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記憶體大廠美光(Micron)昨(20)日召開法說會，執行長Mark Durcan看好下半年NAND Flash旺季，並指出未來12個月，NAND市場產能供給增加的幅度有限，但需求十分強勁，幾乎可用貪婪的需求(i nsatiable demand)來形容，因此對下半年NAND市場抱持樂觀正面看法。

根據集邦科技旗下DRAMeXchange調查，由於全球4大供應商近一年來沒有擴產動作，加上製程微縮難度太高導致速度放緩，第3季NAND Flash位元成長率恐低於10％，但因行動裝置及固態硬碟(SSD)市場進入旺季，業界看好NAND Flash價格在第3季有機會大漲2成，本季大幅拉升NAND晶片庫存的廣穎(4973)、創見(2451)、群聯(8299) 等業者可望大賺機會財。

受惠於DRAM及NAND Flash價格同步上漲，美光2013年會計年度第3 季(3∼5月)終於扭轉連8季虧損態勢而轉虧為盈，稅後淨利0.43億美元。對於下半年，美光高層認為，現階段DRAM及NAND Flash市場供需已趨於平衡，下半年將呈現供給吃緊，其中特別看好NAND Flash市場旺季表現。

集邦科技指出，從供給面來看的話，NAND Flash供應商除日本東芝將會回復先前減產的產能外，其它供應商在第3季時都不會有任何新產能的加入，同時，在各家轉進1x奈米等級製程的腳步也明顯放緩下，預估第3季供給端總產出的季增率將不到10％水準。

從需求面來看的話，系統OEM端對於新品上市的備貨動能將逐月增溫，將有助於提升eMMC、SSD的需求。另外，就連一直需求疲軟的記憶卡與隨身碟市場，都有機會於第3季出現觸底反彈，如記憶卡市場因為非蘋陣營廠商新手機與平板產品，在下半年銷售量可望增加而受惠；隨身碟市場受到傳統銷售旺季、USB 3.0隨身碟價格更具吸引力、價格戰可能趨緩等因素激勵下，出貨量較上季成長的機率高。

業界推估，NAND Flash下半年供給成長有限，但需求成長快速，第 3季價格有機會季增至少2成，第4季價格還會持續走高。

國內模組廠如廣穎、創見、勁永、群聯等，利用第2季淡季期間大量回補庫存，第3季可望直接受惠大賺機會財，獲利均有機會創下新高。

全球市場研究機構集邦科技（TrendForce）旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange調查顯示，6月上旬儲存型快閃記憶體（NAND Flash）合約價，受惠新一波電子代工大廠（OEM）客戶備貨需求提升，小幅上揚2%到4%；6月下旬持續上漲機率高。

集邦指出，6月上旬OEM廠已啟動新一波的新產品備貨需求，讓大多的NAND Flash供應商包括三星、東芝、新帝及美光等，都將產出的NAND晶片優先滿足系統端客戶為主，導致通路端可分配的貨大幅受到排擠，貨源吃緊。

集邦分析，主要NAND Flash供應商除東芝將恢復先前減產產能外，其他各廠都表明第3季不會有新產能。

標準型DRAM價格6月以來天天漲，DDR3 2Gb DRAM昨（17）日每顆報價，二年多來首度觸及2 美元，4Gb DRAM也快衝上4美元價位，市場預期漲勢可能延燒至利基型記憶體，包括華邦電（2344）、鈺創等第2季轉盈在望。

不過，DRAM相關個股波段漲幅已高，加上第3季電子產業傳出旺季不旺的聲音，DRAM價格後續走勢值得關注。

集邦科技旗下的DRAMeXchange最新報價，DDR3 2GbDRAM 現貨報價，昨天最高價每顆已來到2美元，為2011年2月以來首度觸及2美元價位，均價也推升至1.94美元；DDR3 4Gb DRAM每顆現貨報價推升3.76美元，最高報價達3.8美元，同創2011年5月以來最高價；累計6月以來DRAM現貨價漲幅已達8.1%；4月以來漲幅則達13.6%。

