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研究機構集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange分析，201 3年是對DRAM產業具關鍵性的一年，產業結構改變，寡占市場的格局形成，都將為2014年DRAM產業帶來新的契機，預估2014年的DRAM產值將達395億美元，年成長率為12％，將是自2009年金融風暴以來，供應商在生產方面最有秩序的一年。

2013年DRAM產業出現極大變化，除了美光正式合併日本DRAM廠爾必達，DRAM市場變成三星、SK海力士、美光等三強鼎立局面外，受惠於智慧型手機與平板電腦的熱銷，一線DRAM大廠紛紛轉進行動式記憶體 Mobile DRAM，導致標準型DRAM產出逐漸減少。再者，SK海力士無錫廠9月初大火，讓4GB模組合約均價由17美元上漲至今33美元，漲幅逼近一倍，各DRAM廠朝向全面獲利的狀態。

放眼2014年，由於進入20奈米製程後開發難度變高，產出位元年成長率(bit growth)趨緩，因此平均銷售單價將隨成本結構改善而逐步下降，各家DRAM廠不再追求製程上的極致，策略轉向更靈活調配產品與產能，2014年DRAM市場營收預估續成長12％，為金融風暴後連續第2年成長，在價格走勢上將更傾向穩健的寡占市場格局，持續獲利的趨勢將延續至2014年。

集邦也預估，2014年Mobile DRAM將占全球市場的36％，首度超越標準型DRAM的30％，躍升成為全球DRAM市場主流產品。再者，由Mob ile DRAM做觀察，2014年LPDDR3的比重將在智慧型手機與平板電腦快速增加，更將進軍高階Ultrabook等輕薄NB市場，省電機制優於一般傳統DDR3，預估LPDDR3產出量預計在2014年下半年將超越LPDDR2，成為行動式記憶體主流規格。

今年下半年各DRAM廠轉進20奈米世代製程都遇到困難，受到物理條件限制，即使如三星或是SK海力士都曾面臨到良率無法有效提升或是量產計畫遞延的窘境。進入25奈米以下製程，由於需要購入極紫外光 (EUV)機台，但目前EUV機台的開發尚未達到可大量生產的階段，D RAM廠對於25奈米製程以下至今未有明確的時間點規劃。

研調機構集邦科技昨（2）日公布2014年太陽能產業觀察重點，包括高效電池片、儲能商品及整併帶來的板塊重組等三大趨勢，目前台廠包括新日光（3576）、茂迪、昱晶、昇陽科、綠能、中美晶等都在高效產品多所著墨，業者評估，在供不應求情況下，應可受惠於高效需求商機。

集邦預期，2014年中、日、美市場需求大約占全球五成市場比重，歐洲市場復甦，新興國家市場崛起，促使全球太陽能供需趨於平衡，市場主流需求仍為結晶矽產品。

集邦指出，2013年起，模組需求瓦數從240瓦一路提高到250瓦，多晶矽電池片轉換效率多在17.2%至17.6%之間，明年上半年將持續提升到17.6%至17.8%，明年底主流產品將以17.8至18%為主。

太陽能業者認為，高效能產品可能缺貨，而且廠商不只技術要好，成本還要能控制得宜，才會有競爭力。

在多個國家太陽能發電補貼下降甚至取消後，現在多鼓勵自發自用或調節尖峰用電，因小瓦數住宅用系統興起，集邦指出，儲能成為太陽能應用的下一個趨勢，儲能系統由現有太陽能廠商組成整套系統供給使用者，是較可能的形式。

隨著太陽能發電成本持續下降，大型石油、電網公司又開始對太陽能投注關愛眼神，預期明年將有更多能源業者將太陽能重新納入發展規劃之中。

雖然DRAM現貨價格有趨跌現象，但市場傳出，11月下旬DRAM合約價格可能再漲，主因是某大廠產品近期良率有待提升，導致供應情形再度吃緊，估計南科（2408）、華亞科等DRAM廠商可持續受惠。

華亞科昨（28）日價量齊揚，股價重回20元整數關卡之上，收盤攻上漲停價20.4元。對於第4季展望，華亞科董事長高啟全表示：「比第3季好」，而且「不只好一點點」，平均單價（ASP）會隨著產品組合改變而提升。華亞科第3季稅後純益72.9億元，每股純益為1.21元。

