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集邦科技(未)公司新聞
根據集邦科技旗下研究部門DRAMeXchange調查顯示，由於NAND Fl ash原廠持續將產能移往64Gb與128Gb等高容量顆粒，以滿足OEM客戶的eMMC與固態硬碟(SSD)需求，使得32Gb舊製程低容量的供給量持續下探，因此3月下旬NAND Flash合約價當中，高容量合約價持平， 32Gb以下容量則出現6∼7％漲幅。
模組廠對第2季NAND晶片價格看法仍正面，由於高階晶片已被OEM廠包下，低容量供應愈來愈少，所以業界認為，32Gb NAND MLC缺貨持續擴大，TLC晶片更是供不應求，將導致記憶卡及隨身碟供應量降低，價格也將持續走高。法人則看好威剛(3260)、創見(2451)、勁永(6145)、群聯(8299)等擁有低價貨源的模組廠，本季營收及獲利將同步受惠。
集邦科技指出，第2季64Gb與128Gb等高容量的MLC顆粒出海口，仍以OEM廠的eMMC及SSD應用為主，由於大部分新款智慧型手機、平板電腦、Ultrabook將落在6月份上市，拉貨放量的時間點將落在第3季，因此第2季將無可避免地將面臨淡季效應的影響，高容量NAND Flash 合約價也將轉為較為疲軟的格局。
反觀16Gb與32Gb等低容量顆粒的供給面分析上，NAND Flash原廠在最先進的20奈米等級製程上，最低容量顆粒多數自64Gb起跳，32Gb以下的產出比重已降至非常低的水準。也因此，32Gb以下容量NAND晶片價格持續看漲，業內推估價格仍有20∼30％的調漲空間。
事實上，目前市面上16Gb與32Gb的顆粒大部分是屬於上個世代的2 5奈米等級製程，而這些產品大多數已進入產品的尾聲，產出比重已經非常低，因此即便需求增加的幅度不明顯，但在供貨量下降速度更快的影響下，舊製程小容量的16Gb與32Gb價格將相對有撐。
集邦科技指出，整體NAND Flash市場在第2季雖然會不可避免地面臨淡季效應的衝擊，但在NAND Flash原廠產品組合將更集中在以20奈米為主的高容量64Gb與128Gb，因此高容量64Gb與128Gb價格走勢將相對疲軟。應用在通路市場記憶卡與隨身碟的低容量顆粒，價格在供給量持續減少的因素下，相對於高容量的顆粒價格將更為平穩。
模組廠對第2季NAND晶片價格看法仍正面，由於高階晶片已被OEM廠包下，低容量供應愈來愈少，所以業界認為，32Gb NAND MLC缺貨持續擴大，TLC晶片更是供不應求，將導致記憶卡及隨身碟供應量降低，價格也將持續走高。法人則看好威剛(3260)、創見(2451)、勁永(6145)、群聯(8299)等擁有低價貨源的模組廠，本季營收及獲利將同步受惠。
集邦科技指出，第2季64Gb與128Gb等高容量的MLC顆粒出海口，仍以OEM廠的eMMC及SSD應用為主，由於大部分新款智慧型手機、平板電腦、Ultrabook將落在6月份上市，拉貨放量的時間點將落在第3季，因此第2季將無可避免地將面臨淡季效應的影響，高容量NAND Flash 合約價也將轉為較為疲軟的格局。
反觀16Gb與32Gb等低容量顆粒的供給面分析上，NAND Flash原廠在最先進的20奈米等級製程上，最低容量顆粒多數自64Gb起跳，32Gb以下的產出比重已降至非常低的水準。也因此，32Gb以下容量NAND晶片價格持續看漲，業內推估價格仍有20∼30％的調漲空間。
事實上，目前市面上16Gb與32Gb的顆粒大部分是屬於上個世代的2 5奈米等級製程，而這些產品大多數已進入產品的尾聲，產出比重已經非常低，因此即便需求增加的幅度不明顯，但在供貨量下降速度更快的影響下，舊製程小容量的16Gb與32Gb價格將相對有撐。
集邦科技指出，整體NAND Flash市場在第2季雖然會不可避免地面臨淡季效應的衝擊，但在NAND Flash原廠產品組合將更集中在以20奈米為主的高容量64Gb與128Gb，因此高容量64Gb與128Gb價格走勢將相對疲軟。應用在通路市場記憶卡與隨身碟的低容量顆粒，價格在供給量持續減少的因素下，相對於高容量的顆粒價格將更為平穩。
由於上游DRAM廠持續減少標準型DRAM產出，但ODM/OEM廠手中庫存不足，3月下旬合約價續漲約2％，第2季進入PC零組件拉貨旺季後， 4GB DDR3模組將上看30美元，仍有25∼30％的調漲空間。
法人看好模組廠第2季營運成績，包括威剛(3260)、勁永(6145 )、創見(2451)、品安(8088)等均將持續受惠。
根據集邦科技旗下研究部門DRAMeXchange調查，3月下旬DRAM合約價呈現小幅上漲的格局走勢，4GB DDR3模組合約價上升到23.5美元，較上旬調漲2.2％，2GB DDR3模組合約價漲1.8％達14美元。
集邦指出，由於3月上旬合約價格大漲已逾20％，加上主力客戶的大訂單已在上旬議定完成，3月下旬無論是在客戶規模與採購規模方面皆屬少量，價格議定上是延續上旬價格走勢並微幅上漲。至於第2 季，以供需情況來看，價格持續看漲。
從供給端來觀察，由於三星新機皇Galaxy S4需求超過預期，三星已加速提升Mobile DRAM的產出量，此舉勢必讓標準型DRAM的產出缺口更為擴大。此外，蘋果今年極可能推出不只一款的新手機，同屬供應鍊的DRAM廠已有擴大生產Mobile DRAM的動作出現，加上台灣327地震影響，部份靠近震央的DRAM廠有部份設備受損，可能影響其產出量，讓供貨吃緊的狀況雪上加霜。
DRAM現貨價格今年來大幅上漲，帶動該3月合約價格同步強勁反彈，雖然下旬合約價格漲幅較小，但4GB DDR3模組均價自19.75美元漲到23.5美元價位，單月漲幅逼近20％。由需求面觀察，3月份實屬PC 出貨淡季，市場早有預期由終端消費者所帶動的DRAM消耗量有限，因此實際上帶動此波價格上漲的主因，來自於中國白牌平板電腦需求。
集邦預估，4月合約價格將維持上漲的價格走勢，加上部份ODM/OE M廠標準型DRAM庫存水位偏低，將會加劇價格的上揚，平緩上漲已不復見，不排除旺季來臨時看到4GB DDR3模組站上30美元價位，等於仍有25∼30％的調漲空間。
今年來標準型DRAM價格攀升，對虧損多年的DRAM廠來說，絕對是久違的好消息，華亞科3月已由虧轉盈，集邦指出，DRAM供應商該適時思考如何在標準化的產品中提供附加價值，才能夠避免再次落入削價競爭的循環當中。
法人看好模組廠第2季營運成績，包括威剛(3260)、勁永(6145 )、創見(2451)、品安(8088)等均將持續受惠。
根據集邦科技旗下研究部門DRAMeXchange調查，3月下旬DRAM合約價呈現小幅上漲的格局走勢，4GB DDR3模組合約價上升到23.5美元，較上旬調漲2.2％，2GB DDR3模組合約價漲1.8％達14美元。
集邦指出，由於3月上旬合約價格大漲已逾20％，加上主力客戶的大訂單已在上旬議定完成，3月下旬無論是在客戶規模與採購規模方面皆屬少量，價格議定上是延續上旬價格走勢並微幅上漲。至於第2 季，以供需情況來看，價格持續看漲。