機構件捷邦（1566）昨（17）日董事會決議，在LED石墨散熱燈罩事業投資8,000萬元，用於租用廠房與添購設備，預計第3季開始小量生產，初期規劃的月產能15萬顆，搶攻LED照明。

看好LED產業未來發展前景，捷邦已於2011年成立電子零件事業部，並開始研發LED石墨散熱燈罩。捷邦表示，LED石墨燈罩的散熱效果相較於現在的LED燈泡採用鋁合金散熱機構件還要好，成本方面，理論上也會比鋁合金散熱器便宜，且冶金粉末也是公司的強項。

捷邦表示，LED石墨燈罩產品持續試樣中，目前國內也有許多燈具廠的客戶正在接觸當中，公司也決議於今年進入量產階段，產能預計第3季開出，不過，初期量產的產能不大。因為今年此產品投產時間較晚，加上初期投產的規模還不大，今年營收貢獻應相當有限。捷邦昨天股東會，通過承認去年度營業報告書及財務報表案，也通過盈餘分派案，預計每股配發現金0.36元，另以資本公積配發現金每股0.04元。

台北電腦展閉幕，但DRAM現貨報價因平板、手機及電腦三股買氣匯集，主流DDR3 2Gb顆粒站上1.9美元，創下近期新高。

三星上月通知通路商，6月起將把大部分產能優先供應自家產品使用後，DRAM價格5月以來天天漲，雖然每日漲幅不超過1%，但5月初以來累計漲幅已達15%；股價方面，低價DRAM轉機股成為本波買盤追捧標的，但市場預期未來漲幅將趨緩，上周類股股價回檔整理。

稍早集邦科技預估，隨各家新產品密集在6月上市，第3季大舉拉貨，儲存型快閃記憶體（NAND Flash）價格本月中旬緩漲，加上DRAM漲勢不止，使本月重現今年首季DRAM和NAND Flash雙漲局面。

全球市場研究機構集邦科技（TrendForce）發布最新研究報告，預估今年DRAM產值在銷售單價強勁反彈下，將可大幅成長逾30%，擺脫過去二年價格崩跌、產值大減的窘境。

另外，儲存型快閃記憶體（NAND Flash），因拜行動裝置需求持續提升，加上銷售單價跌幅收斂，產值也將比去年成長27.2%，產值來257億美元（約新台幣7,740億元），而位元成長率更達到48.8%。

集邦透露，今年是DRAM步向復甦的一年，產業也正進行大幅度的結構性調整，包括美光即將合併爾必達，並與台塑集團達成策略結盟。

DRAM廠因應雲端以及行動手持產品領域需求快速成長，也加速將產能轉向生產這類毛類較高的產品，並尋求產品差異化、多元化，但資本支出也趨保守，除製程轉進的相關投資外，並未有建置新產能的計畫。

但集邦也強調，未來DRAM由三星獨大的局面將不會改變，且隨著DRAM製程瀕臨物理極限，在各廠無意大幅擴充下，過去價格大起大落巨幅波動將成為歷史。

受惠DRAM合約價上揚，台塑集團旗下華亞科（3474）、南科，第2季獲利將大幅躍升，華亞科單季有機會逾35億元，南科獲利將超過20億元，兩家公司合計挑戰60億元；模組廠威剛、創見及宇瞻等，獲利也將齊步維持高檔。

法人預估，同是DRAM廠的瑞晶和華邦，預料第2季也都可望繳出獲利成績，這也將是DRAM廠睽違多年後，首見進入全面獲利時代。

DRAM業者透露，儘管4月市場買氣有暫時縮手趨勢，但主要生產廠房礙於並無新增產能，也不能低價出售，加上三星擔心標準型DRAM持續飆升，波及集團相關智慧手機、平板電腦及智慧型電視出貨，設法壓抑漲幅，使得4月DRAM價格波動極小。

