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雖然4月DRAM現貨價因供給吃緊而上漲，但合約價仍未見到上漲行情，因此DRAM廠南科(2408)、華亞科(3474)的4月營收意外較3月衰退，主要是受到出貨量減少影響。

至於華邦電(2344)則因為出貨增加且子公司新唐(4919)營收成長，4月營收月增6.3％達31.7億元，改寫35個月來新高。

受到韓系DRAM廠製程不順，導致市場供不應求，4Gb DDR3晶片現貨價格自4月中旬的3.67美元，上漲至5月初的3.96美元，漲幅達7.9％，4月合約價走勢則持平開出，4GB DDR3模組均價維持在30.5美元，折算晶片價格約在3.5∼3.6美元左右。

由於4月DRAM合約價格未跟隨現貨價格上漲，南科4月因出貨量下降，營收月減2.2％達36.87億元，較去年同期也減少23.2％。華亞科4 月同樣因出貨量減少，營收64.62億元，較3月下滑7.5％，但較去年同期仍大幅成長87.6％。

華邦電受惠於利基型DRAM出貨增加，以及新唐4月營收月增13.5％達6.21億元，昨日公告包括新唐在內的合併營收達31.7億元，月增率達6.3％，較去年同期亦成長5.8％，改寫35個月來新高。

集邦科技表示，從需求面分析，隨著微軟終正Windows XP更新，第 2季筆記型電腦市場淡季不淡，全球筆電出貨呈現3.4％的季成長，其中前八大OEM品牌出貨成長更高達7.3％。

另一方面，OEM廠也試圖尋找新藍海，如Google主導的Chromebook ，標榜著低價與雲端應用的結合，主打輕應用的商務市場與教育市場，尤其以三星與宏碁最為積極。Chromebook的興起，創造出有別於原先筆電市場之外的新需求，導致DRAM整體產能可能更加吃緊。

隨著DRAM產業的寡占市場架構形成，劇烈的削價競爭已不復見。集邦科技預估今年DRAM市況將延續去年的高成長態勢，再現另一波總產值高峰。

市調機構集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange表示，PC市場第2季淡季不淡，DRAM供需轉趨健康，迎向下半年旺季，4月下旬合約價持平開出。在NAND Flash部份，供應商為了避免利潤被壓縮，不再願意降價來刺激銷售，4月下旬NAND Flash合約價也是持平開出，業者期待6月OEM廠拉貨潮啟動後，將改善市況供過於求壓力。

DRAM市場今年起呈現交投清淡的走勢，無論現貨商或模組廠多維持較低的庫存水位，大廠逐步將產能從標準型記憶體轉向行動式記憶體，供貨吃緊讓現貨市場底部價格確立。其中4Gb DDR3顆粒價格從4月中的3.67美元，至5月初上漲至3.96美元，漲幅達7.9％，牽動合約價格走勢，4月下旬合約價持平開出，均價維持在30.5美元。

集邦科技表示，三星去年將產出比重都放置在行動式記憶體上，目標標準型記憶體供貨多以OEM 廠為主；而SK海力士則調整產品比重，拉高行動式記憶體並降低標準型記憶體的產出量。美光新加坡Tech廠全數轉進NAND Flash產品，與台灣美光增加行動式記憶體的產出，讓後續合約價已呈現欲跌不易的市場氛圍，力守下半年30美元關卡可能性高。

在NAND Flash市場部份，模組廠對後市銷售表現看法保守，加上記憶卡和隨身碟零售價格持續下跌，中國五一假期前的拉貨動能呈現低迷的情況。近期NAND Flash供應商為了避免利潤被壓縮，在價格談判態度轉趨強硬，不再願意降價來刺激銷售，在交易清淡的市況下，4 月下旬NAND Flash顆粒合約價持平開出。

從需求端的變化來觀察，隨著新款iPhone 6與各家廠牌新機種可望於第3季陸續上市，在中國4G LTE智慧型手機潮帶動下，今年下半年智慧型手機的出貨量將較今年上半年成長接近20％。

