產業結構改變，寡占市場的格局形成，都將為2014年DRAM產業帶來新的契機，預估2014年的DRAM產值將達395億美元，年成長率為12％，將是自2009年金融風暴以來，供應商在生產方面最有秩序的一年。

2013年DRAM產業出現極大變化，除了美光正式合併日本DRAM廠爾必達，DRAM市場變成三星、SK海力士、美光等三強鼎立局面外，受惠於智慧型手機與平板電腦的熱銷，一線DRAM大廠紛紛轉進行動式記憶體 Mobile DRAM，導致標準型DRAM產出逐漸減少。再者，SK海力士無錫廠9月初大火，讓4GB模組合約均價由17美元上漲至今33美元，漲幅逼近一倍，各DRAM廠朝向全面獲利的狀態。

放眼2014年，由於進入20奈米製程後開發難度變高，產出位元年成長率(bit growth)趨緩，因此平均銷售單價將隨成本結構改善而逐步下降，各家DRAM廠不再追求製程上的極致，策略轉向更靈活調配產品與產能，2014年DRAM市場營收預估續成長12％，為金融風暴後連續第2年成長，在價格走勢上將更傾向穩健的寡占市場格局，持續獲利的趨勢將延續至2014年。

集邦也預估，2014年Mobile DRAM將占全球市場的36％，首度超越標準型DRAM的30％，躍升成為全球DRAM市場主流產品。再者，由Mob ile DRAM做觀察，2014年LPDDR3的比重將在智慧型手機與平板電腦快速增加，更將進軍高階Ultrabook等輕薄NB市場，省電機制優於一般傳統DDR3，預估LPDDR3產出量預計在2014年下半年將超越LPDDR2，成為行動式記憶體主流規格。

今年下半年各DRAM廠轉進20奈米世代製程都遇到困難，受到物理條件限制，即使如三星或是SK海力士都曾面臨到良率無法有效提升或是量產計畫遞延的窘境。進入25奈米以下製程，由於需要購入極紫外光 (EUV)機台，但目前EUV機台的開發尚未達到可大量生產的階段，D RAM廠對於25奈米製程以下至今未有明確的時間點規劃。

研調機構集邦科技昨（2）日公布2014年太陽能產業觀察重點，包括高效電池片、儲能商品及整併帶來的板塊重組等三大趨勢，目前台廠包括新日光（3576）、茂迪、昱晶、昇陽科、綠能、中美晶等都在高效產品多所著墨，業者評估，在供不應求情況下，應可受惠於高效需求商機。

集邦預期，2014年中、日、美市場需求大約占全球五成市場比重，歐洲市場復甦，新興國家市場崛起，促使全球太陽能供需趨於平衡，市場主流需求仍為結晶矽產品。

集邦指出，2013年起，模組需求瓦數從240瓦一路提高到250瓦，多晶矽電池片轉換效率多在17.2%至17.6%之間，明年上半年將持續提升到17.6%至17.8%，明年底主流產品將以17.8至18%為主。

太陽能業者認為，高效能產品可能缺貨，而且廠商不只技術要好，成本還要能控制得宜，才會有競爭力。

在多個國家太陽能發電補貼下降甚至取消後，現在多鼓勵自發自用或調節尖峰用電，因小瓦數住宅用系統興起，集邦指出，儲能成為太陽能應用的下一個趨勢，儲能系統由現有太陽能廠商組成整套系統供給使用者，是較可能的形式。

隨著太陽能發電成本持續下降，大型石油、電網公司又開始對太陽能投注關愛眼神，預期明年將有更多能源業者將太陽能重新納入發展規劃之中。

雖然DRAM現貨價格有趨跌現象，但市場傳出，11月下旬DRAM合約價格可能再漲，主因是某大廠產品近期良率有待提升，導致供應情形再度吃緊，估計南科（2408）、華亞科等DRAM廠商可持續受惠。

華亞科昨（28）日價量齊揚，股價重回20元整數關卡之上，收盤攻上漲停價20.4元。對於第4季展望，華亞科董事長高啟全表示：「比第3季好」，而且「不只好一點點」，平均單價（ASP）會隨著產品組合改變而提升。華亞科第3季稅後純益72.9億元，每股純益為1.21元。

集邦科技指出，目前DRAM價格走勢，主要取決於SK海力士無錫廠的復工狀況，估計12月可能小漲，而明年第1季進入PC拉貨淡季後，價格可能再回到無錫廠受災前4GB模組約26至27美元的水準。