直到近期，隨著三星和蘋果鎖貨，造成市場DRAM貨源愈加吃緊，加上以代工生產筆電的OEM廠5月中旬開始陸續補貨，讓近期DRAM價格悄俏站上2年多來新高。

根據集邦科技最新報價，昨天主流DDR3 4Gb DRAM，每顆報價已站上3.3美元；DDR3 2Gb DRAM每顆報價來到1.81美元高價，均價也將正式站穩1.8美元，和上月相比，漲幅已近一成，透露供貨短缺，三星也擋不住DRAM漲勢。

行動裝置Mobile DRAM供不應求，利基型DRAM同樣缺貨，連網通設備大廠正文(4906)都指出因DRAM缺貨而導致出貨延宕。由於日韓D RAM大廠無法足額供貨，華邦電(2344)受惠於中小型手機廠及網通設備廠轉單效應，本季持續放量出貨，加上價格已連續3個月調漲，法人估華邦電4月單月將由虧轉盈，第2季確定可以獲利。

根據集邦科技旗下DRAMeXchange調查，今年第1季因為進入智慧型手機出貨淡季，加上工作天數減少，全球Mobile DRAM市場規模下滑 5.2％至26.01億美元。

不過，由於3月後各家手機廠陸續推出新機，內建Mobile DRAM容量由1GB放大1倍到2GB，包括三星、SK海力士、爾必達等3大供應商，產能均被包走，沒有多餘產能可以釋出，Mobile DRAM市場頓時陷入缺貨狀態，因此，美光及華邦電受惠於轉單效應，首季營收逆勢成長。

美光第1季Mobile DRAM營收約達0.71億美元，季成長率高達98％，華邦電首季Mobile DRAM營收亦成長21.3％達0.29億美元。雖然兩家 DRAM廠的市占率仍低，但因第2季後3大供應商仍無多餘產能可以交貨，美光及華邦電本季出貨持續放量。

集邦科技指出，華邦電Mobile DRAM首季全球市占率達1.1％，但營收佔比已達14％，雖然現在仍以低容量的Pseudo RAM及LPDDR1為大宗，但隨著智慧型手機的興起，LPDDR2已進入試產階段，亦在客戶端進行相關驗證工作，可望在自本季起逐步提升整體獲利能力與營運體質。

此外，應用在消費性電子及網通設備中的利基型DRAM，第2季同樣出現缺貨，如網通大廠正文就表示，4月營收意外衰退，就是受制於 DRAM供貨量不足。由於第2季網通設備市場進入出貨旺季，在日韓DR AM大廠同步淡出1Gb以下容量利基型DRAM市場情況下，華邦電亦直接受惠，開始承接國內外網通設備廠轉單。

由於行動及利基型DRAM出貨量放大，加上價格調漲，華邦電4月合併營收達29.96億元，月成長率達10.4％，法人預估，華邦電4月單月看來已可由虧轉盈，第2季確定可獲利。

DRAM 4月上旬合約價再漲逾2%，台系DRAM廠南科（2408）及華亞科本月獲利更加確定；相關模組廠業績同步看俏。

根據集邦科技旗下研究部門最新統計，DRAM合約價經歷3月大漲近20%後，仍未改善供需失衡情況，合約價與現貨價仍有逾0.4美元的價差。

根據集邦科技旗下研究部門DRAMeXchange調查顯示，由於NAND Fl ash原廠持續將產能移往64Gb與128Gb等高容量顆粒，以滿足OEM客戶的eMMC與固態硬碟(SSD)需求，使得32Gb舊製程低容量的供給量持續下探，因此3月下旬NAND Flash合約價當中，高容量合約價持平， 32Gb以下容量則出現6∼7％漲幅。