從供給端來觀察，由於三星新機皇Galaxy S4需求超過預期，三星已加速提升Mobile DRAM的產出量，此舉勢必讓標準型DRAM的產出缺口更為擴大。此外，蘋果今年極可能推出不只一款的新手機，同屬供應鍊的DRAM廠已有擴大生產Mobile DRAM的動作出現，加上台灣327地震影響，部份靠近震央的DRAM廠有部份設備受損，可能影響其產出量，讓供貨吃緊的狀況雪上加霜。
DRAM現貨價格今年來大幅上漲，帶動該3月合約價格同步強勁反彈，雖然下旬合約價格漲幅較小，但4GB DDR3模組均價自19.75美元漲到23.5美元價位，單月漲幅逼近20％。由需求面觀察，3月份實屬PC 出貨淡季，市場早有預期由終端消費者所帶動的DRAM消耗量有限，因此實際上帶動此波價格上漲的主因，來自於中國白牌平板電腦需求。
集邦預估，4月合約價格將維持上漲的價格走勢，加上部份ODM/OE M廠標準型DRAM庫存水位偏低，將會加劇價格的上揚，平緩上漲已不復見，不排除旺季來臨時看到4GB DDR3模組站上30美元價位，等於仍有25∼30％的調漲空間。
今年來標準型DRAM價格攀升，對虧損多年的DRAM廠來說，絕對是久違的好消息，華亞科3月已由虧轉盈，集邦指出，DRAM供應商該適時思考如何在標準化的產品中提供附加價值，才能夠避免再次落入削價競爭的循環當中。
DRAM 3月下旬合約價小漲2.17%，但全球市場研究機構集邦科技TrendForce旗下研究部門DRAMeXchange調查，隨著進入科技業旺季，價格還有近三成的上漲空間，南科（2408）、華亞科及模組廠都將受惠。
DRAM大廠華亞科在公布3月轉盈，昨（2）日股價開高後，卻不敵短多獲利拔檔賣壓，最後跌停鎖死，收8.39元，收復票面功敗垂成，單日波動幅度高達11%。
儘管如此，DRAM漲勢仍是一波接著一波。集邦調查，繼3月上旬DRAM合約價大漲逾16%後，3月下旬合約價漲幅雖縮小至2.17%，DDR3 4GB模組合約均價來到23.5美元，DDR3 2GB 也上漲約1.82%，站上14美元價位。
集邦表示，由於三星Galaxy S4需求遠超過預期，三星已加速提升行動式記憶體的產出量，勢必讓標準型記憶體產出缺口更為擴大。
集邦預估4月DRAM合約價格仍然看漲，加上市場標準型庫存存水位偏低，更將加劇價格漲勢。
DRAM大廠華亞科在公布3月轉盈，昨（2）日股價開高後，卻不敵短多獲利拔檔賣壓，最後跌停鎖死，收8.39元，收復票面功敗垂成，單日波動幅度高達11%。
儘管如此，DRAM漲勢仍是一波接著一波。集邦調查，繼3月上旬DRAM合約價大漲逾16%後，3月下旬合約價漲幅雖縮小至2.17%，DDR3 4GB模組合約均價來到23.5美元，DDR3 2GB 也上漲約1.82%，站上14美元價位。
集邦表示，由於三星Galaxy S4需求遠超過預期，三星已加速提升行動式記憶體的產出量，勢必讓標準型記憶體產出缺口更為擴大。
集邦預估4月DRAM合約價格仍然看漲，加上市場標準型庫存存水位偏低，更將加劇價格漲勢。
記憶體3月上旬合約價同步大漲，DRAM模組合約價大漲15∼23％， NAND快閃記憶體晶片亦大漲1成，其中嚴重缺貨的TLC晶片漲幅更高達 57∼58％。
由於DRAM及NAND現貨市場價格高於合約價約3成，擁有自有品牌的模組廠威剛(3260)、創見(2451)、宇瞻(8271)等受惠最大，其中穩坐全球第2大模組廠的威剛更是獲利大進補。
今年以來DRAM及NAND價格持續調漲，除了市場需求轉強外，最大原因仍在於上游DRAM及NAND晶片廠無法開出足夠產能，導致市場供不應求。會導致如此情況，導因於過去2年當中DRAM及NAND廠並無興建新的生產線，而今年就算擴大資本支出，新生產線產能也要等到今年第 4季後才會開出。
以DRAM來說，今年首季電腦銷售成績不佳，需求主要來自於採用標準型DRAM的大陸白牌平板，推升現貨價一路拉高，而3月因進入ODM/ OEM廠的備貨旺季，在市場供給量不足下，ODM/OEM廠拉高採購價格區間，因此推升3月下旬DRAM合約價大漲。
根據集邦調查，DRAM合約價自去年11月落底後一路走高，4GB DDR 3模組價格由15.25美元漲到3月上旬的23美元，3個月內漲幅已超過5 0％，2GB DDR3模組漲幅更高達60％。由於上游DRAM晶片廠大多數產能仍移轉生產Mobile DRAM，短期間內看不到標準型DRAM產出放大，業界評估4GB DDR3模組價格在未來2個月內將上看28美元，價格仍有 2成以上漲價空間。
NAND晶片市場同樣呈現供不應求，主要是受惠於行動裝置及Ultra book開始採用高容量eMMC或固態硬碟(SSD)，大幅去化NAND產能。而3月以來，因為MLC顆粒供給缺口擴大到3成，現貨價不到半個月大漲逾20％，NAND廠將產能移轉生產MLC，更導致TLC晶片在現貨市場幾乎斷貨，32Gb TLC NAND顆粒現貨價半個月內已漲一倍。
在市場供不應求下，3月上旬NAND合約市場亦開出紅盤，32Gb以上高容量MLC NAND晶片普遍來看調漲約1成，同容量TLC晶片合約價則大漲57∼58％。而在晶片漲價效應下，包括記憶卡、隨身碟等終端產品 3月以來價格亦漲了將近3∼4成。
由於DRAM及NAND現貨市場價格高於合約價約3成，擁有自有品牌的模組廠威剛(3260)、創見(2451)、宇瞻(8271)等受惠最大，其中穩坐全球第2大模組廠的威剛更是獲利大進補。
今年以來DRAM及NAND價格持續調漲，除了市場需求轉強外，最大原因仍在於上游DRAM及NAND晶片廠無法開出足夠產能，導致市場供不應求。會導致如此情況，導因於過去2年當中DRAM及NAND廠並無興建新的生產線，而今年就算擴大資本支出，新生產線產能也要等到今年第 4季後才會開出。
以DRAM來說，今年首季電腦銷售成績不佳，需求主要來自於採用標準型DRAM的大陸白牌平板，推升現貨價一路拉高，而3月因進入ODM/ OEM廠的備貨旺季，在市場供給量不足下，ODM/OEM廠拉高採購價格區間，因此推升3月下旬DRAM合約價大漲。
根據集邦調查，DRAM合約價自去年11月落底後一路走高，4GB DDR 3模組價格由15.25美元漲到3月上旬的23美元，3個月內漲幅已超過5 0％，2GB DDR3模組漲幅更高達60％。由於上游DRAM晶片廠大多數產能仍移轉生產Mobile DRAM，短期間內看不到標準型DRAM產出放大，業界評估4GB DDR3模組價格在未來2個月內將上看28美元，價格仍有 2成以上漲價空間。
NAND晶片市場同樣呈現供不應求，主要是受惠於行動裝置及Ultra book開始採用高容量eMMC或固態硬碟(SSD)，大幅去化NAND產能。而3月以來，因為MLC顆粒供給缺口擴大到3成，現貨價不到半個月大漲逾20％，NAND廠將產能移轉生產MLC，更導致TLC晶片在現貨市場幾乎斷貨，32Gb TLC NAND顆粒現貨價半個月內已漲一倍。