集邦科技指出，目前DRAM價格走勢，主要取決於SK海力士無錫廠的復工狀況，估計12月可能小漲，而明年第1季進入PC拉貨淡季後，價格可能再回到無錫廠受災前4GB模組約26至27美元的水準。

市調機構集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange表示，隨著明年NAND Flash產業供需情況穩定，預期價格走勢也將持穩，加上N AND Flash終端需求持續向上動能明確，預期明年全球NAND Flash產值將達到280億美元，較今年成長13.3％，連續兩年達成雙位數百分比以上的成長。

從供給面來看，受到9月份SK海力士無錫廠火災過後，部分NAND F lash產能挪移至DRAM的影響，2013年全球NAND Flash供給量調整為2 04.66億顆16Gb約當顆粒，年增率亦下修為40.3％。整年度的晶圓投片量也僅有1.24億片12吋約當晶圓的規模，較2012年成長3.2％，減緩了原先第4季與明年上半年出現大幅供過於求的情形。

同時，預期SK海力士NAND Flash產能也將在明年下半年回升到火災前的水準，其他各家NAND Flash業者新產能的增加也多落在下半年，因此集邦認為明年上半年雖然整體市況還將無可避免地受到需求端傳統淡季的影響，而呈現供過於求的情形，但市況波動過大的情況將比往年來的舒緩。

在需求面來看，集邦預估2014年需求位元年增率為37.6％。在隨身碟與記憶卡的市場上，明年USB 3.0隨身碟和SD 3.0高速記憶卡的滲透率，隨著產品成本的有效下降將有所提高，有望刺激消費者的採購需求。eMMC、eMCP、固態硬碟(SSD)等應用也隨著智慧型手機、平板出貨增加走揚。

集邦指出，明年英特爾與各家NAND Flash供應商更致力推動標準化 SSD模組M.2，PC消費端(client)的SSD將維持持續向上成長。而企業級SSD更是眾所矚目的焦點，來自於雲端運算的興起，以及智慧型手機與平板電腦等行動裝置帶動App應用程式風潮，對於伺服器應用和儲存裝置的效能和速度要求日益攀升，因此資料處理中心與全球伺服器業者，也開始逐漸重視企業級SSD的領域，紛紛提高採購需求。

此外，今年以來各大硬碟產商如Seagate與Western Digital等，也透過自行開發或是企業併購的方式，來加強SSD在企業級儲存裝置的產品完整性。因此集邦預期，明年SSD的NAND Flash消耗量比重，將從今年的13％快速攀升至25％。

供給量僧多粥少南科、華邦電受惠 利基型報價續漲 DRAM廠樂

由於PC市場進入淡季，11月上旬標準型DRAM合約價持平，4GB DDR 3模組均價在32美元，與10月合約價相當。不過，利基型DRAM因市場供給量持續減少，部分規格缺貨問題仍存在，x16規格512Mb DDR2價格大漲1成，均價達1.1美元，包括南科(2408)、華邦電(2344)、晶豪科(3006)、鈺創(5351)等供應商可望受惠。

市調機構集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange調查，由於進入傳統出貨淡季，加上需求面不佳，11月上旬標準型DRAM合約價議定意願普遍不高，加上SK海力士鎖住整個第4季價格，合約價格再度以持平開出，4GB DDR3模組均價約在32美元價位，2GB模組均價則維持在17.75美元。

不過，利基型DRAM市場卻仍是僧多粥少，由於網通設備及消費性電子產品第4季是出貨旺季，1Gb以下低容量DDR2晶片供不應求，11月上旬合約價維持漲勢，其中1Gb DDR2晶片價格均價1.5美元，漲幅約5. 6％，512Mb DDR2晶片均價則上漲10％至1.1美元。

業者表示，韓系大廠產能均轉向量大的標準型DRAM或Mobile DRAM ，所以目前此一市場可說已由台灣業者主導，包括南科、華邦電、晶豪科、鈺創、力積(3553)等，已成為市場主力供應商。而利基型D RAM在10月上漲1成後，11月再漲5∼10％，供應商可望直接受惠。