在平板電腦方面，第3季起除了新款iPad將問世外，其他廠牌高中低階的2014年新機種也多規畫在開學潮與中國十一長假前來搶攻市場，因此下半年平板電腦的出貨量更可較上半年成長約40％，顯示今年在經濟狀況持穩之際，多數業者也對於下半年的旺季效應有明顯的企圖心。

第3季行動裝置新機種上市潮將帶動eMMC與eMCP等相關嵌入式NAND Flash產品的需求自第2季季末開始加溫，有望改善NAND Flash市況供過於求的情形。

DRAM價格大漲之際，儲存型快閃記憶體（NAND Flash）報價跌幅也顯著收斂，甚至出現持平走勢，透露記憶體景氣全面轉好。NAND價格回穩，群聯（8299）、慧榮等業者都將受惠。

根據集邦科技調查，第1季NAND顆粒合約均價受市場供過於求影響，單季跌幅高達16%至18%，但4月上旬合約價逐步露出曙光，僅持平或小跌約1%，預期NAND Flash環境在第3季將呈現較健康的供需平衡，價格於下半年有機會回穩。

集邦表示， 模組端對五一假期銷售需求保守看待，加上庫存仍充足，造成4月上旬NAND Flash採購意願偏低。同時在供應端，NAND Flash廠商庫存去化壓力趨緩，讓利空間變少。供需面拉鋸之下，4月上旬NAND Flash顆粒合約價在持平與微幅下跌1%之間。

集邦強調，第2季各種行動裝置出貨量處於低檔，導致NAND Flash市況偏弱，包含蘋果與三星等主要品牌，與中國品牌的智慧型手機與平板電腦新機上市潮，將從第3季開始發酵，因此嵌入式記憶體（eMMC）與多層次封裝晶片（eMCP）等相關備貨需求，預計將從6月啟動。

集邦預期，NAND Flash第3季需求位元成長率，將較第2季成長16%。

市場昨（17）日傳出，全球第三大DRAM廠南韓SK海力士無錫廠機台發生問題，導致對OEM廠商DRAM供貨可能大減，昨天晚間DRAM現貨價最高漲幅逾7%，24小時內漲逾9%，有助南科（2408）、華亞科等業者營運。

SK海力士無錫廠機台出狀況的相關消息尚未獲得公司證實，業界評估相關傳聞可能性低，但坦言近期DRAM供給確實出現吃緊，相關消息使得原本擔心拿不到貨的通路進場掃貨，造成昨日晚間DRAM現貨報價大漲。

受市場供應吃緊影響，DRAM現貨價格近期呈現盤堅格局，前天晚間約漲約2%，昨天受到SK海力士相關傳聞影響，現貨價格出現暴漲。

根據集邦科技昨天晚間最新報價，DDR3 2Gb顆粒現貨均價在最後一盤大漲4.84%至7.11%，價格為2.1美元至2.275美元，而DDR3 4Gb顆粒現貨均價則上漲1.48%，來到3.762美元。換句話說，現貨價一天內最高漲幅超過9%。市場昨日於盤中傳出，SK海力士因二台曝光機台設定參數有問題，近期對OEM客戶出貨可能減半供應，模組商有意因此調漲報價。

法人分析，本周起DRAM現貨價格呈現上漲，主要是受惠於大陸五一拉貨潮，加上SK海力士傳聞在短時間難以查證，導致昨日價格波動較大。

儘管相關傳言尚未獲得證實，但昨已在台股DRAM族群掀起旋風，華亞科爆出近11萬張大量，攻上漲停板26.2元收市；南科、華邦電也都漲逾3%。這三家台廠將於下周舉行法說，法人聚焦財報之餘，也會關切市況。

DRAM業界昨(17)日傳出韓系DRAM廠因製程轉換不穩定，4月及5月無法正常供貨滿足OEM廠需求消息。在庫存水位不足情況下，已提高 DRAM模組收購價格，現貨市場價格直接反應疑慮，2Gb DDR3晶片現貨價大漲7.1％達2.28美元，4Gb DDR3晶片價格也上漲1.5％至3.76美元。

法人表示，不論SK海力士或其它DRAM廠是否有製程不穩定的問題，標準型DRAM價格昨日全面性上漲，當然代表市場供給量已經不足以因應需求，2Gb DDR3晶片價格一日內大漲7.1％，擁有龐大標準型DRAM 產能的華亞科(3474)將成最大受惠者，DRAM出貨比重高的模組廠如威剛(3260)、品安(8088)等則有機會大賺漲價機會財。