在市場供不應求下，3月上旬NAND合約市場亦開出紅盤，32Gb以上高容量MLC NAND晶片普遍來看調漲約1成，同容量TLC晶片合約價則大漲57∼58％。而在晶片漲價效應下，包括記憶卡、隨身碟等終端產品 3月以來價格亦漲了將近3∼4成。
市調機構顧能（Gartner）發布最新DRAM調查，首季DRAM供需在睽違10季後首度達供需平衡；預料第2季因需求增幅超過供應商微縮腳步，將首見供不應求局面，估計缺口將達6,000萬顆，缺口幅度1.3%，下半年缺貨會更嚴重。
顧能報告指出，首季雖是PC淡季，但因DRAM大廠南韓三星、SK海力士及美光等，持續減產且未再擴增新產能，加上智慧型手機、平板電腦、智慧型電視及伺服器等雲端應用產品搭載DRAM容量持續擴大，抵銷PC銷售走弱，進而推升標準型DRAM年初以來價格飆漲。
顧能調查顯示，首季DRAM 供需平衡，加上DRAM在其他領域應用大幅增加，抵銷PC對DRAM需求降低，是DRAM在淡季不跌反漲主要關鍵。
集邦科技昨（19）日也發布調查，直指中國大陸白牌平牌捨行動式記憶體而幾乎都搭載標準型DRAM，是這波DRAM現貨飆漲的最大推手。
業者表示，從近三到四年科技產品搭載的DRAM容量來看，PC銷售雖年年下滑，今年也是呈現跌勢。但雲端產業快速崛起的智慧型手機，搭載DRAM的容量，從原本的每支128Mb 到512Mb，擴增至近期的512MB到1GB，等於容量即暴增至少八倍以上。
顧能報告指出，首季雖是PC淡季，但因DRAM大廠南韓三星、SK海力士及美光等，持續減產且未再擴增新產能，加上智慧型手機、平板電腦、智慧型電視及伺服器等雲端應用產品搭載DRAM容量持續擴大，抵銷PC銷售走弱，進而推升標準型DRAM年初以來價格飆漲。
顧能調查顯示，首季DRAM 供需平衡，加上DRAM在其他領域應用大幅增加，抵銷PC對DRAM需求降低，是DRAM在淡季不跌反漲主要關鍵。
集邦科技昨（19）日也發布調查，直指中國大陸白牌平牌捨行動式記憶體而幾乎都搭載標準型DRAM，是這波DRAM現貨飆漲的最大推手。
業者表示，從近三到四年科技產品搭載的DRAM容量來看，PC銷售雖年年下滑，今年也是呈現跌勢。但雲端產業快速崛起的智慧型手機，搭載DRAM的容量，從原本的每支128Mb 到512Mb，擴增至近期的512MB到1GB，等於容量即暴增至少八倍以上。
DRAM現貨3月飆漲，3月上旬合約價同步攀高，3月上旬合約價漲幅逾二成，創下去年11月底以來單月最大漲幅，國內DRAM大廠南科（2408）、華亞科轉盈指日可待；創見、威剛、品安等模組廠也同樣樂透。
集邦科技（TrendForce）旗下研究部門DRAMeXchange調查顯示，截至3月12日，DRAM現貨價格受到中國白牌平板電腦強勁補貨DDR3 2Gb顆粒報價由初年的1.05美元，漲至1.75美元，漲幅達66%，漲勢為近年來最強勁。
集邦指出，大陸白牌平板電腦挾低價快速放量出貨，這些產品捨棄單價較高的行動式記憶體，絕大多數搭載標準型DRAM ，成為PC出貨淡季中，推升標準型DRAM漲勢的的主要推手。
受到DRAM現貨價格飆漲，3月上旬DRAM合約價格漲幅超乎預期，主流產品DDR3 4GB模組均價站上23美元，和上次報價相比，上漲約16.46%。
集邦科技（TrendForce）旗下研究部門DRAMeXchange調查顯示，截至3月12日，DRAM現貨價格受到中國白牌平板電腦強勁補貨DDR3 2Gb顆粒報價由初年的1.05美元，漲至1.75美元，漲幅達66%，漲勢為近年來最強勁。
集邦指出，大陸白牌平板電腦挾低價快速放量出貨，這些產品捨棄單價較高的行動式記憶體，絕大多數搭載標準型DRAM ，成為PC出貨淡季中，推升標準型DRAM漲勢的的主要推手。
受到DRAM現貨價格飆漲，3月上旬DRAM合約價格漲幅超乎預期，主流產品DDR3 4GB模組均價站上23美元，和上次報價相比，上漲約16.46%。
受到主要大廠持續減少供貨影響，3月上旬儲存型快閃記憶體（NAND Flash）合約價上漲逾一成，第2季因貨源更缺，價格持續看漲，NAND晶片族群如創見（2451）、群聯、宇瞻等將受惠。
集邦科技（TrendForce）旗下研究部門DRAMeXchange昨（19）日發布最新調查，受到NAND Flash原廠包括三星、SK海力士、東芝及新帝等對通路客戶持續緊縮供貨，3月上旬NAND Flash合約價也追隨DRAM 腳步，價格上揚，特別是低容量MLC與TLC部分，漲幅逾一成。
集邦科技（TrendForce）旗下研究部門DRAMeXchange昨（19）日發布最新調查，受到NAND Flash原廠包括三星、SK海力士、東芝及新帝等對通路客戶持續緊縮供貨，3月上旬NAND Flash合約價也追隨DRAM 腳步，價格上揚，特別是低容量MLC與TLC部分，漲幅逾一成。
上游DRAM廠持續降低標準型DRAM投片，但PC市場需求回溫，在供不應求情況下，OEM廠及模組廠昨日出手掃貨，推升DRAM價格續漲，4G b DDR3現貨價昨日更大漲6.3％至2.7美元。雖然台股昨日重挫近百點，但受惠於漲價題材發酵，DRAM廠南科(2408)、華亞科(3474)、華邦電(2344)股價逆勢飆高，威剛(3260)、品安(8088)等模組廠股價也大漲同慶。
DRAM價格自去年12月以來大漲小回，漲勢在大陸農曆年後更是一發不可收拾，主要原因在於國際DRAM大廠去年第4季不約而同進行策略性減產，並將產能大舉移轉生產智慧型手機或平板使用的Mobile DR AM，由於轉移出去的產能並未回頭投產標準型DRAM，隨著市場供給量逐月下降，價格也一路上漲不回頭。
根據集邦科技昨日報價，4Gb DDR3原廠顆粒現貨價昨日大漲6.3％來到2.7美元，主流2Gb DDR3原廠顆粒現貨價亦漲2.3％來到1.5美元，而有效測試(eTT)現貨價更飆漲6％至1.37美元。
至於上周公布的2月合約價平均漲幅達11∼13％，2GB DDR3模組衝上11∼11.5美元，4GB DDR3模組亦大漲至19.5∼20美元。業界預估，由於標準型DRAM供貨量吃緊，4GB模組第1季底就可望上看25美元。
模組業者表示，美光併購爾必達一案塵埃落定，包括三星、SK海力士、美光等3大廠，持續將標準型DRAM產能移轉生產高毛利的Mobile DRAM或伺服器DRAM，而今年PC市場需求在首季落底後，第2季來自OD M/OEM廠的需求預估已見增溫，在預估下半年DRAM恐將供貨不足情況下，價格漲勢看來會持續到第2季。
雖然南科及華邦電已退出標準型DRAM市場，僅剩華亞科持續投片，但受惠於DRAM價格大漲消息激勵，DRAM廠股價昨日無視大盤重挫近百點沉重賣壓，仍逆勢飆高逾4％。至於擁有低價庫存的威剛、獲金士頓低價庫存奧援的品安等模組廠，受惠於溢價差拉大到逾1美元，法人預估本季獲利將大增，股價亦上漲收紅。