模組廠對第2季NAND晶片價格看法仍正面，由於高階晶片已被OEM廠包下，低容量供應愈來愈少，所以業界認為，32Gb NAND MLC缺貨持續擴大，TLC晶片更是供不應求，將導致記憶卡及隨身碟供應量降低，價格也將持續走高。法人則看好威剛(3260)、創見(2451)、勁永(6145)、群聯(8299)等擁有低價貨源的模組廠，本季營收及獲利將同步受惠。

集邦科技指出，第2季64Gb與128Gb等高容量的MLC顆粒出海口，仍以OEM廠的eMMC及SSD應用為主，由於大部分新款智慧型手機、平板電腦、Ultrabook將落在6月份上市，拉貨放量的時間點將落在第3季，因此第2季將無可避免地將面臨淡季效應的影響，高容量NAND Flash 合約價也將轉為較為疲軟的格局。

反觀16Gb與32Gb等低容量顆粒的供給面分析上，NAND Flash原廠在最先進的20奈米等級製程上，最低容量顆粒多數自64Gb起跳，32Gb以下的產出比重已降至非常低的水準。也因此，32Gb以下容量NAND晶片價格持續看漲，業內推估價格仍有20∼30％的調漲空間。

事實上，目前市面上16Gb與32Gb的顆粒大部分是屬於上個世代的2 5奈米等級製程，而這些產品大多數已進入產品的尾聲，產出比重已經非常低，因此即便需求增加的幅度不明顯，但在供貨量下降速度更快的影響下，舊製程小容量的16Gb與32Gb價格將相對有撐。

集邦科技指出，整體NAND Flash市場在第2季雖然會不可避免地面臨淡季效應的衝擊，但在NAND Flash原廠產品組合將更集中在以20奈米為主的高容量64Gb與128Gb，因此高容量64Gb與128Gb價格走勢將相對疲軟。應用在通路市場記憶卡與隨身碟的低容量顆粒，價格在供給量持續減少的因素下，相對於高容量的顆粒價格將更為平穩。

由於上游DRAM廠持續減少標準型DRAM產出，但ODM/OEM廠手中庫存不足，3月下旬合約價續漲約2％，第2季進入PC零組件拉貨旺季後， 4GB DDR3模組將上看30美元，仍有25∼30％的調漲空間。

法人看好模組廠第2季營運成績，包括威剛(3260)、勁永(6145 )、創見(2451)、品安(8088)等均將持續受惠。

根據集邦科技旗下研究部門DRAMeXchange調查，3月下旬DRAM合約價呈現小幅上漲的格局走勢，4GB DDR3模組合約價上升到23.5美元，較上旬調漲2.2％，2GB DDR3模組合約價漲1.8％達14美元。

集邦指出，由於3月上旬合約價格大漲已逾20％，加上主力客戶的大訂單已在上旬議定完成，3月下旬無論是在客戶規模與採購規模方面皆屬少量，價格議定上是延續上旬價格走勢並微幅上漲。至於第2 季，以供需情況來看，價格持續看漲。

從供給端來觀察，由於三星新機皇Galaxy S4需求超過預期，三星已加速提升Mobile DRAM的產出量，此舉勢必讓標準型DRAM的產出缺口更為擴大。此外，蘋果今年極可能推出不只一款的新手機，同屬供應鍊的DRAM廠已有擴大生產Mobile DRAM的動作出現，加上台灣327地震影響，部份靠近震央的DRAM廠有部份設備受損，可能影響其產出量，讓供貨吃緊的狀況雪上加霜。

DRAM現貨價格今年來大幅上漲，帶動該3月合約價格同步強勁反彈，雖然下旬合約價格漲幅較小，但4GB DDR3模組均價自19.75美元漲到23.5美元價位，單月漲幅逼近20％。由需求面觀察，3月份實屬PC 出貨淡季，市場早有預期由終端消費者所帶動的DRAM消耗量有限，因此實際上帶動此波價格上漲的主因，來自於中國白牌平板電腦需求。