市調機構集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange表示，隨著明年NAND Flash產業供需情況穩定，預期價格走勢也將持穩，加上N AND Flash終端需求持續向上動能明確，預期明年全球NAND Flash產值將達到280億美元，較今年成長13.3％，連續兩年達成雙位數百分比以上的成長。

從供給面來看，受到9月份SK海力士無錫廠火災過後，部分NAND F lash產能挪移至DRAM的影響，2013年全球NAND Flash供給量調整為2 04.66億顆16Gb約當顆粒，年增率亦下修為40.3％。整年度的晶圓投片量也僅有1.24億片12吋約當晶圓的規模，較2012年成長3.2％，減緩了原先第4季與明年上半年出現大幅供過於求的情形。

同時，預期SK海力士NAND Flash產能也將在明年下半年回升到火災前的水準，其他各家NAND Flash業者新產能的增加也多落在下半年，因此集邦認為明年上半年雖然整體市況還將無可避免地受到需求端傳統淡季的影響，而呈現供過於求的情形，但市況波動過大的情況將比往年來的舒緩。

在需求面來看，集邦預估2014年需求位元年增率為37.6％。在隨身碟與記憶卡的市場上，明年USB 3.0隨身碟和SD 3.0高速記憶卡的滲透率，隨著產品成本的有效下降將有所提高，有望刺激消費者的採購需求。eMMC、eMCP、固態硬碟(SSD)等應用也隨著智慧型手機、平板出貨增加走揚。

集邦指出，明年英特爾與各家NAND Flash供應商更致力推動標準化 SSD模組M.2，PC消費端(client)的SSD將維持持續向上成長。而企業級SSD更是眾所矚目的焦點，來自於雲端運算的興起，以及智慧型手機與平板電腦等行動裝置帶動App應用程式風潮，對於伺服器應用和儲存裝置的效能和速度要求日益攀升，因此資料處理中心與全球伺服器業者，也開始逐漸重視企業級SSD的領域，紛紛提高採購需求。

此外，今年以來各大硬碟產商如Seagate與Western Digital等，也透過自行開發或是企業併購的方式，來加強SSD在企業級儲存裝置的產品完整性。因此集邦預期，明年SSD的NAND Flash消耗量比重，將從今年的13％快速攀升至25％。

供給量僧多粥少南科、華邦電受惠 利基型報價續漲 DRAM廠樂

由於PC市場進入淡季，11月上旬標準型DRAM合約價持平，4GB DDR 3模組均價在32美元，與10月合約價相當。不過，利基型DRAM因市場供給量持續減少，部分規格缺貨問題仍存在，x16規格512Mb DDR2價格大漲1成，均價達1.1美元，包括南科(2408)、華邦電(2344)、晶豪科(3006)、鈺創(5351)等供應商可望受惠。

市調機構集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange調查，由於進入傳統出貨淡季，加上需求面不佳，11月上旬標準型DRAM合約價議定意願普遍不高，加上SK海力士鎖住整個第4季價格，合約價格再度以持平開出，4GB DDR3模組均價約在32美元價位，2GB模組均價則維持在17.75美元。

不過，利基型DRAM市場卻仍是僧多粥少，由於網通設備及消費性電子產品第4季是出貨旺季，1Gb以下低容量DDR2晶片供不應求，11月上旬合約價維持漲勢，其中1Gb DDR2晶片價格均價1.5美元，漲幅約5. 6％，512Mb DDR2晶片均價則上漲10％至1.1美元。

業者表示，韓系大廠產能均轉向量大的標準型DRAM或Mobile DRAM ，所以目前此一市場可說已由台灣業者主導，包括南科、華邦電、晶豪科、鈺創、力積(3553)等，已成為市場主力供應商。而利基型D RAM在10月上漲1成後，11月再漲5∼10％，供應商可望直接受惠。

集邦科技則指出，標準型DRAM的市場供給正在恢復中，SK海力士無錫廠10月投片已來到3萬片，11月投片雖在確認中，但也應有4∼6萬片以上的水準，雖然受到設備商出貨遞延，原則上無錫廠有機會於明年第1季全面恢復；加上SK海力士也立即啟動韓國M10及M12廠區積極增加DRAM產能，11月起產能已陸續開出，供貨緊俏的狀況正逐漸紓解。

集邦科技表示，從現貨市場來看，2Gb晶片價格自11初月高點的2. 18美元下滑至今，跌幅約達1成，4Gb顆粒價格亦正式跌破4美元價格。原本受到SK海力士火災的上漲價格走勢已經遭到破壞下，加上整體需求面不佳，第4季下旬的標準型DRAM合約價，看來會以持平或是小幅下修作為未來的價格趨勢。