DRAM價格自去年12月以來大漲小回，漲勢在大陸農曆年後更是一發不可收拾，主要原因在於國際DRAM大廠去年第4季不約而同進行策略性減產，並將產能大舉移轉生產智慧型手機或平板使用的Mobile DR AM，由於轉移出去的產能並未回頭投產標準型DRAM，隨著市場供給量逐月下降，價格也一路上漲不回頭。
根據集邦科技昨日報價，4Gb DDR3原廠顆粒現貨價昨日大漲6.3％來到2.7美元，主流2Gb DDR3原廠顆粒現貨價亦漲2.3％來到1.5美元，而有效測試(eTT)現貨價更飆漲6％至1.37美元。
至於上周公布的2月合約價平均漲幅達11∼13％，2GB DDR3模組衝上11∼11.5美元，4GB DDR3模組亦大漲至19.5∼20美元。業界預估，由於標準型DRAM供貨量吃緊，4GB模組第1季底就可望上看25美元。
模組業者表示，美光併購爾必達一案塵埃落定，包括三星、SK海力士、美光等3大廠，持續將標準型DRAM產能移轉生產高毛利的Mobile DRAM或伺服器DRAM，而今年PC市場需求在首季落底後，第2季來自OD M/OEM廠的需求預估已見增溫，在預估下半年DRAM恐將供貨不足情況下，價格漲勢看來會持續到第2季。
雖然南科及華邦電已退出標準型DRAM市場，僅剩華亞科持續投片，但受惠於DRAM價格大漲消息激勵，DRAM廠股價昨日無視大盤重挫近百點沉重賣壓，仍逆勢飆高逾4％。至於擁有低價庫存的威剛、獲金士頓低價庫存奧援的品安等模組廠，受惠於溢價差拉大到逾1美元，法人預估本季獲利將大增，股價亦上漲收紅。
DRAM顆粒現貨價自去年12月起漲至今，4Gb DDR3價格站上2.5美元新高，3個月內漲幅高達75％。由於上游DRAM廠嚴控出貨，過去1個月價格呈現停滯的DRAM模組，上周終於出現「報復性上漲」，DRAM模組廠威剛(3260)、品安(8088)、宇瞻(8271)成為最大受惠者。
包括金士頓、威剛、Corsair、Crucial等品牌大廠4GB DDR3模組價格，上周末通路現貨價格一舉飆上25美元新高，換算成顆粒價格達2 .8∼2.9美元，與晶片現貨價間的溢價差拉大到12∼15％。
國際DRAM大廠去年第4季不約而同進行策略性減產，並將產能大舉移轉生產智慧型手機或平板使用的Mobile DRAM，導致去年12月後標準型DRAM產出量大減，今年1月以來，標準型DRAM供給量持續下降，亦推升價格一路上漲。
根據集邦科技及通路商報價，2Gb DDR3原廠顆粒現貨價已漲到1.4 美元，4Gb DDR3現貨價亦漲到2.5美元，上周平均漲幅約5％。受到現貨價持續上漲效應推升，2月份DRAM合約價再度大漲10％，4GB DDR3 模組報價站上20美元，包括南科在內業者，均看好3月份現貨及合約價均將續漲。
今年以來DRAM顆粒價格雖然持續上漲，但模組價格在2月以來價格卻是聞風不動。模組業者表示，主要是因為通路及零售業者在中國農曆年前大舉拉貨，市場供應量充足，加上農曆年配合OEM電腦大廠進行促銷，所以呈現「凍漲」。
不過，農曆年後DRAM顆粒漲勢凶猛，模組廠決定反應市場供需情況調漲價格，DRAM模組價格因此在上周出現「報復性上漲」行情。包括金士頓、威剛、Corsair、Crucial等品牌4GB DDR3模組價格應聲大漲 15∼20％，市場現貨均價飆上25美元，創2年來新高。
4GB DDR3模組價格換算為晶片顆粒均價約2.8∼2.9美元，不僅較合約價高出25％，與2.5美元現貨價相較，溢價差拉大到12∼15％。
包括金士頓、威剛、Corsair、Crucial等品牌大廠4GB DDR3模組價格，上周末通路現貨價格一舉飆上25美元新高，換算成顆粒價格達2 .8∼2.9美元，與晶片現貨價間的溢價差拉大到12∼15％。
國際DRAM大廠去年第4季不約而同進行策略性減產，並將產能大舉移轉生產智慧型手機或平板使用的Mobile DRAM，導致去年12月後標準型DRAM產出量大減，今年1月以來，標準型DRAM供給量持續下降，亦推升價格一路上漲。
根據集邦科技及通路商報價，2Gb DDR3原廠顆粒現貨價已漲到1.4 美元，4Gb DDR3現貨價亦漲到2.5美元，上周平均漲幅約5％。受到現貨價持續上漲效應推升，2月份DRAM合約價再度大漲10％，4GB DDR3 模組報價站上20美元，包括南科在內業者，均看好3月份現貨及合約價均將續漲。
今年以來DRAM顆粒價格雖然持續上漲，但模組價格在2月以來價格卻是聞風不動。模組業者表示，主要是因為通路及零售業者在中國農曆年前大舉拉貨，市場供應量充足，加上農曆年配合OEM電腦大廠進行促銷，所以呈現「凍漲」。
不過，農曆年後DRAM顆粒漲勢凶猛，模組廠決定反應市場供需情況調漲價格，DRAM模組價格因此在上周出現「報復性上漲」行情。包括金士頓、威剛、Corsair、Crucial等品牌4GB DDR3模組價格應聲大漲 15∼20％，市場現貨均價飆上25美元，創2年來新高。
4GB DDR3模組價格換算為晶片顆粒均價約2.8∼2.9美元，不僅較合約價高出25％，與2.5美元現貨價相較，溢價差拉大到12∼15％。
大陸農曆年旺季電腦銷售成績不惡，ODM/OEM廠手中DRAM庫存水位大幅降低到4周以下，但上游DRAM廠緊縮貨源，在市場供貨量逐步下滑之際，標準型DRAM價格漲勢再起，2Gb DDR3原廠顆粒最高價昨(1 9)日已站上1.5美元，創下20個月新高價，包括威剛(3260)、品安 (8088)、宇瞻(8271)等模組廠今年獲利看俏。
根據集邦科技及模組業者提供資訊，以ODM/OEM合約市場為主的2G b DDR3原廠顆粒現貨價昨日高價已站上1.5美元新高，均價亦來到1. 37美元，而以零售市場為主的未測(eTT)顆粒現貨價再度攀高到1. 25美元價位。不論是原廠或未測顆粒價格，均已創下2011年7月以來的20個月新高。
整體來看，DRAM現貨價昨日漲幅雖然僅約1％左右，但因為是農曆年銷售旺季過後的淡季時期再現漲勢，因此隔外今業界人士關注。模組業者指出，淡季期間DRAM價格不跌續漲，代表市場供給量已趨不足，後續DRAM廠或模組廠若出現惜售，價格可能還有2∼3成的上漲空間。
標準型DRAM價格上漲，對於國內DRAM廠南科、華亞科等是一大利多，本季虧損將明顯縮小，而對於DRAM營收佔比高的模組廠如威剛、品安、宇瞻等業者來說，因為DRAM溢價差擴大，本季獲利成長力道不容小覷。
威剛元月合併營收達26.5億元，年增率高達33％，其中DRAM產品比重高於NAND，佔單月營收比重約54％。威剛表示，受惠於DRAM供貨吃緊及OEM大廠建立庫存水位需求，DRAM現貨價及合約價同步調漲，需求也在價格持穩的動力下，於今年元月呈現穩定加溫的狀況。而威剛為了滿足客戶訂單，今年春節假期仍加班趕工。
威剛強調，雖然去年DRAM價格波動劇烈，但因產品結構調整得宜，採購與庫存策略正確，去年全年不但維持穩定獲利狀態，並較前一年呈現年增數倍的明顯進步成績。今年預期在上游DRAM廠整併行動告一段落，以及模組同業逐步退出的狀況下，記憶體產業的展望會更趨穩健，價格走勢將優於去年，營運績效表現可望再上層樓。