集邦預估，4月合約價格將維持上漲的價格走勢，加上部份ODM/OE M廠標準型DRAM庫存水位偏低，將會加劇價格的上揚，平緩上漲已不復見，不排除旺季來臨時看到4GB DDR3模組站上30美元價位，等於仍有25∼30％的調漲空間。

今年來標準型DRAM價格攀升，對虧損多年的DRAM廠來說，絕對是久違的好消息，華亞科3月已由虧轉盈，集邦指出，DRAM供應商該適時思考如何在標準化的產品中提供附加價值，才能夠避免再次落入削價競爭的循環當中。

DRAM 3月下旬合約價小漲2.17%，但全球市場研究機構集邦科技TrendForce旗下研究部門DRAMeXchange調查，隨著進入科技業旺季，價格還有近三成的上漲空間，南科（2408）、華亞科及模組廠都將受惠。

DRAM大廠華亞科在公布3月轉盈，昨（2）日股價開高後，卻不敵短多獲利拔檔賣壓，最後跌停鎖死，收8.39元，收復票面功敗垂成，單日波動幅度高達11%。

儘管如此，DRAM漲勢仍是一波接著一波。集邦調查，繼3月上旬DRAM合約價大漲逾16%後，3月下旬合約價漲幅雖縮小至2.17%，DDR3 4GB模組合約均價來到23.5美元，DDR3 2GB 也上漲約1.82%，站上14美元價位。

集邦表示，由於三星Galaxy S4需求遠超過預期，三星已加速提升行動式記憶體的產出量，勢必讓標準型記憶體產出缺口更為擴大。

集邦預估4月DRAM合約價格仍然看漲，加上市場標準型庫存存水位偏低，更將加劇價格漲勢。

記憶體3月上旬合約價同步大漲，DRAM模組合約價大漲15∼23％， NAND快閃記憶體晶片亦大漲1成，其中嚴重缺貨的TLC晶片漲幅更高達 57∼58％。

由於DRAM及NAND現貨市場價格高於合約價約3成，擁有自有品牌的模組廠威剛(3260)、創見(2451)、宇瞻(8271)等受惠最大，其中穩坐全球第2大模組廠的威剛更是獲利大進補。

今年以來DRAM及NAND價格持續調漲，除了市場需求轉強外，最大原因仍在於上游DRAM及NAND晶片廠無法開出足夠產能，導致市場供不應求。會導致如此情況，導因於過去2年當中DRAM及NAND廠並無興建新的生產線，而今年就算擴大資本支出，新生產線產能也要等到今年第 4季後才會開出。

以DRAM來說，今年首季電腦銷售成績不佳，需求主要來自於採用標準型DRAM的大陸白牌平板，推升現貨價一路拉高，而3月因進入ODM/ OEM廠的備貨旺季，在市場供給量不足下，ODM/OEM廠拉高採購價格區間，因此推升3月下旬DRAM合約價大漲。

根據集邦調查，DRAM合約價自去年11月落底後一路走高，4GB DDR 3模組價格由15.25美元漲到3月上旬的23美元，3個月內漲幅已超過5 0％，2GB DDR3模組漲幅更高達60％。由於上游DRAM晶片廠大多數產能仍移轉生產Mobile DRAM，短期間內看不到標準型DRAM產出放大，業界評估4GB DDR3模組價格在未來2個月內將上看28美元，價格仍有 2成以上漲價空間。

NAND晶片市場同樣呈現供不應求，主要是受惠於行動裝置及Ultra book開始採用高容量eMMC或固態硬碟(SSD)，大幅去化NAND產能。而3月以來，因為MLC顆粒供給缺口擴大到3成，現貨價不到半個月大漲逾20％，NAND廠將產能移轉生產MLC，更導致TLC晶片在現貨市場幾乎斷貨，32Gb TLC NAND顆粒現貨價半個月內已漲一倍。