DRAM及儲存型快閃記憶體（NAND Flash）近期價格同步下挫，透露市場需求疲弱，不利推升記憶體模組本季營運。

不過，包括威剛（3260）、創見、廣穎、宇瞻等模組廠預期價格回檔幅度有限，本季在低價庫存挹注下，獲利仍可優於上季。

據了解，SK海力士無錫廠產能本月開始產出，加上三星趁勢搶占SK海力士短缺市場，二大記憶體廠近期刻意壓盤，導致DRAM報價從10月的高峰，明顯拉回近一成，主流2Gb DDR3 DRAM每顆仍力守2美元關卡。

對於DRAM後市，DRAM大廠南科預期，明年第1季前因供需仍處於失衡，預期將會溫和上揚；模組大廠威剛也預期經11月價格修正之後，即可再起漲勢。

但近期集邦科技DRAM和NAND Flash報價都同步下跌，耶誕節前拉貨效應似乎不明顯，市場對SK海力士逐步恢復生產，採取謹慎備貨。

法人預估，雖然DRAM及NAND Flash價格短線下滑，DRAM大廠和模組仍有獲利空間，不過除了少數擁有低價庫存的廠商享有低價庫存利益，多數廠商不至於像第2季般有暴利產生。

eMMC應用為控制晶片廠帶來更多商機，市場研究機構集邦科技昨（25）日表示，在eMMC控制晶片外包策略上，供應商多採用群聯（8299）或慧榮的解決方案為主，另外還有Marvell、擎泰、鑫創等廠商，預期這些控制晶片廠在明年透過提供TLC eMMC控制晶片解決方案，打入主要eMMC供應商的機會將大幅增加。

根據集邦資料，目前市面上eMMC產品主要供應商，包括三星、SK海力士、新帝、東芝、美光與金士頓電子等，市占率合計高達95%以上，各家對eMMC控制晶片策略有所不同，以未來eMMC 5.0產品為例，三星、東芝與新帝規畫採用內部自製（In-house）控制晶片，美光和SK海力士SK 則外包，但仍有建立In-house控制晶片的打算。

集邦指出，自2013年下半年起，eMMC 4.5介面已開始成為智慧型手機和平板電腦內建儲存記憶體的主要規格，預計從2014年下半年起，eMMC 5.0產品會放量，成為新一代主流。

DRAM業者指出，10月DRAM合約價雖然比9月上揚不少，但11月轉為下滑，12月可能與11月持平或小跌，整體第4季價格應該會比第3季上揚，但幅度可能低於一成，不如原先預期。

這意味海力士無錫廠火警的漲價效應逐步縮小，隨著漲價幅度減弱，也牽動南科（2408）、華亞科、威剛、創見等業者營運。

業者坦言，整體經濟情況沒有太令人振奮的消息，因此市場需求確實有點疲軟，但索尼與微軟新款遊戲機帶來的動能，仍值得觀察。

根據集邦科技調查顯示，11月上旬DRAM合約價格再度以持平開出，4GB均價約在32美元價位，2GB均價則維持在17.75美元。

集邦指出，海力士無錫廠正在恢復產能當中，10月無錫廠投片已回復至3萬片，有機會於明年第1季全面恢復，同時海力士也動用其他廠區增加DRAM產能，供貨吃緊的狀況正逐漸紓解。

集邦表示，DRAM 2Gb顆粒現貨價自11月初高點2.18美元，至今已下滑到1.98美元，跌幅達9.2%。

市調機構集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange調查顯示，第4季各項NAND Flash終端需求確立旺季不旺，加上廠商庫存水位依舊偏高，採購意願薄弱，因此11月上旬合約價較10月下旬下跌5∼7％，NAND Flash合約價至今年年底前將維持下跌走勢。

從供給面來看，SK海力士無錫廠9月份火災後，SK海力士與三星分別將30％與5％不等的NAND Flash產能轉往DRAM，讓整體第3季與第4 季的NAND Flash產出下降，因此2013年的產出位元年增率(bit gro wth)，從40.8％再度下修至40.3％。

但NAND Flash前景不佳最大的因素，依舊來自於第4季整體需求的疲軟，隨身碟市場受限於USB 3.0滲透率不佳的因素，影響消費者採購需求，而記憶卡的需求也並未因主要領導品牌大打價格戰的利多刺激而有所提升。

在系統產品上，由於第4季全球經濟景氣復甦腳步停滯，智慧型手機與平板電腦廠商對於第4季傳統歐美地區的感恩節與聖誕節銷售旺季預期轉趨保守，紛紛下修年度出貨目標，加上廠商庫存水位依舊偏高，因此來自於系統產品的需求也不如預期。