DRAM業界昨日傳出，由於韓系DRAM大廠SK海力士的光罩掃描製程不穩定，導致4月出貨量較原訂目標減半，但第2季因為進入OEM廠備貨旺季，在供不應求情況下，標準型DRAM價格看漲。

不過，集邦科技指出，經多方查證，SK海力士曝光設備出狀況一事純屬謠言，DRAM價格昨日大幅上漲，主要是五一前備貨需求增加，以及部份供應商先進製程推進不順所刺激。

但OEM廠採購人員表示，SK海力士原本4月要給OEM廠的標準型DRAM 數量，已通知只能滿足一半需求，所以包括戴爾、惠普等OEM廠採購人員，昨日上午緊急與金士頓、威剛等模組廠召開線上會議，討論是否有足夠貨源可以滿足需求。金士頓昨日已決定取消所有DRAM模組價格折讓，並將視供給及需求狀況調整價格。

而綜合各方說法來看，惟一的共同點，就是三大DRAM廠在進入製程至20奈米世代，的確遇到了不少問題，所以實際的產出的確沒有原先預估的多。

模組業者分析，三大DRAM廠多數產能均移轉生產行動裝置所需的M obile DRAM，標準型DRAM投片量持續下降，一旦DRAM廠產能無法如期開出，市場供需就會立即出現供給缺口，價格自然隨即走高。目前看來，第2季中旬前價格上漲趨勢已經明確，預估4GB DDR3模組將由目前的31∼32美元，至5月中前上漲至35美元左右，換算4Gb DDR3晶片顆粒價格約可上看4∼4.1美元。

研調機構集邦科技昨（1）日表示，由於第1季是傳統淡季，3月下旬DRAM合約價小幅下跌，與2月下旬相較，跌幅約1.56%，估計4月的跌幅可能會加大。

集邦預估，第2季標準型DRAM價格可能會比第1季下跌10%至15%，3月下旬的主流模組產品成交均價約31.5美元，第2季可能回到SK海力士無錫廠受災前的水準，約27至28美元。

行動記憶體方面，第2季整體跌幅可能在5%以內，甚至因為出貨旺季效應帶動，部分產品規格的價位還會上揚。

集邦指出，第1季大部分DRAM客戶皆以整季為基礎來洽談合約價，僅少數客戶需於3月議定合約價，整體來看，合約價緩步下滑的趨勢不變。

同時，DRAM市場在寡占結構形成後，削價競爭態勢趨緩，DRAM廠與PC OEM廠更講求長期配合的關係，合約價議定的頻率，從之前的二周一次，漸漸轉為每月一次，甚至每季一次。

集邦指出，行動記憶體取代標準型記憶體，成為出貨量最大宗，因此DRAM廠的產品結構調整，將影響未來獲利程度。

科技市調機構集邦科技昨（24）日指出，農曆年過後迄今，DRAM現貨市場交投清淡，主流晶片DDR3 4Gb 有效測試（eTT）晶片價格，農曆年後迄今跌幅達13%，預估今年全年DRAM價格將緩步走跌。

南科（2408）、華亞科等DRAM廠對DRAM報價走跌抱持中性看法，認為晶片降價是很合理的狀況，隨著產品組合與製程微縮效益發酵，兩家公司對今年營運仍樂觀看待。

集邦研究協理吳雅婷表示，由於處於傳統PC出貨淡季，加上英特爾新晶片組Boardwell將遞延至今年第4季發表，且微軟新作業平台Win 8.1無法拉抬PC出貨，PC OEM廠對下半年能否有旺季效應多持保留態度。

研調機構集邦科技調查顯示，主要系統OEM客戶淡季需求疲弱而持續砍單，儲存型快閃記憶體（NAND Flash）供應商必須以積極價格策略來減輕庫存壓力，導致2月NAND Flash顆粒合約價較1月下滑將近14%。