在市場供不應求下，3月上旬NAND合約市場亦開出紅盤，32Gb以上高容量MLC NAND晶片普遍來看調漲約1成，同容量TLC晶片合約價則大漲57∼58％。而在晶片漲價效應下，包括記憶卡、隨身碟等終端產品 3月以來價格亦漲了將近3∼4成。

市調機構顧能（Gartner）發布最新DRAM調查，首季DRAM供需在睽違10季後首度達供需平衡；預料第2季因需求增幅超過供應商微縮腳步，將首見供不應求局面，估計缺口將達6,000萬顆，缺口幅度1.3%，下半年缺貨會更嚴重。

顧能報告指出，首季雖是PC淡季，但因DRAM大廠南韓三星、SK海力士及美光等，持續減產且未再擴增新產能，加上智慧型手機、平板電腦、智慧型電視及伺服器等雲端應用產品搭載DRAM容量持續擴大，抵銷PC銷售走弱，進而推升標準型DRAM年初以來價格飆漲。

顧能調查顯示，首季DRAM 供需平衡，加上DRAM在其他領域應用大幅增加，抵銷PC對DRAM需求降低，是DRAM在淡季不跌反漲主要關鍵。

集邦科技昨（19）日也發布調查，直指中國大陸白牌平牌捨行動式記憶體而幾乎都搭載標準型DRAM，是這波DRAM現貨飆漲的最大推手。

業者表示，從近三到四年科技產品搭載的DRAM容量來看，PC銷售雖年年下滑，今年也是呈現跌勢。但雲端產業快速崛起的智慧型手機，搭載DRAM的容量，從原本的每支128Mb 到512Mb，擴增至近期的512MB到1GB，等於容量即暴增至少八倍以上。

DRAM現貨3月飆漲，3月上旬合約價同步攀高，3月上旬合約價漲幅逾二成，創下去年11月底以來單月最大漲幅，國內DRAM大廠南科（2408）、華亞科轉盈指日可待；創見、威剛、品安等模組廠也同樣樂透。

集邦科技（TrendForce）旗下研究部門DRAMeXchange調查顯示，截至3月12日，DRAM現貨價格受到中國白牌平板電腦強勁補貨DDR3 2Gb顆粒報價由初年的1.05美元，漲至1.75美元，漲幅達66%，漲勢為近年來最強勁。

集邦指出，大陸白牌平板電腦挾低價快速放量出貨，這些產品捨棄單價較高的行動式記憶體，絕大多數搭載標準型DRAM ，成為PC出貨淡季中，推升標準型DRAM漲勢的的主要推手。

受到DRAM現貨價格飆漲，3月上旬DRAM合約價格漲幅超乎預期，主流產品DDR3 4GB模組均價站上23美元，和上次報價相比，上漲約16.46%。

受到主要大廠持續減少供貨影響，3月上旬儲存型快閃記憶體（NAND Flash）合約價上漲逾一成，第2季因貨源更缺，價格持續看漲，NAND晶片族群如創見（2451）、群聯、宇瞻等將受惠。

集邦科技（TrendForce）旗下研究部門DRAMeXchange昨（19）日發布最新調查，受到NAND Flash原廠包括三星、SK海力士、東芝及新帝等對通路客戶持續緊縮供貨，3月上旬NAND Flash合約價也追隨DRAM 腳步，價格上揚，特別是低容量MLC與TLC部分，漲幅逾一成。

上游DRAM廠持續降低標準型DRAM投片，但PC市場需求回溫，在供不應求情況下，OEM廠及模組廠昨日出手掃貨，推升DRAM價格續漲，4G b DDR3現貨價昨日更大漲6.3％至2.7美元。雖然台股昨日重挫近百點，但受惠於漲價題材發酵，DRAM廠南科(2408)、華亞科(3474)、華邦電(2344)股價逆勢飆高，威剛(3260)、品安(8088)等模組廠股價也大漲同慶。