綜合供給與需求面向分析，集邦科技認為11月上旬NAND Flash合約價仍持續下跌。

展望後市，由於第4季需求表現不佳，以及受到明年第1季傳統淡季影響，成長動能有限，導致NAND Flash合約價至今年年底前，恐仍將維持下跌走勢。

市調機構集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange調查顯示，受惠第3季智慧型手機出貨升溫，以及SK海力士無錫廠火災影響，所有行動式記憶體(Mobile DRAM)產品線當季價格下跌幅度均有收斂。第3季營收總值達到約33億美元，較第2季成長14％，占總DRAM營收比例3成以上，隨著出貨比重增加營收仍會持續向上提升。

集邦科技研究協理吳雅婷表示，綜觀各家DRAM廠在行動式記憶體領域排名，兩家韓系廠商綜合市占約達76.3％，其中三星半導體市占率已經過半，對行動式記憶體價格或產業走向都將產生決定性的影響。後續行動式記憶體最大的變化還是落在美光與爾必達合併後供應鏈生態演進，並且由於需求端全面結構性的改變，2014年行動式記憶體出貨將正式超越標準型記憶體，首度成為位元出貨量最大的產品別。

三星半導體行動式記憶體市占由上季的50.3％小幅上升至51.3％，但由於集團中的Galaxy系列已有計畫向市占名列第二、第三的SK海力士及新美光集團購買行動式記憶體，集邦科技預估，後續市占比例應該維持在40∼50％之間，獲利考量大過於追逐市占。

SK海力士行動式記憶體市占率較上季幾乎維持持平走勢，雖上季的 25.7％小幅下滑25％，但營收季成長仍有10.8％。SK海力士在中國地區智慧型手機的市占率仍繼續向上攀升，在其他品牌廠對三星的零組件供應有疑慮時，成為最大的受惠廠家。

第3季首度合併計算的新美光集團行動式記憶體營收市占約22.1％，營收較上季成長10.7％，主要貢獻還是來自於爾必達最大客戶蘋果出貨的傳統出貨旺季需求，旗下子公司台灣美光記憶體(原瑞晶)也同時貢獻行動式記憶體產出。

台灣DRAM廠部份，華邦行動式記憶體的營收較前季大幅衰退20％，全球市占率來到0.7％，行動式記憶體營收比重占總營收的13％。由於功能性手機出貨日漸衰退，導致小容量記憶體出貨不如以往。

南科則是隨著行動式記憶體正式導入量產規模，第3季營收比較上季大幅成長超過200％，市占率從原先的0.3％提升至0.9％，目前LP DDR2 4Gb已經導入量產行列，目前亦將有LPDDR3 4Gb產品量產，由於主流產品皆使用30奈米製程，其競爭力有機會與一線大廠相抗衡。

外電傳出爾必達（Elpida）本季行動記憶體產出將季增二成，SK海力士無錫廠也傳將於11月恢復DRAM生產，儘管相關消息尚未獲確認，但仍引發市場對產業供需疑慮。

國內記憶體族群股價昨（14）日受兩大消息衝擊下挫，南科（2408）、晶豪科與勁永都以跌停作收。華亞科、華邦電、鈺創、威剛與品安等，股價紛紛中槍，跌逾半根停板。

法人表示，SK海力士無錫廠是否真能在11月恢復全產能，還值得存疑，或許只是部分產能先恢復，正常產出也要等二個月時間，但對市場價格的衝擊已經發生。

集邦科技指出，10月上旬DRAM模組合約價大約已漲到34美元左右，可能要等到11月下旬後，價格漲勢才會趨緩。

華亞科董事長暨南科總經理高啟全認為，近期可能記憶體需求不是那麼強，讓投資人有點擔心，但市場上仍是缺貨狀態，供應吃緊，所以第4季與明年第1季應該都還是不錯的情況，預期DRAM合約價還會再上漲。

集邦科技評估，當SK海力士移轉快閃記憶體（Flash）產能來製造DRAM，三星也擴產，若加上未來SK海力士無錫廠全面恢復產能，屆時供給大增，恐怕會讓DRAM價格有迅速下跌的可能性，時間點可能發生在明年第1季左右。

至於爾必達可能增產行動記憶體的消息，業界認為，爾必達廣島廠的產能早就逼近全滿，月產能約在10萬片左右，很難有新增產能。瑞晶部分，先前早已移轉行動記憶體產能來製造PC用記憶體，目前8萬片月產能中，行動與PC記憶體的比重約3比5。