儘管市場供過於求聲浪不斷，但快閃記憶體控制晶片大廠群聯（8299）董事長潘健成日前指出，NAND Flash應用範圍變廣，搭載容量也逐漸增加，因此不需要太過擔心需求。

集邦認為，今年上半在終端需求保守看淡的情況下，NAND Flash市況將有較明顯供過於求的現象，價格也呈走跌情勢，需求疲弱格局將持續到第3季進入OEM系統出貨旺季之前。

從供給面來說，集邦指出，三星與東芝目前暫緩上半年產能擴張計畫，雖然三星西安廠將於第1季正式開始運轉，但初期階段仍需提升生產與良率，加上3D NAND Flash的客戶認證流程時間更久，估計今年對市場供需影響不大。

另外，東芝的第五半導體廠第2階段將在今年第3季完工，第4季起試產先進製程產品與3D NAND Flash。而SK海力士因無錫廠火災，將原本NAND Flash產線轉做DRAM，在無錫廠復工後，借調產線將恢復生產NAND Flash，預計SK海力士NAND Flash產能在第2季將可回到災前水準。

同時，美光新加坡廠DRAM移轉至NAND Flash的作業也告一段落，規劃自第2季開始將全產能生產NAND Flash。

集邦估計，NAND Flash第1季的供給位元較去年第4季僅將成長6%。從需求端來看，集邦認為，目前OEM需求顯得疲弱，因此上半年沒有明顯動能刺激NAND Flash終端需求。

根據集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange調查，去年第4 季全球DRAM產出雖受到SK海力士無錫廠大火影響而稍有略減，但供貨吃緊下反而造成平均銷售單價勁揚，因此去年第4季全球DRAM產值再度攀高至約97.48億美元，季增4.8％並連續5季創下新高。

集邦科技研究協理吳雅婷表示，就去年第4季合約價格走勢觀察，由於9月SK海力士受祝融波及而影響當下出貨，4GB DDR3模組合約均價最高來到34美元價位，較火災發生前上漲約2成，供貨不足下主要 PC OEM廠紛紛轉向三星及美光要求緊急供貨，亦是這波價格上漲受惠最多的廠商。

由前3大廠的市占率變化來看，三星維持原先策略，標準型DRAM比重進一步提升，並意圖持續擴大Mobile DRAM對外採購比重。由於三星的25奈米已經順利量產出貨，相較於SK海力士的29奈米、美光的3 0奈米，顯然成本結構領先同業水準，在2014年平均銷售單價可能緩跌的前提下，三星的營業利益仍舊可以維持20％水位，無疑為產業獲利最高的廠商，市占率亦高達39.1％。

美光合併爾必達後，市占率衝高至28.7％，正式超越SK海力士成為第2大廠。美光2014年目標為逐漸導入爾必達技術為主的20奈米，預計正式量產時程約落在第4季，若站在標準型DRAM的角度觀察，美光的產出比率將占總產業的三分之一強，對該市場影響力將大增。

SK海力士受無錫廠大火影響，市占率已降至23.8％，但該公司傾全力恢復產出，預計產能流失的衝擊可望在今年首季全面回復。

在台灣業者部份，南科、華邦電、力晶等均積極進行製程微縮以維持競爭力，南科今年將全數轉進30奈米製程，投片量已達總產能8成；力晶雖已轉型為代工廠，但今年也將開始轉進20奈米；華邦電除提升月投片量至3.8萬片，46奈米製程轉進比重亦是今年的重點，生產成本降低將有助今年獲利表現。

集邦指出，SK海力士無錫廠的復工狀況將直接牽動未來價格走勢，由於每年首季將是需求淡季，加上3大廠產出均增加，價格將呈現緩跌態勢，而跌幅將隨著旺季來臨而趨緩。由於DRAM廠已不再盲目擴產，預估2014年的DRAM總產值可望進一步提升，並在後20奈米時代來臨之前為各DRAM廠帶來穩定的獲利。

研調機構集邦科技昨（23）日公布2月太陽能現貨價格持續上漲，中美太陽能貿易戰至今，並未造成產業端明顯砍單的現象，推估最快3月起台廠業績才會受到影響。

太陽能族群昨天表現漲跌互見，僅碩禾（3691）因一度市場傳言可能遭競爭對手控告，導致股價重挫至跌停、收544元；碩禾強調，至今沒有接獲任何相關消息。法人也評估傳言可能性低。其他如國碩、達能、新日光與昇陽科等個股也收黑；茂迪與中美晶則收紅。