DRAM價格自去年12月以來大漲小回，漲勢在大陸農曆年後更是一發不可收拾，主要原因在於國際DRAM大廠去年第4季不約而同進行策略性減產，並將產能大舉移轉生產智慧型手機或平板使用的Mobile DR AM，由於轉移出去的產能並未回頭投產標準型DRAM，隨著市場供給量逐月下降，價格也一路上漲不回頭。

根據集邦科技昨日報價，4Gb DDR3原廠顆粒現貨價昨日大漲6.3％來到2.7美元，主流2Gb DDR3原廠顆粒現貨價亦漲2.3％來到1.5美元，而有效測試(eTT)現貨價更飆漲6％至1.37美元。

至於上周公布的2月合約價平均漲幅達11∼13％，2GB DDR3模組衝上11∼11.5美元，4GB DDR3模組亦大漲至19.5∼20美元。業界預估，由於標準型DRAM供貨量吃緊，4GB模組第1季底就可望上看25美元。

模組業者表示，美光併購爾必達一案塵埃落定，包括三星、SK海力士、美光等3大廠，持續將標準型DRAM產能移轉生產高毛利的Mobile DRAM或伺服器DRAM，而今年PC市場需求在首季落底後，第2季來自OD M/OEM廠的需求預估已見增溫，在預估下半年DRAM恐將供貨不足情況下，價格漲勢看來會持續到第2季。

雖然南科及華邦電已退出標準型DRAM市場，僅剩華亞科持續投片，但受惠於DRAM價格大漲消息激勵，DRAM廠股價昨日無視大盤重挫近百點沉重賣壓，仍逆勢飆高逾4％。至於擁有低價庫存的威剛、獲金士頓低價庫存奧援的品安等模組廠，受惠於溢價差拉大到逾1美元，法人預估本季獲利將大增，股價亦上漲收紅。

DRAM顆粒現貨價自去年12月起漲至今，4Gb DDR3價格站上2.5美元新高，3個月內漲幅高達75％。由於上游DRAM廠嚴控出貨，過去1個月價格呈現停滯的DRAM模組，上周終於出現「報復性上漲」，DRAM模組廠威剛(3260)、品安(8088)、宇瞻(8271)成為最大受惠者。

包括金士頓、威剛、Corsair、Crucial等品牌大廠4GB DDR3模組價格，上周末通路現貨價格一舉飆上25美元新高，換算成顆粒價格達2 .8∼2.9美元，與晶片現貨價間的溢價差拉大到12∼15％。

國際DRAM大廠去年第4季不約而同進行策略性減產，並將產能大舉移轉生產智慧型手機或平板使用的Mobile DRAM，導致去年12月後標準型DRAM產出量大減，今年1月以來，標準型DRAM供給量持續下降，亦推升價格一路上漲。

根據集邦科技及通路商報價，2Gb DDR3原廠顆粒現貨價已漲到1.4 美元，4Gb DDR3現貨價亦漲到2.5美元，上周平均漲幅約5％。受到現貨價持續上漲效應推升，2月份DRAM合約價再度大漲10％，4GB DDR3 模組報價站上20美元，包括南科在內業者，均看好3月份現貨及合約價均將續漲。

今年以來DRAM顆粒價格雖然持續上漲，但模組價格在2月以來價格卻是聞風不動。模組業者表示，主要是因為通路及零售業者在中國農曆年前大舉拉貨，市場供應量充足，加上農曆年配合OEM電腦大廠進行促銷，所以呈現「凍漲」。

不過，農曆年後DRAM顆粒漲勢凶猛，模組廠決定反應市場供需情況調漲價格，DRAM模組價格因此在上周出現「報復性上漲」行情。包括金士頓、威剛、Corsair、Crucial等品牌4GB DDR3模組價格應聲大漲 15∼20％，市場現貨均價飆上25美元，創2年來新高。