集邦科技則指出，標準型DRAM的市場供給正在恢復中，SK海力士無錫廠10月投片已來到3萬片，11月投片雖在確認中，但也應有4∼6萬片以上的水準，雖然受到設備商出貨遞延，原則上無錫廠有機會於明年第1季全面恢復；加上SK海力士也立即啟動韓國M10及M12廠區積極增加DRAM產能，11月起產能已陸續開出，供貨緊俏的狀況正逐漸紓解。

集邦科技表示，從現貨市場來看，2Gb晶片價格自11初月高點的2. 18美元下滑至今，跌幅約達1成，4Gb顆粒價格亦正式跌破4美元價格。原本受到SK海力士火災的上漲價格走勢已經遭到破壞下，加上整體需求面不佳，第4季下旬的標準型DRAM合約價，看來會以持平或是小幅下修作為未來的價格趨勢。

DRAM及儲存型快閃記憶體（NAND Flash）近期價格同步下挫，透露市場需求疲弱，不利推升記憶體模組本季營運。

不過，包括威剛（3260）、創見、廣穎、宇瞻等模組廠預期價格回檔幅度有限，本季在低價庫存挹注下，獲利仍可優於上季。

據了解，SK海力士無錫廠產能本月開始產出，加上三星趁勢搶占SK海力士短缺市場，二大記憶體廠近期刻意壓盤，導致DRAM報價從10月的高峰，明顯拉回近一成，主流2Gb DDR3 DRAM每顆仍力守2美元關卡。

對於DRAM後市，DRAM大廠南科預期，明年第1季前因供需仍處於失衡，預期將會溫和上揚；模組大廠威剛也預期經11月價格修正之後，即可再起漲勢。

但近期集邦科技DRAM和NAND Flash報價都同步下跌，耶誕節前拉貨效應似乎不明顯，市場對SK海力士逐步恢復生產，採取謹慎備貨。

法人預估，雖然DRAM及NAND Flash價格短線下滑，DRAM大廠和模組仍有獲利空間，不過除了少數擁有低價庫存的廠商享有低價庫存利益，多數廠商不至於像第2季般有暴利產生。

eMMC應用為控制晶片廠帶來更多商機，市場研究機構集邦科技昨（25）日表示，在eMMC控制晶片外包策略上，供應商多採用群聯（8299）或慧榮的解決方案為主，另外還有Marvell、擎泰、鑫創等廠商，預期這些控制晶片廠在明年透過提供TLC eMMC控制晶片解決方案，打入主要eMMC供應商的機會將大幅增加。

根據集邦資料，目前市面上eMMC產品主要供應商，包括三星、SK海力士、新帝、東芝、美光與金士頓電子等，市占率合計高達95%以上，各家對eMMC控制晶片策略有所不同，以未來eMMC 5.0產品為例，三星、東芝與新帝規畫採用內部自製（In-house）控制晶片，美光和SK海力士SK 則外包，但仍有建立In-house控制晶片的打算。

集邦指出，自2013年下半年起，eMMC 4.5介面已開始成為智慧型手機和平板電腦內建儲存記憶體的主要規格，預計從2014年下半年起，eMMC 5.0產品會放量，成為新一代主流。

DRAM業者指出，10月DRAM合約價雖然比9月上揚不少，但11月轉為下滑，12月可能與11月持平或小跌，整體第4季價格應該會比第3季上揚，但幅度可能低於一成，不如原先預期。

這意味海力士無錫廠火警的漲價效應逐步縮小，隨著漲價幅度減弱，也牽動南科（2408）、華亞科、威剛、創見等業者營運。

業者坦言，整體經濟情況沒有太令人振奮的消息，因此市場需求確實有點疲軟，但索尼與微軟新款遊戲機帶來的動能，仍值得觀察。

根據集邦科技調查顯示，11月上旬DRAM合約價格再度以持平開出，4GB均價約在32美元價位，2GB均價則維持在17.75美元。

集邦指出，海力士無錫廠正在恢復產能當中，10月無錫廠投片已回復至3萬片，有機會於明年第1季全面恢復，同時海力士也動用其他廠區增加DRAM產能，供貨吃緊的狀況正逐漸紓解。