集邦科技指出，台系矽晶圓業者目前產能利用率維持滿載，且2月訂單還有客戶追加。在電池廠方面，受到2月工作天數較少影響，營收可能下滑。

外電報導，記憶體大廠美光旗下爾必達（Elpida）將投入800億日圓（約新台幣231億元），擴增日本廣島廠行動記憶體二成產能。集邦科技認為，這顯示出受惠於記憶體價格回升，相關廠商可能再掀起產能競賽。

目前包括華亞科（3474）、南科與華邦電等均投入行動記憶體發展，若產能競賽再起，未來市況的供需變化與產品價格，可能影響其相關業績。

外電報導，爾必達將投入約800億日圓，用以擴增廣島廠的行動記憶體產能，這是爾必達歷經破產重整與被美光收購等事件，近三年來首度出現擴產動作。

集邦表示，目前廣島廠除極少部分產能，幾乎都用以生產行動記憶體，月產能約10萬片，擴產二成就等於擴增到12萬片。另外還有美光台灣（原瑞晶），大約也有月產能2萬多片。

美國國際貿易委員會（ITC）開對大陸太陽能擴大雙反措施聽證會，於美東時間20日登場，台灣太陽能廠也組團前往答辯，後續預定將於當地時間26日提出書面證詞。

大陸商務部於昨（20）日公布對美國等多晶矽業者的終判雙反稅率，反補貼稅率最高僅2.1%，但反傾銷稅率最高達57%，中美太陽能貿易戰持續上演。

先前大陸太陽能電池已遭美國課徵雙反稅率，陸廠轉向台廠採購電池，再製作成模組輸美因應。

為防堵前述雙反漏洞，美國太陽能業者SolarWorld等再度向ITC與商務部申訴，希望擴大雙反範圍至採用台灣等第三地電池的大陸模組，台廠因此捲入中美太陽能雙反戰。

太陽能業者指出，ITC主要是評估對美國相關產業的損害，根據以往申訴立案的情況來看，此次初判約有八成機率會成案。

業者表示，聽證會後，ITC應會於今年2月中左右初判，同時，美國商務部若決定立案調查台廠有無傾銷事實，初判結果可能於6、7月宣布，若裁定傾銷，將有初步課徵稅率。大約8、9月間，商務部終判可能出爐，如仍認定傾銷，會有終判稅率，再由ITC做出最後終判，時間點最快為今年10月，但也可能到明年2月才定案。

集邦認為，最終裁定的判決範圍可能回溯到3月初，屆時台廠在第1季底及第2季初的中國代工單可能受波及。未來不論是大陸廠商減少對美出貨，或改由自行生產出貨，對台廠都將造成傷害，台廠積極開發自有出海口仍當務之急。

研調機構集邦科技昨（20）日公布，去年台灣整體太陽能電池出貨瓦數超過8.3GW（10億瓦），年成長率高達42%。今年新日光有望擠下茂迪，登上台灣第一的寶座。新日光去年底擴增電池產能，領先群雄，因此今年的出貨量有機會超越茂迪。

儲存型快閃記憶體（NAND Flash）市況仍供過於求，加上淡季效應影響後續拉貨動能，對價格更加形成壓力，研調機構集邦科技昨（20）日表示，1月上旬的NAND Flash合約價持續走跌3%至5%，農曆年之後跌幅恐更加劇。