4GB DDR3模組價格換算為晶片顆粒均價約2.8∼2.9美元，不僅較合約價高出25％，與2.5美元現貨價相較，溢價差拉大到12∼15％。

大陸農曆年旺季電腦銷售成績不惡，ODM/OEM廠手中DRAM庫存水位大幅降低到4周以下，但上游DRAM廠緊縮貨源，在市場供貨量逐步下滑之際，標準型DRAM價格漲勢再起，2Gb DDR3原廠顆粒最高價昨(1 9)日已站上1.5美元，創下20個月新高價，包括威剛(3260)、品安 (8088)、宇瞻(8271)等模組廠今年獲利看俏。

根據集邦科技及模組業者提供資訊，以ODM/OEM合約市場為主的2G b DDR3原廠顆粒現貨價昨日高價已站上1.5美元新高，均價亦來到1. 37美元，而以零售市場為主的未測(eTT)顆粒現貨價再度攀高到1. 25美元價位。不論是原廠或未測顆粒價格，均已創下2011年7月以來的20個月新高。

整體來看，DRAM現貨價昨日漲幅雖然僅約1％左右，但因為是農曆年銷售旺季過後的淡季時期再現漲勢，因此隔外今業界人士關注。模組業者指出，淡季期間DRAM價格不跌續漲，代表市場供給量已趨不足，後續DRAM廠或模組廠若出現惜售，價格可能還有2∼3成的上漲空間。

標準型DRAM價格上漲，對於國內DRAM廠南科、華亞科等是一大利多，本季虧損將明顯縮小，而對於DRAM營收佔比高的模組廠如威剛、品安、宇瞻等業者來說，因為DRAM溢價差擴大，本季獲利成長力道不容小覷。

威剛元月合併營收達26.5億元，年增率高達33％，其中DRAM產品比重高於NAND，佔單月營收比重約54％。威剛表示，受惠於DRAM供貨吃緊及OEM大廠建立庫存水位需求，DRAM現貨價及合約價同步調漲，需求也在價格持穩的動力下，於今年元月呈現穩定加溫的狀況。而威剛為了滿足客戶訂單，今年春節假期仍加班趕工。

威剛強調，雖然去年DRAM價格波動劇烈，但因產品結構調整得宜，採購與庫存策略正確，去年全年不但維持穩定獲利狀態，並較前一年呈現年增數倍的明顯進步成績。今年預期在上游DRAM廠整併行動告一段落，以及模組同業逐步退出的狀況下，記憶體產業的展望會更趨穩健，價格走勢將優於去年，營運績效表現可望再上層樓。

DRAM合約價在通路庫存水位續降下，集邦科技旗下DRAMeXchange預估，元月合約價漲幅將逾一成；南科（2408）副總經理李培瑛預期，農曆春節後缺貨情況會更嚴重，價格持續看漲。

DRAMeXchange表示，首季雖然是DRAM需求淡季，但因全球DRAM市場形成兩家韓系廠和美光集團3家寡占局面，加上台系DRAM 廠商也因不堪長期虧損而紛紛退出，造成DRAM現貨價在淡季仍明顯彈升，連帶也使元月上旬合約價大漲7%到10%，估計元月整月合約價漲幅將逾10%。

雖然市場預期農曆春節後價格可能因備貨需求告一段落而有可能拉回，但台系DRAM仍抱持價格持續看漲的態度。

李培瑛表示，農曆春節後持續看漲的原因，一來各廠進行導入30奈米製程轉換，產出減少，再則需求端包括雲端、手機、網通及智慧型電視等新需求，將推升記憶體比過去成長4倍的成長空間。

此外，主要製程廠並沒新廠投資，都將使供需產生缺貨缺口，只要需求稍微轉強，DRAM價格將會強勁彈升，他看好未來DRAM價格仍具漲勢。