集邦表示，DRAM 2Gb顆粒現貨價自11月初高點2.18美元，至今已下滑到1.98美元，跌幅達9.2%。

市調機構集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange調查顯示，第4季各項NAND Flash終端需求確立旺季不旺，加上廠商庫存水位依舊偏高，採購意願薄弱，因此11月上旬合約價較10月下旬下跌5∼7％，NAND Flash合約價至今年年底前將維持下跌走勢。

從供給面來看，SK海力士無錫廠9月份火災後，SK海力士與三星分別將30％與5％不等的NAND Flash產能轉往DRAM，讓整體第3季與第4 季的NAND Flash產出下降，因此2013年的產出位元年增率(bit gro wth)，從40.8％再度下修至40.3％。

但NAND Flash前景不佳最大的因素，依舊來自於第4季整體需求的疲軟，隨身碟市場受限於USB 3.0滲透率不佳的因素，影響消費者採購需求，而記憶卡的需求也並未因主要領導品牌大打價格戰的利多刺激而有所提升。

在系統產品上，由於第4季全球經濟景氣復甦腳步停滯，智慧型手機與平板電腦廠商對於第4季傳統歐美地區的感恩節與聖誕節銷售旺季預期轉趨保守，紛紛下修年度出貨目標，加上廠商庫存水位依舊偏高，因此來自於系統產品的需求也不如預期。

綜合供給與需求面向分析，集邦科技認為11月上旬NAND Flash合約價仍持續下跌。

展望後市，由於第4季需求表現不佳，以及受到明年第1季傳統淡季影響，成長動能有限，導致NAND Flash合約價至今年年底前，恐仍將維持下跌走勢。

市調機構集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange調查顯示，受惠第3季智慧型手機出貨升溫，以及SK海力士無錫廠火災影響，所有行動式記憶體(Mobile DRAM)產品線當季價格下跌幅度均有收斂。第3季營收總值達到約33億美元，較第2季成長14％，占總DRAM營收比例3成以上，隨著出貨比重增加營收仍會持續向上提升。

集邦科技研究協理吳雅婷表示，綜觀各家DRAM廠在行動式記憶體領域排名，兩家韓系廠商綜合市占約達76.3％，其中三星半導體市占率已經過半，對行動式記憶體價格或產業走向都將產生決定性的影響。後續行動式記憶體最大的變化還是落在美光與爾必達合併後供應鏈生態演進，並且由於需求端全面結構性的改變，2014年行動式記憶體出貨將正式超越標準型記憶體，首度成為位元出貨量最大的產品別。

三星半導體行動式記憶體市占由上季的50.3％小幅上升至51.3％，但由於集團中的Galaxy系列已有計畫向市占名列第二、第三的SK海力士及新美光集團購買行動式記憶體，集邦科技預估，後續市占比例應該維持在40∼50％之間，獲利考量大過於追逐市占。

SK海力士行動式記憶體市占率較上季幾乎維持持平走勢，雖上季的 25.7％小幅下滑25％，但營收季成長仍有10.8％。SK海力士在中國地區智慧型手機的市占率仍繼續向上攀升，在其他品牌廠對三星的零組件供應有疑慮時，成為最大的受惠廠家。

第3季首度合併計算的新美光集團行動式記憶體營收市占約22.1％，營收較上季成長10.7％，主要貢獻還是來自於爾必達最大客戶蘋果出貨的傳統出貨旺季需求，旗下子公司台灣美光記憶體(原瑞晶)也同時貢獻行動式記憶體產出。

台灣DRAM廠部份，華邦行動式記憶體的營收較前季大幅衰退20％，全球市占率來到0.7％，行動式記憶體營收比重占總營收的13％。由於功能性手機出貨日漸衰退，導致小容量記憶體出貨不如以往。

南科則是隨著行動式記憶體正式導入量產規模，第3季營收比較上季大幅成長超過200％，市占率從原先的0.3％提升至0.9％，目前LP DDR2 4Gb已經導入量產行列，目前亦將有LPDDR3 4Gb產品量產，由於主流產品皆使用30奈米製程，其競爭力有機會與一線大廠相抗衡。