法人認為，NAND晶片報價跌跌不休，恐使得廣穎（4973）、群聯等與NAND應用關連性強的業者受到衝擊。

集邦指出，今年第1季智慧型手機、平板與NB等OEM廠裝置出貨量，預計會比去年第4季的高峰減少約15%至20%，但NAND Flash原廠仍積極出貨給模組客戶。

由於農曆新年需求展望保守，大多數模組廠在庫存水位偏高的情況下，備貨均較為謹慎，因此報價持續緩跌。

展望農曆新年後的市況，集邦認為，在傳統淡季效應的影響下，不論是隨身碟、記憶卡、eMMC或SSD銷售需求，短期內將持續走弱。

同時，集邦評估，NAND Flash業者雖然努力控制新產能投片的時程，但在製程持續轉進1X奈米的情況下，供給量逐季增加將無可避免。

基於主力產品銷售未見起色，但供給量卻快速增加，集邦預期賣方未來面臨的庫存去化壓力將不斷提高。今年第1季市況持續供過於求，且供需差距達4%至5%，較去年第4季進一步擴大，預期NAND Flash合約價於過完農曆年後，跌幅將會更為明顯。

高效太陽能矽晶圓市場需求強，綠能（3519）、中美晶、國碩等業者積極調漲價格，希望改善虧損狀態，打破先前太陽能業「上瘦下肥」的狀況。

研調機構集邦科技公布本周太陽能現貨價格走勢，由於高效產品供不應求，多晶矽晶圓維持上揚趨勢，但電池價格則呈現小跌。

多晶矽方面，受中國市場牽動影響大，集邦科技表示，由於中國市場多晶矽價格仍保持高檔，加上1月報價維持向上趨勢，本周價格持續上漲，價位來到每公斤17.883美元，漲幅為2.1%。

集邦科技說，矽晶圓現貨價格受多晶矽走強影響，同步上揚，平均價位來到每片0.921美元，漲幅為0.66%。同時，依照PVinsights最新太陽能報價，高效產品部份，均價也來到每片0.966元，眼見離1美元大關越來越近，相關業者轉盈希望愈來愈濃厚。另外，在單晶矽晶圓方面，本周平均價格則下滑。

市場研調機構集邦（TrendForce ）旗下記憶體事業處DRAMeXchange昨（18）日發布最新調查，12月上旬DRAM合約價因庫存水位下降及需求因假期推升，每顆均價平均上漲約3%；預料下旬仍維持小漲局面。

集邦指出，儘管SK海力士宣布明年元月逐步恢復產能，近日DRAM現貨報價小幅拉回，但整體而言，12月上旬整體DRAM 庫存已明顯去化，加上耶誕節來自零售及PC OEM廠商補貨需貨力道提升，因而推升12月上旬合約價上揚。

根據集邦觀察，以12月上旬合約價格推算，主流DDR3 4Gb 顆粒價格最高為4.06美元；4Gb DRAM現貨價12月上旬勁揚8.5%，最高來到4.13美元，拉開與合約價格的距離。

DRAMeXchange認為，由於PC OEM廠補貨需求仍在，加上模組廠良率不佳導致交貨不順，短期內顆粒價格持續攀升的機會仍高。至於各PC OEM庫存水位，目前已降至三到四周水準，出貨量的PC OEM廠更低於三周，預期下旬合約價仍將維持穩定走勢。

外電報導，全球第二大記憶體晶片廠南韓SK海力士將增建DRAM新廠，以因應行動裝置發展帶來高階DRAM需求。法人擔心，大廠擴大投資之下，產業可能重啟資本戰，台灣DRAM雙雄南科（2408）、華亞科需謹慎應對。

外電指出，海力士規劃，明年將投資至少38億美元在既有廠房、維運與技術升級等方面，並將興建新廠，最快於2015年初量產。

朝鮮商業報導引述知情人士消息，指SK海力士增設二座新DRAM廠，主要考量潔淨室增加有限，現有M10生產線不足以安裝最先進的設備。

華亞科及南科高層透露，DRAM廠推進20奈米製程，一定要新增潔淨室，才能維持在切入20奈米製程時，仍能保持相當產能，否則總產能會因而下降，因此SK海力士新增潔淨室投資，只能說是計劃導入20奈米，以迎合更高階產品市場需求。

華亞科和南科高層表示，因20奈米製程用潔淨室建廠過程需耗時一年多，DRAM產業短期只有製程微縮，產出速率遠低於需求增速，對明年DRAM價格仍維持平穩且樂觀看法。

DRAM市場目前已形成三星、SK海力士與美光等三大集團瓜分的局面。根據彭博報導，SK海力士第3季DRAM市占率為28.5%，落後於三星的37.1%，後面又有市占26.2%的美光追趕。