根據集邦科技及模組業者提供資訊，以ODM/OEM合約市場為主的2G b DDR3原廠顆粒現貨價昨日高價已站上1.5美元新高，均價亦來到1. 37美元，而以零售市場為主的未測(eTT)顆粒現貨價再度攀高到1. 25美元價位。不論是原廠或未測顆粒價格，均已創下2011年7月以來的20個月新高。
整體來看，DRAM現貨價昨日漲幅雖然僅約1％左右，但因為是農曆年銷售旺季過後的淡季時期再現漲勢，因此隔外今業界人士關注。模組業者指出，淡季期間DRAM價格不跌續漲，代表市場供給量已趨不足，後續DRAM廠或模組廠若出現惜售，價格可能還有2∼3成的上漲空間。
標準型DRAM價格上漲，對於國內DRAM廠南科、華亞科等是一大利多，本季虧損將明顯縮小，而對於DRAM營收佔比高的模組廠如威剛、品安、宇瞻等業者來說，因為DRAM溢價差擴大，本季獲利成長力道不容小覷。
威剛元月合併營收達26.5億元，年增率高達33％，其中DRAM產品比重高於NAND，佔單月營收比重約54％。威剛表示，受惠於DRAM供貨吃緊及OEM大廠建立庫存水位需求，DRAM現貨價及合約價同步調漲，需求也在價格持穩的動力下，於今年元月呈現穩定加溫的狀況。而威剛為了滿足客戶訂單，今年春節假期仍加班趕工。
威剛強調，雖然去年DRAM價格波動劇烈，但因產品結構調整得宜，採購與庫存策略正確，去年全年不但維持穩定獲利狀態，並較前一年呈現年增數倍的明顯進步成績。今年預期在上游DRAM廠整併行動告一段落，以及模組同業逐步退出的狀況下，記憶體產業的展望會更趨穩健，價格走勢將優於去年，營運績效表現可望再上層樓。
DRAM合約價在通路庫存水位續降下，集邦科技旗下DRAMeXchange預估，元月合約價漲幅將逾一成；南科（2408）副總經理李培瑛預期，農曆春節後缺貨情況會更嚴重，價格持續看漲。
DRAMeXchange表示，首季雖然是DRAM需求淡季，但因全球DRAM市場形成兩家韓系廠和美光集團3家寡占局面，加上台系DRAM 廠商也因不堪長期虧損而紛紛退出，造成DRAM現貨價在淡季仍明顯彈升，連帶也使元月上旬合約價大漲7%到10%，估計元月整月合約價漲幅將逾10%。
雖然市場預期農曆春節後價格可能因備貨需求告一段落而有可能拉回，但台系DRAM仍抱持價格持續看漲的態度。
李培瑛表示，農曆春節後持續看漲的原因，一來各廠進行導入30奈米製程轉換，產出減少，再則需求端包括雲端、手機、網通及智慧型電視等新需求，將推升記憶體比過去成長4倍的成長空間。
此外，主要製程廠並沒新廠投資，都將使供需產生缺貨缺口，只要需求稍微轉強，DRAM價格將會強勁彈升，他看好未來DRAM價格仍具漲勢。
DRAMeXchange表示，首季雖然是DRAM需求淡季，但因全球DRAM市場形成兩家韓系廠和美光集團3家寡占局面，加上台系DRAM 廠商也因不堪長期虧損而紛紛退出，造成DRAM現貨價在淡季仍明顯彈升，連帶也使元月上旬合約價大漲7%到10%，估計元月整月合約價漲幅將逾10%。
雖然市場預期農曆春節後價格可能因備貨需求告一段落而有可能拉回，但台系DRAM仍抱持價格持續看漲的態度。
李培瑛表示，農曆春節後持續看漲的原因，一來各廠進行導入30奈米製程轉換，產出減少，再則需求端包括雲端、手機、網通及智慧型電視等新需求，將推升記憶體比過去成長4倍的成長空間。
此外，主要製程廠並沒新廠投資，都將使供需產生缺貨缺口，只要需求稍微轉強，DRAM價格將會強勁彈升，他看好未來DRAM價格仍具漲勢。
儲存型快閃記憶體（NAND Flash）應用龍頭晟碟（SanDisk）昨（24）日公布上季財報優於預期，預期NAND市況將在供應端產出持續減少下走穩，價格看漲。法人認為，隨著市場秩序趨於正向，對群聯（8299）、創見、威剛、廣穎等業者有利。
法人表示，NAND晶片相關族群以群聯去年營運表現最佳，去年全年營收330.8億元，年增2.28%，估計每股稅後純益可達15.5元到15.95元；廣穎去年營收67.46億元，年增5.76% ，每股稅後純益也可逾5.5元，同創歷史新高。相關廠商今年營運仍不看淡。
業者表示，蘋果帶動智慧型手機和平板電腦風潮，包括三星、宏達電、諾基亞和大陸品牌大廠競相爭食市場大餅，讓NAND晶片應用去年正式超過DRAM，成為應用最廣的記憶體，也帶動主要生產廠商資本支出持續集中擴充NAND晶片，讓NAND晶片在去年上半年價格出現較明顯跌勢 。
但東芝、三星等為主要供應商，去年下半年產出踩煞車，NAND晶片供需漸趨平衡，價格也止穩，整體市況趨於正向發展。
晟碟上季營收15.4億美元，年減2%，季增21%，毛利率超過39%，營收和毛利率均優於原先預期；去年第4季未計特定項目獲利2.57億美元、每股獲利1.05美元。
晟碟財務優於預期，透露NAND晶片隨智慧型手機、平板電腦銷售持續推升且容量擴大。該公司執行長 Sanjay Mehrotra 也在電話會議中表明，預期今年 NAND價格看漲，法人預期，群聯、創見、威剛、廣穎、宇瞻等概念股去年第4季獲利，也都可望繳出優於往年同期成績。
集邦科技旗下研究部門DRAMeXchange調查，晟碟、東芝等主要NAND Flash供應商，仍持續採取節制產出行動，使元月上旬NAND Flash合約價持平，可望持穩至春節前。
法人表示，NAND晶片相關族群以群聯去年營運表現最佳，去年全年營收330.8億元，年增2.28%，估計每股稅後純益可達15.5元到15.95元；廣穎去年營收67.46億元，年增5.76% ，每股稅後純益也可逾5.5元，同創歷史新高。相關廠商今年營運仍不看淡。
業者表示，蘋果帶動智慧型手機和平板電腦風潮，包括三星、宏達電、諾基亞和大陸品牌大廠競相爭食市場大餅，讓NAND晶片應用去年正式超過DRAM，成為應用最廣的記憶體，也帶動主要生產廠商資本支出持續集中擴充NAND晶片，讓NAND晶片在去年上半年價格出現較明顯跌勢 。
但東芝、三星等為主要供應商，去年下半年產出踩煞車，NAND晶片供需漸趨平衡，價格也止穩，整體市況趨於正向發展。
晟碟上季營收15.4億美元，年減2%，季增21%，毛利率超過39%，營收和毛利率均優於原先預期；去年第4季未計特定項目獲利2.57億美元、每股獲利1.05美元。
晟碟財務優於預期，透露NAND晶片隨智慧型手機、平板電腦銷售持續推升且容量擴大。該公司執行長 Sanjay Mehrotra 也在電話會議中表明，預期今年 NAND價格看漲，法人預期，群聯、創見、威剛、廣穎、宇瞻等概念股去年第4季獲利，也都可望繳出優於往年同期成績。
集邦科技旗下研究部門DRAMeXchange調查，晟碟、東芝等主要NAND Flash供應商，仍持續採取節制產出行動，使元月上旬NAND Flash合約價持平，可望持穩至春節前。
DRAM減產持續發酵，韓系大廠決定，主流2Gb DDR3 DRAM顆粒現貨價在農曆年前每顆報價推升至1.3美元，這是繼去年12月初來的第2波漲勢，漲幅估逾20%，包括南科（2408）、華亞科、威剛、品安等族群將受惠。