外電傳出爾必達（Elpida）本季行動記憶體產出將季增二成，SK海力士無錫廠也傳將於11月恢復DRAM生產，儘管相關消息尚未獲確認，但仍引發市場對產業供需疑慮。

國內記憶體族群股價昨（14）日受兩大消息衝擊下挫，南科（2408）、晶豪科與勁永都以跌停作收。華亞科、華邦電、鈺創、威剛與品安等，股價紛紛中槍，跌逾半根停板。

法人表示，SK海力士無錫廠是否真能在11月恢復全產能，還值得存疑，或許只是部分產能先恢復，正常產出也要等二個月時間，但對市場價格的衝擊已經發生。

集邦科技指出，10月上旬DRAM模組合約價大約已漲到34美元左右，可能要等到11月下旬後，價格漲勢才會趨緩。

華亞科董事長暨南科總經理高啟全認為，近期可能記憶體需求不是那麼強，讓投資人有點擔心，但市場上仍是缺貨狀態，供應吃緊，所以第4季與明年第1季應該都還是不錯的情況，預期DRAM合約價還會再上漲。

集邦科技評估，當SK海力士移轉快閃記憶體（Flash）產能來製造DRAM，三星也擴產，若加上未來SK海力士無錫廠全面恢復產能，屆時供給大增，恐怕會讓DRAM價格有迅速下跌的可能性，時間點可能發生在明年第1季左右。

至於爾必達可能增產行動記憶體的消息，業界認為，爾必達廣島廠的產能早就逼近全滿，月產能約在10萬片左右，很難有新增產能。瑞晶部分，先前早已移轉行動記憶體產能來製造PC用記憶體，目前8萬片月產能中，行動與PC記憶體的比重約3比5。

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繼南韓SK海力士（SK Hynix）之後，全球最大記憶體供應商三星也轉移部分儲存型快閃記憶體（NAND Flash）產能生產DRAM，支應DRAM供貨短缺的情形，連帶讓NAND Flash供應吃緊，價格看漲。

記憶體業者透露，雖然三星不願公布移轉多少產能轉做DRAM ，但可確定DRAM漲勢將延燒至NAND Flash，使得Flash比重較高的模組廠包括創見（2451）、群聯、宇瞻、廣穎等第4季可望淡季不淡。

SK海力士無錫廠大火後，因受損頗為嚴重，在大量消化個人電腦（PC）用DRAM後，日前已通知主要OEM廠和通路商，10月起將無法滿足客戶供貨，讓相關OEM廠和通路商緊張，大舉掃貨，持續推升DRAM現貨價，10月合約價將同步上揚。

業者表示，SK海力士雖宣稱無錫廠將於11月陸續恢復生產，但業者普遍感到質疑。

由於SK海力士無錫廠是該集團最主要PC DRAM製造重鎮，影響DRAM供貨高達14%，三星和美光是最大受益者；SK海力士為彌補供貨短缺，已將韓國廠產能轉作DRAM。由於DRAM價格飆升至三年新高，根據集邦報價，主流DDR3 2Gb DRAM每顆站上2.3美元、4Gb DRAM每顆最高報價觸及4.5美元波段新高，DRAM獲利賣一顆、賺一顆，為此三星已將部分NAND Flash產能轉移生產DRAM。

三星挪移DRAM產能轉做NAND Flash，是否壓抑DRAM漲勢值得注意。不過，NAND Flash已因SK海力士和三星都將部分產能轉向支應DRAM而呈現短缺，上月下旬至今漲幅3%到5%，10月價格也看俏。

NAND Flash供貨仍集中在三星、SK海力士、東芝、美光及晟碟等大廠，國內有華邦、旺宏等少數廠家切入低容量產品；模組廠中包括創見、宇瞻、廣穎等都有50%以上比重集中在NAND Flash應用，群聯更是全押NAND Flash應用，相關族群本季營運將隨NAND Flash價格翻揚而提升。

全球DRAM市占率第2的海力士(Hynix)集團受大火衝擊持續延燒，目前已通知旗下客戶，10月份訂單無法如期交貨，相關電子OEM代工廠又見掃貨現象，激勵DRAM現貨價再度飆高，並創下今年以來的新高價，受惠程度最大的威剛(3260)、晶豪科(3006)等，投資人可觀察其連結的認購權證，擇機布局。

根據集邦科技調查，DDR3 2Gb顆粒現貨價格已攀升至2.3美元，自火災後價格漲幅已飆高近4成，隨著現貨價格持續大漲，未來2個月D RAM合約價也可望同步揚升。據通路商表示，DRAM大廠美光可能將DD R3 2Gb報價推升至2.5美元；DDR3 4Gb則上看4.5美元。市場也預估供貨吃緊的狀況將持續至明年第1季後才可望得以解除。