業界分析，SK海力士拜DRAM價格回升，財務轉佳，第3季單季稅後純益繳出9,582億韓元佳績，遠遠優於去年同期，讓SK海力士銀彈充裕，明年加大擴大市占的企圖。

在SK海力士無錫廠發生火災前，DDR3 2Gb DRAM顆粒均價約在1.6美元左右，傳出災情後，報價一路上揚，據集邦科技最新報價，DDR3 2Gb DRAM顆粒，目前現貨均價約介於2.34美元至2.41美元。

行動裝置的風行，帶動觸控面板的蓬勃成長。但是觸控筆記型電腦採用觸控功能的滲透率仍低，集邦科技旗下光電事業處WitsView預估，2014年筆記型電腦出貨總量將衰退1%-2%；觸控筆電品牌廠將採降價策略拉抬買氣。

WitsView分析師陳虹燕表示，2013年觸控筆電受到價格過高和軟硬體未達最適化影響，滲透率僅達10.2%。翻蓋式觸控筆電因輸入模式，仍以傳統式滑鼠／觸控板和鍵盤為主，加上應用軟體缺乏搭配性，造成觸控使用率偏低。陳虹燕指出，微軟與英特爾的態度是觸控筆電售價的關鍵。

南韓DRAM大廠SK海力士積極恢復無錫廠受火災損害的產能，研調機構集邦科技昨（12）日認為，SK海力士無錫廠將於明年1月全面恢復投片，估計明年3月初可大量產出，預料DRAM價格將在明年首季末開始走跌，牽動華亞科（3474）、南科等業者獲利。

SK海力士無錫廠9月初發生火災，使得單月全球DRAM供給量減少約一成，現貨報價也因此飆高，DDR3 4Gb顆粒最高一度觸及4.6美元。合約價漲幅雖然不及現貨價，但也呈現上揚，包括南科、華亞科等，都是受惠業者。

近期DRAM現貨價格已經稍有回檔，昨日最高為4.22美元，後續DRAM現貨與合約價格若再下探，也可能牽動相關業者的業績變化。

集邦科技指出，災後SK海力士全力修復工無錫廠，10、11月投片量各約為3萬、7萬片，12月投片目標為10萬片，以無錫廠滿載為13萬片來看，目標是明年1月中旬後全面恢復投片。

市調機構集邦科技旗下DRAMeXchange分析，受惠智慧型手機與平板電腦的熱銷， 一線DRAM大廠紛紛轉進行動式記憶體，標準型記憶體產出將明顯減少，在產業結構趨於健康、市場供需轉為平衡之下，料將是2009年以來供應商秩序最佳的一年，2014年DRAM產值也將較今年年增加12%。

2013年對DRAM產業而言相當具有關鍵性，受惠於智慧型手機與平板電腦的熱銷，一線DRAM大廠紛紛轉進行動式記憶體，導致標準型記憶體產出逐漸減少，再加上9月SK海力士無錫廠大火讓4GB模組合約均價由17美元上漲至今33美元，漲幅逼近一倍，各DRAM廠朝向全面獲利的狀態。

DRAMeXchange指出，產業結構的改變將為2014年DRAM產業帶來新的契機。回顧2013年，8月美光正式整併爾必達後，其合併營收規模與SK海力士已在伯仲之間，再加計三星的市占率，三大集團的DRAM市占率已超過決定性的90%。

由於三大集團各自擁有DRAM與NAND Flash的技術，對於產品組合將可以更靈活的調配運用，在價格走勢上將更傾向穩健的寡占市場格局，因此公司獲利的趨勢將延續至2014年。

另外，受惠於智慧型手機與平板電腦的熱賣，DRAM大廠紛紛轉進行動式記憶體領域，標準型記憶體產出受到排擠而產出逐漸減少，集邦科技預估2014年行動式記憶體將占全球市場的36%，一舉超越標準型記憶體的30%，躍升成為全球DRAM市場主流產品。

就行動式記憶體領域觀察，2014年LPDDR3的比重將在智慧型手機與平板電腦快速增加，更將進軍高階Ultralike市場，預估LPDDR3產出量預計在2014年下半年將超越LPDDR2。