據了解，全球最大記憶體模組廠金士頓已同步調漲DRAM模組報價，主流記憶體模組4GB DDR3 DRAM報價，將由目前17至17.5美元推升站上20美元，國內廠商預料跟進。
根據集邦科技旗下調查，DRAM價格自去年底一路上漲，昨（10）日主流2Gb DDR3原廠顆粒現貨價已到1.15至1.2美元，單日漲幅達5%，有效測試顆粒現貨價最高報價也漲到1.02美元，均創1年半以來新高價位。
IC通路商透露，三星、SK海力士、美光、爾必達等業者去年第4季持續將產能移往生行動式記憶體，加上台灣的南科、力晶等也淡出標準型DRAM，標準型DRAM產能估計減少三成。擁有全球近65%市占率的韓系DRAM大廠，決定將DRAM現貨報價持續拉升至不會虧本的價位，估計在農曆年前，每顆報價將向1.3美元挺進，以目前報價計算，估算漲幅逾20%。
通路業者表示，記憶體模組廠也能坐享漲價利益，而需求端在「智慧手機平板化、平板電腦NB化」的趨勢下，每支智慧型手機和平板電腦搭載的標準型DRAM倍增，也是造成這波漲勢再啟的關鍵。
DRAM價格持續推升，台股DRAM族群中以堅守DRAM製造的南科、華亞科，以及擁有低價庫存的記憶體模組廠威剛、去年由金士頓入股的品安等業者受惠程度較大。
據了解，全球最大記憶體模組廠金士頓已同步調漲DRAM模組報價，主流記憶體模組4GB DDR3 DRAM報價，將由目前17至17.5美元推升站上20美元，國內廠商預料跟進。
根據集邦科技旗下調查，DRAM價格自去年底一路上漲，昨（10）日主流2Gb DDR3原廠顆粒現貨價已到1.15至1.2美元，單日漲幅達5%，有效測試顆粒現貨價最高報價也漲到1.02美元，均創1年半以來新高價位。
IC通路商透露，三星、SK海力士、美光、爾必達等業者去年第4季持續將產能移往生行動式記憶體，加上台灣的南科、力晶等也淡出標準型DRAM，標準型DRAM產能估計減少三成。擁有全球近65%市占率的韓系DRAM大廠，決定將DRAM現貨報價持續拉升至不會虧本的價位，估計在農曆年前，每顆報價將向1.3美元挺進，以目前報價計算，估算漲幅逾20%。
通路業者表示，記憶體模組廠也能坐享漲價利益，而需求端在「智慧手機平板化、平板電腦NB化」的趨勢下，每支智慧型手機和平板電腦搭載的標準型DRAM倍增，也是造成這波漲勢再啟的關鍵。
DRAM價格持續推升，台股DRAM族群中以堅守DRAM製造的南科、華亞科，以及擁有低價庫存的記憶體模組廠威剛、去年由金士頓入股的品安等業者受惠程度較大。
全球各大DRAM廠明年持續大砍資本支出，業者研判DRAM現貨及合約價明年上半年仍屬強勢，預料農曆春節後還有一波漲勢；DRAM族群股價仍蓄勢待發。
稍早全球DRAM霸主南韓三星已宣布明年在DRAM支出，將比今年再銳減48%，降至1.1億美元（約新台幣32億元），創下歷年最低水準。
台灣南科（2408）和華亞科雖由集團各先注資90億元及60億元，但明年資本支出也將持保守態度，目前朝降低權利金支出及調整產品組合。
根據市調機構集邦科技調查，明年整體DRAM產業的資本支出，將比今年減少21%。集邦科技指出，DRAM廠減產行動已從今年7月開始，主要個人電腦市場受到智慧型手機和平板電腦大幅成長排擠，需求萎縮，連帶壓縮DRAM銷售，各DRAM廠陷入財務困境，被迫營運轉型並調整產品組合，部分廠商也減產因應。
稍早全球DRAM霸主南韓三星已宣布明年在DRAM支出，將比今年再銳減48%，降至1.1億美元（約新台幣32億元），創下歷年最低水準。
台灣南科（2408）和華亞科雖由集團各先注資90億元及60億元，但明年資本支出也將持保守態度，目前朝降低權利金支出及調整產品組合。
根據市調機構集邦科技調查，明年整體DRAM產業的資本支出，將比今年減少21%。集邦科技指出，DRAM廠減產行動已從今年7月開始，主要個人電腦市場受到智慧型手機和平板電腦大幅成長排擠，需求萎縮，連帶壓縮DRAM銷售，各DRAM廠陷入財務困境，被迫營運轉型並調整產品組合，部分廠商也減產因應。
集邦科技（TrendForce）旗下研究部門DRAMeXchange調查顯示，雖然11月下旬DRAM合約價格小跌3.17%，但受到現貨價格上揚激勵，12月上旬合約將維持上漲格局。
集邦雖未公布12月上旬合約價，但漲勢底定，本月形成DRAM現貨、合約價格雙漲格局，相關DRAM廠營運將大補。集邦調查，DRAM現貨、合約在需求端持續低迷下止跌回升，顯示個人電腦電子代工廠庫存經調節後，已回到相對健康水位，回補庫存意願提高。
DRAM現貨價近兩周來漲幅已近三成，雖然合約價漲幅可能只有3%到5%，但對DRAM大廠如南科（2408）、華亞科等，有助虧損大幅降低；相關模組廠如威剛、品安、商丞等，也將坐擁低價庫存增值利益。
DRAM族群昨天漲勢已停歇，唯獨南科持續漲停一價到底，收2.64元，上漲0.17元。
集邦雖未公布12月上旬合約價，但漲勢底定，本月形成DRAM現貨、合約價格雙漲格局，相關DRAM廠營運將大補。集邦調查，DRAM現貨、合約在需求端持續低迷下止跌回升，顯示個人電腦電子代工廠庫存經調節後，已回到相對健康水位，回補庫存意願提高。
DRAM現貨價近兩周來漲幅已近三成，雖然合約價漲幅可能只有3%到5%，但對DRAM大廠如南科（2408）、華亞科等，有助虧損大幅降低；相關模組廠如威剛、品安、商丞等，也將坐擁低價庫存增值利益。
DRAM族群昨天漲勢已停歇，唯獨南科持續漲停一價到底，收2.64元，上漲0.17元。
儲存型快閃記憶體（NAND Flash ）備貨高峰期已過，12月上旬合約價小跌1%到2%；市調機構研判緩跌走勢將延續到明年元月，相關族群如群聯（8299）、宇瞻等個股未來2個月營收將走淡。
集邦科技（TrendForce）旗下研究部門DRAMeXchange昨（18 ）日發布NAND Flash市況調查顯示，不同於近期DRAM現貨價強彈，NAND Flash晶片終端系統產品年底銷售備貨高峰，加上年底庫存盤點等因素，需求相對減弱，但因供應商也減量供貨，使12月上旬NAND Flash合約價小跌1%到2%。
業者透露，雖然南韓SK海力士12月11日遇到產線短暫跳電，但因NAND Flash的營運未受到影響，NAND Flash現貨價格雖然微幅上漲，應只是短暫。
集邦預估，NAND Flash合約價因原廠拉高對系統產品出貨比重，降低對零售端供應，12月上旬價格相對持穩，但隨備貨需求下旬減弱，預料跌勢將會持續到明年元月，但跌幅仍在狹幅區間。
集邦科技（TrendForce）旗下研究部門DRAMeXchange昨（18 ）日發布NAND Flash市況調查顯示，不同於近期DRAM現貨價強彈，NAND Flash晶片終端系統產品年底銷售備貨高峰，加上年底庫存盤點等因素，需求相對減弱，但因供應商也減量供貨，使12月上旬NAND Flash合約價小跌1%到2%。
業者透露，雖然南韓SK海力士12月11日遇到產線短暫跳電，但因NAND Flash的營運未受到影響，NAND Flash現貨價格雖然微幅上漲，應只是短暫。