在DRAM概念股之中，擁有最多低價庫存的威剛(3260)，則是此事件的最大贏家，法人也預估9月營收將月增逾15％，並重回30億元關卡，下半年獲利可望追平上半年，有機會再創歷史新高。在篩選權證方面，可以挑長天期、較價平的權證，如日盛QQ或元富QT等，與現股保有較良好的關連性，在布局上可長可短，更能靈活的操作。

海力士同時也是全球繪圖記憶體供應大廠，據了解，繪圖晶片雙雄超微(AMD)及輝達(NVIDIA)手中高階板卡，所使用的GDDR3、GDD R5記憶體庫存已不足一個月，中低階x16規格DDR3更是嚴重缺貨，也讓經營繪圖DRAM多年的晶豪科今年訂單能見度大增，後市成長力道不容小覷。看好的投資人可以挑90天期以上、較價外的權證做布局，如日盛G7或凱基CT等，屆時股價走勢如預期，有機會獲利。

受SK海力士無錫廠火災影響，9月DRAM現貨與合約價格均明顯大漲，DRAM業者表示，估計至少到明年第1季，都會維持價格上揚的局面，每季合約價漲幅應該起碼都有15%至20%的空間。

從9月初以來，DRAM顆粒現貨累積漲幅超過四成，9月下旬合約價也有15%左右漲幅，對於合約價漲幅不若現貨價，DRAM業者指出，合約價的特性就是緩漲緩跌，否則若一下子漲太多，客戶會無法承受，招來反彈，估計接下來10月的合約價還會繼續往上。

集邦科技指出，9月因為還處於第3季的範圍內，所以DRAM業者提出的合約價漲價幅度，被原先與客戶的協商所限制，但進入10、11月後，可預期漲價幅度會更明顯，逐步接近現貨漲幅。

業界評估，10月有機會看到2Gb DDR3顆粒價格挑戰2.5美元，以及4Gb DDR3顆粒價格邁向4.5美元。

SK海力士無錫廠於9月初發生火災後，DRAM顆粒現貨價明顯受相關消息刺激而上揚，不過2Gb DDR3顆粒現貨價從中秋節前開始漲勢趨緩，本周持續回檔，昨（24）日2Gb DDR3顆粒現貨價下跌逾2%，至今均價累積跌幅約有3%至3.5%。

研調機構集邦科技認為，DRAM現貨是淺碟市場，如今DRAM價格短暫回檔現象，主要是之前受消息面影響，漲幅太大。相對於DRAM顆粒現貨價已漲逾四成，9月合約價漲幅僅15%，其中4GB模組價格合約價約32美元左右，估計10月合約價還會持續往上。

集邦指出，SK海力士無錫廠火災對其產能影響頗大，9月市場供應主要還是8月產出，所以受災的供應缺口情形，恐怕還會於10、11月繼續發酵。大陸方面因中秋假期後續又將接著十一長假，所以影響這段期間的DRAM拉貨力道，可能於十一之後才會再回升。

昨日除了2Gb DDR3顆粒現貨價格持續下探，均價約2.19至2.21美元，4Gb DDR3顆粒現貨均價也從持平開始轉為下跌，而跌幅約1.12%，均價來到4.163美元。

SK海力士（Hynix）無錫廠大火後記憶晶片價格已大漲42%，漲到兩年多來高峰。電腦和智慧手機業者零組件的成本也大增。

集邦科技報價顯示，動態隨機存取記憶體（DRAM）的DDR 2GB每顆23日漲到2.27美元，SK海力士工廠4日因大火關廠當天只有1.60美元。SK海力士受災的生產線預料下月恢復生產。

全球第二大記憶晶片生產商SK海力士已加緊在南韓生產，以降低火災所造成的影響。蘋果、戴爾、Sony都是SK海力士的客戶。

Leading Investment & Securities分析師吳相宇說：「記憶晶片價格第4季若非持續上漲，至少也不會下跌，除非全面復工。市場原以為第4季就會觸頂。」他認為，美光是最大受益者。