集邦預估，NAND Flash合約價因原廠拉高對系統產品出貨比重，降低對零售端供應，12月上旬價格相對持穩，但隨備貨需求下旬減弱，預料跌勢將會持續到明年元月，但跌幅仍在狹幅區間。
上游DRAM廠大減產效應發酵，為了避免標準型DRAM供給短缺問題影響到明年農曆春節出貨，業界傳出，PC大廠聯想近日開出18美元高價收購4GB DDR3模組，消息一出引爆市場追補庫存買氣，包括金士頓等模組廠指出，2Gb DDR3原廠顆粒昨(13)日成交價格最高已飆上1.0 5美元，單日漲幅高達1成。
DRAM價格大漲消息刺激DRAM類股昨日全面反攻大漲，包括南科(2 408)、華亞科(3474)、華邦電(2344)等DRAM廠，以及威剛(32 60)、品安(8088)、商丞(8277)等模組廠均攻上漲停。其中，D RAM營收佔比最高的威剛、品安，因手握低於0.8美元的低價庫存，成為這波DRAM漲價行情下的最大受惠者。
上游DRAM廠減產是推升近期DRAM價格大漲的主要關鍵原因。由於下半年PC需求疲弱，包括三星、SK海力士、南科、華亞科、爾必達、瑞晶等DRAM廠均進行減產，並將產能移轉生產Mobile DRAM，標準型DR AM自10月以來供給量就不斷下降，光是台、日、韓等三地第4季減少的標準型DRAM投片量已逾12萬片，等於減少了3座12吋廠產能。
而業界昨日傳出，大陸最大OEM廠聯想為了補足明年農曆春節期間所需貨源，以及避免DRAM供給短缺影響出貨，近日已開出18美元高價收購4GB DDR3模組，消息一出立即引爆通路商搶補庫存買氣，金士頓等模組廠也證實，價格已經順勢調漲。
事實上，因為搶補庫存需求來的突然，包括南科在內的許多DRAM原廠昨日均鎖貨不出，因此包括集邦在內的IC通路報價並未反應實際市況，但模組廠與ODM/OEM廠、零售通路間的報價則是一路推升，主流的2GB DDR3模組現貨價最高飆上9.9美元，等於2Gb DDR3顆粒價格一天內拉高到1.05美元，單日漲幅高達1成，平均價格也拉高到1美元。
法人指出，2Gb DDR3價格漲上1.05美元，DRAM廠的虧損可望大幅縮減，對模組廠來說則是大發利市，因為模組廠手握低價庫存，隨著溢價差不斷拉大，獲利也是水漲船高，而國內模組廠中，DRAM營收佔比最高的威剛、品安將是最大受惠者。
DRAM價格大漲消息刺激DRAM類股昨日全面反攻大漲，包括南科(2 408)、華亞科(3474)、華邦電(2344)等DRAM廠，以及威剛(32 60)、品安(8088)、商丞(8277)等模組廠均攻上漲停。其中，D RAM營收佔比最高的威剛、品安，因手握低於0.8美元的低價庫存，成為這波DRAM漲價行情下的最大受惠者。
上游DRAM廠減產是推升近期DRAM價格大漲的主要關鍵原因。由於下半年PC需求疲弱，包括三星、SK海力士、南科、華亞科、爾必達、瑞晶等DRAM廠均進行減產，並將產能移轉生產Mobile DRAM，標準型DR AM自10月以來供給量就不斷下降，光是台、日、韓等三地第4季減少的標準型DRAM投片量已逾12萬片，等於減少了3座12吋廠產能。
而業界昨日傳出，大陸最大OEM廠聯想為了補足明年農曆春節期間所需貨源，以及避免DRAM供給短缺影響出貨，近日已開出18美元高價收購4GB DDR3模組，消息一出立即引爆通路商搶補庫存買氣，金士頓等模組廠也證實，價格已經順勢調漲。
事實上，因為搶補庫存需求來的突然，包括南科在內的許多DRAM原廠昨日均鎖貨不出，因此包括集邦在內的IC通路報價並未反應實際市況，但模組廠與ODM/OEM廠、零售通路間的報價則是一路推升，主流的2GB DDR3模組現貨價最高飆上9.9美元，等於2Gb DDR3顆粒價格一天內拉高到1.05美元，單日漲幅高達1成，平均價格也拉高到1美元。
法人指出，2Gb DDR3價格漲上1.05美元，DRAM廠的虧損可望大幅縮減，對模組廠來說則是大發利市，因為模組廠手握低價庫存，隨著溢價差不斷拉大，獲利也是水漲船高，而國內模組廠中，DRAM營收佔比最高的威剛、品安將是最大受惠者。
DRAM大廠減產效應浮現，下游積極回補庫存，激勵現貨價連漲4個交易日，昨（6）日再大漲逾6%，攻上近4個月來高點，本月以來強漲逾12%，預期耶誕節前持續看漲一成。
南科（2408）等晶片製造商改善營運績效之餘，模組廠率先反映低價庫存效益，受惠更大，威剛便樂觀預期，本季低價庫存效益可期，有助獲利。
據了解，韓系廠商如三星等將標準型DRAM產出比重降至30%左右，明年進一步以降到20%以下為目標；海力士DRAM 占比也降到五成，明年更計劃下修到四成，使得全球DRAM供應大減，估計全球DRAM單月投片量已自高點減少達10萬片，減幅9%。
隨著供給獲得節制，三星、海力士及美光等主要供應商不再削價競爭，配合近期市場強勁拉貨，激勵現貨報價走揚。根據集邦科技旗下DRAMeXchange調查，DDR3 2Gb顆粒現貨均價連日攀升，從11月底的0.82美元起漲，昨天再漲6.12%，攻上0.92美元，創4個多月來新高價，短短幾天便強漲12.2%。
集邦科技表示，DRAM現貨價12月以來天天漲，反映通路端庫存水位已低，且驚覺價格已「跌無可跌」，加上主要原廠無意再降價求售，積極回補庫存。
業界樂觀預期，本波現貨價漲勢可延續到耶誕節，有機會朝1美元靠龍，以現階段報價計算，潛在漲幅約一成。不僅有助南科、華亞科等晶片廠改善營運績效，威剛、宇瞻等模組廠，因握有低價庫存，將直接享受價差套利空間，受惠更大。
DRAM下游端回補庫存，從近來主要記憶體廠營收表現即可一窺倪。南科11月營收月增二成；威剛11月營收雖較10月小幅衰退，但DRAM業績卻比10月激增54%，營收占比也10月的35%，竄升至45.6%，公司樂觀預期本季在低價庫存效應帶動下，獲利可期。
南科和威剛均坦承，來自個人電腦品牌廠如惠普戴爾電腦，和消費性電子如數位電視、及智慧型電視及機上盒出貨拉升，帶動11月DRAM需求轉強。集邦強調，這波DRAM價格回升的驅動力，主要來自中國平板電腦風潮崛起，推升DRAM搭載容量。
台灣DRAM廠也加入減產，南科、力晶均減少標準型產品投片量；華亞科轉攻伺服器用記憶體及行動式記憶體，都讓標準型記憶體供給減少。
南科（2408）等晶片製造商改善營運績效之餘，模組廠率先反映低價庫存效益，受惠更大，威剛便樂觀預期，本季低價庫存效益可期，有助獲利。
據了解，韓系廠商如三星等將標準型DRAM產出比重降至30%左右，明年進一步以降到20%以下為目標；海力士DRAM 占比也降到五成，明年更計劃下修到四成，使得全球DRAM供應大減，估計全球DRAM單月投片量已自高點減少達10萬片，減幅9%。
隨著供給獲得節制，三星、海力士及美光等主要供應商不再削價競爭，配合近期市場強勁拉貨，激勵現貨報價走揚。根據集邦科技旗下DRAMeXchange調查，DDR3 2Gb顆粒現貨均價連日攀升，從11月底的0.82美元起漲，昨天再漲6.12%，攻上0.92美元，創4個多月來新高價，短短幾天便強漲12.2%。