【記者謝易軒／台北報導】SK海力士（Hynix）無錫廠大火引發記憶體產品再現年初的搶貨潮，美光陣營也趁勢坐大，搶奪市占率，帶動國內包括華亞科、南科、華東等相關供應鏈後市營運將吃下補丸。

業者指出，因應旺季鋪貨需求，本來就已供應吃緊的記憶體產品市場，搶貨狀況更加激烈，尤其這波搶貨潮已蔓延至行動式記憶體。

SK海力士無錫廠受災效應繼續發酵，DRAM價格漲不停，集邦科技公布，昨（16）日DRAM顆粒現貨報價再往上衝，其中1Gb與2Gb DDR3顆粒現貨均價漲幅最多均超過6%，2Gb DDR3顆粒現貨最高價已達2.35美元，續創今年新高。

SK海力士無錫廠產能大多用以生產標準型DRAM，由於最快10月全面復工，導致恢復正常產出的時點可能落在第4季底，業界人士多已預期DRAM缺貨效應起碼會延續到年底。

集邦科技昨（12）日表示，觀察本周現貨市場整體表現，大陸多晶矽價格仍維持高檔，平均價格上揚到每公斤17美元，漲幅約1.8%。在矽晶圓方面，多晶矽晶圓均價小跌0.11%，來到每瓦0.885美元。至於電池與模組報價，本周多維持平盤。

在矽晶圓方面，雖然相關業者努力促使開始賺錢的電池客戶讓利，調高一些價格，集邦科技指出，買賣雙方正持續進行協商，但目前標準品價格仍微幅下滑。

據了解，近日包括綠能（3519）、中美晶與達能等業者都希望調整矽晶圓價格。綠能上半年每股虧3.98元，達能上半年每股虧損1.28元；中美晶的太陽能業務也虧錢，但因有半導體業務撐著，上半年每股純益達0.6元。

集邦科技認為，近期各國陸續公布太陽能政策，有些可望提升系統安裝量，但有些則將大幅減少補助範圍和金額。

SK海力士受災讓DRAM市場起波瀾，華亞科（3474）董事長兼南科總經理高啟全昨（12）日表示，近日一線OEM客戶來台談定最新合約價，下季合約價漲定了，且漲幅不小，他預估，因大部分貨源要優先供應一線OEM廠，二線應用廠恐吃虧。

華亞科第2季稅後純益34.72億元，高啟全重申，第3季獲利跟第2季相比，會好「不只一點點」，而且「好很多也有可能」。

由於華亞科7月稅後純益超過21億元，法人推估，8、9月的情況不比7月差，第3季獲利會超過60億元水準。

SK海力士無錫廠在上周發生火災，官方宣稱，已有部分產能復工，但何時全面復工，仍不明朗，但已帶動DRAM現貨價格飆漲。SK海力士無錫廠月產能13萬片，其中，大多數生產標準型DRAM，一部分是行動記憶體，無錫廠占全球總產能約一成。

高啟全指出，DRAM現貨市場佔比大概僅5%，合約市場達95%，SK海力士事件影響市場供需，帶動現貨價格上揚。但過去兩個月，DRAM現貨價下跌，合約價並沒有滑落，這代表DRAM 寡占市場已形成，以前看現貨就可推估合約價走勢，現在現貨市場影響力已有限，價格高低影響不了合約市場。

高啟全強調，DRAM並沒有供過於求，雖然PC端較疲軟，但過去兩個月仍屬健康狀態，穩定供需平衡，因此，一旦有些干擾，如SK海力士事件，就造成價格波動。

對於DRAM搶貨，高啟全說，若合約客戶雙方往來很久，不可能因為現貨價格較好，就全都賣到外面去，供應商對OEM廠有責任在，會給予全力支持。

根據集邦統計，昨日DRAM報價續漲，DDR3 2Gb 1333MHz顆粒現貨最高價攀高到2.12美元，均價漲幅也達3.37%。 DDR3 1Gb顆粒現貨均價也上漲3.14%。

另外，南科副總李培瑛也表示，短期內市場預期DRAM會短缺，所以現貨市場價格起伏大，所有供應商應都會審慎密切觀察，報價與出貨都會相當保守。

南科目前僅針對合約客戶持續出貨，另對生產線有緊急需求的客戶，也會提供協助。等未來市場明朗化後，將進一步調整供貨。