集邦科技表示，DRAM現貨價12月以來天天漲，反映通路端庫存水位已低，且驚覺價格已「跌無可跌」，加上主要原廠無意再降價求售，積極回補庫存。
業界樂觀預期，本波現貨價漲勢可延續到耶誕節，有機會朝1美元靠龍，以現階段報價計算，潛在漲幅約一成。不僅有助南科、華亞科等晶片廠改善營運績效，威剛、宇瞻等模組廠，因握有低價庫存，將直接享受價差套利空間，受惠更大。
DRAM下游端回補庫存，從近來主要記憶體廠營收表現即可一窺倪。南科11月營收月增二成；威剛11月營收雖較10月小幅衰退，但DRAM業績卻比10月激增54%，營收占比也10月的35%，竄升至45.6%，公司樂觀預期本季在低價庫存效應帶動下，獲利可期。
南科和威剛均坦承，來自個人電腦品牌廠如惠普戴爾電腦，和消費性電子如數位電視、及智慧型電視及機上盒出貨拉升，帶動11月DRAM需求轉強。集邦強調，這波DRAM價格回升的驅動力，主要來自中國平板電腦風潮崛起，推升DRAM搭載容量。
台灣DRAM廠也加入減產，南科、力晶均減少標準型產品投片量；華亞科轉攻伺服器用記憶體及行動式記憶體，都讓標準型記憶體供給減少。
集邦科技（TrendForce）旗下研究部門DRAMeXchange調查，11月下旬DRAM合約價小跌3.17%，但因DRAM減產及減少標準型DRAM產出效益顯現，明年上半年供需將趨平衡，產業可望緩步復甦。
集邦科技表示，近期DRAM模組價格已從年中每月動輒1美元甚至2美元的跌幅，正逐漸收斂。
集邦科技甚至認為標準型DRAM價格底部已浮現，主要原因是各家DRAM廠持續減少標準型DRAM產出，並積極轉進行動式記憶體與伺服器用記憶體，標準型DRAM供需即將進入三星、海力及美光三強鼎立時代，產業供需漸趨平衡，但明年主流記憶體將聚焦行動記憶體及伺服器用記憶體，標準型DRAM規模仍會萎縮。
根據集邦科技調查，11月上旬DRAM合約價持平，11月下旬DRAM合約價因Windows 8換機效應不如預期，再呈現下滑，但跌幅僅3.17%。
不過，DRAM現貨價格受到各家PC廠競相在年底推出新款個人電腦，提升DRAM搭載激勵，率先止跌翻升，主流DDR3 2Gb每顆報價上漲至0.82美元到0.85美元，漲幅1.34%；DDR3 4Gb 每顆報價2.03元，上漲0.4%。
DRAM報價止跌回升，帶動DRAM族群昨（3）日股價強勁彈升，財務面較無疑慮的華亞科（3474）強鎖漲停價2.33元；力晶也因債務獲銀行團展延，收漲停價0.24元。
集邦科技表示，近期DRAM模組價格已從年中每月動輒1美元甚至2美元的跌幅，正逐漸收斂。
集邦科技甚至認為標準型DRAM價格底部已浮現，主要原因是各家DRAM廠持續減少標準型DRAM產出，並積極轉進行動式記憶體與伺服器用記憶體，標準型DRAM供需即將進入三星、海力及美光三強鼎立時代，產業供需漸趨平衡，但明年主流記憶體將聚焦行動記憶體及伺服器用記憶體，標準型DRAM規模仍會萎縮。
根據集邦科技調查，11月上旬DRAM合約價持平，11月下旬DRAM合約價因Windows 8換機效應不如預期，再呈現下滑，但跌幅僅3.17%。
不過，DRAM現貨價格受到各家PC廠競相在年底推出新款個人電腦，提升DRAM搭載激勵，率先止跌翻升，主流DDR3 2Gb每顆報價上漲至0.82美元到0.85美元，漲幅1.34%；DDR3 4Gb 每顆報價2.03元，上漲0.4%。
DRAM報價止跌回升，帶動DRAM族群昨（3）日股價強勁彈升，財務面較無疑慮的華亞科（3474）強鎖漲停價2.33元；力晶也因債務獲銀行團展延，收漲停價0.24元。
美國對大陸太陽能電池廠「雙反」昨（8）日終判，大陸製太陽能電池最高將被課徵逾265%高額懲罰性關稅，並追溯自今年3月起，為期5年，台灣新日光、昱晶、茂迪喜迎轉單，業界近期醞釀漲價聲浪再起，將帶領台灣太陽能產業再度迎向高潮。
美國「雙反」貿易制裁為期5年，比業界原預期2至3年還長。業界認為，「此舉等於關閉大陸太陽能電池輸美大門」，引發大陸業者強烈不滿，揚言發動美國境內訴訟或多邊貿易機制，以捍衛權益。
台廠則對這項終判正面看待。新日光總經理洪傳獻認為，大陸是全球最大太陽能電池製造國，但一直以來都以價格戰搶市，導致市場機制扭曲，成為一片紅海。隨著大陸太陽能電池最高將被課徵逾265%關稅，「大陸製產品將毫無競爭力」，預料訂單將轉往台廠。
太陽能導電漿大廠碩禾認為，美國「雙反」終判比業界預期嚴苛，「等於要讓大陸太陽能電池退出美國市場 」，大陸業者要規避美方制裁，委託台灣代工將成為必要之策，對台灣太陽能廠短期絕對有利。
台灣是全球第二大太陽能電池製造國，由於具有品質與技術優勢，隨著大陸廠「無法搗亂」，近期醞釀漲價，幅度約5%，近期業者接單狀況明顯揚升，伴隨漲價，更有助台廠走出低潮。
根據美國國際貿易委員會對「雙反」的終判決議，全數通過對大陸太陽能電池廠進行貿易制裁，預計增課反傾銷稅率從18.32%至249.96%，反補貼稅率14.78%至15.97%。
集邦科技（TrendForce）旗下綠能分析部門EnergyTrend也指出，美對大陸太陽能電池廠「雙反」終判，將使大陸業者成本大幅增加，必須透過採用第3地電池產品做為規避課稅方法，台灣廠商將會是短期受惠最多地區。台股太陽能族群昨天反映美國雙反終判及歐巴馬連任美國總統後，仍將延續獎勵新能源政策等利多，相對大盤抗跌，綠能漲停鎖死。
美國「雙反」貿易制裁為期5年，比業界原預期2至3年還長。業界認為，「此舉等於關閉大陸太陽能電池輸美大門」，引發大陸業者強烈不滿，揚言發動美國境內訴訟或多邊貿易機制，以捍衛權益。
台廠則對這項終判正面看待。新日光總經理洪傳獻認為，大陸是全球最大太陽能電池製造國，但一直以來都以價格戰搶市，導致市場機制扭曲，成為一片紅海。隨著大陸太陽能電池最高將被課徵逾265%關稅，「大陸製產品將毫無競爭力」，預料訂單將轉往台廠。
太陽能導電漿大廠碩禾認為，美國「雙反」終判比業界預期嚴苛，「等於要讓大陸太陽能電池退出美國市場 」，大陸業者要規避美方制裁，委託台灣代工將成為必要之策，對台灣太陽能廠短期絕對有利。
台灣是全球第二大太陽能電池製造國，由於具有品質與技術優勢，隨著大陸廠「無法搗亂」，近期醞釀漲價，幅度約5%，近期業者接單狀況明顯揚升，伴隨漲價，更有助台廠走出低潮。
根據美國國際貿易委員會對「雙反」的終判決議，全數通過對大陸太陽能電池廠進行貿易制裁，預計增課反傾銷稅率從18.32%至249.96%，反補貼稅率14.78%至15.97%。
集邦科技（TrendForce）旗下綠能分析部門EnergyTrend也指出，美對大陸太陽能電池廠「雙反」終判，將使大陸業者成本大幅增加，必須透過採用第3地電池產品做為規避課稅方法，台灣廠商將會是短期受惠最多地區。台股太陽能族群昨天反映美國雙反終判及歐巴馬連任美國總統後，仍將延續獎勵新能源政策等利多，相對大盤抗跌，綠能漲停鎖死。
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